JP4825999B2 - 半導体記憶装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば6トランジスタ構成のSRAM(Static Random Access Memory ;スタティック・ランダム・アクセス・メモリ)セル等、メモリセルがCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)構成である半導体記憶装置に係り、特に、ワード線を各ワードトランジスタ毎に分離して配置したスプリットワード線(Split Word Line) 型SRAMに好適な半導体記憶装置およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
SRAMセルは、一般に、フリップフロップと、ワード線の印加電圧に応じて導通/非導通が制御されフリップフロップの2つの記憶ノードそれぞれをビット線に接続するか否かを決める2つのトランジスタ(ワードトランジスタ)とから構成されている。フリップフロップは2つのインバータにより構成されており、各インバータの入力端と出力端とは、2つのノード配線(記憶ノード−ゲート電極間配線)により交差してビット線に接続される。
【0003】
このSRAMセルは、フリップフロップの負荷素子の違いによりMOSトランジスタ負荷型と高抵抗負荷型との2種類に大別できる。このうちMOSトランジスタ負荷型は、6つのトランジスタを有する構成となっており、負荷トランジスタの種類に応じてpチャネル型のMOSトランジスタ(以下、pMOSという)負荷型、TFT(Thin Film Transistor)負荷型が知られている。
【0004】
また、近年、ワード線を各ワードトランジスタ毎に分離して配置した、所謂スプリットワード線(Split Word Line) 型のSRAMセルが提案されている(「A LOW COST MICROPROCESSOR COMPATIBLE, 18.4μm2,6-T BULK CELL TECHNOLOGY FOR HIGH SPEED SRAMS. VLSI Symposium Report,PP65-66,1993」)。この文献に記載されたスプリットワード線型のSRAMセルは、n型の駆動トランジスタを直列接続し、その両端のそれぞれにワード線を直交させてワードトランジスタを配置したものである。
【0005】
このようなSRAMセルを形成する場合、最も微小なセルサイズを実現するためには、露光装置の限界となるパターンデザインを用いることになる。すなわち、従来のSRAMセルにおいては、交差する2つのノード配線を同時にパターニングしていたが、この場合、2つのノード配線間の間隔は、露光装置の現像限界能力で決定されることになり、そのためそれ以上のセルサイズの縮小は困難であった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
上述のような問題を解消するものの1つとして、SRAMセルのノード配線を2回に分けてレジストパターニングする技術が提案されている(M.Ishida et al,IEDM Tech.Dig.,P201(1998))。この技術は、例えば図31に示した2つのノード配線R161b,S161aをそれぞれ異なる工程で形成するものである。この方法では、従来の単一なフォトマスクを用いて一度にノード配線を形成する技術に比較して、フォトマスク上のノード配線パターンはピッチが緩和される分だけ間隔を狭めることができ、2つのノード配線間の離間スペースを露光装置の現像限界に依存することなく狭くすることが可能になる。
【0007】
ところで、この種のSRAMセルでは、ビット線等に接続されるコンタクト(接続孔)上にランディングパッド層を孤立パターンとして設けることが望ましい。このランディングパッド層は、次の上層プラグを埋め込むコンタクトを形成する際に多少の合わせずれがあっても、プラグ間抵抗値を増大させないために設けられるものであり、工程の簡略化のためには、ノード配線と同一の階層(すなわち、同一の工程)で形成できることが望ましい。
【0008】
しかしながら、上述した従来のレジストパターニングにおいては、いずれもノード配線と上記コンタクトとの間の距離が狭かったために、ノード配線層と同一の階層においてランディングパッド層を形成できる程度のスペースがなかった。また、図31に示したように、従来では、メモリセルが全て同じ向きで連続するようにパターンを形成していた。このため、たとえノード配線を2回に分けてパターニングするとしても、ランディングパッド層は2つのノード配線のどちらにも同様に近接した配置となり、ノード配線とランディングパッド層とを同一の階層(すなわち、同一の工程)において形成することが困難であった。
