JP4856988B2

JP4856988B2 - モータ駆動集積回路

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Publication number: JP4856988B2
Application number: JP2006066428A
Authority: JP
Inventors: 孝染谷
Original assignee: On Semiconductor Trading Ltd
Current assignee: On Semiconductor Trading Ltd
Priority date: 2006-03-10
Filing date: 2006-03-10
Publication date: 2012-01-18
Anticipated expiration: 2026-03-10
Also published as: JP2007244158A

Description

本発明は、モータ駆動集積回路に関する。

昨今の電子機器では、一つの機器内で複数のモータが用いられることが多い。例えば、デジタルカメラの場合、シャッタ機構、絞り機構、フォーカス機構、ズーム機構等を駆動するために複数のモータが用いられている。このようなモータのコイルへの通電を制御する回路としては、Ｈブリッジ回路が一般的である。そのため、複数のモータを駆動する電子機器では、複数のＨブリッジ回路を内蔵するモータ駆動集積回路が用いられる。

モータ駆動集積回路において、１つのコイルごとに独立したＨブリッジ回路を１つ用意することとすると、チップサイズや出力端子の増加を招くこととなる。そこで、Ｈブリッジ回路の片側を２つのコイルで共用することにより、モータ駆動集積回路のチップサイズ及び出力端子の増加を抑制する手法がとられている（例えば特許文献１）。

図５は、定電流駆動又は飽和駆動によりコイルを駆動可能な、Ｈブリッジ回路を共用したモータ駆動集積回路の構成例を示す図である。モータ駆動集積回路１００は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１０〜１１２、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１２０〜１２２、及びオペアンプ１３０を含んで構成されている。ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１０，１１１及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１２０，１２１により１つのＨブリッジ回路が構成され、出力端子ＯＵＴ１，ＯＵＴ２が、その出力となっている。また、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１１，１１２及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１２１，１２２により１つのＨブリッジ回路が構成され、出力端子ＯＵＴ２，ＯＵＴ３が、その出力となっている。つまり、モータ駆動集積回路１００では、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１１及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１２１が２つのＨブリッジ回路で共用されている。

そして、出力端子ＯＵＴ１，ＯＵＴ２間には、定電流駆動されるコイル１４０が接続される。また、出力端子ＯＵＴ２，ＯＵＴ３間には、飽和駆動されるコイル１５０が接続される。さらに、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１２０，１２１のソース側には、コイル１４０に流れる電流量を検出するための抵抗１６０が端子ＳＥＮ１を介して接続される。

ここで、コイル１４０を駆動する場合、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１０及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１２１と、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１１及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１２０とが相補的にオンオフすることとなる。そして、抵抗１６０によって検出される電圧が基準電圧と等しくなるようにＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１２０又はＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１２１のゲート電圧をオペアンプ１３０が制御することにより、コイル１４０が定電流駆動される。また、コイル１５０を駆動する場合、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１１及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１２２と、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１２及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１２１とが相補的にオンオフすることとなる。

また、図６は、定電流駆動又は飽和駆動によりコイルを駆動可能な、Ｈブリッジ回路を共用したモータ駆動集積回路の他の構成例を示す図である。モータ駆動集積回路２００は、図５に示したモータ駆動集積回路１００の構成に加えて、オペアンプ２１０を備えており、コイル１４０に流れる電流量を検出するための抵抗２２０が端子ＳＥＮ２を介して接続されている。モータ駆動集積回路２００においても、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１０及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１２１と、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１１及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１２０とが相補的にオンオフされることにより、コイル１４０が駆動される。そして、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１０及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１２１がオンの場合、オペアンプ２１０によってＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１０のゲート電圧が制御されることにより、コイル１４０が定電流駆動される。また、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１１及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１２０がオンの場合、オペアンプ１３０によってＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１２０のゲート電圧が制御されることにより、コイル１４０が定電流駆動される。
特開２００４−１０４９４０号公報

ところで、図５に示したモータ駆動集積回路１００を用いてコイル１５０を駆動する場合、電流の流れる向きによってコイル１５０に流れる電流量が変化することとなる。例えば、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１１及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１２２がオン、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１２及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１２１がオフの場合、コイル１５０の抵抗値をＲ_L、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１１及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１２２の抵抗値をＲ_ONとすると、コイル１５０に流れる電流Ｉ₁は、Ｉ₁＝Ｖ_M／（Ｒ_L＋Ｒ_ON）となる。また、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１２及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１２１がオン、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１１及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１２２がオフの場合、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１２及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１２１の抵抗値をＲ_ON、外付けの抵抗１６０の抵抗値をＲ_Fとすると、コイル１５０に流れる電流Ｉ₂は、Ｉ₂＝Ｖ_M／（Ｒ_L＋Ｒ_ON＋Ｒ_F）となる。

このように、図５に示したモータ駆動集積回路１００では、コイル１４０を定電流駆動するために設けられた抵抗１６０の影響により、コイル１５０に流れる電流量が電流の向きによって異なることとなる（Ｉ₁＞Ｉ₂）。そのため、コイル１５０により駆動されるモータを安定駆動することができない。

一方、図６に示したモータ駆動集積回路２００の場合、コイル１５０に流れる電流は、電流の向きによらずＶ_M／（Ｒ_L＋Ｒ_ON）となり、モータを安定駆動することができる。しかしながら、図６に示したモータ駆動集積回路２００の場合、コイル１４０を定電流駆動するために、２つの外付け抵抗１６０，２２０が必要になってしまい、モータ駆動集積回路２００及び外付け抵抗１６０，２２０等によって実現される回路の面積及びコストの増大を招くこととなる。

