JP4833582B2

JP4833582B2 - 光情報記録装置及び光情報記録装置の制御方法

Info

Publication number: JP4833582B2
Application number: JP2005130507A
Authority: JP
Inventors: 敦岡田
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2005-04-27
Filing date: 2005-04-27
Publication date: 2011-12-07
Anticipated expiration: 2025-04-27
Also published as: JP2006309860A

Description

本発明は、複数の記録層を有する多層の光ディスクに対して記録または再生を行う光情報記録装置及び光情報記録装置の制御方法に関する。

近年では、ＤＶＤディスクに代表されるように、記録容量の増大を目標として複数の記録層を有する多層の光ディスクが開発されている。多層の光ディスクの開発が進む中で、記録または再生する装置においてもフォーカスジャンプに関する技術が必要となる。

フォーカスジャンプとは、光ディスク内のデータを利用する際に、ある記録層から別の記録層へと光ピックアップを移動させて、焦点をずらす動作のことである。以下に、フォーカスジャンプの一般的な動作内容を説明する。

まず、現在合焦している光ディスクの層と次に合焦させたい目標の層とを比較して、光ピックアップに近いのか遠いのかを判断する。次に、その判断に基づいてフォーカス駆動手段を動作させて、対物レンズを移動させる。対物レンズを目標の層が存在する方向へ加速させ、目標の層を検出したところで対物レンズを減速させる。そして、目標の層でフォーカスを合焦させる（以下、フォーカス引き込みと省略する）。

フォーカス引き込みは、フォーカスエラー信号（以下、ＦＥ信号と省略する）のレベルを検出することによって行う。ＦＥ信号は、光ディスクからの反射光を４つの受光素子から構成される４分割フォトディテクタによって光電変換し、その変換された４つの信号を演算することによって作られたものである。

ＦＥ信号の特性を図１に示す。ＦＥ信号レベルは、レーザ光がある記録層に対して合焦しているときにはゼロになる。レーザ光の焦点が記録層から離れるにつれて、正もしくは負の方向へ変位し、ある一定の距離より離れるとゼロになる。フォーカス引き込みの際には、ＦＥ信号がＳ字（波形）内部のゼロレベルになるようにフォーカス駆動手段を動作させる。
以上がフォーカスジャンプの動作内容である。

このフォーカスジャンプに関する技術として、フォーカスジャンプの目標の層を検出する技術が必要である。２層の光ディスクにおけるフォーカスジャンプでは、ジャンプする層は１層と決まっているので、ジャンプする方向さえ間違えなければ、ジャンプ後に検出されるＦＥ信号のＳ字でフォーカス引き込みすればよい。この場合、目標の層を検出する技術の有無は大きな問題にならない。

しかし、３層以上の光ディスクにおけるフォーカスジャンプでは、目標の層を検出する技術が求められる。目標の層を検出する技術として一般的なのは、ＦＥ信号のＳ字の数をカウントする方法であるが、この方法は、ジャンプ前に合焦している層が何番目の層であるのかを認識していることが前提となっている。もし、Ｓ字のカウントミスにより目標ではない層にフォーカス引き込みをしてしまった場合には、再び目標の層へジャンプをしなければならない。しかし、このＳ字の数をカウントする方法の場合、再ジャンプの前に合焦している層が何番目の層であるのかを認識するための動作が必要になる。したがって、カウントミスにより再ジャンプが発生した場合、ジャンプに要する時間が非常に長くなってしまう。

記録時間もしくは再生時間を短くするためには、ジャンプを開始してから目標の層に引き込み完了するまでの時間を短くする必要がある。

各層の反射率が異なる多層ディスクにおける、フォーカスジャンプに関する従来技術としては、特許文献１から３に開示された発明が公知である。特許文献１には、ディスク全体を、一方の面から反射で連続的に読み取ることのできる多層情報ディスクに関する発明が開示されている。

また、特許文献２には、ＤＶＤ−ＲＡＭ再生時において、信頼性の高いヘッダ検出が行われるようにするディスクドライブ装置に関する発明が開示されている。

また、特許文献３には、フォーカスジャンプにおいて、ＲＦ（Radio Frequency）信号を用いて、光ディスク表面からの全反射光量レベルと情報面からの全反射光量レベルとの差が小さい場合でも、情報面に対するフォーカス引き込みを確実に行うことが可能な光ディスク装置に関する発明が開示されている。
特公昭６１−０２７８１５号公報特開２００２−０９２８８４号公報国際公開第２００２／０６７２５０号パンフレット

しかし、上述した従来の発明には、以下に述べるような問題がある。

また、特許文献１、２に開示された発明は、各層の反射率が異なる多層のディスクを前提としている。複数の層がそれぞれに持つ反射率の差が一定値である多層のディスクは、従来技術として存在しない。

また、特許文献３に開示された発明は、ディスク層が２層までのものを前提としており、３層以上の光ディスクでのフォーカスジャンプにおける記録層の認識手段については記述されていない。

このような課題に鑑み、本発明は、複数の記録層を有する多層の光ディスクにおいて、記録・再生処理までの時間が短時間で処理することが可能な光情報記録装置及び光情報記録装置の制御方法を提供することを目的としている。

上記の目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、反射率の異なる複数の記録層を有する光情報記録媒体にレーザ光を照射して、該光情報記録媒体に記録、再生を行う光情報記録装置であって、前記光情報記録媒体に前記レーザ光を照射して、前記光情報記録媒体の反射光を検出する反射光検出手段と、前記反射光の有する信号からＲＦ信号を生成するＲＦ信号生成手段と、前記ＲＦ信号の値と予め設定された基準となる電圧の値とを比較する比較手段と、前記比較の結果を２値化されたＲＦ振幅検出信号として生成するＲＦ振幅検出信号生成手段と、前記基準となる電圧を、前記ＲＦ振幅検出信号生成手段に対応する各記録層が有するそれぞれの前記反射率に応じて変化させる基準電圧可変手段と、前記ＲＦ振幅検出信号に応じて変化させた前記基準となる電圧の値に基づき、前記レーザ光の焦点を目標となる前記記録層へ移動させる焦点移動手段と、移動先の目標となる記録層の反射率と同等、若しくはそれ以下の反射率を有する前記記録層に対応する全ての前記ＲＦ振幅検出信号と、移動先の目標となる記録層の前記反射率よりも大きい反射率を有する前記記録層に対応する全ての前記ＲＦ振幅検出信号と、の論理積結果を、目標層検出信号として生成する目標層検出信号生成手段と、を有し、前記焦点移動手段は、前記レーザ光の焦点を目標となる前記記録層へ移動させる際には、前記光情報記録媒体が有する全ての記録層に対して焦点を移動させてレーザ光を照射し、前記基準となる電圧を設定することを特徴とする。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の光情報記録装置において、ＲＦ振幅検出信号は、記録層が有する反射率の種類と同じ数だけ生成されることを特徴とする。

請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の光情報記録装置において、ＲＦ振幅検出信号生成手段は、それぞれの反射率を有する各記録層とそれぞれ対応して、該反射率と同等、若しくはそれ以上の反射率を有する記録層にレーザ光の焦点が移動した場合には、パルスを発生させることを特徴とする。

請求項４に記載の発明は、請求項１から３のいずれか１項に記載の光情報記録装置において、目標層検出信号にパルスが発生した場合にのみ、レーザ光の焦点を目標となる記録層へ移動させることを特徴とする。

請求項５に記載の発明は、請求項１から４のいずれか１項に記載の光情報記録装置において、前記光情報記録媒体が有する全ての記録層に対して焦点を移動させてレーザ光を照射し、各記録層の前記ＲＦ振幅検出信号におけるピーク値を検出するピーク値検出手段をさらに有し、前記記録層のピーク値と該記録層に隣接する記録層のピーク値との間の値に、前記基準となる電圧を設定することを特徴とする。

