JP5732839B2 - 半導体素子封止体の製造方法および半導体パッケージの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体素子封止体の製造方法および半導体パッケージの製造方法に関する。

近年のエレクトロニクス産業の著しい発展に伴い、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩへと、半導体素子における回路の集積度は急激に増大している。このため、半導体素子の大きさも、従来長辺が数ｍｍ程度だったものが１０数ｍｍへと飛躍的に増大している。また、半導体素子の高速化のため外部と電気的に接合するピンの数も２００ピンを越えるようになってきている。

また、半導体装置の実装においても、より高密度化、より薄型化が一段と加速され、その結果、半導体製品自体もＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）等に代表される従来型のパッケージだけでなく、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）等の面実装タイプのパッケージが出現し、パッケージのより薄型化が進んでいる。

さらに、面実装タイプのパッケージが占有する面積を増加させずに、半導体装置の高密度化を図るために、２つ以上の面実装タイプのパッケージを積層するＰＯＰ（Ｐａｃｋａｇｅ Ｏｎ Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置が提案されている。

このような面実装タイプのパッケージを、一括して複数製造する方法として、例えば、以下に示すような、半導体素子をウエハー・レベル・パッケージ（ＷＬＰ）に封止して埋め込む基板技術（ＥＷＬＰ；Ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

まず、図９（ａ）に示すように、上面に接着層６０２が設けられたダミー基板６０１を用意し、接着層６０２を介してダミー基板６０１上に、複数の半導体素子６１６を、このものが有する電極パッド（図示せず）がダミー基板６０１側となるように載置する。

次に、図９（ｂ）に示すように、ダミー基板６０１上に載置された半導体素子６１６を覆うように封止部６１７で封止する。

次に、接着層６０２に加熱等の処理を施すことによりその接着力を低下させて、図９（ｃ）に示すように、半導体素子６１６および封止部６１７からダミー基板６０１を取り除くことにより、一方の面側から半導体素子６１６が露出した状態で封止部６１７により封止された封止体６１０を得る（図９（ｄ）参照。）。

次に、図１０（ａ）に示すように、半導体素子６１６が備える電極パッドが露出するように、封止体６１０の半導体素子６１６が露出する側の面に、貫通孔６２５を有する第１の被覆層６１５を形成する。

次に、図１０（ｂ）に示すように、貫通孔６２５内に、電極パッドと電気的に接続する導体ポスト６１４を形成した後、この導体ポスト６１４に電気的に接続された配線６１３を第１の被覆層６１５上に形成する。

次に、図１０（ｃ）に示すように、配線６１３の後述するバンプ６１１と接続すべき領域が露出するように、第１の被覆層６１５上に、開口部６２２を有する第２の被覆層６１２を形成する。

次に、図１０（ｄ）に示すように、開口部６２２に、配線６１３と電気的に接続するバンプ６１１を形成するとともに、第１の被覆層６１５および第２の被覆層６１２が形成された封止体６１０をその厚さ方向に切断することにより個片化して、複数のパッケージ６００を一括して得る。

以上のようにして、複数のパッケージ（半導体パッケージ）６００を一括して製造することができるが、面実装タイプのパッケージを積層するＰＯＰ型の半導体装置を得る場合、このパッケージ６００の他、ＰＯＰ型の半導体装置において、上側に配置されたパッケージ６００のバンプ６１１と電気的に接続することができる導体柱を、封止部に備えたタイプのパッケージを製造する必要がある。

かかる構成のパッケージについても、パッケージ６００と同様に、一括して製造することができる製造方法が求められている。

特開２００６−２８７２３５号公報

本発明の目的は、半導体素子を備え、上下に電気的接続を確保し得るパッケージを一括して複数製造することが可能であるとともに、前記パッケージを高い信頼性で製造することができる半導体素子封止体の製造方法および半導体パッケージの製造方法を提供することにある。

このような目的は、下記（１）〜（９）に記載の本発明により達成される。
（１） 少なくとも１つの電極パッドを有する複数の半導体素子と、導電性を有する複数の導体柱と、前記半導体素子および前記導体柱を封止する封止部とを有する半導体素子封止体の製造方法であって、
平板状をなし、熱分解性の樹脂成分を含んで構成される接着層を備えるダミー基板を用意し、前記接着層側の前記ダミー基板上に、前記電極パッドが前記ダミー基板側となるように前記半導体素子を配置する半導体素子配置工程と、
前記半導体素子が配置されている側の面に、前記ダミー基板と前記半導体素子とを覆うように感光性を有する絶縁性材料で封止して封止部を形成する封止部形成工程と、
前記封止部の各前記導体柱を形成すべき位置にフォトリソグラフィー法を用いて第１の貫通孔を形成した後、該第１の貫通孔に前記導体柱を形成することにより、前記ダミー基板上に前記半導体素子封止体を得る導体柱形成工程と、
前記接着層を加熱して前記樹脂成分を熱分解させることで前記半導体素子封止体から前記ダミー基板を剥離させる剥離工程とを有し、
前記樹脂成分は、下記化学式（１Ｘ）で表わされるカーボネート構成単位、および、下記化学式（２Ｘ）で表わされるカーボネート構成単位のうちの少なくとも１種を有するカーボネート系樹脂を含むことを特徴とする半導体素子封止体の製造方法。

（２） 前記封止部形成工程において、前記封止部は、前記感光性を有する絶縁性材料を含有する液状材料を、前記ダミー基板および前記半導体素子を覆うように、前記半導体素子が配置されている側の面に供給した後、前記液状材料を乾燥させることにより形成される上記（１）に記載の半導体素子封止体の製造方法。

（３） 前記封止部形成工程において、前記封止部は、前記感光性を有する絶縁性材料を含有するフィルム材を、前記ダミー基板および前記半導体素子を覆うように、前記半導体素子が配置されている側の面に貼り合わせることにより形成される上記（１）に記載の半導体素子封止体の製造方法。

（４） 前記導体柱形成工程において、前記第１の貫通孔は、前記封止部を、前記導体柱の形状に対応するフォトマスクを介して露光した後、前記導体柱を形成すべき領域に位置する前記封止部を、現像液を用いて除去することにより形成される上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の半導体素子封止体の製造方法。

（５） 前記導体柱形成工程において、前記導体柱は、電解メッキ法により形成される上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の半導体素子封止体の製造方法。

（６） 上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の半導体素子封止体の製造方法により製造された半導体素子封止体と、厚さ方向に複数の第２の貫通孔が形成されたシート材とを用意し、各前記第２の貫通孔に前記電極パッドおよび前記導体柱が対応するように、前記半導体素子封止体に前記シート材を貼り合わせるシート材貼り合わせ工程と、
前記第２の貫通孔に導電性を有する導体ポストを形成する導体ポスト形成工程と、
前記シート材の前記半導体素子封止体とは反対の面側に、前記導体ポストに電気的に接続する配線を形成する配線形成工程と、
前記半導体素子封止体とは反対側の面に、前記配線の一部が露出するように、開口部を備える被覆部を形成する被覆部形成工程と、
前記開口部で露出する前記配線に、バンプを電気的に接続するバンプ接続工程と、
前記半導体素子毎に対応するように、前記半導体素子封止体を個片化することにより、複数の半導体パッケージを一括して得る個片化工程とを有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。

（７）前記導体ポスト形成工程において、前記導体ポストは、電解メッキ法により形成される上記（６）に記載の半導体パッケージの製造方法。

（８）前記配線形成工程において、前記配線は、電解メッキ法により形成される上記（６）または（７）に記載の半導体パッケージの製造方法。

（９）前記導体ポストと前記バンプとは、前記シート材の面方向において、異なる位置に形成される上記（６）ないし（８）のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。

本発明によれば、半導体素子と、上下での電気的接続が可能となる導体柱を備える半導体パッケージを一括して複数製造することが可能となる。

さらに、配置する半導体素子を、予め評価試験を行い良品と判断されたものを選定する構成とすることにより、信頼性の高い半導体パッケージを得ることが可能となる。

本発明の半導体パッケージの製造方法により製造された半導体パッケージを備える半導体装置の一例を示す縦断面図である。 図１に示す半導体装置が備える各半導体パッケージを示す縦断面図である。 導体柱を有する半導体パッケージを複数一括して製造する半導体パッケージの製造方法の第１実施形態を説明するための縦断面図である。 導体柱を有する半導体パッケージを複数一括して製造する半導体パッケージの製造方法の第１実施形態を説明するための縦断面図である。 導体柱を有する半導体パッケージを複数一括して製造する半導体パッケージの製造方法の第１実施形態を説明するための縦断面図である。 導体柱を有する半導体パッケージを複数一括して製造する半導体パッケージの製造方法の第２実施形態を説明するための縦断面図である。 導体柱を有する半導体パッケージを複数一括して製造する半導体パッケージの製造方法の第２実施形態を説明するための縦断面図である。 導体柱を有する半導体パッケージを複数一括して製造する半導体パッケージの製造方法の第２実施形態を説明するための縦断面図である。 導体柱を有しない半導体パッケージを複数一括して製造する方法を説明するための縦断面図である。 導体柱を有しない半導体パッケージを複数一括して製造する方法を説明するための縦断面図である。

以下、本発明の半導体素子封止体の製造方法および本発明の半導体パッケージの製造方法を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。

まず、本発明の半導体素子封止体の製造方法および本発明の半導体パッケージの製造方法を説明するのに先立って、本発明の半導体パッケージの製造方法により製造された半導体パッケージを備える半導体装置について説明する。

＜半導体装置＞
図１は、本発明の半導体パッケージの製造方法により製造された半導体パッケージを備える半導体装置の一例を示す縦断面図、図２は、図１に示す半導体装置が備える各半導体パッケージを示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１、２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

図１に示す半導体装置３０は、ＰＯＰ（Ｐａｃｋａｇｅ Ｏｎ Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置であり、２つのパッケージ２０と１つのパッケージ１０とを有しており、２つのパッケージ２０が積層され、さらに、上側のパッケージ２０上に、パッケージ１０が積層された構成をなしている。

パッケージ（半導体パッケージ）１０は、図２（ａ）に示すように、厚さ方向に貫通する貫通孔１５１を備えるインターポーザー（基板）１５と、インターポーザー１５上に配置された半導体素子（ダイ）１６と、半導体素子１６を封止する封止部（モールド部）１７と、貫通孔１５１に設けられた導体ポスト１４と、導体ポスト１４に電気的に接続された配線１３と、配線１３に電気的に接続されたバンプ（端子）２１と、配線１３を被覆し、かつバンプ２１を露出させるように設けられた被覆部１２とを有している。

インターポーザー（基板）１５は、半導体素子１６を支持する基板であり、その平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。このインターポーザー１５には、その厚さ方向に貫通する複数（本実施形態では２つ）の貫通孔（スルーホール）１５１が形成されている。

半導体素子１６は、図示しない電極パッドをその下面側に有しており、この電極パッドが貫通孔１５１に対応するようにインターポーザー１５上に配置されている。

かかる位置に半導体素子１６が配置された状態で、封止部１７は、半導体素子１６およびインターポーザー１５の上面側をほぼ全て覆うように形成される。

貫通孔１５１には、導体ポスト１４が設けられ、この導体ポスト１４がその上側の端部で、半導体素子１６が備える電極パッドと電気的に接続される。

また、インターポーザー１５の下面には、所定形状に形成された配線１３が設けられ、その一部が導体ポスト１４の下側の端部と電気的に接続される。

さらに、配線１３の下面には、バンプ２１が電気的に接続されており、これにより、半導体素子１６とバンプ２１とが、電極パッド、導体ポスト１４および配線１３を介して電気的に接続される。

そして、バンプ２１をその下側から露出させるための開口部１２１を備える被覆部１２が配線１３を被覆するように設けられている。

パッケージ（半導体パッケージ）２０は、導体柱２８を備えることで、その上下で電気的接続が可能なパッケージであり、図２（ｂ）に示すように、半導体素子（ダイ）２６および導体柱２８と、半導体素子２６および導体柱２８を封止する封止部（モールド部）２７と、封止部２７の上下にそれぞれ配置された、厚さ方向に貫通する第２の貫通孔２５１を備えるインターポーザー（基板）２５と、第２の貫通孔２５１に設けられた導体ポスト２４と、導体ポスト２４に電気的に接続された配線２３と、配線２３に電気的に接続されたバンプ（端子）２１と、配線２３を被覆し、かつバンプ２１を露出させるように設けられた被覆部２２とを有している。

かかる構成のパッケージ２０では、封止部２７の上側および下側の双方に、インターポーザー２５、導体ポスト２４、配線２３、バンプ２１および被覆部２２がそれぞれ設けられており、これにより、パッケージ２０の上下での導通の確保（電気的接続）が可能となる。

インターポーザー２５は、２つのインターポーザー２５で半導体素子２６および導体柱２８を挾持する基板であり、その平面視形状は、インターポーザー１５と同様に、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。このインターポーザー２５には、その厚さ方向に貫通する複数（下側のインターポーザー２５では３つ、上側のインターポーザー２５では２つ）の貫通孔（スルーホール）２５１が形成されている。

半導体素子２６および導体柱２８は、それぞれ、その上面側において、導体柱２８が第２の貫通孔２５１に対応し、さらに下面側において、半導体素子２６の下面側に設けられた電極パッドおよび導体柱２８が第２の貫通孔２５１に対応するように、２つのインターポーザー２５の間に挾持されている。