本発明は上記課題を鑑みてなされたものであり、モータを安定駆動可能で、回路の面積及びコストの削減が可能なモータ駆動集積回路を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明のモータ駆動集積回路は、複数のモータが有するコイルの通電を制御するモータ駆動集積回路であって、直列に接続された第１及び第２トランジスタと、直列に接続された第３及び第４トランジスタと、直列に接続された第５及び第６トランジスタと、一端が前記第３及び第４トランジスタの接続点と接続された第７トランジスタと、前記第１及び第２トランジスタの接続点に第１コイルの一端を接続するための第１コイル接続端子と、前記第３及び第４トランジスタの接続点に前記第１コイルの他端を接続するとともに、前記第３及び第７トランジスタの接続点に第２コイルの一端を接続するための第２コイル接続端子と、前記第５及び第６トランジスタの接続点に前記第２コイルの他端を接続するための第３コイル接続端子と、前記第１コイルに流れる電流を検出するための抵抗を、前記第２トランジスタの前記第１トランジスタと接続される側とは反対の端子と、前記第４トランジスタの前記第３トランジスタと接続される側とは反対の端子とに接続するための電流検出抵抗接続端子と、前記電流検出抵抗の検出結果に応じて前記第２又は第４トランジスタの制御電極の電圧を制御することにより前記第１コイルを定電流制御する電流制御回路と、を備え、前記第３トランジスタの前記第７トランジスタと接続される側とは反対側の電極と、前記第５トランジスタの前記第６トランジスタと接続される側とは反対側の電極とに第１電圧が印加され、前記第７トランジスタの前記第３トランジスタと接続される側とは反対側の電極と、前記第６トランジスタの前記第５トランジスタと接続される側とは反対側の電極とに第２電圧が印加され、前記第１及び第４トランジスタと、前記第３及び第２トランジスタとが相補的にオンオフされることにより前記第１コイルに対する通電が行われ、前記第３及び第６トランジスタと、前記第５及び第７トランジスタとが相補的にオンオフされることにより前記第２コイルに対する通電が行われることとする。

そして、前記第１〜第７トランジスタのうち、接地側のトランジスタは接地側の電極と制御電極との電位差に応じてオンオフするトランジスタであることとすることができる。

さらに、前記第２、第４、第６、及び第７トランジスタが、接地側のトランジスタであることとすることができる。

また、前記第１〜第７トランジスタのうち、電源側のトランジスタは電源側の電極と制御電極との電位差に応じてオンオフするトランジスタであることとすることができる。

また、前記電流制御回路は、一方の入力端子印加される基準電圧と、他方の入力端子に印加される前記電流検出抵抗接続端子の電圧とに応じて前記第２又は第４トランジスタの制御電極の電圧を制御することにより前記第１コイルを定電流制御するオペアンプであることとすることができる。

モータを安定駆動可能で、回路の面積及びコストの削減が可能なモータ駆動集積回路を提供することができる。

＝＝回路構成＝＝
図１は、本発明の実施形態であるモータ駆動集積回路の構成例を示す図である。モータ駆動集積回路１は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１０〜１７、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０〜２９、オペアンプ３０，３１、スイッチ回路３５，３６、及びロジック回路４０を含んで構成されている。また、モータ駆動集積回路１は、モータのコイルを接続するための出力端子ＯＵＴ１〜ＯＵＴ８、電源電圧が印加される端子ＶＭ、接地電圧が印加される端子ＧＮＤ、電流検出用の抵抗が接続される端子ＳＥＮ１，ＳＥＮ２、及び制御用の入力信号が入力される端子ＥＮ，ＩＮ１〜ＩＮ６を備えている。

本実施形態では、モータ駆動集積回路１は、例えばデジタルカメラにおける複数のアクチュエータを駆動するためのものであることとする。そして、出力端子ＯＵＴ１，ＯＵＴ２の間には、例えばシャッタ機構を駆動するためのボイスコイルモータのコイル５０が接続されている。また、出力端子ＯＵＴ５，ＯＵＴ６の間には、例えば絞り機構を駆動するためのボイスコイルモータのコイル５１が接続されている。なお、ボイスコイルモータの場合、モータの速度はコイルに流れる電流量によって決定される。そこで、本実施形態では、シャッタ機構や絞り機構の動作速度を一定にするために、コイル５０，５１は定電流駆動されることとする。

また、出力端子ＯＵＴ２，ＯＵＴ３の間には、例えばフォーカス機構を駆動するための２相ステッピングモータにおける一方のコイル５２が接続され、出力端子ＯＵＴ６，ＯＵＴ７間には、他方のコイル５３が接続されている。また、出力端子ＯＵＴ４，ＯＵＴ８間には、例えばズーム機構を駆動するためのＤＣモータのコイル５４が接続されている。なお、ステッピングモータの場合、モータの速度はコイルの通電切り替え速度によって決定される。また、ＤＣモータの場合、モータの速度は印加される電圧によって決定される。そこで、本実施形態では、コイル５２〜５４は定電流駆動ではなく、飽和駆動されることとする。

そして、端子ＶＭには、電圧Ｖ_Mを発生する電源６０の正側が接続されており、端子ＧＮＤには、電源６０の接地側が接続されている。また、端子ＳＥＮ１には、電流を検出するための抵抗７０が接続され、端子ＳＥＮ２には、電流を検出するための抵抗７５が接続されている。

そして、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１０及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０はドレイン同士が接続され、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１０のソースが端子ＶＭと接続され、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０のソースが端子ＳＥＮ１と接続されている。また、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１０及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０の接続点が出力端子ＯＵＴ１と接続されている。同様に、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１のドレイン同士が接続され、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１のソースが端子ＶＭと接続され、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１のソースが端子ＳＥＮ１と接続されている。また、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１の接続点が出力端子ＯＵＴ２と接続されている。つまり、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１０，１１及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０，２１によりコイル５０への通電を制御するためのＨブリッジ回路が構成され、その出力端子がＯＵＴ１，ＯＵＴ２となっている。