請求項６に記載の発明は、反射率の異なる複数の記録層を有する光情報記録媒体にレーザ光を照射して、該光情報記録媒体に記録、再生を行う光情報記録装置の制御方法であって、前記光情報記録媒体に前記レーザ光を照射して、前記光情報記録媒体の反射光を検出する反射光検出工程と、前記反射光の有する信号からＲＦ信号を生成するＲＦ信号生成工程と、前記ＲＦ信号の値と予め設定された基準となる電圧の値とを比較する比較工程と、前記比較の結果を２値化されたＲＦ振幅検出信号として生成するＲＦ振幅検出信号生成工程と、前記基準となる電圧を、前記ＲＦ振幅検出信号生成工程に対応する各記録層が有するそれぞれの前記反射率に応じて変化させる基準電圧可変工程と、移動先の目標となる記録層の反射率と同等、若しくはそれ以下の反射率を有する前記記録層に対応する全ての前記ＲＦ振幅検出信号と、移動先の目標となる前記記録層の前記反射率よりも大きい反射率を有する前記記録層に対応する全ての前記ＲＦ振幅検出信号と、の論理積結果を、目標層検出信号として生成する目標層検出信号生成工程と、前記ＲＦ振幅検出信号に応じて変化させた前記基準となる電圧の値に基づき、前記レーザ光の焦点を前記目標となる前記記録層へ移動させる焦点移動工程と、を有し、前記焦点移動工程は、前記レーザ光の焦点を目標となる前記記録層へ移動させる際には、前記光情報記録媒体が有する全ての記録層に対して焦点を移動させてレーザ光を照射し、前記基準となる電圧を設定することを特徴とする。

請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の光情報記録装置の制御方法において、ＲＦ振幅検出信号は、記録層が有する反射率の種類と同じ数だけ生成されることを特徴とする。

請求項８に記載の発明は、請求項６又は７に記載の光情報記録装置の制御方法において、ＲＦ振幅検出信号生成工程は、それぞれの反射率を有する各記録層とそれぞれ対応して、該反射率と同等、若しくはそれ以上の反射率を有する記録層に前記レーザ光の焦点が移動した場合には、パルスを発生させることを特徴とする。

請求項９に記載の発明は、請求項６から８のいずれか１項に記載の光情報記録装置の制御方法において、目標層検出信号にパルスが発生した場合にのみ、レーザ光の焦点を目標となる記録層へ移動させる焦点移動決定工程をさらに有することを特徴とすることを特徴とする。

請求項１０に記載の発明は、請求項６から９のいずれか１項に記載の光情報記録装置の制御方法において、前記目標となる記録層へ焦点を移動させる際には、光情報記録媒体が有する全ての記録層に対して焦点を移動させてレーザ光を照射し、各記録層の前記ＲＦ振幅検出信号におけるピーク値を検出するピーク値検出工程をさらに有し、前記レーザ光の焦点を目標となる前記記録層へ移動させる際には、移動動作の前に、前記記録層のピーク値と該記録層に隣接する記録層のピーク値との間の値に、前記基準となる電圧を設定することを特徴とする。

請求項１１に記載の発明は、反射率の異なる複数の記録層を有し、記録層が有する反射率と、該記録層に隣接する各記録層がそれぞれ有する反射率との差が一定の値である光情報記録媒体にレーザ光を照射して、該光情報記録媒体に記録、再生を行う光情報記録装置であって、光情報記録媒体にレーザ光を照射して、光情報記録媒体の反射光を検出する反射光検出手段と、反射光の有する信号からＲＦ信号を生成するＲＦ信号生成手段と、ＲＦ信号の値と予め設定された基準となる電圧の値とを比較する比較手段と、比較の結果を２値化されたＲＦ振幅検出信号として生成するＲＦ振幅検出信号生成手段と、基準となる電圧を、ＲＦ振幅検出信号生成手段に対応する各記録層が有するそれぞれの反射率に応じて変化させる基準電圧可変手段と、ＲＦ振幅検出信号に応じて変化させた基準となる電圧の値に基づき、レーザ光の焦点を目標となる記録層へ移動させる焦点移動手段と、移動先の目標となる記録層の反射率と同等、若しくはそれ以下の反射率を有する記録層に対応する全てのＲＦ振幅検出信号と、移動先の目標となる記録層の反射率よりも大きい反射率を有する記録層に対応する全てのＲＦ振幅検出信号と、の論理積結果を、目標層検出信号として生成する目標層検出信号生成手段と、を有し、焦点移動手段は、レーザ光の焦点を目標となる記録層へ移動させる際には、光情報記録媒体が有する全ての記録層に対して焦点を移動させてレーザ光を照射し、基準となる電圧を設定することを特徴とすることを特徴とする。

請求項１２に記載の発明は、反射率の異なる複数の記録層を有し、記録層の層数、及び、各記録層が有する反射率を記録領域内に記録されている光情報記録媒体にレーザ光を照射して、該光情報記録媒体に記録、再生を行う光情報記録装置であって、光情報記録媒体にレーザ光を照射して、光情報記録媒体の反射光を検出する反射光検出手段と、反射光の有する信号からＲＦ信号を生成するＲＦ信号生成手段と、ＲＦ信号の値と予め設定された基準となる電圧の値とを比較する比較手段と、比較の結果を２値化されたＲＦ振幅検出信号として生成するＲＦ振幅検出信号生成手段と、基準となる電圧を、ＲＦ振幅検出信号生成手段に対応する各記録層が有するそれぞれの反射率に応じて変化させる基準電圧可変手段と、ＲＦ振幅検出信号に応じて変化させた基準となる電圧の値に基づき、レーザ光の焦点を目標となる記録層へ移動させる焦点移動手段と、移動先の目標となる記録層の反射率と同等、若しくはそれ以下の反射率を有する記録層に対応する全てのＲＦ振幅検出信号と、移動先の目標となる記録層の反射率よりも大きい反射率を有する記録層に対応する全てのＲＦ振幅検出信号と、の論理積結果を、目標層検出信号として生成する目標層検出信号生成手段と、を有し、焦点移動手段は、レーザ光の焦点を目標となる記録層へ移動させる前に、光情報記録媒体が有する全ての記録層に対して焦点を移動させてレーザ光を照射し、基準となる電圧を設定することを特徴とする。

請求項１３に記載の発明は、請求項１２に記載の光情報記録装置において、ＲＦ振幅検出信号は、記録層が有する反射率の種類と同じ数だけ生成されることを特徴とする。

請求項１４に記載の発明は、反射率の異なる複数の記録層を有し、前記記録層の層数、及び、各記録層が有する反射率を記録領域内に記録されている光情報記録媒体にレーザ光を照射して、該光情報記録媒体に記録、再生を行う光情報記録装置であって、前記光情報記録媒体に前記レーザ光を照射して、前記光情報記録媒体の反射光を検出する反射光検出手段と、前記反射光の有する信号からＲＦ信号を生成するＲＦ信号生成手段と、前記ＲＦ信号の値と予め設定された基準となる電圧の値とを比較する比較手段と、前記比較の結果を２値化されたＲＦ振幅検出信号として生成するＲＦ振幅検出信号生成手段と、前記基準となる電圧を、前記ＲＦ振幅検出信号生成手段に対応する各記録層が有するそれぞれの前記反射率に応じて変化させる基準電圧可変手段と、前記ＲＦ振幅検出信号に応じて変化させた前記基準となる電圧の値に基づき、前記レーザ光の焦点を目標となる前記記録層へ移動させる焦点移動手段と、移動先の目標となる記録層の反射率と同等、若しくはそれ以下の反射率を有する前記記録層に対応する全ての前記ＲＦ振幅検出信号と、移動先の目標となる記録層の前記反射率よりも大きい反射率を有する前記記録層に対応する全ての前記ＲＦ振幅検出信号と、の論理積結果を、目標層検出信号として生成する目標層検出信号生成手段と、を有し、前記焦点移動手段は、前記レーザ光の焦点を目標となる前記記録層へ移動させる際には、前記光情報記録媒体が有する全ての記録層に対して焦点を移動させてレーザ光を照射し、各記録層のＲＦ振幅検出信号におけるピーク値及び基準となる電圧を検出し、該ピーク値に基づいて、前記基準となる電圧を設定することを特徴とする。

請求項１５に記載の発明は、請求項１２に記載の光情報記録媒体を用いた光情報記録装置の制御方法であって、目標となる記録層へ焦点を移動させる際には、前記光情報記録媒体が有する全ての記録層に対して焦点を移動させてレーザ光を照射し、各記録層のＲＦ振幅検出信号におけるピーク値を検出するピーク値検出工程と、前記ピーク値検出工程で検出した前記ピーク値に基づいて、基準となる電圧を設定する工程と、を有することを特徴とする。