かかる位置に半導体素子２６および導体柱２８が配置された状態で、封止部２７は、２つのインターポーザー２５で形成される空間を埋めるように設けられている。このような封止部２７を形成することで、導体柱２８は、その上下の端部において封止部２７から露出し、半導体素子２６は、その電極パッドにおいて封止部２７の下側の端部から露出する構成をなす。

各第２の貫通孔２５１には、導体ポスト２４が設けられ、これら導体ポスト２４は、その一方の端部で、半導体素子１６が備える電極パッドまたは導体柱２８と電気的に接続される。

また、双方のインターポーザー２５の封止部２７と反対側の面には、所定形状に形成された配線２３が設けられ、その一部が導体ポスト２４の他方の端部と電気的に接続される。

さらに、配線２３の導体ポスト２４と反対側の面には、バンプ２１が電気的に接続されており、これにより、半導体素子２６とバンプ２１とが、電極パッド、導体ポスト２４および配線２３を介して電気的に接続される。また、導体柱２８とバンプ２１とが、導体ポスト２４および配線２３を介して電気的に接続される。

そして、バンプ２１を露出させるための開口部２２１を備える被覆部２２が配線２３を被覆するように設けられている。

上記のような構成をなす１つのパッケージ１０と２つのパッケージ２０とを備える半導体装置３０において、バンプ２１を介して各パッケージ１０、２０が接続されることにより、１つの半導体素子１６と２つの半導体素子２６とがそれぞれ電気的に接続される。

かかる構成の半導体装置３０は、互いに異なる機能を有する半導体素子１６および半導体素子２６をそれぞれ備えるパッケージ１０およびパッケージ２０が積層されており、パッケージ（半導体素子）の組み合わせの自由度が高く、汎用性が高いといった利点を有する。

なお、上記の半導体装置３０では、パッケージ１０がインターポーザー１５を備える構成としたが、これに代えて、被覆部１２と同様の絶縁性を有する被覆部で構成するようにしてもよい。また、パッケージ２０についても同様に、インターポーザー２５に代えて、被覆部２２と同様の絶縁性を有する被覆部で構成するようにしてもよい。

以上のような半導体装置３０は、１つのパッケージ１０および２つのパッケージ２０をそれぞれ用意し、積層した２つのパッケージ２０の上側のパッケージ２０上に、パッケージ１０を配置した状態で、互いに接触するバンプ２１同士を接続することにより製造されるが、このようなパッケージ１０およびパッケージ２０のうち、パッケージ２０の製造に、本発明の半導体パッケージの製造方法が適用される。

＜半導体パッケージの製造方法＞
以下、本発明の半導体パッケージの製造方法を適用したパッケージ２０の製造方法について詳述する。

＜第１実施形態＞
まず、パッケージ２０を製造する製造方法の第１実施形態ついて説明する。

すなわち、パッケージ２０の製造方法の第１実施形態では、平板状をなすダミー基板を用意し、該ダミー基板上に、前記電極パッドが前記ダミー基板側となるように前記半導体素子を配置する配置工程と、前記半導体素子が配置されている側の面に、前記ダミー基板と前記半導体素子とを覆うように感光性を有する絶縁性材料で封止して封止部を形成する封止部形成工程と、前記封止部の各前記導体柱を形成すべき位置にフォトリソグラフィー法を用いて第１の貫通孔を形成した後、該第１の貫通孔に前記導体柱を形成することにより、前記ダミー基板上に前記半導体素子封止体を得る導体柱形成工程と、前記半導体素子封止体から前記ダミー基板を剥離させる剥離工程と厚さ方向に複数の第２の貫通孔が形成されたシート材を用意し、各第２の貫通孔に電極パッドおよび導体柱が対応するように、半導体素子封止体にシート材を貼り合わせるシート材貼り合わせ工程と、第２の貫通孔に導電性を有する導体ポストを形成する導体ポスト形成工程と、シート材の半導体素子封止体とは反対の面側に、導体ポストに電気的に接続する配線を形成する配線形成工程と、半導体素子封止体とは反対側の面に、配線の一部が露出するように、開口部を備える被覆部を形成する被覆部形成工程と、開口部で露出する前記配線に、バンプを電気的に接続するバンプ接続工程と、半導体素子毎に対応するように、半導体素子封止体を個片化することにより、複数の半導体パッケージを一括して得る個片化工程とを有する。

図３〜図５は、導体柱２８を有する半導体パッケージ２０を複数一括して製造する本発明の半導体パッケージの製造方法の第１実施形態を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図３〜図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

［１］まず、図３（ａ）に示すように、上面に接着層１０２が設けられたダミー基板１０１を用意し、接着層１０２を介してダミー基板１０１上に、複数の半導体素子２６を、このものが有する電極パッド（図示せず）がダミー基板１０１側となるように配置（載置）する（配置工程）。

このダミー基板１０１は、半導体素子２６および導体柱２８を支持し得る程度の硬度を有するものであればよく、コア材で構成されるコア基板、ビルドアップ材で構成されるビルドアップ基板のようなリジット基板（硬性基板）またはフレキシブル基板（可撓性基板）の何れであってもよいが、これらの中でも、特に、ビルドアップ基板であるのが好ましい。ビルドアップ基材は、特に、加工性に優れることから好ましく用いられる。

コア基板としては、特に限定されないが、例えば、主として、シアネート樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂のような熱硬化性樹脂等で構成されるものが挙げられる。これらの中でも、シアネート樹脂を主材料として構成されているものが好ましく用いられる。かかる構成材料で構成されるダミー基板１０１は、優れた機械的強度を有するものである。

ビルドアップ材料としては、特に限定されないが、例えば、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂と、硬化剤と、無機充填材とを含有する樹脂組成物等の硬化物を主材料として構成されるものが挙げられる。

なお、ダミー基板１０１としては、上述したコア基板およびビルドアップ基板の他、金属基板またはガラス基板等を用いることができる。

接着層１０２は、ダミー基板１０１と、半導体素子２６および導体柱２８とを接着するための機能を有するとともに、後工程［４］において、ダミー基板１０１から、半導体素子２６および導体柱２８を剥離させる機能を有するものである。

このような接着層１０２としては、例えば、接着層１０２の加熱により熱分解する熱分解性の樹脂成分を含んで構成されるもの等が挙げられる。

このような接着層１０２は、熱分解性の樹脂成分を主成分として構成されているのが好ましく、特に、接着層１０２が溶剤を含む場合、溶剤を除いた全量に対して熱分解性の樹脂成分が５０ｗｔ％以上含まれているのが好ましい。

また、熱分解性の樹脂成分としては、接着層１０２の加熱により熱分解するものであればよく、特に限定されるものではないが、例えば、ポリカーボネート系樹脂、ポリアセタール系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、（メタ）アクリレート系樹脂等が挙げられる。これらの樹脂成分の中でも、後工程［４］における接着層１０２の熱分解時間を効果的に短縮するためには、ポリカーボネート系樹脂を主成分とすることが好ましい。

なお、接着層１０２を構成する樹脂成物は１種類の樹脂成分のみから構成されていてもよく、また、２種以上の樹脂成分を含んでいてもよい。なお、本明細書においては、接着層１０２を構成する材料が１種類の樹脂成分からなる場合も樹脂組成物と称することとする。

ポリカーボネート系樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ポリプロピレンカーボネート樹脂、ポリエチレンカーボネート樹脂、１，２−ポリブチレンカーボネート樹脂、１，３−ポリブチレンカーボネート樹脂、１，４−ポリブチレンカーボネート樹脂、ｃｉｓ−２，３−ポリブチレンカーボネート樹脂、ｔｒａｎｓ−２，３−ポリブチレンカーボネート樹脂、α，β−ポリイソブチレンカーボネート樹脂、α，γ−ポリイソブチレンカーボネート樹脂、ｃｉｓ−１，２−ポリシクロブチレンカーボネート樹脂、ｔｒａｎｓ−１，２−ポリシクロブチレンカーボネート樹脂、ｃｉｓ−１，３−ポリシクロブチレンカーボネート樹脂、ｔｒａｎｓ−１，３−ポリシクロブチレンカーボネート樹脂、ポリヘキセンカーボネート樹脂、ポリシクロプロペンカーボネート樹脂、ポリシクロヘキセンカーボネート樹脂、１，３−ポリシクロヘキサンカーボネート樹脂、ポリ（メチルシクロヘキセンカーボネート）樹脂、ポリ（ビニルシクロヘキセンカーボネート）樹脂、ポリジヒドロナフタレンカーボネート樹脂、ポリヘキサヒドロスチレンカーボネート樹脂、ポリシクロヘキサンプロピレンカーボネート樹脂、ポリスチレンカーボネート樹脂、ポリ（３−フェニルプロピレンカーボネート）樹脂、ポリ（３−トリメチルシリロキシプロピレンカーボネート）樹脂、ポリ（３−メタクリロイロキシプロピレンカーボネート）樹脂、ポリパーフルオロプロピレンカーボネート樹脂、ポリノルボルネンカーボネート樹脂、ポリノルボルナンカーボネート樹脂、ｅｘｏ−ポリノルボルネンカーボネート樹脂、ｅｎｄｏ−ポリノルボルネンカーボネート樹脂、ｔｒａｎｓ−ポリノルボルネンカーボネート樹脂、ｃｉｓ−ポリノルボルネンカーボネート樹脂並びにこれらの組合せを挙げることができる。

また、ポリカーボネート系樹脂としては、例えば、ポリプロピレンカーボネート／ポリシクロヘキセンカーボネート共重合体、１，３−ポリシクロヘキサンカーボネート／ポリノルボルネンカーボネート共重合体、ポリ［（オキシカルボニルオキシ−１，１，４，４−テトラメチルブタン）−ａｌｔ−（オキシカルボニルオキシ−５−ノルボルネン−２−ｅｎｄｏ−３−ｅｎｄｏ−ジメタン）］樹脂、ポリ［（オキシカルボニルオキシ−１，４−ジメチルブタン）−ａｌｔ−（オキシカルボニルオキシ−５−ノルボルネン−２−ｅｎｄｏ−３−ｅｎｄｏ−ジメタン）］樹脂、ポリ［（オキシカルボニルオキシ−１，１，４，４−テトラメチルブタン）−ａｌｔ−（オキシカルボニルオキシ−ｐ−キシレン）］樹脂、及びポリ［（オキシカルボニルオキシ−１，４−ジメチルブタン）−ａｌｔ−（オキシカルボニルオキシ−ｐ−キシレン）］樹脂、１，３−ポリシクロヘキサンカーボネート樹脂／ｅｘｏ−ポリノルボルネンカーボネート樹脂、１，３−ポリシクロヘキサンカーボネート樹脂／ｅｎｄｏ−ポリノルボルネンカーボネート樹脂等が挙げられる。

さらに、ポリカーボネート系樹脂としては、上記の他、カーボネート構成単位において、少なくとも２つの環状体を有するポリカーボネート樹脂を用いることもできる。

環状体の数は、カーボネート構成単位において、２つ以上であればよいが、２〜５であるのが好ましく、２または３であるのがより好ましく、２であるのがさらに好ましい。カーボネート構成単位としてこのような数の環状体が含まれることにより、ダミー基板１０１と、半導体素子２６および導体柱２８との密着性が優れたものとなる。

また、複数の環状体は、それぞれの頂点同士が互いに連結している連結多環系構造をなしていてもよいが、それぞれが有する一辺同士が互いに連結している縮合多環系構造をなしているのが好ましい。これにより、封止部２７を形成する工程［２］での耐熱性と接着層１０２の熱分解時間を短縮することを両立することができる。

さらに、複数の環状体は、それぞれ、５員環または６員環であるあるのが好ましい。これにより、カーボネート構成単位の平面性が保たれることから、溶剤に対する溶解性をより安定させることができる。

このような複数の環状体は、脂環式化合物であるのが好ましい。各環状体が脂環式化合物である場合に、前述したような効果がより顕著に発揮されることになる。

これらのことを考慮すると、ポリカーボネート系樹脂において、カーボネート構成単位としては、例えば、下記化学式（１Ｘ）で表わされるものが特に好ましい構造である。

なお、上記化学式（１Ｘ）で表わされるカーボネート構成単位を有するポリカーボネート系樹脂は、デカリンジオールと、炭酸ジフェニルのような炭酸ジエステルとの重縮合反応により得ることができる。

また、上記化学式（１Ｘ）で表わされるカーボネート構成単位において、デカリンジオールが有する水酸基に連結する炭素原子に由来するものは、それぞれ、デカリン（すなわち、縮合多環系構造を形成する２つの環状体）を構成する炭素原子に結合し、かつ、これら水酸基に連結する炭素原子の間に３つ以上の原子が介在しているのが好ましい。これにより、ポリカーボネート系樹脂の分解性を制御でき、その結果、封止部２７を形成する工程［２］での耐熱性と接着層１０２の熱分解時間を短縮することを両立することができる。さらに、溶剤に対する溶解性をより安定させることができる。

このようなカーボネート構成単位としては、例えば、下記化学式（１Ａ）、（１Ｂ）で表わされるものが挙げられる。

さらに、複数の環状体は、脂環式化合物である他、複素脂環式化合物であってもよい。各環状体が複素脂環式化合物である場合であっても、前述したような効果がより顕著に発揮されることになる。