また、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１のドレインは、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２２のドレインとも接続されている。そして、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２２のソースが端子ＧＮＤと接続されている。また、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１２及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２３はドレイン同士が接続され、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１２のソースが端子ＶＭと接続され、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２３のソースが端子ＧＮＤと接続されている。そして、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１２及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２３の接続点が出力端子ＯＵＴ３と接続されている。つまり、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１，１２及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２２，２３によりコイル５２への通電を制御するためのＨブリッジ回路が構成され、その出力端子がＯＵＴ２，ＯＵＴ３となっている。

また、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１４及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２５はドレイン同士が接続され、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１４のソースが端子ＶＭと接続され、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２５のソースが端子ＳＥＮ２と接続されている。また、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１４及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２５の接続点が出力端子ＯＵＴ５と接続されている。同様に、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２６のドレイン同士が接続され、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５のソースが端子ＶＭと接続され、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２６のソースが端子ＳＥＮ２と接続されている。また、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２６の接続点が出力端子ＯＵＴ６と接続されている。つまり、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１４，１５及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２５，２６によりコイル５１への通電を制御するためのＨブリッジ回路が構成され、その出力端子がＯＵＴ５，ＯＵＴ６となっている。

また、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５のドレインは、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２７のドレインとも接続されている。そして、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２７のソースが端子ＧＮＤと接続されている。また、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２８はドレイン同士が接続され、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６のソースが端子ＶＭと接続され、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２８のソースが端子ＧＮＤと接続されている。そして、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２８の接続点が出力端子ＯＵＴ７と接続されている。つまり、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５，１６及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２７，２８によりコイル５３への通電を制御するためのＨブリッジ回路が構成され、その出力端子がＯＵＴ６，ＯＵＴ７となっている。

また、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１３及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２４はドレイン同士が接続され、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１３のソースが端子ＶＭと接続され、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２４のソースが端子ＧＮＤと接続されている。そして、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１３及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２４の接続点が出力端子ＯＵＴ４と接続されている。同様に、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１７及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２９はドレイン同士が接続され、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１７のソースが端末ＶＭと接続され、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２９のソースが端子ＧＮＤと接続されている。そして、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１７及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２９の接続点が出力端子ＯＵＴ８と接続されている。つまり、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１３，１７及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２４，２９によりコイル５４への通電を制御するためのＨブリッジ回路が構成され、その出力端子がＯＵＴ４，ＯＵＴ８となっている。

このように、モータ駆動集積回路１では、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１及び出力端子ＯＵＴ２は、コイル５０を駆動するためのＨブリッジ回路とコイル５２を駆動するためのＨブリッジ回路とで共有されている。また、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５及び出力端子ＯＵＴ６は、コイル５１を駆動するためのＨブリッジ回路とコイル５３を駆動するためのＨブリッジ回路とで共有されている。そして、Ｈブリッジ回路が共用されることにより、コイル毎に独立してＨブリッジ回路及び出力端子を設ける場合と比較してチップサイズ及び出力端子の削減が実現されている。

オペアンプ３０は、出力端子ＯＵＴ１，ＯＵＴ２の間に接続されるコイル５０を定電流駆動するための回路であり、一方の入力端子（本例では＋入力端子）に基準電圧が印加され、他方の入力端子（本例では−入力端子）が端子ＳＥＮ１と接続される。そして、オペアンプ３０の出力電圧は、スイッチ回路３５を介してＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０又はＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１のゲート（制御電極）に印加される。なお、基準電圧はモータ駆動集積回路１の内部で生成されることとしてもよいし、モータ駆動集積回路１の外部から印加されることとしてもよい。

例えば、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１０及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１がオン、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０がオフとなってコイル５０に電流が流れている場合、オペアンプ３０は、＋入力端子の電圧と−入力端子の電圧とが等しくなるように、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１のゲート電圧を制御する。また、ＰチャネルＭＳＯＦＥＴ１１及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０がオン、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１０及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１がオフとなってコイル５０に電流が流れている場合、オペアンプ３０は、＋入力端子の電圧と−入力端子の電圧とが等しくなるように、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０のゲート電圧を制御する。つまり、オペアンプ３０は、コイル５０に流れる電流が基準電圧及び抵抗７０によって定まる所定の電流となるようにＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０又はＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１のゲート電圧を制御する。

同様に、オペアンプ３１は、出力端子ＯＵＴ５，ＯＵＴ６の間に接続されるコイル５１を定電流駆動するための回路であり、一方の入力端子（本例では＋入力端子）に基準電圧が印加され、他方の入力端子（本例では−入力端子）が端子ＳＥＮ２と接続される。そして、オペアンプ３１の出力電圧は、スイッチ回路３６を介してＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２５又はＮチャネルＭＯＳＦＥ２６のゲート（制御電極）に印加される。そして、オペアンプ３１は、コイル５１に流れる電流が基準電圧及び抵抗７５によって定まる所定の電流となるように制御する。

ロジック回路４０は、端子ＥＮ，ＩＮ１〜ＩＮ６から入力される信号に基づいて、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１０〜１７のオンオフを制御するための信号Ｐ１〜Ｐ８、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２２〜２４，２７〜２９のオンオフを制御するための信号Ｎ１〜Ｎ６、及びスイッチ回路３５，３６の切り替えを制御するための信号Ｓ１，Ｓ２を出力する。

なお、本実施形態では、図１に示したようにコイルが接続されることとしたが、モータ駆動集積回路１に接続されるコイルの接続形態はこれに限られるものではない。また、モータ駆動集積回路１では、ＭＯＳＦＥＴによりＨブリッジ回路を構成することとしたが、バイポーラトランジスタを用いることも可能である。また、モータ駆動集積回路１では、電源側のトランジスタをＰチャネルＭＯＳＦＥＴとしたが、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴとすることやＮＰＮ型トランジスタとすることも可能である。