【0009】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第1の目的は、各メモリセルにおいて、接地線、電源線およびビット線へと繋がるコンタクトに対してランディングパッド層をノード配線と同一の階層に備えており、コンタクトを形成する際に多少の合わせずれがあっても対応でき、製造工程が簡略化されると共に高集積化が可能な半導体記憶装置を提供することにある。
【0010】
また、本発明の第2の目的は、ノード配線と共に、接地線、電源線およびビット線へと繋がるコンタクトに対するランディングパッド層を、ノード配線と同じ階層に容易に形成することができ、製造工程を簡略化できると共に、高集積化を可能とする半導体記憶装置の製造方法を提供することにある。
【0011】
本発明による半導体記憶装置は、第1の電源電圧を供給する第1の電源電圧供給線と第2の電源電圧を供給する第2の電源電圧供給線との間に直列接続されてゲートが共通に接続された第1の導電型の駆動トランジスタと第2の導電型の負荷トランジスタとからそれぞれが構成され、入力端と出力端とが第1のノード配線および第2のノード配線により交差して接続された2つのインバータを、メモリセル毎に有するものにおいて、第1のノード配線および第2のノード配線は、互いにかみ合うように配置された略C字形状の同一パターンを有し、第1のノード配線および第2のノード配線と同じ階層に、第1の電源電圧供給線,第2の電源電圧供給線、およびビット線それぞれに対応するコンタクト上の第1の導電膜および第2の導電膜を有し、第1の導電膜および第2の導電膜は、第1のノード配線および第2のノード配線と、同一の導電材料からなると共に同一の膜厚を有し、第1の導電膜は、各メモリセルの4辺のうち第1のノード配線に近接している2辺以外の2辺上に、第2の導電膜は、各メモリセルの4辺のうち第2のノード配線に近接している2辺以外の2辺上にそれぞれ配置され、第1のノード配線と第2のノード配線との間の離間スペースが露光装置の解像度限界以下であり、いずれの方向に隣接する2つのメモリセル間においても、第1のノード配線および第1の導電膜、並びに、第2のノード配線および第2の導電膜それぞれのパターンの位置が、互いにセルの中心を対称軸とした180°の回転対称または互いに鏡面対称の関係にあるものである。
【0012】
本発明による半導体記憶装置の製造方法は、第1のノード配線および第2のノード配線並びに第1の導電膜および第2の導電膜となる導電膜を形成した後、この導電膜上にこの導電膜よりもエッチング速度が遅い膜を全面に形成する工程と、略C字形状の第1のノード配線のレジストパターンおよび各メモリセルの4辺のうち第1のノード配線に近接している2辺以外の2辺上に配置された第1の導電膜のレジストパターンによってエッチング速度が遅い膜を加工してエッチングマスク層を形成する工程と、エッチングマスク層によって直下の導電膜を保護しながら、第1のノード配線と同一形状、かつ互いにかみ合うように配置された第2のノード配線のレジストパターンおよび各メモリセルの4辺のうち第2のノード配線に近接している2辺以外の2辺上に配置された第2の導電膜のレジストパターンによって導電膜を加工する工程とを含み、いずれの方向に隣接する2つのメモリセル間においても、第1のノード配線および第1の導電膜、並びに、第2のノード配線および第2の導電膜それぞれのパターンの位置が、互いにセルの中心を対称軸とした180°の回転対称または互いに鏡面対称の関係となるように形成するものである。
【0013】
本発明による半導体記憶装置では、2つのノード配線のそれぞれのパターンが、隣り合うセル間において、すなわち上下左右のいずれの方向においても、互いに異なる向きに配置されているため、特に、2つのノード配線をそれぞれ略C字形状の同一パターンに形成し、かつ、これら2つの略C字形状のパターンを互いにかみ合うように配置することによって、2つのノード配線と同じ階層に、ノード配線と同一の導電材料により形成されたランディングパッド層を有する構成とすることができる。
【0014】
本発明による半導体記憶装置の製造方法では、第1および第2のノード配線が2回のパターニング工程により別々に形成されるため、ノード配線パターンはピッチが緩和される分だけ間隔を狭くすることが可能になると共に、第1のランディングパッド層および第2のランディングパッド層が、第1および第2のノード配線と同一の導電膜により形成される。特に、第1のノード配線のパターンを略C字形状に形成すると共に、第1のランディングパッド層を各メモリセルの4辺のうち第1のノード配線に近接している2辺以外の2辺上にそれぞれ配置し、かつ、第1のノード配線および第1のランディングパッド層のパターン配置を隣り合うセル間においては互いに向きが異なるように配置して、更に、第2のノード配線のパターンを第1のノード配線とかみ合う向きの略C字形状に形成すると共に、第2のランディングパッド層を各メモリセルの4辺のうち第2のノード配線に近接している2辺以外の2辺上にそれぞれ配置し、かつ第2のノード配線および第2のランディングパッド層のパターン配置を隣接するセル間においては互いに向きが異なるように配置することにより、第1のランディングパッド層および第2のランディングパッド層を余裕をもって形成することができる。