この場合、ポリカーボネート系樹脂において、カーボネート構成単位としては、例えば、下記化学式（２Ｘ）で表わされるものが特に好ましい構造である。

なお、上記化学式（２Ｘ）で表わされるカーボネート構成単位を有するポリカーボネート系樹脂は、下記化学式（２ａ）で表わされるエーテルジオールと、炭酸ジフェニルのような炭酸ジエステルとの重縮合反応により得ることができる。

また、上記化学式（２Ｘ）で表わされるカーボネート構成単位において、上記化学式（２ａ）で表わされる環状エーテルジオールが有する水酸基由来の炭素原子は、それぞれ、上記環状エーテル（すなわち、縮合多環系構造を形成する２つの環状体）を構成する炭素原子に結合し、かつ、これら炭素原子の間に３つ以上の原子が介在しているのが好ましい。これにより、封止部２７を形成する工程［２］での耐熱性と接着層１０２の熱分解時間を短縮することを両立することができる。さらに、溶剤に対する溶解性をより安定させることができる。

このようなカーボネート構成単位としては、例えば、下記化学式（２Ａ）で表わされる１，４：３，６−ジアンヒドロ−Ｄ−ソルビトール（イソソルビド）型のものや、下記化学式（２Ｂ）で表わされる１，４：３，６−ジアンヒドロ−Ｄ−マンニトール（イソマンニド）型ものが挙げられる。

ポリカーボネート系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１，０００〜１，０００，０００であることが好ましく、５，０００〜８００，０００であることがさらに好ましい。重量平均分子量を上記下限以上とすることにより、ダミー基板１０１に対する濡れ性が向上すること、さらに、成膜性を向上するという効果を得ることができる。また、上記上限値以下とすることで、各種溶剤に対する溶解性、さらには、接着層１０２の熱分解性を向上するという効果を得ることができる。

ポリカーボネート系樹脂の重合方法は、特に限定されるわけではないが、例えば、ホスゲン法（溶剤法）または、エステル交換法（溶融法）等の公知の重合方法を用いることができる。

樹脂成分は、接着層１０２を構成する全量（溶剤を含む場合には、溶剤を除いた全量）の１０ｗｔ％〜１００ｗｔ％の割合で配合することが好ましい。さらに好ましくは、５０ｗｔ％以上、特には、８０ｗｔ％〜１００ｗｔ％の割合で配合することが好ましい。１０ｗｔ％以上、特に８０ｗｔ％以上とすることで、接着層１０２を熱分解した後の残渣を低減できるという効果がある。また、接着層１０２の樹脂成分を多くすることで短時間で接着層１０２を熱分解できるという効果がある。

通常、封止部２７の封止温度は１２５℃前後、また、封止部２７を後硬化（ポストキュア）させる温度は１７５℃前後であるため、樹脂成分としては１２５℃前後では熱分解し難く、１７５℃前後で熱分解する樹脂成分が好ましい。これにより、封止部２７を封止する工程では、接着層１０２の剥離や変形を抑制することができる。

樹脂成分として、特に好ましいのは、封止部２７で封止する温度で熱分解し難く、また、封止部２７で封止する温度以上での熱分解性に優れる点から、ポリプロピレンカーボネート、１，４−ポリブチレンカーボネート、１，３−ポリシクロヘキサンカーボネート／ポリノルボルネンカーボネート共重合体である。

また、熱分解性の樹脂成分がポリカーボネート系樹脂、ポリアセタール系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、（メタ）アクリレート系樹脂のうちの少なくとも１種を含む場合、接着層１０２を構成する材料は、前記樹脂成分の他に光酸発生剤を含む樹脂組成物であることが好ましい。これにより、接着層１０２（熱分解性の樹脂成分）を露光することで、接着層１０２の熱分解温度を低下させることができる。封止部２７で半導体素子２６および導体柱２８を封止した後、接着層１０２を露光することにより熱分解する温度を低下させることができる。そのため、半導体素子封止体２７０の熱履歴を経ることによる熱損傷を防止することができ、さらに、封止部２７を後硬化させるのと同時に半導体素子封止体２７０を剥離させることができる場合があるので、より好ましい。

ここで、樹脂成分としてポリカーボネート系樹脂であるポリプロピレンカーボネート樹脂を使用した場合の熱分解温度が低下するメカニズムについて説明する。下記式（１Ｙ）で示すように、先ず、前記光酸発生剤由来のＨ^＋が、ポリプロピレンカーボネート樹脂のカルボニル酸素をプロトン化し、さらに極性遷移状態を転移させ不安定な互変異性中間体［Ａ］及び［Ｂ］を生じる。次に、中間体［Ａ］は、アセトン及びＣＯ_２として断片化する熱切断が起こるため、熱分解温度が低下する。また、中間体［Ｂ］は炭酸プロピレンを生成し、炭酸プロピレンはＣＯ_２及びプロピレンオキシドとして断片化する熱閉環構造を形成するため、熱分解温度が低下する。

光酸発生剤は、化学線を照射することにより酸を発生する化合物であれば、特に限定されるものではなく、例えば、求核ハロゲン化物、錯金属ハライド陰イオン等が挙げられる。より具体的には、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート−４−メチルフェニル［４−（１−メチルエチル）フェニル］ヨードニウム（ＤＰＩ−ＴＰＦＰＢ）、トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムテトラキス−（ペンタフルオロフェニル）ボレート（ＴＴＢＰＳ−ＴＰＦＰＢ）、トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムヘキサフルオロホスフェート（ＴＴＢＰＳ−ＨＦＰ）、トリフェニルスルホニウムトリフレート（ＴＰＳ−Ｔｆ）、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフレート（ＤＴＢＰＩ−Ｔｆ）、トリアジン（ＴＡＺ−１０１）、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート（ＴＰＳ−１０３）、トリフェニルスルホニウムビス（パーフルオロメタンスルホニル）イミド（ＴＰＳ−Ｎ１）、ジ−（ｐ−ｔ−ブチル）フェニルヨードニウム、ビス（パーフルオロメタンスルホニル）イミド（ＤＴＢＰＩ−Ｎ１）、トリフェニルスルホニウム、トリス（パーフルオロメタンスルホニル）メチド（ＴＰＳ−Ｃ１）、ジ−（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリス（パーフルオロメタンスルホニル）メチド（ＤＴＢＰＩ−Ｃ１）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

光酸発生剤の含有量は、樹脂成分１００重量部に対して０．１〜１５重量部であることが好ましく、０．５〜１０重量部であることが特に好ましい。これにより、接着層１０２を露光することにより効果的に樹脂成分の熱分解温度を低下させることができ、さらに、熱分解後の残渣を低減することができる。

また、接着層１０２を構成する樹脂組成物は、光酸発生剤とともに、特定のタイプまたは波長の光に対する光酸発生剤の反応性を発現あるいは増大させる機能を有する成分である増感剤を含んでいても良い。

増感剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、アントラセン、フェナントレン、クリセン、ベンツピレン、フルオランテン、ルブレン、ピレン、キサントン、インダンスレン、チオキサンテン−９−オン、２‐イソプロピル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、４−イソプロピル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、１−クロロ−４‐プロポキシチオキサントン、およびこれらの混合物等が挙げられる。このような増感剤の含有量は、前述した光酸発生剤１００重量部に対して、１００重量部以下であるのが好ましく、５０重量部以下であるのがより好ましい。

また、接着層１０２を構成する樹脂組成物は、上記成分の他、例えば、酸捕捉剤を含んでいてもよい。酸捕捉剤は、光の照射により発生した酸が、光を照射していない部位に拡散するのを防止する機能を有する成分である。すなわち、光を照射していない部位の現像液に対する溶解性の向上や熱分解温度の低下を防止する機能を有する成分である。このような酸捕捉剤を含むことにより、現像および熱分解によるパターンニング精度をより高いものとすることができる。

酸捕捉剤としては、例えば、トリ（ｎ−プロピル）アミン、トリエチルアミン、下記一般式（２Ｙ）で表される化合物、および、下記一般式（３Ｙ）で表される化合物等に代表されるアミン（二級アミン、三級アミン）、およびこれらの混合物等が挙げられる。

［一般式（２Ｙ）中、Ｒ^１は、Ｈ、または、アルキル基である。］

［一般式（３Ｙ）中、Ｒ^２〜Ｒ⁶は、Ｈまたは任意の２つがメチル基で残りがＨである。］

これらの中でも、上記一般式（２Ｙ）で表される化合物、上記一般式（３Ｙ）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種の化合物を用いるのが好ましく、上記一般式（２Ｙ）で表される化合物を用いるのがより好ましい。これにより、樹脂組成物の光に対する感度を高いものとしつつ、光を照射していない部位の現像液に対する溶解性の向上や熱分解温度の低下をより効果的に防止することができる。

酸捕捉剤の含有量は、前述した光酸発生剤１００重量部に対して、０．０１〜１０重量部であるのが好ましく、０．０２〜８重量部であるのがより好ましい。これにより、光を照射していない部位の現像液に対する溶解性の向上や熱分解温度の低下をさらに効果的に防止することができる。

また、接着層１０２を構成する樹脂組成物は、酸化防止剤を含んでいてもよい。酸化防止剤は、望ましくない酸の発生や、樹脂組成物の自然酸化を防止する機能を有している。

酸化防止剤としては、特に限定されるわけではないが、例えば、ニューヨーク州タリータウンのＣｉｂａ Ｆｉｎｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社から入手可能なＣｉｂａ ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標） １０７６又はＣｉｂａ ＩＲＧＡＦＯＳ（登録商標） １６８が好適に用いられる。

また、他の酸化防止剤としては、例えば、Ｃｉｂａ Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標） １２９、Ｃｉｂａ Ｉｒｇａｎｏｘ １３３０、Ｃｉｂａ Ｉｒｇａｎｏｘ １０１０、Ｃｉｂａ Ｃｙａｎｏｘ（登録商標） １７９０、Ｃｉｂａ Ｉｒｇａｎｏｘ ３１１４、Ｃｉｂａ Ｉｒｇａｎｏｘ ３１２５等を用いることもできる。

酸化防止剤の含有量は、前記樹脂成分１００重量部に対して、０．１〜１０重量部であるのが好ましく、０．５〜５重量部であるのがより好ましい。

さらに、接着層１０２を構成する樹脂組成物は、必要によりアクリル系、シリコーン系、フッ素系、ビニル系等のレベリング剤、シランカップリング剤等の添加剤等を含んでも良い。

シランカップリング剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス（トリエトキシプロピル）テトラスルフィド、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン等が挙げられ、単独でも２種以上混合して用いてもよい。接着層１０２を構成する樹脂組成物がシランカップリング剤を含むことにより、パターニング時の密着性向上という効果がある。

ここで、接着層１０２に含まれる熱分解性の樹脂成分の５０％重量減少温度が４００℃以下、特に、３５０℃以下であることが好ましい。５０％重量減少温度を４００℃以下とすることで、接着層１０２を熱分解する際に、半導体素子封止体２７０への熱の影響を少なくすることができる。

すなわち、５０％重量減少温度を４００℃以下であれば、加熱時間を調整することで、４００℃を超える加熱を行わずに、接着層１０２を熱分解することができる。従って、接着層１０２を熱分解する際に、半導体素子封止体２７０への熱の影響を少なくすることができる。
さらに、接着層１０２を構成する樹脂組成物は、溶媒（溶剤）を含有していても良い。

溶媒としては、特に限定されるものではないが、例えば、メシチレン、デカリン、ミネラルスピリット類等の炭化水素類、アニソール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジグライム等のアルコール／エーテル類、炭酸エチレン、酢酸エチル、酢酸Ｎ−ブチル、乳酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン等のエステル／ラクトン類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等のアミド／ラクタム類が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。樹脂組成物が溶媒を含有することにより、樹脂組成物の粘度を調整することが容易となり、接着層（薄膜）１０２の形成が容易となる。

前記溶媒の含有量は、特に限定されるものではないが、樹脂組成物の全量の５〜９８重量％であることが好ましく、１０〜９５重量％であることがより好ましい。

また、接着層１０２に含まれる熱分解性の樹脂成分の９５％重量減少温度と５％重量減少温度との差が、１℃以上３００℃以下であることが好ましい。なかでも、９５％重量減少温度と５％重量減少温度との差が５℃以上、２００℃以下であることが好ましい。１℃以上とすることで急激な熱分解反応により大量のアウトガス発生し、設備が汚染してしまうのを防止するという効果があり、また、３００℃以下とすることで熱分解に要する時間を短縮できるため、半導体素子封止体２７０へのダメージを抑制することが可能であること、半導体素子封止体２７０に熱分解性の樹脂成分が残留し難いという効果を両立することができる。

さらに、接着層１０２に含まれる熱分解性樹脂成分は、５％重量減少温度が５０℃以上、特に１００℃以上である樹脂組成物であることが好ましい。このようにすることで、半導体素子封止体２７０の製造プロセス中に接着層１０２が不要に、熱分解してしまうことを抑制できる。

ここで、５０％重量減少温度、９５％重量減少温度、５％重量減少温度とは、それぞれＴＧ／ＤＴＡ（熱重量／示差熱分析）で測定した時の５０％、９５％、５％の重量が失われる温度を意味する。ＴＧ／ＤＴＡ測定は、熱分解性の樹脂成分を約１０ｍｇ精秤し、ＴＧ／ＤＴＡ装置（セイコーインスツルメンツ社製）により測定（雰囲気：窒素、昇温速度：５℃／分）することができる。