＝＝動作説明＝＝
次に、モータ駆動集積回路１の動作について説明する。図２は、端子ＥＮ，ＩＮ１〜ＩＮ４から入力される信号と、出力端子ＯＵＴ１〜ＯＵＴ３，ＯＵＴ５〜ＯＵＴ７から出力される信号との関係の一例を示す図である。なお、”＊”はドントケア（don't care）であることを示しており、”−”はハイインピーダンスであることを示している。

端子ＥＮから入力される信号がＬレベルの場合、出力端子ＯＵＴ１〜ＯＵＴ３，ＯＵＴ５〜ＯＵＴ７はハイインピーダンスとなり、コイル５０〜５３の何れにも電流が流れず、待機状態となる。つまり、この場合、信号Ｐ１〜Ｐ３，Ｐ５〜Ｐ７はＨレベルとなり、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１０〜１２，１４〜１６はオフとなっている。また、信号Ｎ１，Ｎ２，Ｎ４，Ｎ５はＬレベルとなり、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２２，２３，２７，２８はオフとなっている。また、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０，２１，２５，２６もオフとなっている。

そして、端子ＥＮから入力される信号がＨレベルとなることにより、待機状態が解除される。まず、端子ＩＮ１，ＩＮ２から入力される信号が何れもＬレベルの場合について説明する。この場合、コイル５０，５１の通電制御が行われる。

端子ＩＮ３，ＩＮ４から入力される信号が何れもＬレベルの場合、出力端子ＯＵＴ１から出力される信号がＬレベル、出力端子ＯＵＴ２から出力される信号がＨレベル、出力端子ＯＵＴ５，ＯＵＴ６はハイインピーダンスとなる。つまり、信号Ｐ１がＨレベル、信号Ｐ２がＬレベルとなり、スイッチ回路３５は信号Ｓ１に応じてＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０のゲート側に切り替えられる。そして、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１からコイル５０、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０、抵抗７０に定電流が流れる。これにより、コイル５０により駆動されるボイスコイルモータが例えばシャッタを閉じる方向に回転する。

端子ＩＮ３から入力される信号がＨレベル、端子ＩＮ４から入力される信号がＬレベルの場合、出力端子ＯＵＴ１，ＯＵＴ２はハイインピーダンスとなり、出力端子ＯＵＴ５から出力される信号がＨレベル、出力端子ＯＵＴ６から出力される信号がＬレベルとなる。つまり、信号Ｐ５がＬレベル、信号Ｐ６がＨレベルとなり、スイッチ回路３６は信号Ｓ２に応じてＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２６のゲート側に切り替えられる。そして、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１４からコイル５１、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２６、抵抗７５に定電流が流れる。これにより、コイル５１により駆動されるボイスコイルモータが例えば絞りを閉じる方向に回転する。

端子ＩＮ３から入力される信号がＬレベル、端子ＩＮ４から入力される信号がＨレベルの場合、出力端子ＯＵＴ１から出力される信号がＨレベル、出力端子ＯＵＴ２から出力される信号がＬレベル、出力端子ＯＵＴ５，ＯＵＴ６はハイインピーダンスとなる。つまり、信号Ｐ１がＬレベル、信号Ｐ２がＨレベルとなり、スイッチ回路３５は信号Ｓ１に応じてＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１のゲート側に切り替えられる。そして、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１０からコイル５０、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１、抵抗７０に定電流が流れる。これにより、コイル５０により駆動されるボイスコイルモータが例えばシャッタを開く方向に回転する。

端子ＩＮ３，ＩＮ４から入力される信号が何れもＨレベルの場合、出力端子ＯＵＴ１，ＯＵＴ２はハイインピーダンスとなり、出力端子ＯＵＴ５から出力される信号がＬレベル、出力端子ＯＵＴ６から出力される信号がＨレベルとなる。つまり、信号Ｐ５がＨレベル、信号Ｐ６がＬレベルとなり、スイッチ回路３６は信号Ｓ２に応じてＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２５のゲート側に切り替えられる。そして、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５からコイル５１、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２５、抵抗７５に定電流が流れる。これにより、コイル５１により駆動されるボイスコイルモータが例えば絞りを開く方向に回転する。

次に、端子ＩＮ１から入力される信号がＬレベル、ＩＮ２から入力される信号がＨレベルの場合について説明する。この場合、コイル５２又はコイル５３の何れか一方が通電することによってステッピングモータが駆動される。つまり、ステッピングモータは１相励磁により駆動される。

端子ＩＮ３，ＩＮ４から入力される信号が何れもＬレベルの場合、出力端子ＯＵＴ２，ＯＵＴ３はハイインピーダンスとなり、出力端子ＯＵＴ６から出力される信号がＨレベル、出力端子ＯＵＴ７から出力される信号がＬレベルとなる。つまり、信号Ｐ２，Ｐ３がＨレベル、信号Ｎ１，Ｎ２がＬレベルとなり、信号Ｐ６がＬレベル、信号Ｐ７がＨレベル、信号Ｎ４がＬレベル、信号Ｎ５がＨレベルとなる。このとき、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１，１２及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２２，２３がオフとなり、コイル５２には電流が流れない。また、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２８がオン、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２７がオフとなり、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５からコイル５３、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２８を経由して端子ＧＮＤに電流が流れる。なお、このときＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２６はオフとなっている。

端子ＩＮ３から入力される信号がＨレベル、ＩＮ４から入力される信号がＬレベルの場合、出力端子ＯＵＴ２から出力される信号がＨレベル、出力端子ＯＵＴ３から出力される信号がＬレベルとなり、出力端子ＯＵＴ６，ＯＵＴ７はハイインピーダンスとなる。つまり、信号Ｐ２がＬレベル、信号Ｐ３がＨレベル、信号Ｎ１がＬレベル、信号Ｎ２がＨレベルとなり、信号Ｐ６，Ｐ７がＨレベル、信号Ｎ４，Ｎ５がＬレベルとなる。このとき、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５，１６及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２７，２８がオフとなり、コイル５３には電流が流れない。また、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２３がオン、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１２及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２２がオフとなり、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１からコイル５２、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２３を経由して端子ＧＮＤに電流が流れる。なお、このときＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１はオフとなっている。

