JP4851216B2 - 半導体集積回路における試験時の電源供給方法および半導体集積回路用cadシステム - Google Patents
半導体集積回路における試験時の電源供給方法および半導体集積回路用cadシステム Download PDFInfo
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Description
図5は、フリップチップにおける従来のウェーハ試験方法を示している。第1の試験方法は、図5(a)に示すように、チップの全体に一定間隔で配置されたバンプBMPではなく、チップの外周に沿って配置された試験用パッドPDにパッドコンタクト用試験治具の試験端子PPを接触させて試験を実施する方法である。
また、特許文献1には、半導体装置の電源ノイズ解析を高精度で実施する技術が開示されている。
第2の試験方法では、電源バンプの全てを電源供給口として使用するため、電圧降下に起因して試験が実施できなくなる恐れはない。しかしながら、第2の試験方法では、バンプに試験端子を直接接触させるために専用の試験治具(バンプコンタクト用試験治具)が必要となるうえに、バンプの数に比例して試験端子の数が増大するため、試験コストが高くなるという問題がある。当然のことながら、チップサイズが大きいほどバンプの数も多くなるため、チップサイズが大きい場合には試験コストが非常に高くなってしまう。
例えば、電源供給口決定工程では、まず、消費電力情報に基づいて試験時の電源供給口の必要最小数が求められ、複数の電源バンプの中から必要最小数の電源バンプが試験時の電源供給口として決定される。あるいは、まず、複数の電源バンプの中から所定数おきの電源バンプを試験時の電源供給口として決定する処理が、電源網解析により電圧降下違反が検出されるまで所定数を順次増加させながら繰り返し実施される。そして、電源網解析による電圧降下違反の検出時に違反発生箇所に対応する電源バンプを試験時の電源供給口として追加し、電源網解析による電流密度違反の検出時に違反発生箇所のレイアウトを修正する処理が、電源網解析により電圧降下違反または電流密度違反のいずれも検出されなくなるまで繰り返し実施される。
ステップS103において、CADシステム100は、電圧降下の発生を抑制するために、複数の電源バンプの中から必要最小数の電源バンプを可能な限り一定間隔で試験時の電源供給口として決定する。この後、電源供給口決定処理はステップS104に移行する。
ステップS105において、CADシステム100は、電源網解析部205により、ステップS104で設定した動作周波数および動作率で電源網解析を実施する。この後、電源供給口決定処理はステップS106に移行する。
ステップS108において、CADシステム100は、ステップS105で実施した電源網解析による電流密度違反の検出の有無を判定する。電源網解析による電流密度違反の検出有と判定された場合、電源供給口決定処理はステップS109に移行する。電源網解析による電流密度違反の検出無と判定された場合、電源供給口決定処理は完了する。
ステップS202において、CADシステム100は、変数nの値を1に設定する。この後、電源供給口決定処理はステップS203に移行する。
ステップS203において、CADシステム100は、複数の電源バンプの中からn個おきの電源バンプを試験時の電源供給口として決定する。この後、電源供給口決定処理はステップS204に移行する。
ステップS205において、CADシステム100は、ステップS204で実施した電源網解析による電圧降下違反の検出の有無を判定する。電源網解析による電圧降下違反の検出無と判定された場合、電源供給口決定処理はステップS206に移行する。電源網解析による電圧降下違反の検出有と判定された場合、電源供給口決定処理はステップS209に移行する。
ステップS208において、CADシステム100は、ステップS207で実施した電源網解析による電圧降下違反の検出の有無を判定する。電源網解析による電圧降下違反の検出有と判定された場合、電源供給口決定処理はステップS209に移行する。電源網解析による電圧降下違反の検出無と判定された場合、電源供給口決定処理はステップS210に移行する。
ステップS210において、CADシステム100は、ステップS207で実施した電源網解析による電流密度違反の検出の有無を判定する。電源網解析による電流密度違反の検出有と判定された場合、電源供給口決定処理はステップS211に移行する。電源網解析による電流密度違反の検出無と判定された場合、電源供給口決定処理は完了する。
以上、本発明について詳細に説明してきたが、前述の実施形態およびその変形例は発明の一例に過ぎず、本発明はこれらに限定されるものではない。本発明を逸脱しない範囲で変形可能であることは明らかである。