なお、熱分解性の樹脂成分の５０％重量減少温度を４００℃以下とするためには、たとえば、脂環族や芳香族の骨格を有さない直鎖または分岐状の熱分解性樹脂成分を選択すればよい。

また、９５％重量減少温度と５％重量減少温度との差を１℃以上、３００℃以下とするためには、たとえば、熱分解性の樹脂組成物の樹脂成分の分子量分布を調整すればよい。

さらに、５％重量減少温度を５０℃以上とするためには、たとえば、熱分解性樹脂成分の分子量を調整すればよい。

なお、本工程においてダミー基板１０１上に配置される半導体素子２６を、予め評価試験を行い良品と判断されたもの選定する構成とすることにより、本実施形態で一括して製造されるパッケージ２０の歩留まりの向上を図ることができるとともに、信頼性の高いパッケージ２０が得られる。

［２］次に、ダミー基板１０１の上面、すなわち半導体素子２６が配置されている側の面を、ダミー基板１０１と半導体素子２６とを覆うように感光性を有する絶縁性材料で封止して封止部２７を形成する（図３（ｂ）参照。；封止部形成工程）。

封止部２７を形成する方法としては、封止部２７を、感光性を有する絶縁性材料で構成し得る方法であれば、特に限定されるものではないが、例えば、Ｉ：感光性を有する絶縁性材料を含有する液状材料（ワニス）を、ダミー基板１０１および半導体素子２０を覆うように、半導体素子２０が配置されている側の面に供給した後、前記液状材料を乾燥させる方法や、II：感光性を有する絶縁性材料を含有するフィルム材を、ダミー基板１０１および半導体素子２０を覆うように、半導体素子２０が配置されている側の面に貼り合わせる方法等が挙げられる。

なお、Ｉの方法において、前記液状材料を、半導体素子２０が配置されている側の面に供給する方法としては、例えば、スピンコート法、インクジェット法のような各種塗布法を用いることができる。

また、IIの方法における感光性を有する絶縁性材料を含有するフィルム材は、Ｉの方法における液状材料を用意し、この液状材料を、平板状をなす剥離用基材上に供給した後、乾燥させたものを、剥離用基材から剥離することで形成することができる。

さらに、本工程において用いられる、感光性を有する絶縁性材料としては、特に限定されないが、優れた密着性、厚さ均一性および段差埋め込み性を有するものとして、例えば、以下に示すものが好適に用いられる。

＜＜アルカリ可溶系樹脂組成物＞＞
まず、アルカリ可溶性樹脂と感光剤とを含有するアルカリ可溶系樹脂組成物が、感光性を有する絶縁性材料として好適に用いられる。

アルカリ可溶性樹脂としては、例えば、クレゾール型ノボラック樹脂、ヒドロキシスチレン樹脂、メタクリル酸樹脂、メタクリル酸エステル樹脂等のアクリル系樹脂、水酸基、カルボキシル基等を含む環状オレフィン系樹脂、ポリアミド系樹脂等が挙げられる。これらの中でもポリアミド系樹脂が好ましく、具体的にはポリベンゾオキサゾール構造およびポリイミド構造の少なくとも一方を有し、かつ主鎖または側鎖に水酸基、カルボキシル基、エーテル結合またはエステル結合を有する樹脂、ポリベンゾオキサゾール前駆体構造を有する樹脂、ポリイミド前駆体構造を有する樹脂、ポリアミド酸エステル構造を有する樹脂等が挙げられる。このようなポリアミド系樹脂としては、例えば下記一般式（４）で示されるポリアミド系樹脂を挙げることができる。

前記一般式（４）で示されるポリアミド系樹脂は、例えばＸの構造を有するジアミン、ビス（アミノフェノール）またはジアミノフェノール等から選ばれる化合物と、Ｙの構造を有するテトラカルボン酸無水物、トリメリット酸無水物、ジカルボン酸またはジカルボン酸ジクロライド、ジカルボン酸誘導体、ヒドロキシジカルボン酸、ヒドロキシジカルボン酸誘導体等から選ばれる化合物とを反応して得られる。なお、ジカルボン酸の場合には反応収率等を高めるため、１−ヒドロキシ−１，２，３−ベンゾトリアゾール等を予め反応させた活性エステルの型のジカルボン酸誘導体を用いてもよい。

前記一般式（４）で示されるポリアミド樹脂を、例えば１５０〜４００℃で加熱すると脱水閉環し、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、または両者の共重合体という形で耐熱性樹脂が得られる。

前記一般式（４）で示されるＸは環状化合物基であり、例えばベンゼン環、ナフタレン環等の芳香族化合物、ビスフェノール類、ピロール類、フラン類等の複素環式化合物等が挙げられる。

Ｒ^１は、水酸基または−Ｏ−Ｒ^３であり、Ｒ^３が炭素数１〜１５の有機基または窒素含有環状化合物である。Ｒ^３の具体例としては、ホルミル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、ターシャリーブトキシカルボニル基、フェニル基、ベンジル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基等が挙げられる。

上記Ｒ^３は、水酸基のアルカリ水溶液に対する溶解性を調節する目的で用いられる。
また、Ｒ^３として窒素含有環状化合物を用いても良い。これにより、金属配線（特に銅配線）等との密着性に優れる。この前記窒素含有環状化合物としては、例えば（１Ｈ−テトラゾル−５−イル）アミノ基、１−（１Ｈ−テトラゾル−５−イル）メチル−アミノ基、３−（１Ｈ−テトラゾル−５−イル）ベンズ−アミノ基等が挙げられる。

前記一般式（４）で示されるＹは、環状化合物基であり、前記Ｘと同様のものが挙げられ、例えばベンゼン環、ナフタレン環等の芳香族化合物、ビスフェノール類、ピロール類、フラン類、ピリジン類等の複素環式化合物等が挙げられる。

前記一般式（４）で示すように、Ｙには、Ｒ^２が０〜４個結合される。
Ｒ^２は、水酸基、カルボキシル基、−Ｏ−Ｒ^３、−ＣＯＯＲ^３であり、それぞれ同じであっても異なっていても良い。Ｒ^３が炭素数１〜１５の有機基または窒素含有環状化合物である。Ｒ^３の具体例としては、ホルミル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、ターシャリーブトキシカルボニル基、フェニル基、ベンジル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基等が挙げられる。

但し、Ｒ^１として水酸基が無い場合、Ｒ^２の少なくとも１つはカルボキシル基でなければならない。また、Ｒ^２としてカルボキシル基が無い場合、Ｒ^１の少なくとも１つは水酸基でなければならない。

上記Ｒ^３は、水酸基のアルカリ水溶液に対する溶解性を調節する目的で用いられる。
また、前記アルカリ可溶性樹脂の側鎖および他方の末端の少なくとも一方は、窒素含有環状化合物で置換されているのが好ましい。これにより、被覆部２２の配線２３に対する密着性を向上させることができる。

前記窒素含有環状化合物としては、例えば１−（５−１Ｈ−トリアゾイル）メチルアミノ基、３−（１Ｈ−ピラゾイル）アミノ基、４−（１Ｈ−ピラゾイル）アミノ基、５−（１Ｈ−ピラゾイル）アミノ基、１−（３−１Ｈ−ピラゾイル）メチルアミノ基、１−（４−１Ｈ−ピラゾイル）メチルアミノ基、１−（５−１Ｈ−ピラゾイル）メチルアミノ基、（１Ｈ−テトラゾル−５−イル）アミノ基、１−（１Ｈ−テトラゾル−５−イル）メチル−アミノ基、３−（１Ｈ−テトラゾル−５−イル）ベンズ−アミノ基等が挙げられる。

また、アルカリ可溶系樹脂組成物は、感光剤を含有する。これにより、紫外線等の照射によりアルカリ可溶系樹脂に化学反応が生じ、これに起因してアルカリ水溶液に溶解しやすくなり、溶解度の差異を設けることができる。

また、前記感光剤としては、特に限定されないが、例えば、フェノール化合物と１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−５−スルホン酸または１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−４−スルホン酸とのエステルが挙げられる。

前記感光剤の含有量は、アルカリ可溶系樹脂組成物全体の１〜５０重量％が好ましく、特に５〜３０重量％が好ましい。含有量が前記範囲内であると、特に感度に優れる。

また、アルカリ可溶系樹脂組成物には、必要によりレベリング剤、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤等のカップリング剤およびそれらの各反応物等の添加剤を添加することができる。

以上のようなアルカリ可溶系樹脂組成物は、通常、前述の各成分を溶媒に溶解し、液状材料（ワニス状）にして使用される。

溶媒としては、特に限定されないが、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ′−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル−１，３−ブチレングリコールアセテート、１，３−ブチレングリコール−３−モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−３−メトキシプロピオネート等が挙げられ、単独溶媒またはこれらの混合溶媒が用いられる。

＜＜ノルボルネン系樹脂組成物＞＞
次に、上述したアルカリ可溶系樹脂組成物の他に、感光性を有する絶縁性材料として好適に用いられるものとして、ノルボルネン系樹脂組成物が挙げられる。このノルボルネン系樹脂組成物の中でも、特に、密着性、厚さ均一性および段差埋め込み性を顕著に発揮するものとして、環状オレフィンの重合体またはその水素添加物（Ａ）および下記一般式（５）で示される構造を有する化合物（Ｂ）を含む樹脂組成物が好ましく用いられる。

前記樹脂組成物に含まれる環状オレフィンの重合体またはその水素添加物（Ａ）は、特に制限されるものではないが、シクロヘキセン系、シクロオクテン系等の単環体オレフィン系モノマーの重合体、ノルボルネン系、ノルボルナジエン系、ジシクロペンタジエン系、ジヒドロジシクロペンタジエン系、テトラシクロドデセン系、トリシクロペンタジエン系、ジヒドロトリシクロペンタジエン系、テトラシクロペンタジエン系、ジヒドロテトラシクロペンタジエン系等の多環体オレフィン系モノマーの重合体等が挙げられる。これらの中でも、耐湿性や耐薬品性に優れる多環体オレフィンモノマーの重合体が好ましく、その中でも、硬化後の樹脂組成物の耐熱性や機械強度の観点からノルボルネン系モノマーが特に好ましい。

また、環状オレフィンの重合体またはその水素添加物（Ａ）のカチオン重合性の官能基は、特に制限されるものではなく、エポキシ基、オキセタニル基、ビニルエーテル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシシリル基等が挙げられるが、光解像性や硬化後の機械強度の観点より、エポキシ基、オキセタニル基が好ましい。

このようなカチオン重合性官能基を有するモノマーは、特に制限されるものではないが、例えば、エポキシ基を有するものとしては、５−[（２，３−エポキシプロポキシ）メチル]−２−ノルボルネン等、オキセタニル基を有するものとしては５−[｛（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシ｝メチル]−２−ノルボルネン等、ビニルエーテル基を有するものとしては、５−ビニロキシメチル−２−ノルボルネン等、アルケニル基を有するものとしては、５−アリル−２−ノルボルネン、５−メチリデン−２−ノルボルネン、５−エチリデン−２−ノルボルネン、５−イソプロピリデン−２−ノルボルネン、５−（２−プロペニル）−２−ノルボルネン、５−（３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（１−メチル−２−プロペニル）−２−ノルボルネン、５−（４−ペンテニル）−２−ノルボルネン、５−（１−メチル−３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（５−ヘキセニル）−２−ノルボルネン、５−（１−メチル−４−ペンテニル）−２−ノルボルネン、５−（２，３−ジメチル−３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（２−エチル−３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（３，４−ジメチル−４−ペンテニル）−２−ノルボルネン、５−（７−オクテニル）−２−ノルボルネン、５−（２−メチル−６−ヘプテニル）−２−ノルボルネン、５−（１，２−ジメチル−５−ヘキセニル）−２−ノルボルネン、５−（５−エチル−５−ヘキセニル）−２−ノルボルネン、５−（１，２，３−トリメチル−４−ペンテニル）−２−ノルボルネン、８−エチリデンテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,12]ドデック−３−エン、８−エチリデンテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10０^1,6]ドデック−３−エン等、アルキニル基を有するものとしては、５−エチニル−２−ノルボルネン等、アルコキシシリル基を有するものとしては、ジメチル（５−ノルボルネン−２−イル）メトキシシラン、５−トリメトキシシリル−２−ノルボルネン、５−トリエトキシシリル−２−ノルボルネン、５−（２−トリメトキシシリルエチル）−２−ノルボルネン、５−（２−トリエトキシシリルエチル）−２−ノルボルネン、５−（３−トリメトキシシリルプロピル）−２−ノルボルネン、５−（４−トリメトキシシリルブチル）−２−ノルボルネン等が挙げられる。

さらに、環状オレフィンの重合体またはその水素添加物（Ａ）は、上記のカチオン重合性官能基を有する環状オレフィン系モノマーの単量体だけではなく、カチオン重合性官能基を有する環状オレフィン系モノマーと他のモノマーとの重合体でもよい。光解像性や硬化後の機械強度の観点から、光反応性官能基を有する環状オレフィン系モノマーの重合割合は、２０〜８０ｍｏｌ％が好ましく、３０〜７０ｍｏｌ％が特に好ましい。