【0015】
ちなみに、上下、左右のどちらか一方向に対してのみセルパターンの向きが異なるようにした場合には、従来の全てのセルパターンの向きを同じにした場合と同様に、ランディングパッド層が2つのノード配線のどちらにも近接することになり、ランディングパッド層をノード配線と同一の工程で形成することが困難である。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【0017】
[第1の実施の形態]
図1は、本発明に係る6トランジスタ構成のスプリットワード線型pMOS負荷型SRAMセルの回路構成を表すものである。
【0018】
このpMOS負荷型SRAMセルは、nチャネル型のMOSトランジスタ(以下、nMOSという)Qn1,Qn2、pチャネル型のMOSトランジスタ(以下、pMOSという)Qp1,Qp2を備えている。nMOSQn1,Qn2はそれぞれ駆動トランジスタ、pMOSQp1,Qp2はそれぞれ負荷トランジスタとして作用するものである。これらpMOSQp1,Qp2およびnMOSQn1,Qn2によって、入力端が互いに交叉して一方の入力端が他方の出力端に接続され、他方の入力端が一方の出力端に接続された、2つのインバータ(フリップフロップ)が構成されている。
【0019】
また、nMOSQn3とQn4は、ワード線WL1,WL2の印加電圧に応じて各インバータの接続点(記憶ノードND1,ND2)をビット線BL1,BL2に接続するか否かを制御するワードトランジスタを示す。このセル構成は一般的であり、ここでは、これ以上の詳細な接続関係の説明は省略する。
【0020】
このpMOS負荷型のSRAMセルでは、片側のビット線BL1を高電位にするようにして、ワードトランジスタQn3,Qn4のゲートにワード線WL1,WL2を介して所定電圧を印加することで両トランジスタQn3,Qn4をオンさせ、記憶ノードND1,ND2に電荷を蓄積する。片側の記憶ノードが「H(ハイ)」になると、フリップフロップ構成の特徴として、もう一方の記憶ノードが「L(ロー)」になるように、駆動トランジスタQn1,Qn2および負荷トランジスタQp1,Qp2が動作する。たとえば、記憶ノードND1が「H」,記憶ノードND2が「L」の場合は、トランジスタQn2とQp1がオン状態、トランジスタQn1とQp2がオフ状態をとり、記憶ノードND1が電源電圧Vccの供給線から電荷の供給を受け、記憶ノードND2が接地電位に保持され続ける。逆に、ビット線BL1電位が「L」のときワードトランジスタQn3がオンすることによって記憶ノードND1が強制的に”L”に移行するか、ビット線BL2電位が「H」のときにワードトランジスタQn4がオンすることによって記憶ノードND2が強制的に「H」に移行すると、トランジスタQn1,Qn2,Qp1,Qp2が全て反転し、記憶ノードND2が電源電圧Vccの供給線から電荷の供給を受け、記憶ノードND1が接地電位に保持されるようになる。このように、電荷保持をフリップフロップで行うことで、電荷を静的に記憶ノードND1,ND2に保持し、その電位が「L」であるか「H」であるかを、それぞれ「0」と「1」のデータに対応させて、このデータをセル内の6つのトランジスタで記憶させることができる。
【0021】
図2(A)は、本実施の形態に係るスプリットワード線型のSRAMセルの基本パターンの構成を表すものである。このSRAMセル10は、p型能動領域13およびn型能動領域14、図1に示したワードトランジスタQn3またはQn4のゲート電極をそれぞれ兼用する2本のワード線21a,21b(WL1,WL2)、駆動トランジスタQn1と負荷トランジスタQp1のゲート電極を兼用する共通ゲート線22a(GL1),および駆動トランジスタQn2と負荷トランジスタQp2のゲート電極を兼用する共通ゲート線22b(GL2)を備えている。p型能動領域13とn型能動領域14とは、駆動トランジスタおよび負荷トランジスタの各チャネル電流方向が各メモリセル内で互いに平行となるように配置されている。
【0022】
2本のワード線21a,21bは互いに平行に配置され、かつ、p型能動領域13に対しその両端付近でそれぞれ直交している。また、共通ゲート線22a,22bは、ワード線21a,21bの間において、p型能動領域13,n型能動領域14の双方に対し直交している。また、共通ゲート線22a,22bは、ワード線21a,21bと共に等間隔となるように互いに平行に配線されている。
【0023】
次に、図2ないし図14を参照して、上記基本パターンを有するスプリットワード線型のSRAMの製造過程を説明する。ここで、各図において、(A)はSRAMセルの平面パターン、(B)は(A)に示した切断線に沿った断面構成を示している。なお、各図の(B)においては基板内の不純物領域についての図示は省略されている。
