JP4833630B2 - 光増幅素子 - Google Patents
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Description
このWDMシステムでは、波長に応じて光信号を合流・分岐するWDM合分波回路、全ての波長の光を一括して合流・分岐する合分岐回路、特定の波長を抜き出し、あるいは挿入するアドドロップマルチプレクサ(Add−drop multiplexer、ADM)等の光素子が使用され、光信号がこれらの光素子を通過する際に生じる強度損失のため、信号強度が劣化する。
図13(a)は、従来の光増幅素子を光導波方向に沿って切断した断面図、図13(b)は、図13(a)のA−A´線で切断した断面図を示し、従来の光増幅素子(Semiconductor Optical Amplifier:SOA)の例として、n−InP基板101を用いた場合の構造を示す(非特許文献1)。
そして、InGaAsP活性層102およびn−InP層104上には、p−InP層105が形成され、p−InP層105上にはp−GaInAsコンタクト層106が形成されている。また、p−GaInAsコンタクト層106上にはp側電極107が形成され、n−InP基板101の裏面にはn側電極108が形成されている。
図14において、入力光強度が小さい場合、入力光強度が増加しても利得はほぼ一定であるが、入力光強度がある値を超えると、利得は急激に減少する。ここで、WDMシステムでは、光信号として波長多重信号が入射され、その波長多重数は、アドドロップマルチプレクサ等を通過する毎に変動する。
ここで、アドドロップマルチプレクサにより光信号が追加されて、波長多重数がnに増加したとする。この場合、光増幅素子の入射光強度がn波合計でP2(dBm)になると、光増幅素子の利得はG2(dB)になる。
図15において、n−InP基板201上には、利得媒質であるInGaAsP活性層202がストライプ状に形成され、InGaAsP活性層202は、p−InP層203およびn−InP層204により埋め込まれている。
図15の光増幅素子のレーザ発振状態では、利得媒質でのキャリア密度は一定値にクランプされるが、発振しきい値が高いため、キャリア密度は通常のDFBレーザよりも高い値にクランプされる。
従って、上述した発振状態では、光増幅素子に注入する電流値を増加させても、発振光の光強度が増大するだけで、光増幅素子の利得を一定に保つことができる。そして、入力信号光強度が大きくなった場合、発振光強度が減少して、光増幅素子内部でのトータルの光強度が一定に保たれるため、光増幅素子のキャリア密度に変動が生じることがなく、光増幅素子の利得を一定に保つことができる。
図16において、図15の光増幅素子では、外部から入射された信号光の入力光強度が変動しても、利得は一定値Goに保たれる。すなわち、信号光の波長多重数がmからnに変化し、合計入力パワーがP1からP2に変化した場合においても、利得はGoで一定値となる。
また、特許文献1には、偏光に依存しない利得特性を得るとともに、飽和入力光強度レベルおよび飽和利得特性を向上させるために、マルチモード導波路領域の両端にシングルモード導波路領域が結合された半導体光アンプが開示されている。
また、非特許文献2には、外部から入射された信号光の入力光強度が変動しても、利得が一定値に保たれるようにするために、信号光の伝播方向と直交する方向に発振光を励起させるための反射器を設ける方法が開示されている。
さらに、図15のDFB型光増幅素子では、発振光強度が非常に強いため、入射信号強度が小さいと、通常の波長フィルタを用いた場合においても、信号光と同程度の強度で発振光が残留するという問題があった。
さらに、非特許文献2に開示された方法では、信号光を単一横モードにすると、信号光導波路の幅が狭くなるため、信号光の導波方向と直交する方向での発振が困難になるという問題があった。一方、信号光の波長で決定される一定値よりも信号光導波路の幅を大きくすると、信号光が単一横モードにならず、モード分散や入出力時の光ファイバによる結合によって損失が発生するという問題があった。
そこで、本発明の目的は、構成要件を緩和しつつ、入力光強度による利得変動を抑えるとともに、信号光の導波方向に発振光が混入することを防止することが可能な光増幅素子を提供することである。
