JP4830598B2 - パターンの形成方法及びデバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
また本発明は、近接場光を用いたパターンの形成方法であって、露光光を透過可能な基板の一方の面上に、第1の幅を有する複数の第1開口および該第1の幅よりも大きい第2の幅を有する複数のライン部を含むラインアンドスペースパターンである第1パターンを第1材料で形成する第1工程と、前記第1パターンが形成された前記基板の一方の面上に、ネガ型のレジストの膜を形成する第2工程と、前記基板の他方の面から前記基板に露光光を照射して、前記第1開口近傍に形成された近接場光で前記レジストの膜を露光することによって、前記基板の一方の面上に前記第1パターンに応じた第2パターンを前記レジストで形成する第3工程と、前記レジストで形成された前記第2パターンをマスクとして前記基板の一方の面上の前記第1材料の一部をエッチング処理して除去することによって、前記基板の一方の面上に、前記第1、第2パターンに応じた第3パターンを形成する第4工程と、を含み、前記第1開口は、前記ラインアンドスペースパターンのスペース部分を含み、前記ラインアンドスペースパターンの長手方向を第1方向としたとき、前記第1の幅は、前記第1開口の前記第1方向と直交する方向の幅であり、
前記第4工程では、前記エッチング処理により、前記基板の一方の面上に形成された前記第1材料の膜に、複数の前記第1開口とは別の第2開口を互いに隣り合う2つの前記第1開口の間に形成することにより、周期が一定のラインアンドスペースパターンである前記第3パターンを形成するパターンの形成方法を提供する。
第1実施形態について説明する。図1は、本実施形態に係るパターンの形成方法を示すフローチャート図である。図1に示すように、本実施形態に係る形成方法は、近接場光を用いたパターンの形成方法であって、露光光を透過可能な基板の一方の面上に、第1開口を含む第1パターンを第1材料で形成する工程(ステップS1)と、第1パターンが形成された基板の一方の面上に、レジストの膜を形成する工程(ステップS2)と、基板の他方の面から基板に露光光を照射して、第1開口近傍に形成された近接場光でレジストの膜を露光する工程(ステップS3)と、露光されたレジストを現像処理して、基板の一方の面上に第1パターンに応じた第2パターンをレジストで形成する工程(ステップS4)と、レジストで形成された第2パターンを用いて基板の一方の面上の第1材料の一部をエッチング処理で除去することによって、基板の一方の面上に形成された第1材料の膜に第1開口とは別の第2開口を形成する工程(ステップS5)と、レジストを除去することによって、基板の一方の面上に、第1、第2パターンに応じた第3パターンを第1材料で形成する工程(ステップS6)とを含む。
ライン部2Lの幅H2が112nm、スペース部2Sの幅H1が28nmである第1パターンPA1を用いた場合の近接場光が形成される感光領域をシミュレーション実験により確認した。図8(A)は、シミュレーション対象をモデル化した図である。シミュレーション条件として、露光光5の波長を365nmとし、基板(ガラス基板)1の屈折率n=1.5、第1材料(アルミニウム)2の屈折率n=0.35、消衰係数k=3.29、厚み40nm、レジスト3の屈折率n=1.6とした。
次に、第2実施形態について、図9〜図15の模式図を参照して説明する。以下の説明において、上述の第1実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
ライン部2Lの幅H2が112nm、スペース部2Sの幅H1が28nmである第1パターンPA1を用いた場合の近接場光が形成される感光領域をシミュレーション実験により確認した。図16(A)は、シミュレーション対象をモデル化した図である。シミュレーション条件として、露光光5の波長を365nmとし、基板(ガラス基板)1の屈折率n=1.5、第1材料(アルミニウム)2の屈折率n=0.35、消衰係数k=3.29、厚み40nm、第2材料(二酸化珪素)4の屈折率n=1.5、厚み10nm、レジスト3の屈折率n=1.6とした。
次に、第3実施形態について説明する。上述の第1、第2実施形態で説明したパターンの形成方法を用いて、金属パターンを備えたデバイスを製造することができる。そのようなデバイスとしては、例えば特表2003−502708号公報、特開2004−177904号公報等に開示されているような、ワイヤーグリッド偏光板が挙げられる。ワイヤーグリット偏光板は、所定のピッチを有するラインアンドスペースパターン(グリッドパターン)を有し、例えば液晶装置の偏光板として用いられる。ワイヤーグリット偏光板は、無偏光状態(ランダム偏光状態)の光を、直線偏光状態の光に変換する。このワイヤーグリット偏光板においては、グリッドパターンのピッチを狭めれば狭めるほど、良好な光学特性(高い透過率及び高いコントラスト)が得られる。したがって、上述の第1、第2実施形態で説明したパターンの形成方法によって、第1材料2の第3パターンPA3を形成することで、基板1上には、狭いピッチを有するグリッドパターン(第3パターンPA3)を形成することができる。
Claims (7)
- 近接場光を用いたパターンの形成方法であって、
露光光を透過可能な基板の一方の面上に、第1の幅を有する複数の第1開口および該第1の幅よりも大きい第2の幅を有する複数のライン部を含むラインアンドスペースパターンである第1パターンを第1材料で形成する第1工程と、
前記第1パターンが形成された前記基板の一方の面上に、ネガ型のレジストの膜を形成する第2工程と、
前記基板の他方の面から前記基板に露光光を照射して、前記第1開口近傍に形成された近接場光で前記レジストの膜を露光することによって、前記基板の一方の面上に前記第1パターンに応じた第2パターンを前記レジストで形成する第3工程と、
前記レジストで形成された前記第2パターンをマスクとして前記基板の一方の面上の前記第1材料の一部をエッチング処理して除去することによって、前記基板の一方の面上に、前記第1、第2パターンに応じた第3パターンを形成する第4工程と、を含み、
前記第1開口は、前記ラインアンドスペースパターンのスペース部分を含み、
前記ラインアンドスペースパターンの長手方向を第1方向としたとき、前記第1の幅は、前記第1開口の前記第1方向と直交する方向の幅であり、
前記第4工程では、前記エッチング処理により、前記基板の一方の面上に形成された前記第1材料の膜に、複数の前記第1開口とは別の第2開口を互いに隣り合う2つの前記第1開口の間に形成することにより、周期が一定のラインアンドスペースパターンである前記第3パターンを形成することを特徴とするパターンの形成方法。 - 前記第1の幅は前記露光光の波長以下であり、
前記露光光は、前記第1方向を偏光方向とする直線偏光状態の光を主成分とする請求項1記載の形成方法。 - 前記第3工程は、前記近接場光で露光された露光部分以外の未露光部分を除去する現像工程を含み、
前記第2パターンは、前記露光部分で形成される請求項1又は2記載の形成方法。 - 前記基板の一方の面上に形成された前記第1材料の膜の少なくとも一部を該第1材料とは異なる第2材料の膜で覆う工程を含み、
少なくとも前記第4工程は、前記第1材料の膜の少なくとも一部を前記第2材料の膜で覆った状態で実行される請求項1〜3のいずれか一項記載の形成方法。 - 前記第1材料は、金属を含み、
前記第2材料は、無機材料の酸化物を含む請求項4記載の形成方法。 - 前記第3工程において、前記基板に照射する前記露光光の偏光状態を調整して、前記レジストで形成される前記第2パターンの形状を調整する請求項1〜5のいずれか一項記載の形成方法。
- 金属パターンを備えたデバイスの製造方法であって、
前記金属パターンを、請求項1〜請求項6のいずれか一項記載の形成方法を用いて形成するデバイスの製造方法。
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