また、前記他のモノマーとしては、特に制限されるものではないが、例えば、アルキル基を有するものとして、５−メチル−２−ノルボルネン、５−エチル−２−ノルボルネン、５−プロピル−２−ノルボルネン、５−ブチル−２−ノルボルネン、５−ペンチル−２−ノルボルネン、５−ヘキシル−２−ノルボルネン、５−ヘプチル−２−ノルボルネン、５−オクチル−２−ノルボルネン、５−ノニル−２−ノルボルネン、５−デシル−２−ノルボルネン等、シリル基を有するものとしては、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ジメチルビス（２−（５−ノルボルネン−２−イル）エチル）トリシロキサン、５ートリメチルシリルメチルエーテル−２−ノルボルネン等、アリール基を有するものとしては、５−フェニルー２−ノルボルネン、５−ナフチル−２−ノルボルネン、５−ペンタフルオロフェニル−２−ノルボルネン等、アラルキル基を有するものとしては、５−ベンジル−２−ノルボルネン、５−フェネチル−２−ノルボルネン、５−ペンタフルオロフェニルメチル−２−ノルボルネン、５−（２−ペンタフルオロフェニルエチル）−２−ノルボルネン、５−（３−ペンタフルオロフェニルプロピル）−２−ノルボルネン等、ヒドロキシル基、エーテル基、カルボキシル基、エステル基、アクリロイル基またはメタクリロイル基を有するものとしては、５−ノルボルネン−２−メタノール、及びこのアルキルエーテル、酢酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、プロピオン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、酪酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、吉草酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、カプロン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、カプリル酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、カプリン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、ラウリン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、ステアリン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、オレイン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、リノレン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸、５−ノルボルネン−２−カルボン酸メチルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸エチルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸ｔ−ブチルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸ｉ−ブチルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸トリメチルシリルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸トリエチルシリルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸イソボルニルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−ヒドロキシエチルエステル、５−ノルボルネン−２−メチル−２−カルボン酸メチルエステル、ケイ皮酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、５−ノルボルネン−２−メチルエチルカルボネート、５−ノルボルネン−２−メチルｎ−ブチルカルボネート、５−ノルボルネン−２−メチルｔ−ブチルカルボネート、５−メトキシ−２−ノルボルネン、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−エチルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−ｎ−ブチルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−ｎ―プロピルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−ｉ−ブチルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−ｉ−プロピルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−ヘキシルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−オクチルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−デシルエステル等、またテトラシクロ環から成るものとして、８−メトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−エトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−ｎ−プロポキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−ｉ−プロポキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−ｎ−ブトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−（２−メチルプロポキシ）カルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−（１−メチルプロポキシ）カルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−ｔ−ブトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−シクロヘキシロキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−（４’−ｔ−ブチルシクロヘキシロキシ）カルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−フェノキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−テトラヒドロフラニロキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]−３−ドデセン、８−テトラヒドロピラニロキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−メトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−エトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−ｎ−プロポキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−ｉ−プロポキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−ｎ−ブトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−（２−メチルプロポキシ）カルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−（１−メチルプロポキシ）カルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−ｔ−ブトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−シクロヘキシロキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−（４’−ｔ−ブチルシクロヘキシロキシ）カルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−フェノキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−テトラヒドロフラニロキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチル−８−テトラヒドロピラニロキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]−３−ドデセン、８−メチル−８−アセトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８，９−ジ（メトキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８，９−ジ（エトキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８，９−ジ（ｎ−プロポキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８，９−ジ（ｉ−プロポキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８，９−ジ（ｎ−ブトキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８，９−ジ（ｔ−ブトキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８，９−ジ（シクロへキシロキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８，９−ジ（フェノキシロキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８，９−ジ（テトラヒドロフラニロキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]−３−ドデセン、８，９−ジ（テトラヒドロピラニロキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]−３−ドデセン、テトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン−８−カルボン酸、８−メチルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン−８−カルボン酸、８−メチルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−エチルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．１^7,10]ドデック−３−エン、８−メチルテトラシクロ[４．４．０．１^2,5．０^1,6]ドデック−３−エン等が挙げられる。

また、前記環状オレフィン系モノマーの重合形態は、特に制限されるものではなく、ランダム重合、ブロック重合等の公知の形態を適用することができ、さらに、重合方法は、付加重合法や開環重合法等が挙げられる。具体的に重合体としては、１種または複数のノルボルネン系化合物等のビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン誘導体モノマ−の（共）重合体、ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン誘導体モノマ−とα−オレフィン類等の共重合可能な他のモノマ−との共重合体、およびこれらの共重合体の水素添加物等が挙げられるが、樹脂の耐熱性の観点から、１種または２種以上のビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン誘導体の付加重合体が好ましい。

なお、環状オレフィンの重合体またはその水素添加物（Ａ）の重量平均分子量は、特に制限されないが、溶剤に対する溶解性や感光性樹脂組成物の流動性の観点から５０００〜５０００００程度であるが好ましく、７０００〜２０００００程度であるのが特に好ましい。重量平均分子量は、標準ポリノルボルネンを用いてゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて測定することができる（ＡＳＴＭＤＳ３６３５−９１に準拠。）。

環状オレフィンの重合体またはその水素添加物（Ａ）の重量平均分子量は、重合開始剤とモノマーの比を変えたり、重合時間を変えたりすることにより制御することができる。

ここで、前記樹脂組成物に、下記一般式（５）で示される構造を有する化合物（Ｂ）を含有する構成とすることにより、このものの硬化物に充分な機械強度をもたせるだけでなく、封止部２７を作製した場合に、この封止部２７に充分な平坦性をもたせることができる。

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２は有機基であり、同じでも異なっていてもよく、Ｒ^３〜Ｒ^１０はそれぞれ独立して水素原子あるいは炭素数１〜２のアルキル基またはアルコキシル基であり、Ｘ、Ｙ、Ｚは有機基であり、同じでも異なっていてもよく、Ｒ^１１は直結あるいは炭素数１〜６の炭化水素基または酸素を含んでいる炭素数１〜１２の有機基のいずれかであり、ｎは０〜６である。）

一般式（５）中の、Ｒ^１、Ｒ^２は、有機基であり、同じでも異なっていてもよく、それぞれ炭素数１〜１２の炭化水素基または酸素を含んだ炭素数１〜１２の有機基が好ましい。Ｒ^３〜Ｒ^１０はそれぞれ独立して水素原子あるいは炭素数１〜２のアルキル基またはアルコキシル基である。Ｒ^１１は直結あるいは炭素数１〜６の炭化水素基または酸素を含んでいる炭素数１〜１２の有機基のいずれかであり、好ましくは、直結または炭素数１〜４の炭化水素基である。Ｘ、Ｙ、Ｚは有機基であり、同じでも異なっていてもよく、Ｒ^１１は炭素数１〜６の炭化水素基または酸素を含んだ炭素数１〜１２の有機基であり、ｎは０〜６である。このような構成とすることにより、このものの硬化物に充分な機械強度をもたせるだけでなく、被覆部２２を作製した場合に、充分な平坦性をもたせることができる。

また、上記一般式（５）で示される構造を有する化合物（Ｂ）において、有機基である基Ｙは、例えば、−Ｃ（ＣＨ_３）_２−、−ＣＨ_２−、直結（ダングリングボンド）、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−等が挙げられ、その中でも直結、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−のいずれかであることが好ましい。有機基である基Ｘ、基Ｚは、−ＣＯ−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２−、−ＣＨ_２−、直結、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−等が挙げられ、その中でも直結、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−のいずれかであり、同一であることが好ましい。有機基である基Ｒ^１、基Ｒ^２は、エポキシ基や、炭素数１〜１２の炭化水素基または酸素を含んだ炭素数１〜１２の有機基が好ましい。さらに好ましい一般式（５）の基Ｒ^１、基Ｒ^２は、下記式（６）の構造を有するものである。これらの一般式（５）で示される構造を有する化合物（Ｂ）は、単独でも２種以上混合して用いても良い。これらの構造の化合物を用いることにより、封止部２７を作製した場合に、得られる封止部２７に充分な平坦性と、優れた機械強度を付与できる点から好ましい。さらに、前記樹脂組成物を含有する液状材料（ワニス）中での、樹脂組成物の溶媒に対する相溶性が優れる点からも好ましく用いられる。

（式中、Ｒ^１２は、アルキル基である。）

なお、上記一般式（５）において基Ｒ^１、基Ｒ^２として上記一般式（６）の構造を有する化合物としては、例えば、３−エチル−３−フェノキシメチルオキセタン、３−エチル−３−シクロヘキシロキシメチルオキセタン、３−エチル−３−［（２−エチルヘキシロキシ）メチル］オキセタン、１，４−ビス｛［（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシ］メチル｝ベンゼン、４，４−ビス［（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシ］ビフェニル、フェノールノボラック型オキセタン等を挙げられる。

これらの中でも、１，４−ビス｛［（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシ］メチル｝ベンゼン、４，４−ビス［（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシ］ビフェニル、フェノールノボラック型オキセタンが好ましく、４，４−ビス［（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシ］ビフェニル、イソフタル酸ビス［（３−エチル−３−オキセタルニル）メチル］エステル等が特に好ましい。

なお、樹脂組成物中における上記一般式（５）で示される構造を有する化合物（Ｂ）の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物を含む液状材料中における溶媒との相溶性の観点から、前記環状オレフィンの重合体またはその水素添加物（Ａ）１００重量部に対して１〜３０重量部が好ましく、特に５〜１０重量部が好ましい。

また、環状オレフィンの重合体またはその水素添加物（Ａ）および上記一般式（５）で示される構造を有する化合物（Ｂ）を含む樹脂組成物には、酸を発生する化合物（Ｃ）が含まれているのが好ましい。

酸を発生する化合物（Ｃ）は、光照射や熱によりブレンステッド酸またはルイス酸を発生するものである。具体的には、例えば、オニウム塩、ハロゲン化合物、硫酸塩やそれらの混合物等が挙げられる。オニウム塩としては、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ヨードニウム塩、スルフォニウム塩、リン酸塩、アルソニウム塩、オキソニウム塩等が挙げられ、前記のオニウム塩とカウンターアニオンを作ることができる化合物である限り、カウンターアニオンの制限はない。カウンターアニオンの例としては、ホウ酸、アルソニウム酸、リン酸、アンチモニック酸、硫酸塩、カルボン酸とそれらのハロゲン置換体等が挙げられる。

前記オニウム塩の酸発生剤としては、特に限定されず、トリフェニルスルフォニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルフォニウムヘキサフルオロボレート、トリフェニルスルフォニウムテトラフルオロアルセナート、トリフェニルスルフォニウムテトラフルオロフォスフェート、トリフェニルスルフォニウムテトラフルオロサルフェート、４−チオフェノキシジフェニルスルフォニウムテトラフルオロボレート、４−チオフェノキシジフェニルスルフォニウムテトラフルオロアンチモネート、４−チオフェノキシジフェニルスルフォニウムテトラフルオロアルセナート、４−チオフェノキシジフェニルスルフォニウムテトラフルオロフォスフェート、４−チオフェノキシジフェニルスルフォニウムテトラフルオロスルフォネート、トリス（ｔ−ブチルフェニル）スルフォニムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルフォニウムテトラフルオロボレート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルフォニウムテトラフルオロスルフォネート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルフォニウムテトラフルオロアンチモネート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルフォニウムトリフルオロフォスフォネート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルフォニウムトリフルオロスルフォネート、トリス（４−メチルフェニル）スルフォニウムトリフルオロボレート、４，４’，４”−トリス（ｔ−ブチルフェニル）スルフォニウムトリフレート、トリス（４−メチルフェニル）スルフォニウムテトラフルオロボレート、トリス（４−メチルフェニル）スルフォニウムヘキサフルオロアルセネート、トリス（４−メチルフェニル）スルフォニウムヘキサフルオロフォスフェート、トリス（４−メチルフェニル）スルフォニウムヘキサフルオロスルフォネート、トリス（４−メトキシフェニル）スルフォニウムテトラフルオロボレート、トリス（４−メトキシフェニル）スルフォニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリス（４−メトキシフェニル）スルフォニウムヘキサフルオロフォスフェート、トリス（４−メトキシフェニル）スルフォニウムトリフルオロスルフォネート、トリフェニルスルフォニウムジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、トリフェニルヨードニウムヘキサフルオロフォスフェート、トリフェニルヨードニウムトリフルオロスルフォネート、３，３−ジニトロジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、３，３−ジニトロジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、３，３−ジニトロジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、３，３−ジニトロジフェニルヨードニウムトリフルオロサルフォネート、４，４’−ジ−ｔ−ブチルフェニルヨードニウムトリフレート、４，４’−ジ−ｔ−ブチルフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、４，４−ジニトロジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、４，４−ジニトロジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、４，４−ジニトロジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、４，４−ジニトロジフェニルヨードニウムトリフルオロサルフォネート、（４−メチルフェニル−４−（１−メチルエチル）フェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、ハロゲンを含有している酸発生剤としては、２，４，６−トリス（トリクロロメチル）トリアジン、２−アリル−４，６−ビス（トリクロロメチル）トリアジン、α，β，α−トリブロモメチルフェニルスルフォン、α、α―２，３，５，６−ヘキサクロロキシレン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロキシレン、１，１，１−トリス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）エタン等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