また、請求項3記載の光増幅素子は、請求項1または2記載の光増幅素子において、前記非利得領域を、前記利得領域の光入射側端面と光出射側端面に隣接して形成したことを特徴とする。
これにより、請求項1または2記載の光増幅素子における前述の効果をより一層高めることができる。
図1は、本発明の第1実施形態に係る光増幅素子の概略構成を示す平面図、図2は、図1の414の部分を拡大して示す平面図である。
図1において、n−InP基板401上には、入力信号光411を入力する入力導波路402、入力信号光411を導波させる多モード導波路403a〜403c、出力信号光412を出力する出力導波路404が、信号光の伝播方向に沿って順次形成されている。ここで、多モード導波路403bは信号光の伝播方向に沿って利得を持つように構成し、多モード導波路403a、403cは信号光の伝播方向に沿って利得を持たないように構成することができる。
L=m・neq・W1 2/λ ・・・(1)
の関係を満たすように設定することができる。ここで、mは任意の整数である。これは、多モード干渉はL=neq・W1 2/λごとに周期的にスポットが形成されるため、その整数倍を多モード導波路の長さとして用いることに対応している。なお、以下の説明では、(1)式の関係を満たす多モード導波路403a〜403cの全体の長さLをLMMIとする。ここで、多モード導波路403a〜403cの全体の長さLMMIは、多モード導波路403a〜403cにおいて、光が最初にスポット状に集光されるまでの長さを示している。
また、多モード導波路403bのコアは利得媒質を含むため、入力信号光411は、多モード導波路403bを伝搬するに従って増幅され、増幅された出力信号光412を得ることができる。
なお、図1の構成例では、利得を持つ多モード導波路403bの前後段に利得を持たない多モード導波路403a、403cをそれぞれ設ける方法について説明したが、利得を持つ多モード導波路403bの前段または後段のいずれか一方にのみ利得を持たない多モード導波路を設けるようにしてもよい。
図3において、図1の多モード導波路403bでは、InGaAsP活性層502がストライプ状にn−InP基板501上に形成されている。なお、InGaAsP活性層502の幅は、複数モードの光が伝播されるように設定することができ、多モード導波路403bのInGaAsP活性層502の幅は、例えば、20μmに設定することができる。そして、InGaAsP活性層502の両側は、n−InP基板501上に順次積層されたp−InP電流ブロック層503およびn−InP電流ブロック層504にて埋め込まれている。ここで、p−InP電流ブロック層503およびn−InP電流ブロック層504にてInGaAsP活性層502の両側を埋め込むことにより、埋め込みヘテロ構造を構成することができる。
図4において、n−InP基板5001上には、利得媒質であるInGaAsP活性層5003がストライプ状に形成され、InGaAsP活性層5003の前後段には、信号光波長に対して透明なInGaAsPコア層5002、5004がそれぞれ配置されている。
なお、InGaAsP活性層502、p−InP電流ブロック層503、n−InP電流ブロック層504、p−InPクラッド層505およびp−GaInAsコンタクト層506をn−InP基板501上に形成する場合、例えば、MBE(molecular beam epitaxy)、MOCVD(metal organic chemical vaper deposition)、あるいはALCVD(atomic layer chemical vaper deposition)などのエピタキシャル成長を用いることができる。
836μm×(0.46dB/20μm)=19dB ・・・(2)
でクランプされる。
図5において、図1の多モード導波路403bでは、InGaAsP活性層502bがストライプ状にn−InP基板501b上に形成されている。なお、InGaAsP活性層502bの幅は、複数モードの光が伝播されるように設定することができる。そして、InGaAsP活性層502bの両側は、n−InP基板501b上に順次積層されたp−InP電流ブロック層503bおよびn−InP電流ブロック層504bにて埋め込まれている。そして、InGaAsP活性層502bおよびn−InP電流ブロック層504b上には、p−InPクラッド層505bが形成されている。