請求項１６に記載の発明は、複数の記録層を有する光情報記録媒体にレーザ光を照射して、該光情報記録媒体に記録、再生を行う光情報記録装置であって、前記光情報記録媒体は、前記複数の記録層は異なる反射率を有し、隣接する前記記録層の前記反射率が異なり、前記光情報記録媒体における表面の記録層の前記反射率から、裏面の記録層の前記反射率までの変化が周期性を有し、前記光情報記録媒体に前記レーザ光を照射して、前記光情報記録媒体の反射光を検出する反射光検出手段と、前記反射光の有する信号からＲＦ信号を生成するＲＦ信号生成手段と、前記ＲＦ信号の値と予め設定された基準となる電圧の値とを比較する比較手段と、前記比較の結果を２値化されたＲＦ振幅検出信号として生成するＲＦ振幅検出信号生成手段と、前記基準となる電圧を、前記ＲＦ振幅検出信号生成手段に対応する各記録層が有するそれぞれの前記反射率に応じて変化させる基準電圧可変手段と、前記ＲＦ振幅検出信号に応じて変化させた前記基準となる電圧の値に基づき、前記レーザ光の焦点を目標となる前記記録層へ移動させる焦点移動手段と、移動先の目標となる記録層の反射率と同等、若しくはそれ以下の反射率を有する前記記録層に対応する全ての前記ＲＦ振幅検出信号と、移動先の目標となる記録層の前記反射率よりも大きい反射率を有する前記記録層に対応する全ての前記ＲＦ振幅検出信号と、の論理積結果を、目標層検出信号として生成する目標層検出信号生成手段と、を有し、前記焦点移動手段は、前記レーザ光の焦点を目標となる前記記録層へ移動させる際には、前記光情報記録媒体が有する全ての記録層に対して焦点を移動させてレーザ光を照射し、前記基準となる電圧を設定することを特徴とする。

請求項１７に記載の発明は、請求項１６に記載の光情報記録装置であって、ＲＦ信号の値と予め設定された基準となる電圧の値とを比較して、その結果を２値化されたＲＦ振幅検出信号として生成するＲＦ振幅検出信号生成手段と、ＲＦ振幅検出信号がそれぞれの反射率を有する各記録層と対応して、該反射率と同等、若しくはそれ以上の反射率を有する記録層にレーザ光の焦点が移動した場合には、パルスを発生させる手段と、パルスの発生回数を数えるパルスカウント手段と、を有し、焦点移動手段は、パルスの発生回数に基づいて、レーザ光の焦点を目標となる記録層へ移動させることを特徴とする。

請求項１８に記載の発明は、請求項１６に記載の光情報記録媒体を用いた光情報記録装置の制御方法であって、ＲＦ信号の値と予め設定された基準となる電圧の値とを比較して、その結果を２値化されたＲＦ振幅検出信号として生成するＲＦ振幅検出信号生成工程と、ＲＦ振幅検出信号がそれぞれの反射率を有する各記録層と対応して、該反射率と同等、若しくはそれ以上の反射率を有する記録層にレーザ光の焦点が移動した場合には、パルスを発生させる工程と、パルスの発生回数を数えるパルスカウント工程と、パルスの発生回数に基づいて、レーザ光の焦点を目標となる記録層へ移動させる工程と、を有することを特徴とする。

このように、本発明の光情報記録装置及び光情報記録装置の制御方法によれば、記録・再生処理までの時間が短時間で処理することが可能となる。

本発明では、反射率の異なる複数の記録層を有する多層の光ディスクを記録または再生する場合を前提とする。光ディスクにおいては、層を検出する際にＲＦ信号を用いることができる。ＲＦ信号は、４分割フォトダイオードから出力される４つの信号の総和であり、反射光量を表す信号である。

ＲＦ信号の特性を図１に示す。ＲＦ信号は、レーザ光が記録層に合焦するとレベルが最大になり、レーザ光の焦点が記録層から離れるにつれてレベルが小さくなる。このレベルを検出することにより、レーザ光の焦点が記録層に近いか遠いかを判断することができる。さらに、記録層の反射率が異なる多層の光ディスクを用いることにより、各層で合焦時の最大レベルが異なるため、記録層を検出することが可能になる。

以下に、本実施形態の光情報記録装置、光情報記録装置の制御方法、光情報記録媒体、該光情報記録媒体を用いた光情報記録装置及びその制御方法を、図面を用いて説明する。なお、本実施形態は以下に述べるものに限定されず、その趣旨を逸脱しない範囲において種々変更が可能である。なお、本実施形態では、光情報記録媒体として、光ディスクを用いて説明する。
図２は、本実施形態の光情報記録装置の構成を示すブロック図である。

本実施形態の光情報記録装置は、光ディスク２０１と、スピンドルモータ２０２と、モータドライバ２０３と、光ピックアップ２０４と、コントローラ２０５と、ＦＥ信号生成回路２１５と、ＲＦ信号生成回路２１６と、各コンパレータ（２１７，２１９，２２１，２２３）と、各Ｄ／Ａ（Digital/Analog）コンバータ（２１８，２２０，２２２，２２４）と、論理演算回路２２５と、メモリ２２６とを備える。

また、光ピックアップ２０４は、レーザドライバ２０６と、レーザダイオード２０７と、ビームスプリッタ２０８と、対物レンズ２０９と、アクチュエータ２１０と、集光レンズ２１１と、ナイフエッジ２１２と、フォトディテクタ２１３と、Ｉ／Ｖ変換器２１４とを備える。

スピンドルモータ２０２は、光ディスク２０１を回転駆動するものである。モータドライバ２０３は、回転数制御手段であり、光ディスク２０１の回転数をコントローラ２０５からの指令に基づいて制御する。光ピックアップ２０４は、データの記録・再生を行う際にレーザを出射または検出するユニットである。

レーザドライバ２０６は、レーザパワーを制御する制御手段であり、レーザダイオード２０７から出射するパワーを、コントローラ２０５からの指令に基づいて制御する。レーザダイオード２０７から出射されたレーザ光は、ビームスプリッタ２０８と対物レンズ２０９とを透過して、光ディスク２０１に照射される。また、アクチュエータ２１０はフォーカス駆動手段であり、対物レンズ２０９をコントローラ２０５からの指令に基づいて、光ディスク２０１の面に対して垂直方向に制御する。

光ディスク２０１からの反射光は、対物レンズ２０９を透過して、ビームスプリッタ２０８で反射される。この反射光は、集光レンズ２１１で集光され、フォトディテクタ２１３で検出される。フォトディテクタ２１３で検出された信号はＩ／Ｖ変換器２１４を経て、各種信号の生成回路（ＦＥ生成回路２１５、ＲＦ信号生成回路）へ流れていく。

なお、集光レンズ２１１を透過した後の反射光は、ナイフエッジ２１２で一部が遮光されており、一方、フォトディテクタ２１３は２分割の受光素子で構成されている。このため、ＦＥ信号生成回路２１５において２つの素子の受光量の差をとることにより、図１に示すようなＦＥ信号が生成されることになる。ＦＥ信号は、コントローラ２０５においてアクチュエータ２１０（フォーカス駆動手段）の制御に用いられる。

また、ＲＦ信号生成回路２１６においては、２つの素子の受光量の和をとることにより、図１に示すようなＲＦ信号が生成される。各コンパレータ２１７，２１９，２２１，２２３を通らないＲＦ信号は、再生データへの変調に用いられる。

コンパレータ２１７，２１９，２２１，２２３ではそれぞれ、ＲＦ信号レベルとＤ／Ａコンバータ２１８，２２０，２２２，２２４から出力される基準電圧レベルとを比較して、その比較結果を２値で表したＲＦ振幅検出信号を出力する。それぞれのコンパレータからの出力信号は、論理演算回路２２５に入力される。論理演算回路２２５の演算内容は、コントローラ２０５からの信号により変化させることになる。

図４は、図３に示す光ディスクの各記録層を横切るようにレーザ光の焦点を走査させたときのＲＦ信号、各コンパレータ２１７，２１９，２２１，２２３から出力されるＲＦ振幅検出信号、および論理演算回路２２５からの出力信号を示す。

図３の光ディスクにおいて、光ピックアップに近い方から順番に、記録層１，記録層２，・・・，記録層ｎとして、それぞれの反射率を、Ｒ１，Ｒ２，・・・，Ｒｎとした場合、以下の式（１）が成り立つものとする。
Ｒ１＜Ｒ２＜・・・＜Ｒ（ｎ−１）＜Ｒｎ
・・・（１）
例えば、記録層３をフォーカスジャンプ時における目標の記録層にする場合、論理演算式を下記の式（２）のように設定する。

・・・（２）
ＯＵＴ：論理演算出力信号
ＲＦＯｘ：基準電圧レベルｘのときのＲＦ振幅検出信号
（ｘ＝１，２，・・・，ｎ）

この演算式によって、最初に論理演算回路２２５からの出力信号レベルがＨｉｇｈになった時点での焦点位置が記録層３であると分かる。
論理演算回路２２５からの出力信号は、フォーカスジャンプ時に目標の記録層を検出するのに用いられる。