スルフォネート系の酸発生剤としては、具体的には、２−ニトロベンジルトシレート、２，６−ジニトロベンジルトシレート、２，４−ジニトロベンジルトシレート、２−ニトロベンジルメタンスルフォネート、２−ニトロベンジルエタンスルフォネート、９，１０−ジメトキシアントラセン−２−スルフォネート、１，２，３−トリス（メタンスルフォニルロキシ）ベンゼン、１，２，３−トリス（エタンスルフォニルロキシ）ベンゼン、１，２，３−トリス（プロパンスルフォニルロキシ）ベンゼン等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

前述のような酸発生剤の中でも、４，４’−ジ−ｔ−ブチルフェニルヨードニウムトリフレート、４，４’，４”−トリス（ｔ−ブチルフェニル）スルフォニウムトリフレート、ジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルスルフォニウムジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、４，４’−ジ−ｔ−ブチルフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリス（ｔ−ブチルフェニル）スルフォニムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、４−メチルフェニル−４−（１−メチルエチル）フェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート単体またはそれらの混合物の中から選ばれる１種または２種以上が好ましく用いられる。

また、樹脂組成物中における酸を発生する化合物（Ｃ）の含有量は、特に限定されないが、前記環状オレフィンの重合体またはその水素添加物（Ａ）と酸を発生する化合物（Ｃ）の作用により硬化反応可能な化合物の合計１００重量部に対して０．１〜２０重量部が好ましく、特に０．５〜１０重量部が好ましい。含有量が前記範囲内であると、特に光解像後の開口形状、および感度（被覆部２２のパターニング性）に優れる。

酸を発生する化合物（Ｃ）の作用により硬化反応可能な化合物の重量平均分子量は、特に制限されるものではないが、１０００以下であることが好ましく、特に１００〜６００であることが好ましい。

また、酸を発生する化合物（Ｃ）の作用により硬化反応可能な化合物の配合量は、特に制限されるものではないが、光反応性官能基を有する環状オレフィンの重合体またはその水素添加物（Ａ）１００重量部に対して、１〜５０重量部であることが好ましく、１０〜４０重量部が特に好ましい。

以上のような樹脂組成物は、通常、前述の各成分を溶媒に溶解し、液状材料（ワニス状）にして使用される。

溶媒としては、樹脂組成物のキャリアとして働き、ダミー基板１０１への塗布後や硬化過程で除去される非反応性溶媒、樹脂組成物と相溶性のある反応基を含んでいる反応性溶媒が挙げられる。

非反応性溶媒としては、特に制限されるものではないが、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、デカヒドロナフタレン等のアルカン、シクロアルカン類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族類が挙げられる。また、必要に応じて、ジエチルエーテル類、テトラヒドロフラン、アニソール、アセテート類、エステル類、ラクトン類、ケトン類、アミド類等を用いることもできる。

反応性溶媒としては、特に制限されるものではないが、シクロヘキセンオキサイドやα−ピネンオキサイド等のシクロエーテル化合物、［メチレンビス（４，１−フェニレンオキシメチレン）］ビスオキシラン等の芳香族シクロエーテル、１，４−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル等のシクロアリファティックビニルエーテル化合物、ビス（４−ビニルフェニル）メタン等の芳香族類が挙げられる。

これらの中でも、樹脂組成物のダミー基板１０１に対する塗布性の観点から、メシチレン、デカヒドロナフタレン、２−ヘプタノンが好ましい。

なお、環状オレフィンの重合体またはその水素添加物（Ａ）および上記一般式（５）で示される構造を有する化合物（Ｂ）を含む樹脂組成物を含有する液状材料は、その固形分濃度が５〜６０重量％であることが好ましく、３０〜５５重量％が特に好ましく、粘度は１０〜２５０００ｍＰａ・ｓが好ましく、１００〜３０００ｍＰａ・ｓが特に好ましい。上記範囲とすることで、ダミー基板１０１に対する塗布性を確保することが可能となる。

［３］ 次に、図３（ｃ）に示すように、封止部２７の各導体柱２８を形成すべき位置にフォトリソグラフィー法を用いて第１の貫通孔２７１を形成した後、形成されたこれら第１の貫通孔２７１に、図３（ｄ）に示すように、導体柱２８を形成することにより、ダミー基板１０１上に半導体素子封止体２７０を得る（導体柱形成工程）。

［３−１］ まず、封止部２７にフォトリソグラフィー法を用いて第１の貫通孔２７１を形成する。

具体的には、封止部２７を、形成すべき開口部２２１の形状に対応するフォトマスクを介して線、紫外線、電子線等を用いて露光した後、導体柱２８を形成すべき領域に位置する封止部２７を、現像液（エッチング液）で除去することにより、第１の貫通孔２７１を形成する。

このように、感光性を有する絶縁性材料で構成される封止部２７に対して、フォトリソグラフィー法を用いて第１の貫通孔２７１を形成する方法によれば、微細な形状の第１の貫通孔２７１を比較的容易に形成することができる。

具体的には、第１の貫通孔２７１を、例えば、円柱形状の孔部とする場合、半径２０〜１００μｍ程度、高さ３０−１００μｍ程度のものを形成することが可能となる。

なお、本発明のように、上述した感光性を有する絶縁材料で封止部２７を構成すると、この封止部２７は、その硬度が比較的低いものとなる。そのため、貫通孔２７１を形成した後に、貫通孔２７１の周辺部を、例えば、貫通孔２７１の形状に対応した先端部を有する棒状体を押し当てるようにすることで、貫通孔２７１の形状安定性の向上を図ることができる。

［３−２］ 次いで、形成された複数の第１の貫通孔２７１に、それぞれ、導体柱２８を形成する。

この導体柱２８を形成する方法としては、後工程［７］において説明する、第２の貫通孔２５１に導体ポスト２４を形成する方法と同様の方法が用いられ、導体ポスト２４に対して、優れた密着性を発揮する導体柱２８を容易かつ確実に形成することができるという観点から、特に、電解メッキ法が好ましく用いられるが、この電解メッキ法については、後工程［７］において詳述することとする。

［４］次に、接着層１０２の接着力を低下させることにより、図３（ｅ）に示すように、半導体素子６１６、導体柱２８および封止部６１７からダミー基板１０１を取り除くことで、下側の面側（他方の面側）から半導体素子６１６と導体柱２８とが露出した状態で封止部２７により封止された半導体素子封止体２７０が得られる（図４（ａ）参照。剥離工程。）。

この接着層１０２の接着力の低下は、例えば、前記工程［１］で説明したように、接着層１０２が熱分解性の樹脂成分を含んで構成される場合には、加熱処理によるエネルギーの付与により容易に行うことができる。

すなわち、接着層１０２が熱分解性の樹脂成分を含んで構成される場合には、接着層１０２を加熱して樹脂成分を熱分解させることで、接着層１０２が気化することに起因して、その接着力が低下する。

以上のようにして、半導体素子２６と導体柱２８とが封止部２７により封止された半導体素子封止体２７０が得られる。

なお、上記の配置工程［１］、封止部形成工程［２］、導体柱形成工程［３］および剥離工程［４］により、複数の半導体素子２６と、複数の導体柱２８と、これらを封止する封止部２７とを有する半導体素子封止体２７０が製造される、本発明の半導体素子封止体の製造方法の第１実施形態が構成される。

［５］次に、平板状をなすシート材２５’を２つ用意し、このシート材２５’に、その厚さ方向に貫通する第２の貫通孔２５１を形成する（貫通孔形成工程）。

なお、この第２の貫通孔２５１は、次工程［６］において、半導体素子封止体２７０の上側に配置されるシート材２５’では、導体柱２８に対応する位置に形成され、半導体素子封止体２７０の下側に配置されるシート材２５’では、半導体素子２６が備える電極パッドと導体柱２８とに対応する位置に形成される。

また、シート材２５’は、その厚さ方向に切断して個片化することにより、半導体パッケージ２０が有するインターポーザー（基板）２５となり、半導体素子２６および導体柱２８を挾持する機能を発揮するものである。

このシート材２５’は、特に限定されないが、コア材で構成されるコア基板、ビルドアップ材で構成されるビルドアップ基板のようなリジット基板（硬性基板）またはフレキシブル基板（可撓性基板）の何れであってもよいが、これらの中でも、特に、ビルドアップ基板であるのが好ましい。ビルドアップ基材は、特に、加工性に優れることから好ましく用いられる。

コア基板としては、特に限定されないが、例えば、主として、シアネート樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂のような熱硬化性樹脂等で構成されるものが挙げられる。これらの中でも、シアネート樹脂を主材料として構成されているものが好ましく用いられる。かかる構成材料で構成されるシート材２５’は、優れた機械的強度を有するものである。

シアネート樹脂としては、例えば、ハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得られたものが挙げられる。具体的には、例えば、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂等が挙げられる。

なお、エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂のようなビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂のようなノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂のようなアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂およびフルオレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。

コア基板として、上記のような熱硬化性樹脂を用いる場合、コア基板としては、ガラス繊維織布に硬化前の熱硬化性樹脂を含浸させた後、この熱硬化性樹脂を硬化させることにより得られたものを用いるのが好ましい。これにより、シート材２５’（コア基板）は、より優れた機械的強度を発揮するものとなる。

ビルドアップ材料としては、特に限定されないが、例えば、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂と、硬化剤と、無機充填材とを含有する樹脂組成物等の硬化物を主材料として構成されるものが挙げられる。

かかる構成の樹脂組成物の中でも、熱硬化性樹脂として、下記一般式（１）で表わされる共重合体エポキシ樹脂を含むものが好ましく用いられる。このような樹脂組成物の硬化物で構成されるシート材２５’は、優れた機械的強度を有するものである。また、シート材２５’は、本工程［５］において、貫通孔２５１が形成されるが、微細な形状を有する貫通孔２５１を形成する際の加工性にも優れる。

[式中、Ａｒは縮合環芳香族炭化水素基を、Ｘは水素、またはエポキシ基（グリシジルエーテル基）を、Ｒ_２は、水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、およびベンジル基の中から選択される１種を表す。ｎは１以上の整数であり、ｐ、ｑは０以上の整数であり、またｐ、ｑの値は、繰り返し単位毎に同一でも、異なっていてもよい。]

なお、前記共重合体エポキシ樹脂の縮合環芳香族炭化水素基[Ａｒ]は、下記式（Ａｒ１）〜（Ａｒ４）で表される構造ののうち、いずれかであるのが好ましい。

[式中、Ｒ_１は、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、およびベンジル基の中から選択される１種を表す。]

なお、前記共重合体エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、硬化物（第１のシート材２５’）中において、３〜４２重量％程度であるのが好ましく、５〜３５重量％程度であるのがより好ましい。

また、樹脂組成物中には、前記共重合体エポキシ樹脂の他に、さらに前記共重合体エポキシ樹脂とは異なる他のエポキシ樹脂を含有してもよい。他のエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂等が挙げられる。

硬化剤は、特に限定されないが、例えば、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾールのようなイミダゾール化合物、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（II）、トリスアセチルアセトナートコバルト（III）等の有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン等の３級アミン類、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノール等のフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸、またはこの混合物が挙げられる。硬化促進剤として、これらの中の誘導体も含めて１種類を単独で用いることもできるし、これらの誘導体も含めて２種類以上を併用してもよい。

無機充填材としては、特に限定されないが、例えば、タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、シリカ、溶融シリカ等の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素等の窒化物、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等のチタン酸塩等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

無機充填材の粒径は、特に限定されないが、平均粒子径が１．２μｍ以下であることが好ましく、平均粒径が０．０１〜１．０μｍ程度であるのがより好ましい。

また、無機充填材の含有量は、硬化物（シート材２５’）中において、０〜８５重量％程度であるのが好ましく、３０〜６５重量％程度であるのがより好ましい。

前記樹脂組成物は、シアネート樹脂及び／又はそのプレポリマーを含有することが好ましい。

前記シアネート樹脂及び／又はそのプレポリマー樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得ることができる。また、このようにして調製された市販品を用いることもできる。

前記シアネート樹脂及び／又はそのプレポリマーを用いることにより、シート材２５’の弾性率を向上させることができる。また、シアネート樹脂（特にノボラック型シアネート樹脂）は、剛直な化学構造を有するため、耐熱性に優れており、ガラス転移温度以上でも弾性率の低下が小さく、高温においても高弾性率を維持することができる。さらに、硬化反応によって水酸基などの分極率の大きな官能基が生じないため、誘電特性においても優れたものとすることができる。

前記シアネート樹脂及び／又はそのプレポリマーの中でも、下記一般式（３）で表されるノボラック型シアネート樹脂が好ましい。これにより、前記効果に加えて、シート材２５’のガラス転移温度をさらに高くすることができるとともに、硬化後の絶縁樹脂層の難燃性をより向上させることができる。

前記シアネート樹脂及び／又はそのプレポリマーの含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物の５〜５０重量％であることが好ましく、さらに好ましくは１０〜４０重量％である。これにより、微細な形状を有する貫通孔２５１を形成する際の加工性により優れたものとなる。