図6において、n−InP基板601上には、入力信号光611を入力する入力導波路602、入力信号光611を導波させる多モード導波路603、出力信号光612を出力する出力導波路604が形成されている。ここで、入力導波路602および出力導波路604は、InGaAsPをコアとした利得媒質からなるシングルモード導波路から構成することができ、多モード導波路603は、InGaAsPをコアとした利得媒質からなる多モード導波路から構成することができる。
ここで、図6のA2−A2´線で切断した光増幅素子の構成は図3の構成と同様とすることができ、図6のB2−B2´線で切断した光増幅素子の構成は図1のC1−C1´線で切断した光増幅素子の構成と同様とすることができる。
また、入力導波路602、多モード導波路603および出力導波路604のコアは利得媒質を含むため、入力信号光611は、入力導波路602、多モード導波路603および出力導波路604を伝搬するに従って増幅され、増幅された出力信号光612を得ることができる。
図7において、多モード導波路603に電流を注入すると、最初は電流の増加とともに利得は増加する。そして、電流がI1に達すると、多モード導波路603の幅方向に距離Wだけ伝搬した時の利得がしきい値利得Glateralに達し、多モード導波路603の幅方向で発振が生じる。この時、発振しきい値利得Glateralは、
Glateral=−10×log(RH)(dB) ・・・(3)
で与えられる。
G0=Glatera×LMMI/W ・・・(4)
で与えられる。ここで、信号光の利得G0は、(1)、(3)式を用いることにより、
G0=−10×log(RH)×neq×W/λ ・・・(5)
となる。
ここで、クランプされた単位長さ当たりの利得をGclamp(dB)とすると、多モード導波路603の幅方向で発振が生じる条件は以下の(6)式で与えられる。
Glateral=Gclamp×W=−10×log(RH) ・・・(6)
GSignal=GClamp×L<−10×log(RAR) ・・・(7)
L×log(RH)>W×log(RAR) ・・・(8)
そして、(8)式に(1)式を代入すると、以下の(9)式が得られる。
m・neq・W×log(RH)>λ×log(RAR) ・・・(9)
(9)式から、高反射膜609、610の反射率RHが与えられた時に信号光の伝播方向で発振が生じないようにするための多モード導波路603の幅Wを求めることができる。
(9)式の左辺=1×3.24×20×log(0.9)=−2.97
(9)式の右辺=1.55×log(0.001)=−4.65
となり、(9)式の条件を満たすことから、信号光の伝播方向で発振が生じないようにすることができる。
(9)式の左辺=1×3.24×42×log(0.8)=−13.2<右辺
となり、(9)式の条件を満たさなくなる。これは、多モード導波路603の幅Wが約2倍になったために、(1)式で与えられる自己結像効果の生じる多モード導波路603の長さLが約4倍になり、信号光に対する利得が大きくなった結果、多モード導波路603の幅方向で発振が生じる前に信号光の伝播方向で発振が生じるためである。
(neqa×Lp1+neqb×L0+neqc×Lp2)/(Lp1+L0+Lp2)
となる。このため、等価屈折率neq0を(1)式に代入して求めた多モード導波路403a〜403cの全体の長さLMMIが以下の(10)式を満たせば、多モード導波路403a〜403c全体で多モード干渉素子が形成され、入力導波路402から入射した入力信号光411が自己結像効果により出力導波路404に導かれるようにすることができる。
LMMI=Lp1+L0+Lp2 ・・・(10)
L0×log(RH)>W1×log(RAR) ・・・(8)´
また、上述した実施形態では、多モード導波路403bの全てについて利得媒質をコアに含む場合について説明したが、少なくとも多モード導波路403bのコアまたはクラッドの一部に利得媒質を設けるようにしてもよい。また、上述した実施形態では、m=1の場合について説明したが、mは1以上の任意の整数でもよい。