次に、本実施形態におけるフォーカスジャンプの動作について、図２及び図５を用いて説明する。図５は、本実施形態におけるフォーカスジャンプの動作を示すフローチャートである。

フォーカスジャンプの動作が開始されると、まず、フォーカスジャンプを行う前に合焦している記録層、すなわち、現在合焦している記録層をメモリ２２６から読み出して、フォーカスジャンプを行う目標の記録層を設定する（ステップＳ５０１）。次に、論理演算回路２２５での演算式を、上記した式（２）のように設定する（ステップＳ５０２）。次に、この演算式によって導き出された目標の記録層がある方向へ、焦点を移動させる（ステップＳ５０３）。そして、論理演算回路２２５から出力されるＲＦ振幅検出信号レベルを検出する（ステップＳ５０４）。このとき、検出した出力信号のレベルがＨｉｇｈになっていなければ（ステップＳ５０４／Ｎｏ）、再度目標の記録層へと焦点を移動させる。

一方、検出した出力信号のレベルがＨｉｇｈになった場合には（ステップＳ５０４／Ｙｅｓ）、フォーカス引き込みを実行する（ステップＳ５０５）。最後に、フォーカス引き込みを実行した層を、フォーカスジャンプ前の合焦記録層としてメモリに記憶して（ステップＳ５０６）、フォーカスジャンプを終了する。このようにして、本実施形態の光情報記録装置はフォーカスジャンプの動作を行う。

このように、本実施形態の光情報記録装置は、ＲＦ信号のレベルとある基準電圧レベルとを比較して、比較結果を２値で表したＲＦ振幅検出信号を生成する。加えて、基準電圧レベルが可変である。したがって、基準電圧レベルを変化させることにより、ある反射率以上の記録層だけを検出することが可能となる。このＲＦ振幅検出信号を生成する手段と基準電圧レベルを可変とする手段とを用いることにより、ＲＦ信号だけで記録層を検出することができ、フォーカスジャンプの前に合焦している層が何番目の層であるのかを認識する時間が不要になる。したがって、フォーカスジャンプを開始してから目標の層へ、フォーカス引き込みを完了するまでの時間を短くすることができる。

また、本実施形態の光情報記録装置に、図６に示すようにピークホールド回路を設けることによって、フォーカスジャンプの動作をさらに効率良く行うことも可能である。

図６は、本実施形態の本実施形態の光情報記録装置に、ピークホールド回路６２６を設けた場合の構成を示すブロック図である。基本的に、ピークホールド回路６２６を設けること以外は、図２に示した本実施形態の光情報記録装置の構成と同様であるので、説明を省略する。

また、図７は、図３に示した光ディスクの各記録層を記録層１，記録層２，・・・，記録層ｎの順で横切るようにレーザ光の焦点を走査させた場合における、ＲＦ信号およびピークホールド回路６２６からの出力信号レベルを示す図である。この出力信号レベルを、コントローラ６０５内部に入力し、図７に示すような検出タイミングでＲＦ信号ピークレベルを検出することによって、各記録層に対応するＲＦ信号ピークレベルを取得することができる。各コンパレータ６１７，６１９，６２１，６２３における基準電圧レベルは、それぞれ隣り合う記録層のＲＦ信号ピークレベルの間で決定できる。ここで、検出タイミングの設定にはさまざまな方法があるが、例として、ＲＦ信号が立ち下がった時点を検出タイミングとする方法や、ＦＥ信号がゼロレベルを横切った時点を検出タイミングとする方法などが挙げられる。

次に、ピークホールド回路を設けた場合における本実施形態のフォーカスジャンプの動作を説明する。図８は、ピークホールド回路を設けた場合のフォーカスジャンプの動作において、基準電圧レベルの設定動作を示すフローチャートである。なお、ピークホールド回路を設けた場合における本実施形態のフォーカスジャンプの動作は、この図８のフローチャートに示す動作の後に、上記した図５のフローチャートに示す動作を行うことになる。したがって、ここでは、基準電圧レベルの設定動作のみを説明する。

基準電圧レベルの設定動作が開始されると、まず、現在の記録層番号ｘを１に、ＲＦ信号レベルＬｘを０に設定する（ステップＳ８０１）。次に、レーザ光の焦点を、光ピックアップ６０４側の光ディスク６０１の外にはずす（ステップＳ８０２）。次に、光ディスク６０１の外にはずしたレーザ光の焦点を、光ピックアップ６０４から遠ざかる方向へ移動させる（ステップＳ８０３）。

ここで、ＲＦ信号が立ち下がったかどうかを判断する（ステップＳ８０４）。ＲＦ信号が立ち下がっていなければ（ステップＳ８０４／Ｎｏ）、再度、レーザ光の焦点を光ピックアップ６０４から遠ざかる方向へ移動させることになる。

一方、ＲＦ信号が立ち下がった場合には（ステップＳ８０４／Ｙｅｓ）、この時点で、ピークホールド回路６２６から出力されるＲＦ信号ピークレベルを検出して、そのレベルを記録層ｘのＲＦ信号ピークレベルＬｘとして記憶する（ステップＳ８０５）。その後、記録層ｘを検出するための基準電圧レベルを以下の計算式（３）で算出し、各Ｄ／Ａコンバータの出力レベルに設定する（ステップＳ８０６）。
記録層ｘ検出の基準電圧レベル＝（Ｌｘ＋Ｌ（ｘ−１））／２
・・・（３）

基準電圧を設定した後は、現在の記録層ｘの値に１をプラスして、次の記録層へと焦点位置の移動を続行する（ステップＳ８０７）。そして、ＲＦ信号の立ち下がりを検出するたびに、その記録層に対応する基準電圧レベルを求める。ここで、予め定めた一定時間以上にＲＦ信号が立ち下がらないかどうかを判断する（ステップＳ８０８）。予め定めた一定時間以上ＲＦ信号が立ち下がった場合には（ステップＳ８０８／Ｎｏ）、再度、レーザ光の焦点を光ピックアップ６０４から遠ざかる方向へ移動させる。予め定めた一定時間以上にＲＦ信号が立ち下がらない場合には（ステップＳ８０８／Ｙｅｓ）、それ以上記録層が存在しないと判断して、基準電圧レベルの設定動作を終了する。

このように、本実施形態の光情報記録装置は、ピークホールド回路を設けることによって、実際に多層の光ディスクの各層のＲＦ振幅信号のピーク値を検出した上で、基準電圧を決定することができる。したがって、基準電圧レベルを予め決定している場合よりも、より精度の高い層の検出を実現することができる。

また、本実施形態の光ディスクは、隣接する記録層における反射率の差を一定にすることも可能である。このとき、本実施形態の光情報記憶装置は、記録層１と記録層ｎとのＲＦ信号のピークレベルのみを検出することになる。さらにこの場合、上述した図３を用いて説明すると、光ディスクの記録層を、光ピックアップに近い方から記録層１，記録層２，・・・，記録層ｎとし、それぞれの反射率をＲ１，Ｒ２，・・・，Ｒｎとした場合、以下の式（４）が成り立つものである。
Ｒｍ−Ｒ（ｍ−１）＝Ｒ（ｍ−１）−Ｒ（ｍ−２）
（ｍ＝３，４，・・・，ｎ）
・・・（４）

ＲＦ振幅検出信号を生成するための基準電圧レベルは、２つの異なる反射率の層に対応するそれぞれのＲＦ振幅レベルの間に設定する。したがって、２つの異なる反射率の差の大小によってＲＦ振幅検出の精度が変化し、層の検出精度も変化する。また、反射率の差が一定値であることにより、各層の検出精度が安定し、フォーカスジャンプの信頼性が向上する。また、反射率の差が一定値であれば、全層の中の最大反射率を求めることによって各層の反射率が推定できるため、容易に基準電圧を決定できる。

このように、本実施形態の光ディスクによれば、上記式（４）によって、隣接する記録層における反射率の差を一定の値にすることが可能となるので、フォーカスジャンプの効率化をより一層図ることができる。

さらに、本実施形態の光情報記録装置によれば、ＲＦ信号ピークレベルのピーク値から基準電圧レベルを決定することも可能である。このとき、光情報記録装置は、記録層１と記録層ｎとのＲＦ信号のピークレベルのみを検出することになる。

この場合、複数存在するＲＦ振幅検出信号の生成手段におけるそれぞれの基準電圧の決定手段として、全ての層の中で最も大きい振幅を検出し、その振幅値をもとにそれぞれの基準電圧の最適値を推測できれば、記憶容量は該振幅値の分だけで済み、記憶容量の節約ができる。なお、使用する光ディスクに、上述した反射率の差が一定の光ディスクを用いることによって、この振幅値からのそれぞれの基準電圧の最適値が容易に推測できる。