【0024】
本実施の形態では、まず、図2(A),(B)に示したように、各メモリセル10において、p型ウェル領域とn型ウェル領域(図示せず)が形成されたシリコンウェハ等の半導体基板11の表面側に、例えばLOCOS(Local Oxidation of Silicon),トレンチ等にて素子分離領域12を形成する。これにより、素子分離領域12が形成されていないp型ウェル領域の表面領域が、n型MOSのチャネルが形成されるp型能動領域13となり、素子分離領域12が形成されていないn型ウェル領域の表面領域が、pMOSのチャネルが形成されるn型能動領域14となる。この2つの能動領域13,14がそれぞれ矩形パターンを有し、互いに平行に形成される。
【0025】
次に、必要に応じてしきい値電圧制御用、チャネルストッパ用のイオン注入を行った後、全面にゲート酸化膜23,配線層24,オフセット絶縁膜25を順次成膜する。配線層24は、例えばポリシリコン膜とWSix(タングステンシリサイド)膜からなり、ゲート酸化膜23およびオフセット絶縁膜25は酸化シリコンにより形成される。ポリシリコン膜は、その成膜時または成膜後に不純物を導入して導電化される。
【0026】
続いて、ゲート電極パターンを用いて、オフセット絶縁膜25,配線層24,およびゲート酸化膜23を連続して加工する。これにより、ワードトランジスタQn3またはQn4のゲート電極をそれぞれ兼用する2本のワード線21a,21b(WL1,WL2)、駆動トランジスタQn1と負荷トランジスタQp1のゲート電極を兼用する共通ゲート線22a(GL1),および駆動トランジスタQn2と負荷トランジスタQp2のゲート電極を兼用する共通ゲート線22b(GL2)が同時に形成される。
【0027】
2本のワード線21a,21bはそれぞれp型能動領域13の両端付近で直交し、互いに平行に配線される。また、共通ゲート線22a,22bはワード線21a,21b間において、p型能動領域13,n型能動領域14の双方に対し直交し、ワード線21a,21bと共に等間隔となるように互いに平行に配線される。ワード線21a,21bおよび共通ゲート線22a,22bはそれぞれ矩形状にパターニングされる。
【0028】
次に、公知のトランジスタ形成プロセスにより、各トランジスタのソースおよびドレインとなる不純物領域を形成する。これにより、ビット線が接続される拡散層領域31a,31bと、接地線が接続される拡散層領域32と、電源線Vccが接続される拡散層領域33と、n型記憶ノードとなる拡散層領域34a,34bと、p型記憶ノードとなる拡散層領域35a,35bとが形成される(図2(A))。すなわち、p型能動領域13に、ワードトランジスタQn3,駆動トランジスタQn1,駆動トランジスタQn2およびワードトランジスタQn4が直列接続した状態で同時に形成され、また、n型能動領域14には負荷トランジスタQp1,Qp2が直列接続した状態で同時に形成される。なお、図15はこの工程におけるSRAM全体の平面構成を表している。
【0029】
次に、図3(A),(B)に示したように、第1の層間絶縁膜27を全面に成膜し、必要に応じて表面を平坦化する。
【0030】
続いて、ビット線が接続される拡散層領域31a,31bに、隣接するメモリセル同士で共有する形で、ビット線コンタクト41a,41bを形成する。更に、接地線が接続される拡散層領域32に、接地線コンタクト42を、電源線が接続される拡散層領域33に、電源線コンタクト43を、n型記憶ノードとなる拡散層領域34a,34bに、n型記憶ノードコンタクト44a,44bを、p型記憶ノードとなる拡散層領域35a,35bに、p型記憶ノードコンタクト45a,45bをそれぞれ形成する。
【0031】
なお、これらコンタクト41a,41b,〜45a,45bは、従来の整合コンタクト(Aligned Contact)または自己整合コンタクト(Self Aligned Contact)法により形成する。何れのコンタクトの形成工程においても、レジストパターンをフォトリソグラフィにより形成した後、このレジストパターンをマスクに第1の層間絶縁膜27の異方性エッチングを行う。
【0032】
更に、共通ゲート線22a,22b上に、n型記憶ノード34a,34bおよびp型記憶ノード35a,35bと接続するためのゲート電極コンタクト46a,46bを形成する。なお、図16はこの工程におけるSRAM全体の平面構成を表している。
【0033】