図8において、n−InP基板801上には、多モード導波路803dに接続され、入力信号光811を入力する入力導波路802、利得を持ち信号光を導波させる複数の多モード導波路803a〜803c、多モード導波路803aの前後段にそれぞれ接続され、利得を持たない多モード導波路803d、803e、多モード導波路803bの前後段にそれぞれ接続され、利得を持たない多モード導波路803f、803g、多モード導波路803cの前後段にそれぞれ接続され、利得を持たない多モード導波路803h、803i、多モード導波路803e、803fを互いに接続する接続導波路813a、多モード導波路803g、803hを互いに接続する接続導波路813b、多モード導波路803iに接続され、出力信号光812を出力する出力導波路804が形成されている。
図9において、n−InP基板901上には、InGaAsP入力導波路コア層902、InGaAsP活性層903a〜903c、InGaAsP接続導波路コア層909a、909bおよびInGaAsP出力導波路コア層904が形成されている。ここで、InGaAsP活性層903aは、InGaAsP入力導波路コア層902とInGaAsP接続導波路コア層909aとの間に配置され、InGaAsP活性層903bは、InGaAsP接続導波路コア層909a、909b間に配置され、InGaAsP活性層903cは、InGaAsP接続導波路コア層909bとInGaAsP出力導波路コア層904との間に配置されている。
そして、InGaAsP入力導波路コア層902、InGaAsP活性層903a〜903c、InGaAsP接続導波路コア層909a〜909bおよびInGaAsP出力導波路コア層904上には、p−InPクラッド層905が形成されている。ここで、n−InP基板901とp−InPクラッド層905との間にInGaAsP活性層903a〜903cを形成することにより、InGaAsP活性層903a〜903cをコアとした利得媒質からなる多モード導波路903a〜903cをそれぞれ構成することができる。
一方、各多モード導波路803a〜803cにて生成された自然放出光は四方八方に放出され、多モード導波路803a〜803cの両脇の高反射膜809、810にて反射させることにより、入力信号光811の導波方向と直交する方向にレーザ発振を起こさせることができる。そして、入力信号光811の導波方向と直交する方向にレーザ発振が起こると、各多モード導波路803a〜803cに入射された信号光強度が変動した場合においても、各多モード導波路803a〜803cのキャリア密度を一定に保つことができ、光増幅素子の利得を一定値にクランプさせることができる。
Glateral=Gclamp-i×Wi=−10×log(RHi) ・・・(6)´
図10において、n−InP基板1001上には、入力信号光1011を入力する入力導波路1002、入力信号光1011を分岐する分岐回路1013、分岐回路1013にて分岐された入力信号光1011をそれぞれ並列に導波させる多モード導波路1003a、1003b、多モード導波路1003a、1003bをそれぞれ伝播した信号光を合波する合波回路1014、出力信号光1012を出力する出力導波路1004が、信号光の伝播方向に沿って順次形成されている。
図11において、図10多モード導波路1003a、1003bでは、InGaAsP活性層1102a、1102bがストライプ状にn−InP基板1101上に並列に形成されている。なお、InGaAsP活性層1102a、1102bの幅は、複数モードの光が伝播されるように設定することができる。そして、InGaAsP活性層1102a、1102bの両側は、n−InP基板1101上に順次積層されたp−InP電流ブロック層1103およびn−InP電流ブロック層1104にてそれぞれ埋め込まれている。ここで、p−InP電流ブロック層1103およびn−InP電流ブロック層1104にてInGaAsP活性層1102a、1102bの両側をそれぞれ埋め込むことにより、埋め込みヘテロ構造を構成することができる。