次に、本実施形態のフォーカスジャンプにおいて、ピーク値から基準電圧レベルを決定する場合の動作について説明する。
図９は、本実施形態のフォーカスジャンプの動作において、ピーク値から基準電圧レベルを決定する場合を示すフローチャートである。なお、ここでは光ディスクとして、上述した式（４）における光ディスク、すなわち、記録層の反射率の差が一定値であるものとして説明する。

基準電圧レベルの設定動作が開始されると、まず、現在の記録層番号ｘを１に設定する（ステップＳ９０１）。次に、レーザ光の焦点を、光ピックアップ６０４側の光ディスク６０１の外にはずす（ステップＳ９０２）。次に、光ディスク６０１の外にはずしたレーザ光の焦点を、光ピックアップ６０４から遠ざかる方向へ移動させる（ステップＳ９０３）。

ここで、ＲＦ信号が立ち下がったかどうかを判断する（ステップＳ９０４）。ＲＦ信号が立ち下がった場合には（ステップＳ９０４／Ｙｅｓ）、記録層番号ｘの値に１をプラスしてカウントし（ステップＳ９０５）、次に、予め定めた一定時間以上にＲＦ信号が立ち下がらないかどうかを判断する（ステップＳ９０６）。予め定めた一定時間以上ＲＦ信号が立ち下がった場合（ステップＳ９０６／Ｎｏ）、及び、ＲＦ信号が立ち下がらない場合（ステップＳ９０４／Ｎｏ）には、再度、レーザ光の焦点を光ピックアップ６０４から遠ざかる方向へ移動させることになる。

予め定めた一定時間以上にＲＦ信号が立ち下がらない場合には（ステップＳ９０６／Ｙｅｓ）、それ以上記録層が存在しないと判断して、ピークホールド回路６２６の出力信号レベルをＲＦ信号ピークレベルＬｂとしてメモリ６２７に記憶する（ステップＳ９０７）。そして、光の焦点を移動させる動作を停止する（ステップＳ９０８）。

ここから、基準電圧レベルを計算するために、演算式などを用いる処理への移行準備を行う（ステップＳ９０９）。そして、記録層ｘを検出するための基準電圧レベルを以下の計算式（５）で算出し、Ｄ／Ａコンバータｘの出力レベルに設定する（ステップＳ９１０）。ここで、定数Ｌａは、光ディスク装置の製造工程にてあらかじめ設定されている値である。
記録層ｘ検出の基準電圧レベル＝Ｌａ＋（Ｌｂ−Ｌａ）＊（ｘ−１）／ｎ
・・・（５）
ｘ：光ディスクの記録層の数（ｘ＝１，２，・・・，ｎ）
Ｌａ：定数
Ｌｂ：ピークホールド回路の出力信号レベル

このように、上記式（５）にて基準電圧レベルを算出すると、記録層ｘの値に１をプラスしてカウントし（ステップＳ９１１）、光ディスクの記録層全てに対して基準電圧レベルを決定する。ここで、記録層ｘの値が光ディスクの記録層数の値ｎを超えた場合、すなわち、全ての記録層に対応する基準電圧レベルが決定した場合には（ステップＳ９１２／Ｙｅｓ）、基準電圧レベルの設定動作を終了する。

一方、全ての記録層に対応する基準電圧レベルが決定していない場合には（ステップＳ９１２／Ｎｏ）、引き続き、記録層ｘを検出するための基準電圧レベルを上述した計算式（５）で算出し、Ｄ／Ａコンバータｘの出力レベルに設定する動作を繰り返す。

ちなみに、上述したように基準電圧を設定した後、図５に示したフローチャートの動作を行うことによって、本実施形態のフォーカスジャンプが行われることになる。また、定数Ｌａの値は、本実施形態の光情報記録装置を動作させる際に設定できることとしてもよい。

このように、ＲＦ振幅信号のピーク値のみから基準電圧レベルを決定することができるので、各記録層ごとのＲＦ振幅信号のピーク値の検出結果を記憶しておく必要がない。したがって、記憶容量を多く使用せずに、基準電圧得レベルを決定することが可能となる。

また、本実施形態の光ディスクにおける記録層は、図１０に示すような構成になっている。この図１０は、ある特定の記録層のみの断面を表し、その中の記録領域の区分けを示したものである。この光ディスクには、データ記録領域の他に媒体情報記録領域が存在する。媒体情報記録領域は、記録および再生に必要な光ディスクの物質特性がデータとして記録されている領域である。この媒体情報記録領域に、記録層数データと、全ての記録層の反射率データとが記録されている。

なお、記録層数データと反射率データとが記録されている層は、光ディスク内の全ての層であっても一部の層であってもよいが、少なくとも最も光ピックアップに近い記録層にはこのデータが記録されていることが好ましい。なぜなら、最も光ピックアップに近い記録層は、フォーカス引き込みにおいて、フォーカスジャンプの記録層数カウントが不要となり、ＲＦ振幅検出信号を生成するＲＦ振幅検出信号生成手段を動作しなくてもフォーカス引き込みが可能となるからである。

さらに、本実施形態の光情報記録装置によれば、光ディスク内に記録層数データと反射率データとが記録されている場合には、そのデータを元にしてフォーカスジャンプを行うことも可能である。図１１は、光ディスク内に記録層数データと反射率データとが記録されている場合における、基準電圧レベルの設定動作を示すフローチャートである。

基準電圧レベルの設定動作が開始されると、まず、レーザ光の焦点を、光ピックアップ側の光ディスクの外にはずす（ステップＳ１１０１）。次に、光ディスクの外にはずしたレーザ光の焦点を、光ピックアップから遠ざかる方向へ移動させる（ステップＳ１１０２）。

次に、ＦＥ信号のＳ字が発生した時点で、フォーカス引き込みを実行する（ステップＳ１１０３）。そして、フォーカス引き込みを実行した記録層の媒体情報記録領域を再生して、光ディスク内の記録層の層数ｎ、および、記録層ｘの反射率ＲＥＦｘを取得する（ステップＳ１１０４）。

ここで、基準電圧レベル算出準備、および、Ｄ／Ａコンバータの出力レベルの設定準備準備を行う（ステップＳ１１０５）。次に、記録層ｘを検出するための基準電圧レベルを、予め設定してある関数ｆ（ＲＥＦｘ）によって算出し、さらに、対応するＤ／Ａコンバータｘの出力レベルに設定する（ステップＳ１１０６）。そして、Ｄ／Ａコンバータの出力レベルに設定後、記録層番号ｘの値を１プラスしてカウントし（ステップＳ１１０７）、次の記録層へと移行する。

この動作を、光ディスクが有する記録層の層数ｎだけ繰り返し、記録層番号ｘの値が記録層の層数ｎの値を超えたかどうか判断する（ステップＳ１１０８）。記録層番号ｘの値が記録層の層数ｎの値を超えていない場合には（ステップＳ１１０８／Ｎｏ）、再度、次の記録層に対応する基準電圧レベルを算出し、対応するＤ／Ａコンバータｘの出力レベルに設定する。一方、記録層番号ｘの値が記録層の層数ｎの値を超えた場合には（ステップＳ１１０８／Ｙｅｓ）、基準電圧レベルの設定動作を終了する（ステップＳ１１０８）。

このように、本実施形態によれば、多層の光ディスクのそれぞれの記録層の反射率が情報として記録されている。したがって、その情報を光ディスクを再生して取得することにより、基準電圧レベルが最適に決定することができ、ピーク値検出の動作は要らなくなる。その結果、フォーカスジャンプ精度はＲＦ振幅信号のピーク値検出精度に依存しなくなり、ピーク値検出回路など構成要素の削減も可能となる。

また、隣接する記録層の反射率を異ならせて、さらに、光ディスクの表面に最も近い記録層から最も遠い記録層までの反射率の変化に周期性を持つ本実施形態の光ディスクを、光情報記録装置に用いることも可能である。

この光ディスクは、図１２を用いて説明すると、光ディスクの記録層を、光ピックアップに近い方から記録層１，記録層２，・・・，記録層ｎとし、それぞれの反射率をＲ１，Ｒ２，・・・，Ｒｎとした場合、以下の式（６）が成り立つものである。
Ｒ（４ｋ＋１）＜Ｒ（４ｋ＋２）＜Ｒ（４ｋ＋３）＜Ｒ（４ｋ＋４）
Ｒ（４ｋ＋１）＝Ｒ（４（ｋ＋１）＋１）
Ｒ（４ｋ＋２）＝Ｒ（４（ｋ＋１）＋２）
Ｒ（４ｋ＋３）＝Ｒ（４（ｋ＋１）＋３）
Ｒ（４ｋ＋４）＝Ｒ（４（ｋ＋１）＋４）
（ｋ＝０，１，・・・）
・・・（６）