Claims (8)
- フリップチップ構造の半導体集積回路について、電源網解析により電圧降下違反または電流密度違反のいずれも検出されない範囲で、複数の電源バンプの一部を試験時の電源供給口として決定する電源供給口決定工程を含み、
前記電源供給口決定工程は、
消費電力情報に基づいて試験時の電源供給口の必要最小数を求め、前記複数の電源バンプの中から前記必要最小数の電源バンプを試験時の電源供給口として決定する工程と、
電源網解析による電圧降下違反の検出時に違反発生箇所に対応する電源バンプを試験時の電源供給口として追加し、電源網解析による電流密度違反の検出時に違反発生箇所のレイアウトを修正する処理を、電源網解析により電圧降下違反または電流密度違反のいずれも検出されなくなるまで繰り返し実施する工程とを含むことを特徴とする半導体集積回路における試験時の電源供給方法。 - 請求項1記載の半導体集積回路における試験時の電源供給方法において、
前記電源供給口決定工程は、前記消費電力情報を生成するために、所定のテストパターンを用いて半導体集積回路の消費電力を算出する工程を含むことを特徴とする半導体集積回路における試験時の電源供給方法。 - 請求項2記載の半導体集積回路における試験時の電源供給方法において、
前記所定のテストパターンは、試験時に用いられる複数のテストパターンのうち、半導体集積回路の消費電力が最も大きくなるテストパターンであることを特徴とする半導体集積回路における試験時の電源供給方法。 - フリップチップ構造の半導体集積回路について、電源網解析により電圧降下違反または電流密度違反のいずれも検出されない範囲で、複数の電源バンプの一部を試験時の電源供給口として決定する電源供給口決定工程を含み、
前記電源供給口決定工程は、
前記複数の電源バンプの中から所定数おきの電源バンプを試験時の電源供給口として決定する処理を、電源網解析により電圧降下違反が検出されるまで前記所定数を順次増加させながら繰り返し実施する工程と、
電源網解析による電圧降下違反の検出時に違反発生箇所に対応する電源バンプを試験時の電源供給口として追加し、電源網解析による電流密度違反の検出時に違反発生箇所のレイアウトを修正する処理を、電源網解析により電圧降下違反または電流密度違反のいずれも検出されなくなるまで繰り返し実施する工程とを含むことを特徴とする半導体集積回路における試験時の電源供給方法。 - フリップチップ構造の半導体集積回路について、電源網解析により電圧降下違反または電流密度違反のいずれも検出されない範囲で、複数の電源バンプの一部を試験時の電源供給口として決定する電源供給口決定工程を実施し、
前記電源供給口決定工程は、
消費電力情報に基づいて試験時の電源供給口の必要最小数を求め、前記複数の電源バンプの中から前記必要最小数の電源バンプを試験時の電源供給口として決定する工程と、
電源網解析による電圧降下違反の検出時に違反発生箇所に対応する電源バンプを試験時の電源供給口として追加し、電源網解析による電流密度違反の検出時に違反発生箇所のレイアウトを修正する処理を、電源網解析により電圧降下違反または電流密度違反のいずれも検出されなくなるまで繰り返し実施する工程とを含むことを特徴とする半導体集積回路用CADシステム。 - 請求項5記載の半導体集積回路用CADシステムにおいて、
前記電源供給口決定工程は、前記消費電力情報を生成するために、所定のテストパターンを用いて半導体集積回路の消費電力を算出する工程を含むことを特徴とする半導体集積回路用CADシステム。 - 請求項6記載の半導体集積回路用CADシステムにおいて、
前記所定のテストパターンは、試験時に用いられる複数のテストパターンのうち、半導体集積回路の消費電力が最も大きくなるテストパターンであることを特徴とする半導体集積回路用CADシステム。 - フリップチップ構造の半導体集積回路について、電源網解析により電圧降下違反または電流密度違反のいずれも検出されない範囲で、複数の電源バンプの一部を試験時の電源供給口として決定する電源供給口決定工程を実施し、
前記電源供給口決定工程は、
前記複数の電源バンプの中から所定数おきの電源バンプを試験時の電源供給口として決定する処理を、電源網解析により電圧降下違反が検出されるまで前記所定数を順次増加させながら繰り返し実施する工程と、
電源網解析による電圧降下違反の検出時に違反発生箇所に対応する電源バンプを試験時の電源供給口として追加し、電源網解析による電流密度違反の検出時に違反発生箇所のレイアウトを修正する処理を、電源網解析により電圧降下違反または電流密度違反のいずれも検出されなくなるまで繰り返し実施する工程とを含むことを特徴とする半導体集積回路用CADシステム。
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