そして、図10において、入力導波路1002に入射した入力信号光1011は、分岐回路1013にて分岐され、多モード導波路1003a、1003bに入射される。そして、分岐回路1013にて分岐された入力信号光1011が多モード導波路1003a、1003bに入射すると、入力信号光1011は多モード導波路路1003a、1003bにおける固有モードにそれぞれ展開される。ここで、(1)式の関係を満たすように、多モード導波路1003a、1003bの長さLMMIをそれぞれ設定することにより、多モード導波路1003a、1003b内を伝搬する信号光を1つのスポットに集光させることができる。そして、多モード導波路1003a、1003b内を長さLMMIだけ伝搬した信号光は、合波回路1014にて合波されてから出力導波路1004に入射し、出力信号光1012として端面1006から出射される。ここで、多モード導波路1003a、1003bのコアは利得媒質を含むため、入力信号光1011は、多モード導波路1003a、1003bを伝搬するに従って増幅され、増幅された出力信号光1012を得ることができる。また、分岐回路1013、多モード導波路1003a、1003bおよび合波回路1014は対称マッハツェンダー干渉計を構成し、多モード導波路1003a、1003bをそれぞれ経由して合波回路1014に入射する信号光の位相が互いに揃うように調整することにより、多モード導波路1003a、1003bをそれぞれ伝播した信号光を損失なく合波させることができる。なお、入力信号光1011は2個の多モード導波路1003a、1003bに分かれて増幅されるため、多モード導波路1003a、1003bにおいて見かけ上パワーは半分になっている。そして、多モード導波路1003a、1003bにおいてそれぞれ飽和出力まで増幅された場合には、合波回路1014にて損失なく合波されるため、図6の構成に比べ飽和出力を2倍にすることができる。
Glateral=Gclamp×W×p=−10×log(RH) ・・・(6)´´
ただし、pは多モード導波路1003a、1003bの並列数で、図10の例ではp=2である。
L×log(RH)>W×p×log(RAR) ・・・(8)´´´
そして、(8)´´´式に(1)式を代入すると、以下の(9)´´式が得られる。
m・neq・W×log(RH)>p×λ×log(RAR) ・・・(9)´´
(9)´´式から、反射手段1009、1110の反射率RHが与えられた時に信号光の伝播方向で発振が生じないようにするための多モード導波路1003a、1003bの幅Wをそれぞれ求めることができる。
(9)´´式の左辺=1×3.24×21×log(0.8)=−6.59
(9)´´式の右辺=2×1.55×log(0.001)=−9.3
となり、(9)´´式の条件を満たすことから、信号光の伝播方向で発振が生じないようにすることができる。
また、図10の実施形態では、多モード導波路1003a、1003b全体が利得を持つようにしてもよいし、利得を持つ領域と利得を持たない領域とから多モード導波路1003a、1003bをそれぞれ構成するようにしてもよい。
図12において、n−InP基板1201上には、入力信号光1211a、1211bをそれぞれ入力する入力導波路1202a、1202b、入力導波路1202a、1202bにそれぞれ入力された入力信号光1211a、1211bをそれぞれ並列に導波させる多モード導波路1203a、1203b、多モード導波路1203a、1203bをそれぞれ伝播した信号光を出力信号光1212a、1212bとしてそれぞれ出力する出力導波路1204a、1204bが、信号光の伝播方向に沿って順次形成されている。
なお、図12の実施形態では、多モード導波路1203a、1203bを2個並列に並べる方法について説明したが、多モード導波路の並列数pは2以上の整数であれば、いくつでもよい。
また、図12の実施形態では、多モード導波路1203a、1203b全体が利得を持つようにしてもよいし、利得を持つ領域と利得を持たない領域とから多モード導波路1203a、1203bをそれぞれ構成するようにしてもよい。
402、602、802、902、1002、1102、1202a、1202b 入力導波路
403a〜403c、603、803a〜803i、903a〜903c、1003a、1003b、1103a〜1103c、1203a、1203b 多モード導波路
404、604、804、904、1004、1104、1204a、1204b 出力導波路
405、406、605、606、805、806、905、906、1005、1006、1105、1106、1205、1206 端面
407、408、607、608、807、808、907、908、1007、1008、1107、1108、1207、1208 反射防止膜
409、410、、609、610、809a〜809c、810a〜810c、909、910、1009、1010、1109、1110、1209、1210 反射手段