次に、図4(A),(B)に示したように、第1の層間絶縁膜27上に、第2の層間絶縁膜50を形成する。続いて、この第2の層間絶縁膜50のビット線コンタクト41a,41bに対応する位置にビット線コンタクト51a,51bを形成する。更に、接地線コンタクト42上に接地線コンタクト52を、電源線コンタクト43上に電源線コンタクト53を、n型記憶ノードコンタクト44a,44b上に記憶ノードコンタクト54a,54bを、p型記憶ノードコンタクト45a,45b上に記憶ノードコンタクト55a,55bをそれぞれ形成する。また、ゲート電極コンタクト46a,46b上にゲート電極コンタクト56a,56bをそれぞれ形成する。これらのコンタクト41a,41b,〜56a,56bは、従来のコンタクト形成プロセスによって形成することができる。なお、図17はこの工程におけるSRAM全体の平面構成を表している。
【0034】
次に、図5(A),(B)に示したように、第2の層間絶縁膜50上に、ノード配線のための導電膜61を形成する。導電膜61は、例えば膜厚50〜200nm程度のTi(チタン)若しくは類似の金属を用い、従来の半導体配線プロセスにて形成する。続いて、この導電膜61の上に、この導電膜61をエッチング時に保護するためにエッチング保護膜62を形成する。例えば導電膜61が金属配線である場合には、金属配線のエッチング中にエッチングされにくい、例えば二酸化珪素(SiO2 )系、有機物系若しくはこれらに類する膜を用いる。このように、ノード配線のために、下層の導電膜61と上層のエッチング保護膜62との2層構造とするのは、後述のように、2つのノード配線をフォトリソグラフィー加工技術を用いて形成し、2つのノード配線間の離間スペースを露光装置の解像限度以下に狭くするためである。
【0035】
エッチング保護膜62を形成した後、レジストパターンR61aを形成する。このレジストパターンR61aは、SRAMセルの片側のノード配線、すなわち、前述のn型記憶ノードコンタクト54bとp型記憶ノードコンタクト55bとゲート電極コンタクト56aとを接続するための、後述のノード配線61a(図10)を形成するためのものである。レジストパターンR61aは例えばC字形状に形成されている。本実施の形態では、このレジストパターンR61aと同時に、後述のランディングパッド層を形成するための2つのレジストパターンR63a,R63aを形成する。ここで、一方のレジストパターンR63aは前述のビット線コンタクト51aに対応する位置、他方のレジストパターンR63aは前述の接地線コンタクト52に対応する位置にそれぞれ形成されている。なお、レジストパターンR63aは、ランディングパッド層としてパターンニング時の位置ずれに対応できるように各コンタクトよりも広い面積とする。
【0036】
図18はこの工程におけるSRAM全体の平面構成を表している。この図において、ランディングパッド用のレジストパターンR63aは、隣え合うメモリセル間で共有されるように設けられている。ここでは、1つのメモリセルを構成する1つのレジストパターンR61aと2つのレジストパターンR63aとをパターンの1単位とみなすと、レジストパターンR61aと2つのレジストパターンR63aを含んだセルは、図の左右方向(ビット線に沿った方向)では、隣接するセル間において互いに180°の回転対称となるような位置関係を有している。一方、セルの、図の上下方向(ワード線に沿った方向)では、隣え合うセル間において鏡面対称となるように、つまり、交互に折り返したパターンとなるように形成されている。すなわち、本実施の形態では、略C字形状のレジストパターンR61aは、全てのメモリセルにおいて向きを同じにするのではなく、上下左右の隣り合うセル間において、向きが互いに異なるように配置されている。
【0037】
ちなみに、上下、左右のどちらか一方向に対してのみセルパターンの向きが異なるようにした場合には、従来の全てのセルパターンの向きを同じにした場合と同様に、ランディングパッド層が2つのノード配線のどちらにも近接することになり、ランディングパッド層をノード配線と同一の工程で形成することが困難である。よって、本実施の形態では、上述のようにセルパターンの向きを上下左右の両方向ともに変化させている。
【0038】
次に、図6(A),(B)に示したように、これらレジストパターンR61a,R63a,R63aをマスクとしてエッチング保護膜62をエッチングする。ここで、エッチング保護膜62は上述のように二酸化珪素(SiO2 )系、有機物系若しくはこれらに類する膜であるため、エッチング保護膜62のエッチングは導電膜61の上で止まり、導電膜61自体はエッチングされることはない。なお、図19はこの工程におけるSRAM全体の平面構成を表している。
【0039】
続いて、レジストパターンR61a,R63a,R63aを除去すると、図7(A),(B)に示したように、ノード配線の保護膜パターンS61aおよびランディングパッド層の保護膜パターンS63aが形成される。図20はこの工程におけるSRAM全体の平面構成を表している。
【0040】