端子ＩＮ３から入力される信号がＬレベル、ＩＮ４から入力される信号がＨレベルの場合、出力端子ＯＵＴ２，ＯＵＴ３はハイインピーダンスとなり、出力端子ＯＵＴ６から出力される信号がＬレベル、出力端子ＯＵＴ７から出力される信号がＨレベルとなる。つまり、信号Ｐ２，Ｐ３がＨレベル、信号Ｎ１，Ｎ２がＬレベルとなり、信号Ｐ６がＨレベル、信号Ｐ７がＬレベル、信号Ｎ４がＨレベル、信号Ｎ５がＬレベルとなる。このとき、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１，１２及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２２，２３がオフとなり、コイル５２には電流が流れない。また、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２７がオン、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２８がオフとなり、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６からコイル５３、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２７を経由して端子ＧＮＤに電流が流れる。なお、このときＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２６はオフとなっている。

端子ＩＮ３，ＩＮ４から入力される信号が何れもＨレベルの場合、出力端子ＯＵＴ２から出力される信号がＬレベル、出力端子ＯＵＴ３から出力される信号がＨレベルとなり、出力端子ＯＵＴ６，ＯＵＴ７はハイインピーダンスとなる。つまり、信号Ｐ２がＨレベル、信号Ｐ３がＬレベル、信号Ｎ１がＨレベル、信号Ｎ２がＬレベルとなり、信号Ｐ６，Ｐ７がＨレベル、信号Ｎ４，Ｎ５がＬレベルとなる。このとき、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５，１６及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２７，２８がオフとなり、コイル５３には電流が流れない。また、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１２及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２２がオン、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２３がオフとなり、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１２からコイル５２、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２２を経由して端子ＧＮＤに電流が流れる。なお、このときＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１はオフとなっている。

次に、端子ＩＮ１，ＩＮ２から入力される信号が何れもＨレベルの場合について説明する。この場合、コイル５２，５３の双方が通電することによってステッピングモータが駆動される。つまり、ステッピングモータは２相励磁により駆動される。

端子ＩＮ３，ＩＮ４から入力される信号が何れもＬレベルの場合、出力端子ＯＵＴ２から出力される信号がＬレベル、出力端子ＯＵＴ３から出力される信号がＨレベル、出力端子ＯＵＴ６から出力される信号がＨレベル、出力端子ＯＵＴ７から出力される信号がＬレベルとなる。つまり、信号Ｐ２がＨレベル、信号Ｐ３がＬレベル、信号Ｎ１がＨレベル、信号Ｎ２がＬレベルとなる。また、信号Ｐ６がＬレベル、信号Ｐ７がＨレベル、信号Ｎ４がＬレベル、信号Ｎ５がＨレベルとなる。このとき、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１２及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２２がオン、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２３がオフとなり、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１２からコイル５２、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２２を経由して端子ＧＮＤに電流が流れる。また、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２８がオン、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２７がオフとなり、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５からコイル５３、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２８を経由して端子ＧＮＤに電流が流れる。なお、このときＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１，２６はオフとなっている。

端子ＩＮ３から入力される信号がＨレベル、端子ＩＮ４から入力される信号がＬレベルの場合、出力端子ＯＵＴ２から出力される信号がＨレベル、出力端子ＯＵＴ３から出力される信号がＬレベル、出力端子ＯＵＴ６から出力される信号がＨレベル、出力端子ＯＵＴ７から出力される信号がＬレベルとなる。つまり、信号Ｐ２がＬレベル、信号Ｐ３がＨレベル、信号Ｎ１がＬレベル、信号Ｎ２がＨレベルとなる。また、信号Ｐ６がＬレベル、信号Ｐ７がＨレベル、信号Ｎ４がＬレベル、信号Ｎ５がＨレベルとなる。このとき、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２３がオン、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１２及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２２がオフとなり、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１からコイル５２、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２３を経由して端子ＧＮＤに電流が流れる。また、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２８がオン、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２７がオフとなり、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５からコイル５３、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２８を経由して端子ＧＮＤに電流が流れる。なお、このときＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１，２６はオフとなっている。

端子ＩＮ３から入力される信号がＬレベル、端子ＩＮ４から入力される信号がＨレベルの場合、出力端子ＯＵＴ２から出力される信号がＨレベル、出力端子ＯＵＴ３から出力される信号がＬレベル、出力端子ＯＵＴ６から出力される信号がＬレベル、出力端子ＯＵＴ７から出力される信号がＨレベルとなる。つまり、信号Ｐ２がＬレベル、信号Ｐ３がＨレベル、信号Ｎ１がＬレベル、信号Ｎ２がＨレベルとなる。また、信号Ｐ６がＨレベル、信号Ｐ７がＬレベル、信号Ｎ４がＨレベル、信号Ｎ５がＬレベルとなる。このとき、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２３がオン、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１２及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２２がオフとなり、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１からコイル５２、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２３を経由して端子ＧＮＤに電流が流れる。また、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２７がオン、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２８がオフとなり、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６からコイル５３、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２７を経由して端子ＧＮＤに電流が流れる。なお、このときＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１，２６はオフとなっている。

端子ＩＮ３，ＩＮ４から入力される信号が何れもＨレベルの場合、出力端子ＯＵＴ２から出力される信号がＬレベル、出力端子ＯＵＴ３から出力される信号がＨレベル、出力端子ＯＵＴ６から出力される信号がＬレベル、出力端子ＯＵＴ７から出力される信号がＨレベルとなる。つまり、信号Ｐ２がＨレベル、信号Ｐ３がＬレベル、信号Ｎ１がＨレベル、信号Ｎ２がＬレベルとなる。また、信号Ｐ６がＨレベル、信号Ｐ７がＬレベル、信号Ｎ４がＨレベル、信号Ｎ５がＬレベルとなる。このとき、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１２及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２２がオン、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２３がオフとなり、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１２からコイル５２、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２２を経由して端子ＧＮＤに電流が流れる。また、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２７がオン、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２８がオフとなり、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６からコイル５３、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２７を経由して端子ＧＮＤに電流が流れる。なお、このときＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１，２６はオフとなっている。

