JP4842031B2 - 画像形成装置 - Google Patents
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Description
(Idcα(T)−Idc(m))*k・・・(a)
但し、Idc(m)は前記バイアス印加手段により前記被補正帯電バイアスを印加したときに前記電流検出手段により検出される帯電電流値、「k」は補正係数、記号「*」は乗算を示す。
<第1のバイアス補正演算>
補正演算部103は、第1のバイアス補正演算として、初期設定としての帯電バイアスが帯電バイアス印加部101により帯電ローラ41に印加されたときに帯電電流検出部102により検出された帯電電流Idcと、後述のターゲット電流Idc(T)との情報を用いて、これらの比較演算を行い、これら電流値Idcと電流値Idc(T)との差に補正係数k(この補正係数「k」については後記で説明する)を乗じてなるバイアス補正値を上記初期設定の帯電バイアスVdcに加算(オン)することで新たな帯電バイアスつまり帯電バイアスが補正されてなる被補正帯電バイアスを算出する。補正演算部103は、この被補正帯電バイアスの情報を帯電バイアス印加部101へ出力する。
(Idc(T)−Idc(n))*k・・・(1)
但し、記号「*」は乗算(以降同様)、「n」は繰り返し回数n回目(nは自然数)、Idc(n)は第nの帯電電流を示す。記号「k」は上記補正係数である。
補正演算部103は、第2のバイアス補正演算として、上記第1のバイアス補正演算後の帯電バイアスの電圧値が、帯電バイアス−帯電電流特性(Vdc−Idc特性)における或る変曲開始電圧以上の値となった場合に、上記第1のバイアス補正演算で用いたターゲット電流Idc(T)の補正を行い、この補正したターゲット電流(Idcα(T)とする)を用いて帯電バイアスを補正(再補正)する。以下にこの補正について詳述する。
但し、Idc(m)は、第1のバイアス補正演算における第m回目の繰り返し演算を行った後に得られる被補正帯電バイアスVdcを印加したときに検出される帯電電流値を示す。本実施形態では、Idc(m)は、繰り返し演算を1回(m=1)だけ実行した場合に得られた帯電バイアス(後述のVdc(B))を用いて印加したときに検出される帯電電流値(後述のIdc(B))となる。
但し、記号「/」は除算を示す(以降同様)。
また、ΔV:表面電位の変化量、ΔQ:電荷の変化量(すなわちΔQは電流量を示す)、d:感光体厚み(感光体の膜厚)、S:帯電面積、ε:感光体の誘電率、ε0:真空の誘電率を示す。
Q=C*V=ε*ε0*(S/d)*V ・・・(1.2)
V=(Q*d)/(ε*ε0*S) ・・・(1.3)
2 画像形成部
3 感光体ドラム(感光体)
4 帯電部
41 帯電ローラ
5 露光部
6 現像部
61 現像ローラ
62 トナー収納部
63 規制ブレード
7 転写部
70 センサ部
71 転写ローラ
8 クリーニング部
81 クリーニングブレード
100 制御部
101 帯電バイアス印加部(バイアス印加手段)
102 帯電電流検出部(電流検出手段)
103 補正演算部(バイアス補正手段)
104 比較情報記憶部(目標情報記憶手段)
105 特性情報記憶部(特性情報記憶手段)
106 変更情報記憶部
Claims (5)
- 感光体の表面を帯電ローラを用いて所定の電位に帯電する画像形成装置において、
前記帯電ローラに帯電バイアスを印加するバイアス印加手段と、
前記帯電バイアスを印加したときの帯電電流を検出する電流検出手段と、
前記帯電バイアスの補正を行うバイアス補正手段と、
前記感光体の表面が所要の表面電位に帯電されているときの帯電電流値であって、目標とする目標帯電電流値を記憶する目標情報記憶手段とを備え、
前記バイアス補正手段は、
所定の帯電バイアスが前記バイアス印加手段により印加されたときに前記電流検出手段により検出された帯電電流値と、前記目標情報記憶手段に記憶されている目標帯電電流値とを比較し、該比較結果に基づいて前記所定の帯電バイアスを補正して新たな帯電バイアスを求める第1のバイアス補正演算を行うとともに、
前記第1のバイアス補正演算の結果得られた被補正帯電バイアスが所定の第1のレベルであるか、前記第1のレベルよりも高い第2のレベルであるかを判定し、第2のレベルであると判定した場合に、前記目標帯電電流値を前記被補正帯電バイアスに応じて変更し、該変更した目標帯電電流値に基づいて、該被補正帯電バイアスを補正して新たな帯電バイアスを求める第2のバイアス補正演算を行うことを特徴とする画像形成装置。 - 前記バイアス補正手段は、前記目標帯電電流値を前記被補正帯電バイアスに応じて段階的に変化させることを特徴とする請求項1に記載の画像形成装置。
- 前記帯電バイアスと前記帯電電流との関係を有する第1のバイアス特性、若しくは前記帯電バイアスと前記感光体の表面電位との関係を有する第2のバイアス特性を記憶する特性情報記憶手段をさらに備え、
前記バイアス補正手段は、前記被補正帯電バイアスが、前記特性情報記憶手段に記憶されている前記第1のバイアス特性若しくは第2のバイアス特性における所定の変曲点を判定境界として前記第1のレベルと第2のレベルとを判定するものであって、前記第2のレベルであると判定した場合に、前記被補正帯電バイアスに応じて目標帯電電流値を変更することを特徴とする請求項1又は2に記載の画像形成装置。 - 前記バイアス補正手段は、
前記変更された目標帯電電流値をIdcα(T)とすると、
前記第2のバイアス補正演算において、下記(a)式を用いて算出したバイアス補正値を、前記被補正帯電バイアスに加算して新たな帯電バイアスを求めることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の画像形成装置。
(Idcα(T)−Idc(m))*k・・・(a)
但し、Idc(m)は前記バイアス印加手段により前記被補正帯電バイアスを印加したときに前記電流検出手段により検出される帯電電流値、「k」は補正係数、記号「*」は乗算を示す。
- 前記感光体は、アモルファスシリコンからなる感光体であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の画像形成装置。
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