上記式（６）において、ｋ＋１は、反射率周期の数を表している。なお、上述した図１２では、１つの反射率周期を構成する記録層の層数を４層として例示している。しかし、１つの反射率周期を構成するこの記録層の層数は４層に限定されず、その層数にはとらわれない。

また、この光ディスクのように、記録層の反射率が周期的に変化する構造においては、記録層増加に伴って反射率の差が小さくなることはない。そのため、記録層の検出精度が悪くなることはない。

例えば、本実施形態の光情報記録装置において、記録層検出に必要な反射率差が５％であると仮定する。この場合、全ての記録層の反射率の総和は１００％以下という物理的条件を考慮すると、全ての記録層の反射率を異ならせる構造では、以下の式（７）のように５層しか確保できない。
反射率の総和７５％＝５％（記録層１）＋１０％（記録層２）＋１５％（記録層３）＋２０％（記録層４）＋２５％（記録層５）
・・・（７）

一方、記録層の反射率が４層ずつ周期的に変化する構造では、以下の式（８）のように７層確保できる。
反射率の総和８０％＝５％（記録層１）＋１０％（記録層２）＋１５％（記録層３）＋２０％（記録層４）＋５％（記録層５）＋１０％（記録層６）＋１５％（記録層７）
・・・（８）

さらに、記録層の反射率が２層ずつ周期的に変化する構造では、以下の式（９）のように１０層確保できる。
反射率の総和７５％＝５％（記録層１）＋１０％（記録層２）＋５％（記録層３）＋１０％（記録層４）＋５％（記録層５）＋１０％（記録層６）＋５％（記録層７）＋１０％（記録層８）＋５％（記録層９）＋１０％（記録層１０）
・・・（９）

また、本実施形態の光情報記録装置は、上述した反射率に周期性を持つ本実施形態の光ディスクを用いて、さらに効率よくフォーカスジャンプの動作を行うことも可能である。この場合、図２に示す光ディスク装置の構成において、コントローラ２０５，６０５に論理演算回路２２５，６２５から出力されるパルスの数をカウントする機能を備えればよい。

図１２及び図１３を用いてさらに詳細に説明する。
図１２における光ディスクの各記録層を記録層１，記録層２，・・・，記録層ｎの順で横切るようにレーザ光の焦点を走査させたときのＲＦ信号、および、ピークホールド回路６２６からの出力信号レベルを図１３に示す。なお、ここでは、記録層１と記録層ｎとのＲＦ信号ピークレベルのみを検出する。また、図１３には、図１２に示した光ディスクの各記録層を横切るようにレーザ光の焦点を走査させたときのＲＦ信号、各コンパレータ２１７（６１７），２１９（６１９），２２１（６２１），２２３（６２３）から出力されるＲＦ振幅検出信号、および、論理演算回路２２５（６２５）からの出力信号も示している。

例えば、記録層７を、フォーカスジャンプの目標の記録層にする場合の記録層検出動作を説明する。図１２の光ディスクにおいては、記録層７は、２つ目の反射率周期の中の３番目の層に該当する。したがって、まずフォーカスジャンプ開始時の論理演算回路２２５（６２５）の出力は、最も大きな反射率の層だけ検出するように設定する（図１３中の論理演算出力信号Ａ）。このときの論理演算式は、下記の式（１０）に示す通りである。
ＯＵＴ＝ＲＦＯ４
・・・（１０）
ＯＵＴ：論理演算出力信号
ＲＦＯｎ：基準電圧レベルｎのときのＲＦ振幅検出信号
（ｎ＝１，２，３，４）

そして、レーザ光の焦点を走査させ、論理演算回路２２５（６２５）から出力される１つ目のパルスを検出する。この時点で、レーザ光の焦点は記録層４に位置している。その検出時点での論理演算回路２２５（６２５）における論理演算式を下記の式（１１）に示すように設定する（図１３中の論理演算出力信号Ｂ）。

・・・（１１）

このように設定すれば、引き続きレーザ光の焦点を走査させたときに、最初に論理演算回路２２５（６２５）からの出力信号レベルがＨｉｇｈになった時点での焦点位置が記録層３であると分かる。

次に、出力パルスをカウントすることによる本実施形態のフォーカスジャンプの動作を、図面を用いて説明する。図１４は、出力パルスをカウントしてフォーカスジャンプを行う場合を示すフローチャートである。なお、ここでの光ディスク装置は、図２に示す構成を有するものとする。

まず、フォーカスジャンプを行う前に合焦している記録層Ａをメモリ２２６から読み出し、フォーカスジャンプ先の目標の記録層Ｂを設定する（ステップＳ１４０１）。また、１つの反射率周期に存在する記録層数ｊを設定する（ステップＳ１４０２）。この記録層数ｊは、フォーカスジャンプ動作が発生する前に予め取得しておく必要がある。記録層数ｊを取得する方法としては、光ディスクの媒体情報記録領域を再生してデータを取得する方法や、または、最も大きな反射率の層の数を数える方法などがある。

次に、フォーカスジャンプ先の目標の記録層Ｂが、何番目の反射率周期の中の、何番目の層に該当するのかを設定する（ステップＳ１４０３）。なお、本実施形態では、反射率周期をｉｂとして、反射率周期中の該当する層をｊｂとして、それぞれ示す。また、該当する層を検出する演算式として、下記の式（１２）を設定する。
ｊｂ＝Ｂ−ｉｂ＊ｊ
・・・（１２）

さらに、論理演算回路２２５における演算式を、下記の式（１３）に示すように設定する（ステップＳ１４０４）。
ＯＵＴ＝ＲＦＯｊ
・・・（１３）
ＯＵＴ：論理演算出力信号
ＲＦＯｊ：基準電圧レベルｊのときのＲＦ振幅検出信号
基準電圧レベルｊは最も大きい反射率の層を検出するレベル

そして、レーザ光の焦点を、目標の記録層Ｂがある方向へ移動させる（ステップＳ１４０５）。さらに、論理演算回路２２５から出力されるパルス数をカウントして、フォーカスジャンプ先の目標の記録層Ｂが存在する反射率周期を検出する（ステップＳ１４０６）。このとき、反射率周期が検出されなかった場合には（ステップＳ１４０６／Ｎｏ）、再度、レーザ光の焦点を、目標の記録層Ｂがある方向へ移動させる。

一方、反射率周期が検出された場合には（ステップＳ１４０６／Ｙｅｓ）、論理演算回路２２５での演算式を下記の式（１４）に示すように設定する（ステップＳ１４０７）。

・・・（１４）
ｊｂ：反射率周期の中に存在する記録層数

そして、焦点を目標の記録層Ｂがある方向へ移動させる（ステップＳ１４０８）。さらに、論理演算回路２２５から出力されるパルスを検出して、フォーカスジャンプ先の目標の記録層Ｂを検出する（ステップＳ１４０９）。ここで、記録層Ｂを検出できなかった場合には（ステップＳ１４０９／Ｎｏ）、再度、レーザ光の焦点を、目標の記録層Ｂがある方向へ移動させる。

また、記録層Ｂが検出されると（ステップＳ１４０９／Ｙｅｓ）、フォーカス引き込みを実行する（ステップＳ１４１０）。その後、フォーカス引き込みを実行した記録層Ｂを、フォーカスジャンプ前の合焦記録層としてメモリに記憶して（ステップＳ１４１１）、フォーカスジャンプの動作を終了する。

以上、記録層の反射率が周期的に変化する構造の光ディスクにおいては、記録層を検出するためには、まず検出する記録層が存在する反射率周期を検出し、次に、該当する反射率周期の中での記録層を検出することとなる。本実施形態のように、ＲＦ振幅検出信号を生成する際の出力信号パルスを数えるパルスカウント手段を用いて、反射率周期の中で最も大きな反射率の記録層をカウントすることにより、反射率周期を検出することができる。