また、図３は、端子ＩＮ５，ＩＮ６から入力される信号と、出力端子ＯＵＴ４，ＯＵＴ８から出力される信号との関係の一例を示す図である。

端子ＩＮ５，ＩＮ６から入力される信号が何れもＬレベルの場合、出力端子ＯＵＴ４，ＯＵＴ８はハイインピーダンスとなり、ＤＣモータは待機状態となる。つまり、この場合、信号Ｐ４，Ｐ８はＨレベル、信号Ｎ３，Ｎ６はＬレベルととなり、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１３，１７及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２４，２９はオフとなっている。

端子ＩＮ５から入力される信号がＨレベル、端子ＩＮ６から入力される信号がＬレベルの場合、出力端子ＯＵＴ４から出力される信号がＨレベル、出力端子ＯＵＴ８から出力される信号がＬレベルとなる。つまり、信号Ｐ４がＬレベル、信号Ｐ８がＨレベル、信号Ｎ３がＬレベル、信号Ｎ６がＨレベルとなる。このとき、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１３及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２９がオン、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１７及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２４がオフとなり、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１３からコイル５４、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２９を経由して端子ＧＮＤに電流が流れる。これにより、コイル５４により駆動されるＤＣモータが例えば正転方向に回転する。

端子ＩＮ５から入力される信号がＬレベル、端子ＩＮ６から入力される信号がＨレベルの場合、出力端子ＯＵＴ４から出力される信号がＬレベル、出力端子ＯＵＴ８から出力される信号がＨレベルとなる。つまり、信号Ｐ４がＨレベル、信号Ｐ８がＬレベル、信号Ｎ３がＨレベル、信号Ｎ６がＬレベルとなる。このとき、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１７及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２４がオン、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１３及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２９がオフとなり、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１７からコイル５４、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２４を経由して端子ＧＮＤに電流が流れる。これにより、コイル５４により駆動されるＤＣモータが例えば逆転方向に回転する。

端子ＩＮ５，ＩＮ６から入力される信号が何れもＨレベルの場合、出力端子ＯＵＴ４，ＯＵＴ８から出力される信号が何れもＬレベルとなる。つまり、信号Ｐ４，Ｐ８がＨレベル、信号Ｎ３，Ｎ６がＨレベルとなる。このとき、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１３，１７がオフ、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２４，２９がオンとなり、ＤＣモータは回転が停止するように制御される。

このように、モータ駆動集積回路１により、コイル５０〜５４の通電が制御される。そして、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１２からコイル５２に流れる電流は、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１ではなくＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２２を通って端子ＧＮＤに流れ込む。つまり、コイル５２を流れる電流の電流量は、抵抗７０の影響を受けないため、電流の向きによらず同じになる。同様に、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６からコイル５３に流れる電流は、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２６ではなくＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２７を通って端子ＧＮＤに流れ込む。つまり、コイル５３を流れる電流の電流量は、抵抗７５の影響を受けないため、電流の向きによらず同じになる。そのため、コイル５２，５３により駆動されるステッピングモータの安定駆動が可能となる。また、コイル５０を定電流駆動するための外付け抵抗は抵抗７０の１つだけであり、コイル５１を定電流駆動するための外付け抵抗は抵抗７５の１つだけである。したがって、モータ駆動集積回路１を用いることにより、回路の面積およびコストの削減を図ることができる。

なお、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１０が本発明の第１トランジスタ、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０が本発明の第２トランジスタ、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１が本発明の第３トランジスタ、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１が本発明の第４トランジスタ、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１２が本発明の第５トランジスタ、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２３が本発明の第６トランジスタ、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２２が本発明の第７トランジスタに相当する。そして、端子ＶＭに印加される電圧Ｖ_Mが本発明の第１電圧に相当し、端子ＧＮＤに印加される接地電圧が本発明の第２電圧に相当する。また、コイル５０が本発明の第１コイル、コイル５２が本発明の第２コイルに相当し、出力端子ＯＵＴ１が本発明の第１コイル接続端子、出力端子ＯＵＴ２が本発明の第２コイル接続端子、出力端子ＯＵＴ３が本発明の第３コイル接続端子に相当し、端子ＳＥＮ１が本発明の電流検出抵抗接続端子に相当する。また、オペアンプ３０が本発明の電流制御回路に相当する。

もしくは、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１４が本発明の第１トランジスタ、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２５が本発明の第２トランジスタ、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５が本発明の第３トランジスタ、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２６が本発明の第４トランジスタ、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６が本発明の第５トランジスタ、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２８が本発明の第６トランジスタ、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２７が本発明の第７トランジスタに相当することとしてもよい。この場合、端子ＶＭに印加される電圧Ｖ_Mが本発明の第１電圧に相当し、端子ＧＮＤに印加される接地電圧が本発明の第２電圧に相当する。また、コイル５１が本発明の第１コイル、コイル５３が本発明の第２コイルに相当し、出力端子ＯＵＴ５が本発明の第１コイル接続端子、出力端子ＯＵＴ６が本発明の第２コイル接続端子、出力端子ＯＵＴ７が本発明の第３コイル接続端子に相当し、端子ＳＥＮ２が本発明の電流検出抵抗接続端子に相当する。そして、オペアンプ３１が本発明の電流制御回路に相当する。

＝＝他の形態＝＝
次に、モータ駆動集積回路の他の形態について説明する。図４は、本発明の他の実施形態であるモータ駆動集積回路の構成例を示す図である。モータ駆動集積回路８０は、モータ駆動集積回路１が備えるＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２２，２７の代わりに、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ９０，９１を備えている。

ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ９０は、ソースが端子ＶＭと接続され、ドレインがＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１のドレインと接続されている。そして、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ９１は、ソースが端子ＶＭと接続され、ドレインがＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２６のドレインと接続されている。

また、オペアンプ３０は、一方の入力端子（本例では＋入力端子）に基準電圧が印加され、他方の入力端子（本例では−入力端子）が端子ＳＥＮ１と接続されている。そして、オペアンプ３０の出力は、スイッチ回路３５を介してＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１０，１１のゲートと接続されている。そして、端子ＳＥＮ１には抵抗７０の一端が接続され、抵抗７０の他端は端子ＶＭと接続されている。

また、オペアンプ３１は、一方の入力端子（本例では＋入力端子）に基準電圧が印加され、他方の入力端子（本例では−入力端子）が端子ＳＥＮ２と接続されている。そして、オペアンプ３１の出力は、スイッチ回路３６を介してＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１４，１５のゲートと接続されている。そして、端子ＳＥＮ２には抵抗７５の一端が接続され、抵抗７５の他端は端子ＶＭと接続されている。

そして、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ９０，１２，１３，９１，１６，１７を制御するための信号Ｐ１〜Ｐ６、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０，２１，２３〜２６，２８，２９を制御するための信号Ｎ１〜Ｎ８、及びスイッチ回路３５，３６を制御するための信号Ｓ１，Ｓ２が、ロジック回路４０から出力される。

このようなモータ駆動集積回路８０では、例えば、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１０及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１と、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０とが相補的にオンオフされ、オペアンプ３０によってＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１０，１１のゲート電圧が制御されることにより、コイル５０が定電流駆動される。同様に、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１４及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２６と、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２５とが相補的にオンオフされ、オペアンプ３１によってＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１４，１５のゲート電圧が制御されることにより、コイル５１が定電流駆動される。

そして、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ９０及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２３と、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１２及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１とが相補的にオンオフされることにより、コイル５２が飽和駆動される。つまり、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ９０からコイル５２、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２３に電流が流れるか、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１２からコイル５２、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１に電流が流れる。したがって、コイル５２を流れる電流の電流量は、抵抗７０の影響を受けないため、電流の向きによらず同じになる。

同様に、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ９１及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２８と、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２６とが相補的にオンオフされることにより、コイル５３が飽和駆動される。つまり、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ９１からコイル５３、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２８に電流が流れるか、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６からコイル５３、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２６に電流が流れる。したがって、コイル５３を流れる電流の電流量は、抵抗７５の影響を受けないため、電流の向きによらず同じになる。

そのため、コイル５２，５３により駆動されるステッピングモータの安定駆動が可能となる。また、コイル５０を定電流駆動するための外付け抵抗は抵抗７０の１つだけであり、コイル５１を定電流駆動するための外付け抵抗は抵抗７５の１つだけである。したがって、モータ駆動集積回路８０を用いることにより、回路の面積およびコストの削減を図ることができる。

そして、モータ駆動集積回路８０では、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１及び出力端子ＯＵＴ２は、コイル５０を駆動するためのＨブリッジ回路とコイル５２を駆動するためのＨブリッジ回路とで共有されている。また、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２６及び出力端子ＯＵＴ６は、コイル５１を駆動するためのＨブリッジ回路とコイル５３を駆動するためのＨブリッジ回路とで共有されている。そして、Ｈブリッジ回路が共用されることにより、コイル毎に独立してＨブリッジ回路及び出力端子を設ける場合と比較してチップサイズ及び出力端子の削減が実現されている。

なお、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０が本発明の第１トランジスタ、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１０が本発明の第２トランジスタ、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１が本発明の第３トランジスタ、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１が本発明の第４トランジスタ、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２３が本発明の第５トランジスタ、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１２が本発明の第６トランジスタ、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ９０が本発明の第７トランジスタに相当する。そして、端子ＧＮＤに印加される接地電圧が本発明の第１電圧に相当し、端子ＶＭに印加される電圧Ｖ_Mが本発明の第２電圧に相当する。また、コイル５０が本発明の第１コイル、コイル５２が本発明の第２コイルに相当し、出力端子ＯＵＴ１が本発明の第１コイル接続端子、出力端子ＯＵＴ２が本発明の第２コイル接続端子、出力端子ＯＵＴ３が本発明の第３コイル接続端子に相当し、端子ＳＥＮ１が本発明の電流検出抵抗接続端子に相当する。また、オペアンプ３０が本発明の電流制御回路に相当する。

もしくは、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２５が本発明の第１トランジスタ、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１４が本発明の第２トランジスタ、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２６が本発明の第３トランジスタ、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５が本発明の第４トランジスタ、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２８が本発明の第５トランジスタ、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６が本発明の第６トランジスタ、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ９１が本発明の第７トランジスタに相当することとしてもよい。この場合、端子ＧＮＤに印加される接地電圧が本発明の第１電圧に相当し、端子ＶＭに印加される電圧Ｖ_Mが本発明の第２電圧に相当する。また、コイル５１が本発明の第１コイル、コイル５３が本発明の第２コイルに相当し、出力端子ＯＵＴ５が本発明の第１コイル接続端子、出力端子ＯＵＴ６が本発明の第２コイル接続端子、出力端子ＯＵＴ７が本発明の第３コイル接続端子に相当し、端子ＳＥＮ２が本発明の電流検出抵抗接続端子に相当する。そして、オペアンプ３１が本発明の電流制御回路に相当する。

以上、本発明の実施形態について説明した。前述したように、モータ駆動集積回路１，８０では、定電流駆動されるコイル以外の動作に影響を与えることなく、Ｈブリッジ回路の一部を共有し、チップサイズ及び出力端子の増加の抑制が実現されている。さらに、１つのコイルを定電流駆動するために必要な抵抗が１つであり、外付け回路の増加が抑制され、回路の面積およびコストの削減が可能となっている。