このようにSRAMセルの片側のノード配線の保護膜パターンS61aおよびランディングパッド層の保護膜パターンS63aを形成した後、図8(A),(B)に示したように、今度は、残るもう一方のレジストパターンR61bを形成する。このレジストパターンR61bは、もう一方のノード配線、すなわち前述のn型記憶ノードコンタクト54aとp型記憶ノードコンタクト55aとゲート電極コンタクト56bとを接続するための、後述のノード配線61b(図10)を形成するためのものである。レジストパターンR61bは、レジストパターンR61aと同様にC字形状に形成されているが、各セルにおいて、保護膜パターンS61aとかみ合みあうような向きに配置されている。本実施の形態では、このレジストパターンR61bと同時に、後述のランディングパッド層を形成するための2つのレジストパターンR63bを形成する。ここで、一方のレジストパターンR63bは前述のビット線コンタクト51bに対応する位置、他方のレジストパターンR63bは前述の電源線コンタクト52に対応する位置にそれぞれ形成されている。レジストパターンR63bも、レジストパターンR63aと同様に、ランディングパッド層として、パターンニング時の位置ずれに対応できるように各コンタクトよりも広い面積のものとする。
【0041】
図21は、この工程におけるSRAM全体の平面構成を表している。レジストパターンR63bは隣り合うメモリセル間で共有されるように設けられている。また、前述のレジストパターンR61a,R63aと同様に、1つのメモリセルを構成する1つのレジストパターンR61bと2つのレジストパターンR63bとを1単位とみなすと、これらレジストパターンR61a,R63a,R63aを含んだセルもまた、上下左右に隣り合うセル間において向きが互いに異なるように配置される。
【0042】
次に、図9(A),(B)に示したように、これらレジストパターンR61b,R63b、および前述のノード配線の保護膜パターンS61aおよびランディングパッド層の保護膜パターンS63aをマスクとしてエッチングを行なって導電膜61を選択的に除去する。図22はこの工程におけるSRAM全体の平面構成を表している。
【0043】
続いて、レジストパターンR61b,R63bを除去すると、図10(A),(B)に示したように、n型記憶ノードコンタクト54bとp型記憶ノードコンタクト55bとゲート電極コンタクト56aとを接続するためのノード配線61a、およびn型記憶ノードコンタクト54aとp型記憶ノードコンタクト55aとゲート電極コンタクト56bとを接続するためのノード配線61bが形成される同時に、ビット線コンタクト51aおよび接地線コンタクト52に対応する位置にランディングパッド層63aが、また、ビット線コンタクト51bおよび電源線コンタクト53に対応する位置にランディングパッド層63bがそれぞれ形成される。図23はこの工程におけるSRAM全体の平面構成を表している。
【0044】
なお、ここで、上記のようにノード配線61a,61bおよびランディングパッド層63a,63a,63b,63bを形成した後、保護膜パターンS61a,S63aは、これが二酸化珪素(SiO2 )系材料の場合、そのまま残しておいてもよいし、またRIE(Reactive Ion Etching :反応性イオンエッチング) 等によって除去してもよい。保護膜パターンS61a,S63aが有機系材料の場合で、耐熱性に劣る場合には、RIE等によって除去することが望ましい。
【0045】
次に、図11(A),(B)に示したように、層間絶縁膜50,ノード配線61a,61bおよびランディングパッド層63a,63b上に第3の層間絶縁膜70を形成する。続いて、ビット線コンタクト51a,51b上にビット線コンタクト71a,71bを形成する。更に、接地線コンタクト52および電源線コンタクト53上に、接地線および電源線コンタクト72,73をそれぞれ形成する。なお、図24はこの工程におけるSRAM全体の平面構成を表している。
【0046】
次に、図12(A),(B)に示したように、ビット線コンタクト71a,71bに接続されるビット線接続配線81a,81bを形成する。更に、上記接地線コンタクト72および電源線コンタクト73に接続される接地線82および電源線83を形成する。なお、図示はしないが、ビット線接続配線81a,81bと、接地線82,電源線83それぞれとの間の領域に、ワード線裏打ち配線を形成するようにしてもよい。なお、図25はこの工程におけるSRAM全体の平面構成を表している。
【0047】
次に、図13(A),(B)に示したように、層間絶縁膜70および配線81a,81b〜84a,84bの上に層間絶縁膜90を形成する。続いて、ビット線接続配線81a,81b上に、ビット線コンタクト91a,91bを形成する。なお、図26はこの工程におけるSRAM全体の平面構成を表している。
【0048】
次に、図14(A),(B)に示したように、層間絶縁膜90およびビット線コンタクト71a上に、ビット線コンタクト91a,91bに接続されるビット線101a,101b(BL1 ,BL2 )を形成する。図27はこの工程におけるSRAM全体の平面構成を表している。