ＦＥ信号、および、ＲＦ信号の特性を示す図である。本実施形態における光情報記録装置の構成を示すブロック図である。本実施形態における、光ディスクと光ピックアップとの関係を模式的に示す図である。図３の光ディスクの各記録層を横切るようにレーザ光の焦点を走査させたときのＲＦ信号、各コンパレータから出力されるＲＦ振幅検出信号、および論理演算回路からの出力信号を示す図である。本実施形態のフォーカスジャンプの動作を示すフローチャートである。本実施形態において、ピークホールド回路を備えた光情報記録装置の構成を示すブロック図である。図３の光ディスクの各記録層を記録層１，記録層２，・・・，記録層ｎの順で横切るようにレーザ光の焦点を走査させた場合における、ＲＦ信号およびピークホールド回路からの出力信号レベルを示す図である。本実施形態のフォーカスジャンプの動作において、ピークホールド回路を設けた場合の基準電圧レベルの設定動作を示すフローチャートである。本実施形態のフォーカスジャンプの動作において、ピーク値から基準電圧レベルを決定する場合を示すフローチャートである。本実施形態の光ディスクにおいて、ある記録層を模式的に示す図である。本実施形態において、光ディスク内に記録層数データと反射率データとが記録されている場合での、基準電圧レベルの設定動作を示すフローチャートである。本実施形態における、光ディスクと光ピックアップとの関係を模式的に示す図である。図１２の光ディスクの各記録層を記録層１，記録層２，・・・，記録層ｎの順で横切るようにレーザ光の焦点を走査させた場合における、ＲＦ信号およびピークホールド回路からの出力信号レベルを示す図である。本実施形態において、出力パルスをカウントしてフォーカスジャンプを行う場合を示すフローチャートである。

符号の説明

２０１，６０１光ディスク
２０２，６０２スピンドルモータ
２０３，６０３モータドライバ
２０４，６０４光ピックアップ
２０５，６０５コントローラ
２０６，６０６レーザドライバ
２０７，６０７レーザダイオード
２０８，６０８ビームスプリッタ
２０９，６０９対物レンズ
２１０，６１０アクチュエータ
２１１，６１１集光レンズ
２１２，６１２ナイフエッジ
２１３，６１３フォトディテクタ
２１４，６１４Ｉ／Ｖ変換器
２１５，６１５ＦＥ信号生成回路
２１６，６１６ＲＦ信号生成回路
２１７，２１９，２２１，２２３，６１７，６１９，６２１，６２３コンパレータ
２１８，２２０，２２２，２２４，６１８，６２０，６２２，６２４Ｄ／Ａコンバータ
２２５，６２５論理演算回路
２２６，６２７メモリ
６２６ピークホールド回路