411、611、811、911、1011、1111、1211a、1211b 入力信号光
412、612、812、912、1012、1112、1212a、1212b 出力信号光
414 多モード導波路接続領域
4001 信号光
4002、4003 自然放出光
502、502b、702、1002、1003a〜1003c、1102a、1102b、1202、5003 InGaAsP活性層
503、503b、1103 p−InP電流ブロック層
504、504b、1104 n−InP電流ブロック層
505、505b、905、1005、1105、1205、5005 p−InPクラッド層
506、506b、906a〜906c、1006a〜1006c、1106a、1106b、1206a〜1206c、5006 p−GaInAsキャップ層
507、507b、907a〜907c、1007a〜1007c、1107a、1107b、1207a〜1207c、5007 p側電極
508、508b、908、1008、1108、1208、5008 n側電極
509b、510b 溝
902、904、5002、5003 InGaAsPコア層
813a、813b 接続導波路
909a、909b InGaAsP接続導波路コア層
1013 分岐回路、
1014 合波回路
Claims (5)
- 信号光を単一モードで伝送する2つの入出力導波路と、該2つの入出力導波路の間で信号光を複数モードで且つ一定の導波路幅で伝送する多モード導波路とを備えた光増幅素子において、
前記信号光を増幅する利得を持つ利得領域と、前記利得を持たない非利得領域とから前記多モード導波路を構成し、前記利得領域から放出された自然放出光を前記多モード導波路の導波方向と交差する方向に反射する反射領域を前記利得領域の両脇に形成するとともに、前記多モード導波路の導波方向に沿う前記利得領域の長さと前記非利得領域の長さとを合計した長さを前記信号光の自己結像効果が生じる長さとしたことを特徴とする光増幅素子。 - 前記多モード導波路は、前記2つの入出力導波路の間に複数配置され、前記信号光を単一モードで伝搬する複数の接続導波路により直列に接続されていることを特徴とする請求項1記載の光増幅素子。
- 前記非利得領域は、前記利得領域の光入射側端面と光出射側端面に隣接して形成されていることを特徴とする請求項1または2記載の光増幅素子。
- 信号光を単一モードで伝送する2つの入出力導波路と、該2つの入出力導波路の間で信号光を複数モードで且つ一定の導波路幅で伝送する複数の多モード導波路と、前記2つの入出力導波路のうち一方の入出力導波路から出力された信号光を分岐して前記複数の多モード導波路に入力する光分岐手段と、前記複数の多モード導波路から出力された信号光を合波して前記2つの入出力導波路のうち他方の入出力導波路に出力する光合波手段とを備えた光増幅素子において、
前記多モード導波路の導波路幅をW 1 、前記多モード導波路の縦方向の等価屈折率をn eq 、前記信号光の波長をλとしたとき、前記多モード導波路の各長さL i を、L i =m i ・n eq ・W 1 2 /λ(ただし、m i :正の整数)を満たす長さに設定するとともに、前記多モード導波路の少なくとも一部を構成する利得媒質から放出された自然放出光を前記多モード導波路の導波方向と交差する方向に反射する2つの反射領域を前記複数の多モード導波路を間に挟んで対向配置したことを特徴とする光増幅素子。 - 信号光を複数モードで且つ一定の導波路幅で伝送する複数の多モード導波路と、該多モード導波路の各一端に光学的に接続された複数の入力導波路と、該入力導波路に対応して前記多モード導波路の各他端に光学的に接続された複数の出力導波路とを備えた光増幅素子において、
前記多モード導波路の導波路幅をW 1 、前記多モード導波路の縦方向の等価屈折率をn eq 、前記信号光の波長をλとしたとき、前記多モード導波路の各長さL i を、L i =m i ・n eq ・W 1 2 /λ(ただし、m i :正の整数)を満たす長さに設定するとともに、前記多モード導波路の少なくとも一部を構成する利得媒質から放出された自然放出光を前記多モード導波路の導波方向と交差する方向に反射する2つの反射領域を前記複数の多モード導波路を間に挟んで対向配置したことを特徴とする光増幅素子。
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