なお、樹脂組成物中には、樹脂の相溶性、安定性、作業性等の各種特性向上のため、各種添加剤、例えば、レベリング剤、消泡剤、酸化防止剤、顔料、染料、消泡剤、難燃剤、紫外線吸収剤、イオン捕捉剤、非反応性希釈剤、反応性希釈剤、揺変性付与剤、増粘剤等を添加するようにしてもよい。

さらに、フレキシブル基板としては、例えば、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリイミドベンゾオキサゾール（ＰＩＢＯ）、液晶ポリマーのような熱可塑性樹脂等で構成されるものが挙げられる。

また、シート材２５’に対する貫通孔２５１の形成は、如何なる方法を用いてもよいが、例えば、Ｉ：シート材２５’の貫通孔２５１を形成しない領域にマスクを形成し、このマスクを用いて、シート材２５’をエッチングして貫通孔２５１を形成する方法、II：シート材２５’の貫通孔２５１を形成する領域にレーザーを選択的に照射して貫通孔２５１を形成する方法等が挙げられるが、IIの方法を用いるのが好ましい。IIの方法によれば、微細な形状の貫通孔２５１を比較的容易に形成することができる。

なお、Ｉの方法において、シート材２５’をエッチングする方法としては、例えば、プラズマエッチング、リアクティブエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法や、ウェットエッチング等の化学的エッチング法が挙げられる。

また、IIの方法において用いられるレーザーの種類としては、例えば、Ｎｅ−Ｈｅレーザー、ＹＡＧレーザー、ＹＶＯ_４レーザー、エキシマレーザー等が挙げられる。

なお、前述したように、パッケージをインターポーザー２５に代えて被覆部を備える構成とする場合、本工程［５］〜次工程［６］に代えて、後工程［９］を行うことにより、半導体素子封止体２７０の両面に貫通孔を備える被覆部を形成することができる。

［６］次に、半導体素子１６が備える電極パッドと導体柱２８とに対応する位置に第２の貫通孔２５１が形成されたシート材２５’を、半導体素子封止体２７０の下側の面に配置し、さらに、導体柱２８に対応する位置に第２の貫通孔２５１が形成されたシート材２５’を、半導体素子封止体２７０の上側の面に配置する（シート材配置工程）。

なお、この際、半導体素子封止体２７０の上面および下面に配置されるシート材２５’は、それぞれ、図示しないエポキシ系接着剤等の接着剤により固定される。

［７］次に、シート材２５’が備える第２の貫通孔２５１に、図４（ｂ）に示すように、導電性を有する導体ポスト２４を形成する（導体ポスト形成工程）。

この導体ポスト２４を形成する方法としては、Ｉ：電解メッキ法、無電解メッキ法のようなメッキ法を用いて導体ポスト２４を形成する方法、II：導電性材料を含有する液状材料を第２の貫通孔２５１に供給し乾燥・固化することにより導体ポスト２４を形成する方法等が挙げられるが、Ｉの方法、特に電解メッキ法を用いて導体ポスト２４を形成するのが好ましい。電解メッキ法によれば、半導体素子２６が有する電極パッドおよび次工程［８］で形成する配線２３に対して、優れた密着性を発揮する導体ポスト２４を容易かつ確実に形成することができる。

以下、電解メッキ法を用いて第２の貫通孔２５１導体ポスト２４を形成する方法について説明する。

［７−１］まず、シート材２５’の半導体素子封止体２７０とは反対の面側に、シート材２５’、第２の貫通孔２５１の内面、第２の貫通孔２５１から露出する電極パッドおよび導体柱２８を覆うように一体的に、導電性を有するシード層を形成する。

このシード層は、例えば、Ｃｕ／Ｔｉ膜で構成され、スパッタリング法等の気相成膜法を用いて、まず、Ｔｉ膜を形成した後、このＴｉ膜上にＣｕ膜を形成することにより得ることができる。

［７−２］次いで、導体ポスト２４を形成しない領域すなわち第２の貫通孔２５１を除く領域にマスク（レジスト層）を形成する。

このマスクの形成は、感光性材料を含有する液状材料を塗布法等を用いてシード層上に供給し、次に、形成すべき導体ポスト２４の形状に対応するフォトマスクを介して露光した後、現像液で現像することにより形成することができる。

なお、本工程で用いられる、感光性材料としては、ネガ型の感光性材料およびポジ型の感光性材料の何れであってもよい。

［７−３］次いで、シード層を電極として用いた電解メッキ法により、導体ポスト２４を形成する。

ここで、前記工程［７−２］により、第２の貫通孔２５１がマスクから選択的に露出するようにマスクが形成されているため、本工程において、導体ポスト２４を、第２の貫通孔２５１を埋めるように選択的に形成することができる。

導体ポスト２４を構成する金属としては、特に限定されず、例えば、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、Ｎｉ、Ｎｉ系合金、Ａｕ等が挙げられる。

なお、導体ポスト２４は、図４（ｂ）に示すように、第２の貫通孔２５１のほぼ全てを埋めるように形成されている必要はなく、少なくとも第２の貫通孔２５１の内面、電極パッドおよび導体柱２８を覆うように形成されていればよい。

［７−４］次いで、シード層上に形成されたマスクを除去する。
このマスクの除去は、プラズマエッチング、リアクティブエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうち１種または２種以上を組み合わせて行うことができるが、具体的には、マスクをアルカリ現像液で膨潤・溶解し除去する方法が好ましく用いられる。

なお、次工程［８］において配線２３を電解メッキ法を用いて形成する場合には、このマスクの除去の際に、シード層を除去することなくシート材２５’上に残存させておく。
以上のような工程を経て、第２の貫通孔２５１内に導体ポスト２４が形成される。

［８］次に、図４（ｃ）に示すように、２つのシート材２５’の半導体素子封止体２７０とは反対の面側に、導体ポスト２４に電気的に接続するように、所定形状にパターニングされた配線２３を形成する（配線形成工程）。

この配線２３を形成する方法としては、前記工程［７］で説明した導体ポスト２４を形成する方法と同一の方法を用いることができ、導体ポスト２４を形成する場合と同様に電解メッキ法を用いるのが好ましい。

以下、電解メッキ法を用いて配線２３を形成する方法について説明する。
［８−１］まず、本実施形態では、前記工程［７−４］において残存させておいたシード層の配線２３を形成しない領域にマスクを形成する。

このマスクの形成には、前記工程［７−２］においてマスクを形成する方法として説明したのと同様の方法が用いられる。

［８−２］次いで、電解メッキ法により配線２３を形成する。
ここで、本工程［８−２］において、配線２３を電解メッキ法により形成する場合には、前述のように、シード層を除去することなくシート材２５’に残存させていることから、このシード層を電極として用いて、電解メッキ法により配線２３を形成することができる。

なお、配線２３を構成する金属としては、特に限定されず、導体ポスト２４を構成する金属として挙げたのと同様のものを用いることができる。さらに、導体ポスト２４と配線２３との構成材料は、同一であっても、異なっていてもよい。

［８−３］次いで、シード層上に形成されたマスクを除去した後、シート材２５’の半導体素子封止体２７０とは反対の面側でマスクの除去により露出するシード層を除去する。

これらマスクおよびシード層の除去は、それぞれ、前記工程［７−４］において説明したのと同様の方法を用いることができる。これらの中でも、マスクの除去には、マスクをアルカリ現像液で膨潤・溶解して除去する方法、シード層の除去には、エッチング液を用いてシード層を除去する方法が好ましく用いられる。

以上のような工程を経て、２つのシート材２５’の半導体素子封止体２７０とは反対側の面に、それぞれ所定形状に形成された配線２３を、導体ポスト２４および／または導体柱２８に電気的に接続された状態で形成することができる。

［９］次に、図４（ｄ）に示すように、２つのシート材２５’の半導体素子封止体２７０とは反対の面側に、それぞれ、配線２３の一部が露出するように、開口部２２１を備える被覆部２２を形成する（被覆部形成工程）。

なお、この開口部２２１は、次工程［１０］において、バンプ２１を形成する位置に対応するように形成される。

また、開口部２２１から露出する配線２３上には、被覆層（アンダー・バリア・メタル層（ＵＢＭ層））を形成するのが好ましい。これにより、例えば、配線２３がＣｕや、Ｃｕ系合金で構成される場合には、配線２３からバンプ２１に対するＣｕ原子の溶出を的確に抑制または防止することができる。

このような、被覆層は、通常、主としてＮｉで構成される下層上に、主としてＡｕで構成される上層を積層した積層体で構成され、例えば、無電解メッキ法を用いて形成される。

かかる被覆部２２の形成は、前述した第１の貫通孔２７１が設けられた封止部２７と同様に、感光性を有する絶縁性材料を含有する液状材料（ワニス）を塗布法等を用いてシート材２５’の半導体素子封止体２７０とは反対の面側に供給し、次いで、形成すべき開口部２２１の形状に対応するフォトマスクを介して露光した後、現像液（エッチング液）で開口部２２１とすべき領域を除去することにより行われる。

また、感光性を有する絶縁性材料としては、前記工程［２］で説明したのと同様のものが好ましく用いられる。

［１０］次に、図５（ａ）に示すように、開口部２２１から露出する配線２３に電気的に接続するようにバンプ２１を形成する（バンプ接続工程）。

ここで、本実施形態のように、導体ポスト２４とバンプ２１との接続を、配線２３を介して行う構成とすることにより、バンプ２１を、シート材２５’の面方向において、導体ポスト２４とは異なる位置に配置することができる。換言すれば、バンプ２１と導体ポスト２４との中心部が重ならないように、これらを配置することができる。したがって、得られるパッケージ２０における上面および下面の双方の所望の位置にバンプ２１を形成することができるので、このパッケージ２０に積層するパッケージの種類の選択の幅が広がる。また、パッケージの出力ピン数を増大させることができる。

このバンプ２１を配線２３に接合する方法としては、特に限定されないが、例えば、バンプ２１と配線２３との間に、粘性を有するフラックスを介在させることにより行われる。

また、バンプ２１の構成材料としては、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろうのようなろう材等が挙げられる。

［１１］ 次に、図５（ｂ）に示すように、半導体素子２６毎に対応するように、被覆部２２等が設けられた半導体素子封止体２７０を個片化することにより、複数の半導体パッケージ２０を一括して得る（個片化工程）。

この半導体素子封止体２７０の個片化は、例えば、半導体素子封止体２７０の厚さ方向に、ダイシングソーを用いて、封止部２７、２つのシート材２５’および２つの被覆部２２を切断することにより行うことができる。
以上のような工程を経て、複数の半導体パッケージ２０が製造される。

このような半導体パッケージ２０の製造方法によれば、半導体素子２６と導体柱２８とを備え、上下での電気的接続が可能な半導体パッケージ２０を、一括して製造することが可能となる。

さらに、前記工程［１］において、ダミー基板１０１上に配置する半導体素子２６を、予め評価試験を行い良品と判断されたものを選定する構成とすることにより、前記工程［１１］で得られる複数の半導体パッケージ２０は、信頼性の高いものとなる。

なお、本実施形態では、半導体素子封止体２７０の上側および下側の双方に、シート材２５’、導体ポスト２４、配線２３、被覆部２２およびバンプ２１を設ける場合について説明したが、かかる場合に限定されず、これらをいずれか一方に設けるようにしても良い。

＜第２実施形態＞
次に、パッケージ２０を製造する製造方法の第２実施形態ついて説明する。

すなわち、パッケージ２０の製造方法の第２実施形態では、平板状をなすシート材を用意し、このシート材の厚さ方向に複数の第２の貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、各第２の貫通孔に電極パッドが対応するように、複数の半導体素子をそれぞれシート材上に配置する配置工程と、半導体素子が配置されている側の面に、シート材と半導体素子とを覆うように感光性を有する絶縁性材料で封止して封止部を形成する封止部形成工程と、第２の貫通孔に対応する前記封止部の各前記導体柱を形成すべき位置にフォトリソグラフィー法を用いて第１の貫通孔を形成した後、該第１の貫通孔に前記導体柱を形成することにより前記半導体素子封止体を得る導体柱形成工程と、第２の貫通孔に導電性を有する導体ポストを形成する導体ポスト形成工程と、シート材の半導体素子封止体とは反対の面側に、導体ポストに電気的に接続する配線を形成する配線形成工程と、半導体素子封止体とは反対側の面に、配線の一部が露出するように、開口部を備える被覆部を形成する被覆部形成工程と、開口部で露出する配線に、バンプを電気的に接続するバンプ接続工程と、半導体素子毎に対応するように、半導体素子封止体を個片化することにより、複数の半導体パッケージを一括して得る個片化工程とを有する。

図６〜図８は、導体柱２８を有する半導体パッケージ２０を複数一括して製造する本発明の半導体パッケージの製造方法の第２実施形態を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図６〜図８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

［１’］まず、図６（ａ）に示すような、平板状をなすシート材２５’を用意し、このシート材２５’に、その厚さ方向に貫通する第２の貫通孔２５１を形成する（図６（ｂ）参照；貫通孔形成工程）。

なお、この第２の貫通孔２５１は、次工程［２’］において、半導体素子２６をシート材２５’上に配置した際に、半導体素子２６が備える電極パッドの位置に対応する位置、および、次工程［４’］において、導体柱２８を形成すべき位置に対応する位置に形成される。