Claims

反射率の異なる複数の記録層を有する光情報記録媒体にレーザ光を照射して、該光情報記録媒体に記録、再生を行う光情報記録装置であって、
前記光情報記録媒体に前記レーザ光を照射して、前記光情報記録媒体の反射光を検出する反射光検出手段と、
前記反射光の有する信号からＲＦ信号を生成するＲＦ信号生成手段と、
前記ＲＦ信号の値と予め設定された基準となる電圧の値とを比較する比較手段と、
前記比較の結果を２値化されたＲＦ振幅検出信号として生成するＲＦ振幅検出信号生成手段と、
前記基準となる電圧を、前記ＲＦ振幅検出信号生成手段に対応する各記録層が有するそれぞれの前記反射率に応じて変化させる基準電圧可変手段と、
前記ＲＦ振幅検出信号に応じて変化させた前記基準となる電圧の値に基づき、前記レーザ光の焦点を目標となる前記記録層へ移動させる焦点移動手段と、
移動先の目標となる記録層の反射率と同等、若しくはそれ以下の反射率を有する前記記録層に対応する全ての前記ＲＦ振幅検出信号と、移動先の目標となる記録層の前記反射率よりも大きい反射率を有する前記記録層に対応する全ての前記ＲＦ振幅検出信号と、の論理積結果を、目標層検出信号として生成する目標層検出信号生成手段と、
を有し、
前記焦点移動手段は、前記レーザ光の焦点を目標となる前記記録層へ移動させる際には、前記光情報記録媒体が有する全ての記録層に対して焦点を移動させてレーザ光を照射し、前記基準となる電圧を設定することを特徴とする光情報記録装置。
前記ＲＦ振幅検出信号は、前記記録層が有する反射率の種類と同じ数だけ生成されることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録装置。
前記ＲＦ振幅検出信号生成手段は、
それぞれの反射率を有する各記録層とそれぞれ対応して、該反射率と同等、若しくはそれ以上の反射率を有する前記記録層に前記レーザ光の焦点が移動した場合には、パルスを発生させることを特徴とする請求項１又は２に記載の光情報記録装置。
前記目標層検出信号に前記パルスが発生した場合にのみ、前記レーザ光の焦点を目標となる前記記録層へ移動させることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の光情報記録装置。
前記目標となる記録層へ焦点を移動させる際には、前記光情報記録媒体が有する全ての記録層に対して焦点を移動させてレーザ光を照射し、各記録層の前記ＲＦ振幅検出信号におけるピーク値を検出するピーク値検出手段をさらに有し、
前記記録層のピーク値と該記録層に隣接する記録層のピーク値との間の値に、前記基準となる電圧を設定することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の情報記録装置。
反射率の異なる複数の記録層を有する光情報記録媒体にレーザ光を照射して、該光情報記録媒体に記録、再生を行う光情報記録装置の制御方法であって、
前記光情報記録媒体に前記レーザ光を照射して、前記光情報記録媒体の反射光を検出する反射光検出工程と、
前記反射光の有する信号からＲＦ信号を生成するＲＦ信号生成工程と、
前記ＲＦ信号の値と予め設定された基準となる電圧の値とを比較する比較工程と、
前記比較の結果を２値化されたＲＦ振幅検出信号として生成するＲＦ振幅検出信号生成工程と、
前記基準となる電圧を、前記ＲＦ振幅検出信号生成工程に対応する各記録層が有するそれぞれの前記反射率に応じて変化させる基準電圧可変工程と、
移動先の目標となる記録層の反射率と同等、若しくはそれ以下の反射率を有する前記記録層に対応する全ての前記ＲＦ振幅検出信号と、移動先の目標となる前記記録層の前記反射率よりも大きい反射率を有する前記記録層に対応する全ての前記ＲＦ振幅検出信号と、の論理積結果を、目標層検出信号として生成する目標層検出信号生成工程と、
前記ＲＦ振幅検出信号に応じて変化させた前記基準となる電圧の値に基づき、前記レーザ光の焦点を前記目標となる前記記録層へ移動させる焦点移動工程と、
を有し、
前記焦点移動工程は、前記レーザ光の焦点を目標となる前記記録層へ移動させる際には、前記光情報記録媒体が有する全ての記録層に対して焦点を移動させてレーザ光を照射し、前記基準となる電圧を設定することを特徴とする光情報記録装置の制御方法。
前記ＲＦ振幅検出信号は、前記記録層が有する反射率の種類と同じ数だけ生成されることを特徴とする請求項６に記載の光情報記録装置の制御方法。
前記ＲＦ振幅検出信号生成工程は、
それぞれの反射率を有する各記録層とそれぞれ対応して、該反射率と同等、若しくはそれ以上の反射率を有する前記記録層に前記レーザ光の焦点が移動した場合には、パルスを発生させることを特徴とする請求項６又は７に記載の光情報記録装置の制御方法。
前記目標層検出信号に前記パルスが発生した場合にのみ、前記レーザ光の焦点を目標となる前記記録層へ移動させる焦点移動決定工程をさらに有することを特徴とする請求項６から８のいずれか１項に記載の光情報記録装置の制御方法。
前記目標となる記録層へ焦点を移動させる際には、光情報記録媒体が有する全ての記録層に対して焦点を移動させてレーザ光を照射し、各記録層の前記ＲＦ振幅検出信号におけるピーク値を検出するピーク値検出工程をさらに有し、
前記レーザ光の焦点を目標となる前記記録層へ移動させる際には、
移動動作の前に、前記記録層のピーク値と該記録層に隣接する記録層のピーク値との間の値に、前記基準となる電圧を設定することを特徴とする請求項６から９のいずれか１項に記載の情報記録装置の制御方法。
反射率の異なる複数の記録層を有し、前記記録層が有する反射率と、該記録層に隣接する各記録層がそれぞれ有する前記反射率との差が一定の値である光情報記録媒体にレーザ光を照射して、該光情報記録媒体に記録、再生を行う光情報記録装置であって、
前記光情報記録媒体に前記レーザ光を照射して、前記光情報記録媒体の反射光を検出する反射光検出手段と、
前記反射光の有する信号からＲＦ信号を生成するＲＦ信号生成手段と、
前記ＲＦ信号の値と予め設定された基準となる電圧の値とを比較する比較手段と、
前記比較の結果を２値化されたＲＦ振幅検出信号として生成するＲＦ振幅検出信号生成手段と、
前記基準となる電圧を、前記ＲＦ振幅検出信号生成手段に対応する各記録層が有するそれぞれの前記反射率に応じて変化させる基準電圧可変手段と、
前記ＲＦ振幅検出信号に応じて変化させた前記基準となる電圧の値に基づき、前記レーザ光の焦点を目標となる前記記録層へ移動させる焦点移動手段と、
移動先の目標となる記録層の反射率と同等、若しくはそれ以下の反射率を有する前記記録層に対応する全ての前記ＲＦ振幅検出信号と、移動先の目標となる記録層の前記反射率よりも大きい反射率を有する前記記録層に対応する全ての前記ＲＦ振幅検出信号と、の論理積結果を、目標層検出信号として生成する目標層検出信号生成手段と、
を有し、
前記焦点移動手段は、前記レーザ光の焦点を目標となる前記記録層へ移動させる際には、前記光情報記録媒体が有する全ての記録層に対して焦点を移動させてレーザ光を照射し、前記基準となる電圧を設定することを特徴とする光情報記録装置。
反射率の異なる複数の記録層を有し、前記記録層の層数、及び、各記録層が有する反射率を記録領域内に記録されている光情報記録媒体にレーザ光を照射して、該光情報記録媒体に記録、再生を行う光情報記録装置であって、
前記光情報記録媒体に前記レーザ光を照射して、前記光情報記録媒体の反射光を検出する反射光検出手段と、
前記反射光の有する信号からＲＦ信号を生成するＲＦ信号生成手段と、
前記ＲＦ信号の値と予め設定された基準となる電圧の値とを比較する比較手段と、
前記比較の結果を２値化されたＲＦ振幅検出信号として生成するＲＦ振幅検出信号生成手段と、
前記基準となる電圧を、前記ＲＦ振幅検出信号生成手段に対応する各記録層が有するそれぞれの前記反射率に応じて変化させる基準電圧可変手段と、
前記ＲＦ振幅検出信号に応じて変化させた前記基準となる電圧の値に基づき、前記レーザ光の焦点を目標となる前記記録層へ移動させる焦点移動手段と、
移動先の目標となる記録層の反射率と同等、若しくはそれ以下の反射率を有する前記記録層に対応する全ての前記ＲＦ振幅検出信号と、移動先の目標となる記録層の前記反射率よりも大きい反射率を有する前記記録層に対応する全ての前記ＲＦ振幅検出信号と、の論理積結果を、目標層検出信号として生成する目標層検出信号生成手段と、
を有し、
前記焦点移動手段は、前記レーザ光の焦点を目標となる前記記録層へ移動させる際には、前記光情報記録媒体が有する全ての記録層に対して焦点を移動させてレーザ光を照射し、前記基準となる電圧を設定することを特徴とする光情報記録装置。
前記ＲＦ振幅検出信号は、前記記録層が有する反射率の種類と同じ数だけ生成されることを特徴とする請求項１２に記載の光情報記録装置。
反射率の異なる複数の記録層を有し、前記記録層の層数、及び、各記録層が有する反射率を記録領域内に記録されている光情報記録媒体にレーザ光を照射して、該光情報記録媒体に記録、再生を行う光情報記録装置であって、
前記光情報記録媒体に前記レーザ光を照射して、前記光情報記録媒体の反射光を検出する反射光検出手段と、
前記反射光の有する信号からＲＦ信号を生成するＲＦ信号生成手段と、
前記ＲＦ信号の値と予め設定された基準となる電圧の値とを比較する比較手段と、
前記比較の結果を２値化されたＲＦ振幅検出信号として生成するＲＦ振幅検出信号生成手段と、
前記基準となる電圧を、前記ＲＦ振幅検出信号生成手段に対応する各記録層が有するそれぞれの前記反射率に応じて変化させる基準電圧可変手段と、
前記ＲＦ振幅検出信号に応じて変化させた前記基準となる電圧の値に基づき、前記レーザ光の焦点を目標となる前記記録層へ移動させる焦点移動手段と、
移動先の目標となる記録層の反射率と同等、若しくはそれ以下の反射率を有する前記記録層に対応する全ての前記ＲＦ振幅検出信号と、移動先の目標となる記録層の前記反射率よりも大きい反射率を有する前記記録層に対応する全ての前記ＲＦ振幅検出信号と、の論理積結果を、目標層検出信号として生成する目標層検出信号生成手段と、
を有し、
前記焦点移動手段は、前記レーザ光の焦点を目標となる前記記録層へ移動させる際には、前記光情報記録媒体が有する全ての記録層に対して焦点を移動させてレーザ光を照射し、各記録層のＲＦ振幅検出信号におけるピーク値及び基準となる電圧を検出し、該ピーク値に基づいて、前記基準となる電圧を設定することを特徴とする光情報記録装置。
請求項１２に記載の光情報記録媒体を用いた光情報記録装置の制御方法であって、
目標となる記録層へ焦点を移動させる際には、前記光情報記録媒体が有する全ての記録層に対して焦点を移動させてレーザ光を照射し、各記録層のＲＦ振幅検出信号におけるピーク値を検出するピーク値検出工程と、
前記ピーク値検出工程で検出した前記ピーク値に基づいて、基準となる電圧を設定する工程と、
を有することを特徴とする請求項１２に記載の光情報記録装置の制御方法。
複数の記録層を有する光情報記録媒体にレーザ光を照射して、該光情報記録媒体に記録、再生を行う光情報記録装置であって、
前記光情報記録媒体は、前記複数の記録層は異なる反射率を有し、隣接する前記記録層の前記反射率が異なり、前記光情報記録媒体における表面の記録層の前記反射率から、裏面の記録層の前記反射率までの変化が周期性を有し、
前記光情報記録媒体に前記レーザ光を照射して、前記光情報記録媒体の反射光を検出する反射光検出手段と、
前記反射光の有する信号からＲＦ信号を生成するＲＦ信号生成手段と、
前記ＲＦ信号の値と予め設定された基準となる電圧の値とを比較する比較手段と、
前記比較の結果を２値化されたＲＦ振幅検出信号として生成するＲＦ振幅検出信号生成手段と、
前記基準となる電圧を、前記ＲＦ振幅検出信号生成手段に対応する各記録層が有するそれぞれの前記反射率に応じて変化させる基準電圧可変手段と、
前記ＲＦ振幅検出信号に応じて変化させた前記基準となる電圧の値に基づき、前記レーザ光の焦点を目標となる前記記録層へ移動させる焦点移動手段と、
移動先の目標となる記録層の反射率と同等、若しくはそれ以下の反射率を有する前記記録層に対応する全ての前記ＲＦ振幅検出信号と、移動先の目標となる記録層の前記反射率よりも大きい反射率を有する前記記録層に対応する全ての前記ＲＦ振幅検出信号と、の論理積結果を、目標層検出信号として生成する目標層検出信号生成手段と、
を有し、
前記焦点移動手段は、前記レーザ光の焦点を目標となる前記記録層へ移動させる際には、前記光情報記録媒体が有する全ての記録層に対して焦点を移動させてレーザ光を照射し、前記基準となる電圧を設定することを特徴とする光情報記録装置。
ＲＦ信号の値と予め設定された基準となる電圧の値とを比較して、その結果を２値化されたＲＦ振幅検出信号として生成するＲＦ振幅検出信号生成手段と、
前記ＲＦ振幅検出信号がそれぞれの反射率を有する各記録層と対応して、該反射率と同等、若しくはそれ以上の反射率を有する記録層にレーザ光の焦点が移動した場合には、パルスを発生させる手段と、
前記パルスの発生回数を数えるパルスカウント手段と、
を有し、
前記焦点移動手段は、前記パルスの発生回数に基づいて、前記レーザ光の焦点を目標となる記録層へ移動させることを特徴とする請求項１６に記載の光情報記録装置。
請求項１６に記載の光情報記録装置の制御方法であって、
ＲＦ信号の値と予め設定された基準となる電圧の値とを比較して、その結果を２値化されたＲＦ振幅検出信号として生成するＲＦ振幅検出信号生成工程と、
前記ＲＦ振幅検出信号がそれぞれの反射率を有する各記録層と対応して、該反射率と同等、若しくはそれ以上の反射率を有する記録層にレーザ光の焦点が移動した場合には、パルスを発生させる工程と、
前記パルスの発生回数を数えるパルスカウント工程と、
前記パルスの発生回数に基づいて、前記レーザ光の焦点を目標となる記録層へ移動させる工程と、
を有することを特徴とする請求項１６に記載の光情報記録装置の制御方法。