【0049】
なお、以上のコンタクトおよび配線は、従来の半導体コンタクト形成および配線形成プロセスにより形成することができる。最後に、特に図示しないが、必要な場合は更に上層の配線層を形成した後、オーバーコート膜の成膜およびパッド窓明け等の工程を経て、SRAMの接続プロセスが終了する。
【0050】
上述のように、本実施の形態では、2つのノード配線61a,61bを形成するに際し、ノード配線となる導電膜61と、この導電膜61よりもエッチング速度が遅いエッチング保護膜62を順次、全面に成膜し、一方のノード配線61aのパターンにてエッチング速度が遅い膜を加工してエッチングマスク層(保護膜パターンS61a)を形成し、このエッチングマスク層によって直下の導電膜61を保護しながら、他方のノード配線61bのパターンにて導電膜を加工することにより、2つのノード配線61a,61bを形成する。従って、従来の単一なフォトマスクを用いて一度にノード配線を形成する技術に比較して、フォトマスク上のノード配線パターンはピッチが緩和される分だけ間隔を狭めることができ、ノード配線間の離間スペースを露光装置の現像限界に依存することなく狭くすることが可能になり、セルサイズが縮小される。
【0051】
加えて、本実施の形態では、略C字形状のレジストパターンR61a,R61b(すなわち、2つのノード配線61a,61bのパターン)およびレジストパターンR63a,R63b(すなわち、ランディングパッド層63a,63bのパターン)を、全てのメモリセルにおいて向きを同じにするのではなく、上下左右の隣り合うセル間で向きが互いに異なるように、左右方向には180°の回転対称、上下方向には鏡面対称の関係になるように形成し、かつ、レジストパターンR63a,R63b(すなわち、ランディングパッド層63a,63bのパターン)を、左右に隣り合う2つのセル間に跨がるように形成している。従って、ノード配線61a,61bよりも上層の接地線、電源線およびビット線へと繋がるコンタクトに対して、ノード配線61a,61bと同じ階層においてランディングパッド層63a,63bを形成することができる。
【0052】
以下、本発明の他の実施の形態について説明する。なお、以下の実施の形態においては、第1の実施の形態と各メモリセルのパターンの配置が異なるのみであり、その他の構成はいずれも第1の実施の形態と同様である。従って、以下の実施の形態においては、第1の実施の形態と同一の構成要素については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【0053】
[第2の実施の形態]
図28は、本発明の第2の実施の形態に係るSRAM全体の平面構成を表すものである。
【0054】
第1の実施の形態では、略C字形状のレジストパターンR61a,R61b(すなわちノード配線61a,61bのパターン)およびレジストパターンR63a,R63b(すなわちランディングパッド層63a,63bのパターン)を、左右方向には180°の回転対称、上下方向には鏡面対称の関係になるように形成したが、本実施の形態では、これらのレジストパターンを左右方向にも上下方向にも隣接するセルと互いに180°回転対称の関係にあるように形成したものである。図28は、第1の実施の形態における図21に対応しており、図28から明らかなように、平面上に繰り返されるパターンの単位であるメモリセルは、図の左右方向にも上下方向にも、隣接するセルと互いに180°回転対称の関係にある。本実施の形態では、この図に則したレジストパターンを用いてノード配線61a,61bおよびランディングパッド層63a,63bが形成される。なお、本実施の形態の作用および効果は、第1の実施の形態と同様であるので、その説明は省略する。
【0055】
[第3の実施の形態]
図29は、本発明の第3の実施の形態に係るSRAM全体の平面構成を表すものである。
【0056】
本実施の形態では、略C字形状のレジストパターンR61a,R61b(すなわちノード配線61a,61bのパターン)およびレジストパターンR63a,R63b(すなわちランディングパッド層63a,63bのパターン)を、左右方向には鏡面対称、上下方向には180°回転対称の位置関係にあるように形成したものである。図29も、第1の実施の形態における図21に対応しており、図29から明らかなように、平面上に繰り返されるパターンの単位であるメモリセルは、図の左右方向には隣接するセルと互いに鏡面対称の関係にあり、上下方向には隣接するセルと互いに180°回転対称の関係にある。本実施の形態では、この図に則したレジストパターンを用いてノード配線61a,61bおよびランディングパッド層63a,63bが形成される。なお、本実施の形態の作用および効果も、第1の実施の形態と同様であるので、その説明は省略する。
【0057】
[第4の実施の形態]