すなわち、本工程では、次工程［２’］において、シート材２５’上に配置される複数の半導体素子２６が備える電極パッドの総数よりも多く形成されており、半導体素子２６の電極パッドが配置されない位置に形成されている第２の貫通孔２５１に対応するように導体柱２８が形成される。

また、このシート材２５’は、前記工程［６］において、半導体素子封止体２７０の下側の面に配置されたシート材２５’と同様のものを用いることができる。

さらに、シート材２５’に第２の貫通孔２５１を形成する方法としては、前記工程［３−１］において、封止部２７に第１の貫通孔２７１を形成する方法で説明したのと同様の方法を用いることができる。

［２’］次に、半導体素子２６を、前記工程［１’］において用意したシート材２５’上に配置する（図６（ｃ）参照；配置工程）。

この際、半導体素子２６および導体柱２８は、前記工程［１’］において形成された第２の貫通孔２５１の位置に、それぞれ、半導体素子２６が有する電極パッド（図示せず）および導体柱２８が対応するような位置に配置される。

すなわち、本実施形態では、シート材２５’に形成された第２の貫通孔２５１に、電極パッドが対応するように半導体素子２６を配置する。

なお、半導体素子２６は、シート材２５’上に固定されていても固定されていなくてもよいが、エポキシ系接着剤等の接着剤により固定されているのが好ましい。これにより、次工程［３’］において、半導体素子２６を封止部２７で封止する際に、半導体素子２６の位置ずれが生じてしまうのを効果的に防止することができる。

［３’］次に、シート材２５’の上面、すなわち半導体素子２６が配置されている側の面を、シート材２５’および半導体素子２６を覆うように感光性を有する絶縁材料で封止して封止部２７を形成する（図６（ｄ）参照；封止部形成工程）。

シート材２５’上に封止部２７を形成する方法としては、前記工程［２］において、ダミー基板１０１上に封止部２７を形成する方法として説明したのと同様の方法を用いることができる。

［４’］次に、図６（ｅ）に示すように、封止部２７の各導体柱２８を形成すべき位置に第１の貫通孔２７１を形成した後、形成されたこれら第１の貫通孔２７１に、図６（ｆ）に示すように、導体柱２８を形成する（導体柱形成工程）。

これにより、シート材２５’、半導体素子２６および導体柱２８がシート材２５’の上面側で封止部２７により封止された半導体素子封止体２７０’が得られる。

封止部２７に第１の貫通孔２７１を形成する方法としては、前記［３−１］工程において説明したのと同様の方法を用いることができ、さらに、第１の貫通孔２７１に導体柱２８を形成する方法としては、前記［３−２］工程において説明したのと同様の方法を用いることができる。

なお、上記の貫通孔形成工程［１’］、配置工程［２’］、封止部形成工程［３’］および導体柱工程［４’］により、シート材２５’、複数の半導体素子２６および複数の導体柱２８がシート材２５’の上面側で封止部２７により封止された半導体素子封止体２７０’が製造される、本発明の半導体素子封止体の製造方法の第２実施形態が構成される。

［５’］次に、次工程［６’］において、半導体素子封止体２７０’の上側に配置すべき平板状をなすシート材２５’を用意し、このシート材２５’に、その厚さ方向に貫通する第２の貫通孔２５１を形成する（貫通孔形成工程；図９（ａ）参照。）。
なお、この第２の貫通孔２５１は、導体柱２８に対応する位置に形成される。

また、このシート材２５’は、前記工程［６］において、半導体素子封止体２７０の上側の面に配置されたシート材２５’と同様のものを用いることができる。

さらに、シート材２５’に第２の貫通孔２５１を形成する方法としては、前記工程［５］において、シート材２５’に第２の貫通孔２５１を形成する方法で説明したのと同様の方法を用いることができる。

［６’］次に、図７（ｂ）に示すように、２つのシート材２５’が備える第２の貫通孔２５１に、導電性を有する導体ポスト２４を形成する（導体ポスト形成工程）。

この導体ポスト２４を形成する方法としては、前記工程［７］において説明したのと同様の方法を用いることができる。

［７’］次に、図７（ｃ）に示すように、２つのシート材２５’の半導体素子封止体２７０’とは反対の面側に、導体ポスト２４に電気的に接続するように、所定形状にパターニングされた配線２３を形成する（配線形成工程）。

この配線２３を形成する方法としては、前記工程［８］において説明したのと同様の方法を用いることができる。

［８’］次に、図７（ｄ）に示すように、２つのシート材２５’の半導体素子封止体２７０’とは反対の面側に、配線２３の一部が露出するように、開口部２２１を備える被覆部２２を形成する（被覆部形成工程）。

なお、この開口部２２１は、次工程［９’］において、バンプ２１を形成する位置に対応するように形成される。

この被覆部２２を形成する方法としては、前記工程［９］において説明したのと同様の方法を用いることができる。

［９’］次に、図８（ａ）に示すように、開口部２２１から露出する配線２３に電気的に接続するようにバンプ２１を形成する（バンプ接続工程）。

このバンプ２１を形成する方法としては、前記工程［１０］において説明したのと同様の方法を用いることができる。

［１０’］ 次に、図８（ｂ）に示すように、半導体素子２６毎に対応するように被覆部２２等が設けられた半導体素子封止体２７０’を個片化することにより、複数の半導体パッケージ２０を一括して得る（個片化工程）。

この半導体素子封止体２７０の個片化は、前記工程［１１］において、半導体素子封止体２７０を個片化する方法として説明したのと同様の方法を用いることができる。
以上のような工程を経て、半導体パッケージ２０が製造される。

このような半導体パッケージ２０の製造方法によれば、半導体素子２６と導体柱２８とを備え、上下での電気的接続が可能な半導体パッケージ２０を、一括して製造することが可能となる。

さらに、前記工程［２’］において、第２の貫通孔２５１が形成されたシート材２５’上に配置する半導体素子２６を、予め評価試験を行い良品と判断されたものを選定する構成とすることにより、前記工程［１０’］で得られる複数の半導体パッケージ２０は、信頼性の高いものとなる。

また、前記工程［２’］において、シート材２５’に、直接、第２の貫通孔２５１が形成され、前記工程［６’］において、この第２の貫通孔２５１に導体ポスト２４が形成される。そのため、前記第１実施形態の半導体パッケージ２０の製造方法のように、ダミー基板１０１から半導体素子封止体２７０を取り外し、さらに導体ポスト２４を形成するためのシート材２５’を半導体素子封止体２７０に貼り付ける必要がないので、半導体パッケージ２０を一括して複数製造する際の、工程数の削減を図ることができるため、半導体パッケージ２０の生産性の向上を図ることができる。

さらに、前記工程［２’］において、シート材２５’に予め形成された第２の貫通孔２５１に、半導体素子２６が備える電極パッドが対応するようにして、半導体素子２６をシート材２５’上に配置するため、前記電極パッドに接着剤等の不純物が付着してしまうのを的確に抑制または防止することができるので、より信頼性の高い半導体パッケージを製造することができる。

なお、本実施形態では、半導体素子封止体２７０の上側にも、シート材２５’、導体ポスト２４、配線２３、被覆部２２およびバンプ２１を設ける場合について説明したが、これらの半導体素子封止体２７０の上側への形成を省略することもできる。この場合、前記工程［５’］が省略される。

なお、本発明の半導体素子封止体の製造方法および本発明の半導体パッケージの製造方法により製造された半導体パッケージ２０を備える半導体装置３０は、例えば、携帯電話、デジタルカメラ、ビデオカメラ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、ゲーム機、液晶テレビ、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、プリンタ等に広く用いることができる。

以上、本発明の半導体素子封止体の製造方法および本発明の半導体パッケージの製造方法について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。

例えば前記実施形態では、パッケージ１０およびパッケージ２０は、それぞれ、１つの半導体素子１６および半導体素子２６を備える場合について説明したが、かかる場合に限定されず、各パッケージ１０、２０は、２つ以上の同一または異種の半導体素子を備えるものであってもよい。かかる構成とすることにより、パッケージ１０、２０の高機能化および多機能化を図ることができる。

また、前記実施形態では、ＰＯＰ（Ｐａｃｋａｇｅ Ｏｎ Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置３０が備える半導体パッケージ２０の製造に、本発明の半導体パッケージの製造方法を適用する場合について説明したが、かかる構成の装置の製造に適用されるばかりでなく、例えば、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｌｌａｙ）型の半導体装置、ＦＢＧＡ（Ｆｉｎｅ Ｐｉｔｃｈ Ｂａｌｌ Ｇｉｒｄ Ａｌｌａｙ）等の半導体装置が備える半導体パッケージの製造に適用することができる。

また、本発明の半導体素子封止体の製造方法および本発明の半導体パッケージの製造方法には、任意の目的の工程が１または２以上追加されてもよい。

１０、２０ パッケージ
１２、２２ 被覆部
１２１、２２１ 開口部
１３、２３ 配線
１４、２４ 導体ポスト
１４２ マスク
１５、２５ インターポーザー
１５１、２５１ 貫通孔
１６、２６ 半導体素子
１７、２７ 封止部
２１ バンプ
２５’ シート材
２７０、２７０’ 半導体素子封止体
２８ 導体柱
３０ 半導体装置
５０１ 振動フィーダー
５０２ 樹脂材料供給容器
５０３ エポキシ樹脂組成物
５０４ 下型キャビティ
６００ パッケージ
１０１、６０１ ダミー基板
１０２、６０２ 接着層
６１０ 封止体
６１１ バンプ
６１２ 第２の被覆層
６１３ 配線
６１４ 導体ポスト
６１５ 第１の被覆層
６１６ 半導体素子
６１７ 封止部
６２２ 開口部
６２５ 貫通孔

Claims (9)

1. 少なくとも１つの電極パッドを有する複数の半導体素子と、導電性を有する複数の導体柱と、前記半導体素子および前記導体柱を封止する封止部とを有する半導体素子封止体の製造方法であって、
   平板状をなし、熱分解性の樹脂成分を含んで構成される接着層を備えるダミー基板を用意し、前記接着層側の前記ダミー基板上に、前記電極パッドが前記ダミー基板側となるように前記半導体素子を配置する半導体素子配置工程と、
   前記半導体素子が配置されている側の面に、前記ダミー基板と前記半導体素子とを覆うように感光性を有する絶縁性材料で封止して封止部を形成する封止部形成工程と、
   前記封止部の各前記導体柱を形成すべき位置にフォトリソグラフィー法を用いて第１の貫通孔を形成した後、該第１の貫通孔に前記導体柱を形成することにより、前記ダミー基板上に前記半導体素子封止体を得る導体柱形成工程と、
   前記接着層を加熱して前記樹脂成分を熱分解させることで前記半導体素子封止体から前記ダミー基板を剥離させる剥離工程とを有し、
   前記樹脂成分は、下記化学式（１Ｘ）で表わされるカーボネート構成単位、および、下記化学式（２Ｘ）で表わされるカーボネート構成単位のうちの少なくとも１種を有するカーボネート系樹脂を含むことを特徴とする半導体素子封止体の製造方法。
   

   

   
   

   
2. 前記封止部形成工程において、前記封止部は、前記感光性を有する絶縁性材料を含有する液状材料を、前記ダミー基板および前記半導体素子を覆うように、前記半導体素子が配置されている側の面に供給した後、前記液状材料を乾燥させることにより形成される請求項１に記載の半導体素子封止体の製造方法。
3. 前記封止部形成工程において、前記封止部は、前記感光性を有する絶縁性材料を含有するフィルム材を、前記ダミー基板および前記半導体素子を覆うように、前記半導体素子が配置されている側の面に貼り合わせることにより形成される請求項１に記載の半導体素子封止体の製造方法。
4. 前記導体柱形成工程において、前記第１の貫通孔は、前記封止部を、前記導体柱の形状に対応するフォトマスクを介して露光した後、前記導体柱を形成すべき領域に位置する前記封止部を、現像液を用いて除去することにより形成される請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体素子封止体の製造方法。
5. 前記導体柱形成工程において、前記導体柱は、電解メッキ法により形成される請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体素子封止体の製造方法。
6. 請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体素子封止体の製造方法により製造された半導体素子封止体と、厚さ方向に複数の第２の貫通孔が形成されたシート材とを用意し、各前記第２の貫通孔に前記電極パッドおよび前記導体柱が対応するように、前記半導体素子封止体に前記シート材を貼り合わせるシート材貼り合わせ工程と、
   前記第２の貫通孔に導電性を有する導体ポストを形成する導体ポスト形成工程と、
   前記シート材の前記半導体素子封止体とは反対の面側に、前記導体ポストに電気的に接続する配線を形成する配線形成工程と、
   前記半導体素子封止体とは反対側の面に、前記配線の一部が露出するように、開口部を備える被覆部を形成する被覆部形成工程と、
   前記開口部で露出する前記配線に、バンプを電気的に接続するバンプ接続工程と、
   前記半導体素子毎に対応するように、前記半導体素子封止体を個片化することにより、複数の半導体パッケージを一括して得る個片化工程とを有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
7. 前記導体ポスト形成工程において、前記導体ポストは、電解メッキ法により形成される請求項６に記載の半導体パッケージの製造方法。
8. 前記配線形成工程において、前記配線は、電解メッキ法により形成される請求項６または７に記載の半導体パッケージの製造方法。
9. 前記導体ポストと前記バンプとは、前記シート材の面方向において、異なる位置に形成される請求項６ないし８のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。

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