また、一般的に、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴのサイズよりもＮチャネルＭＯＳＦＥＴのサイズの方が小さく、ＰＮＰ型トランジスタのサイズよりもＮＰＮ型トランジスタのサイズの方が小さい。そのため、Ｈブリッジ回路の接地側のトランジスタを、モータ駆動集積回路１，８０に示したようにＮチャネルＭＯＳＦＥＴとするか、もしくはバイポーラトランジスタであればＮＰＮ型トランジスタとすることにより、チップサイズを小さくすることができる。つまり、接地側の電極（ソースまたはエミッタ）と制御電極（ゲートまたはベース）との電位差に応じてオンオフするトランジスタを接地側のトランジスタとすればよい。

さらに、Ｈブリッジ回路の接地側のトランジスタを、モータ駆動集積回路１に示したようにＮチャネルＭＯＳＦＥＴとし、定電流駆動するためのＨブリッジ回路と接続されるトランジスタをＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２２，２７のように接地側に設けることにより、増加サイズを小さくすることができる。Ｈブリッジ回路をバイポーラトランジスタで構成する場合に、接地側をＮＰＮ型トランジスタとする場合も同様である。

また、Ｈブリッジ回路の電源側のトランジスタを、モータ駆動集積回路１，８０に示したようにＰチャネルＭＯＳＦＥＴとするか、もしくはバイポーラトランジスタであればＰＮＰ型トランジスタとすることにより、電源側のトランジスタをオンさせるためのチャージポンプ回路が不要となり、チップサイズを小さくすることができる。

なお、上記実施例は本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本発明にはその等価物も含まれる。

本発明の実施形態であるモータ駆動集積回路の構成例を示す図である。端子ＥＮ，ＩＮ１〜ＩＮ４から入力される信号と、出力端子ＯＵＴ１〜ＯＵＴ７から出力される信号との関係の一例を示す図である。端子ＩＮ５，ＩＮ６から入力される信号と、出力端子ＯＵＴ４，ＯＵＴ８から出力される信号との関係の一例を示す図である。本発明の他の実施形態であるモータ駆動集積回路の構成例を示す図である。定電流駆動又は飽和駆動によりコイルを駆動可能な、Ｈブリッジ回路を共用したモータ駆動集積回路の構成例を示す図である。定電流駆動又は飽和駆動によりコイルを駆動可能な、Ｈブリッジ回路を共用したモータ駆動集積回路の他の構成例を示す図である。

符号の説明

１，８０モータ駆動集積回路１０〜１７ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ
２０〜２９ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３０，３１オペアンプ
３５，３６スイッチ回路４０ロジック回路
５０〜５４コイル６０電源
７０，７５抵抗９０，９１ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ

Claims

複数のモータが有するコイルの通電を制御するモータ駆動集積回路であって、
直列に接続された第１及び第２トランジスタと、
直列に接続された第３及び第４トランジスタと、
直列に接続された第５及び第６トランジスタと、
一端が前記第３及び第４トランジスタの接続点と接続された第７トランジスタと、
前記第１及び第２トランジスタの接続点に第１コイルの一端を接続するための第１コイル接続端子と、
前記第３及び第４トランジスタの接続点に前記第１コイルの他端を接続するとともに、前記第３及び第７トランジスタの接続点に第２コイルの一端を接続するための第２コイル接続端子と、
前記第５及び第６トランジスタの接続点に前記第２コイルの他端を接続するための第３コイル接続端子と、
前記第１コイルに流れる電流を検出するための抵抗を、前記第２トランジスタの前記第１トランジスタと接続される側とは反対の端子と、前記第４トランジスタの前記第３トランジスタと接続される側とは反対の端子とに接続するための電流検出抵抗接続端子と、
前記電流検出抵抗の検出結果に応じて前記第２又は第４トランジスタの制御電極の電圧を制御することにより前記第１コイルを定電流制御する電流制御回路と、
を備え、
前記第３トランジスタの前記第７トランジスタと接続される側とは反対側の電極と、前記第５トランジスタの前記第６トランジスタと接続される側とは反対側の電極とに第１電圧が印加され、
前記第７トランジスタの前記第３トランジスタと接続される側とは反対側の電極と、前記第６トランジスタの前記第５トランジスタと接続される側とは反対側の電極とに第２電圧が印加され、
前記第１及び第４トランジスタと、前記第３及び第２トランジスタとが相補的にオンオフされることにより前記第１コイルに対する通電が行われ、
前記第３及び第６トランジスタと、前記第５及び第７トランジスタとが相補的にオンオフされることにより前記第２コイルに対する通電が行われること、
を特徴とするモータ駆動集積回路。
請求項１に記載のモータ駆動集積回路であって、
前記第１〜第７トランジスタのうち、接地側のトランジスタは接地側の電極と制御電極との電位差に応じてオンオフするトランジスタであること、
を特徴とするモータ駆動集積回路。
請求項２に記載のモータ駆動集積回路であって、
前記第２、第４、第６、及び第７トランジスタが、接地側のトランジスタであること、
を特徴とするモータ駆動集積回路。
請求項１〜３の何れか一項に記載のモータ駆動集積回路であって、
前記第１〜第７トランジスタのうち、電源側のトランジスタは電源側の電極と制御電極との電位差に応じてオンオフするトランジスタであること、
を特徴とするモータ駆動集積回路。
請求項１〜４の何れか一項に記載のモータ駆動集積回路であって、
前記電流制御回路は、
一方の入力端子印加される基準電圧と、他方の入力端子に印加される前記電流検出抵抗接続端子の電圧とに応じて前記第２又は第４トランジスタの制御電極の電圧を制御することにより前記第１コイルを定電流制御するオペアンプであること、
を特徴とするモータ駆動集積回路。