図30は、本発明の第4の実施の形態に係るSRAM全体の平面構成を表すものである。
【0058】
本実施の形態では、略C字形状のレジストパターンR61a,R61b(すなわちノード配線61a,61bのパターン)およびレジストパターンR63a,R63b(すなわちランディングパッド層63a,63bのパターン)を、左右方向にも上下方向にも隣接するセルと互いに鏡面対称の位置関係にあるように形成したものである。図30も、第1の実施の形態における図21に対応しており、図30から明らかなように、平面上に繰り返されるパターンの単位であるメモリセルは、図の左右方向にも上下方向にも、隣接するセルと互いに鏡面対称の関係にある。本実施の形態においても、この図に則したレジストパターンを用いてノード配線61a,61bおよびランディングパッド層63a,63bが形成される。本実施の形態の作用および効果も、第1の実施の形態と同様であるので、その説明は省略する。
【0059】
なお、ノード配線およびランディングパッド層のいずれも、その形状は上記実施の形態のものに限定されるものではなく、多少変形したものも含まれることはいうまでもない。
【0060】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の半導体記憶装置によれば、2つのノード配線のそれぞれのパターンを、隣り合うセル間においては互いに向きが異なるように配置するようにしたので、特に、2つのノード配線をそれぞれ略C字形状の同一パターンに形成し、かつ、これら2つの略C字形状のパターンを互いにかみ合うように配置することによって、2つのノード配線と同じ階層に、ノード配線と同一の導電材料により形成されたランディングパッド層を有する構成とすることができ、コンタクト形成の際の多少の合わせずれにも対応可能であると共に、製造工程も簡略化され、また、セルサイズが縮小され、高集積化を図ることができる。
【0061】
また、本発明による半導体記憶装置の製造方法では、第1および第2のノード配線を2回のパターニング工程により別々に形成するため、フォトマスク上のノード配線パターンはピッチが緩和される分だけ間隔を狭めることができ、ノード配線間の離間スペースを露光装置の現像限界に依存することなく狭くすることが可能になる。
【0062】
特に、第1のノード配線のパターンを略C字形状に形成すると共に、第1のランディングパッド層を各メモリセルの4辺のうち第1のノード配線に近接している2辺以外の2辺上にそれぞれ配置し、かつ、第1のノード配線および第1のランディングパッド層のパターン配置を隣接するセル間においては互いに向きが異なるように配置し、更に、第2のノード配線のパターンを第1のノード配線とかみ合う向きの略C字形状に形成すると共に、第2のランディングパッド層を各メモリセルの4辺のうち第2のノード配線に近接している2辺以外の2辺上にそれぞれ配置し、かつ第2のノード配線および第2のランディングパッド層のパターン配置を隣接するセル間においては互いに向きが異なるように配置することにより、第1および第2のランディングパッド層を第1および第2のノード配線と同一階層に同一工程で、余裕をもって形成することができる。従って、ノード配線と共に、接地線、電源線およびビット線へと繋がるコンタクトに対してランディングパッド層を容易に形成することができ、製造工程が簡略化されると共に、高集積化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るpMOS負荷型のSRAMセルの回路構成図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態に係るSRAMの製造過程を説明するための図であり、図2(A)はパターンの平面図、同図(B)は(A)のA−A′線に沿った断面図である。
【図3】図2に続くSRAMの製造過程を説明するための図であり、図3(A)はパターンの平面図、同図(B)は(A)のB−B′線に沿った断面図である。
【図4】図3に続くSRAMの製造過程を説明するための図であり、図4(A)はパターンの平面図、同図(B)は(A)のC−C′線に沿った断面図である。
【図5】図4に続くSRAMの製造過程を説明するための図であり、図5(A)はパターンの平面図、同図(B)は(A)のD−D′線に沿った断面図である。
【図6】図5に続くSRAMの製造過程を説明するための図であり、図6(A)はパターンの平面図、同図(B)は(A)のE−E′線に沿った断面図である。
【図7】図6に続くSRAMの製造過程を説明するための図であり、図7(A)はパターンの平面図、同図(B)は(A)のF−F′線に沿った断面図である。
【図8】図7に続くSRAMの製造過程を説明するための図であり、図8(A)はパターンの平面図、同図(B)は(A)のG−G′線に沿った断面図である。
【図9】図8に続くSRAMの製造過程を説明するための図であり、図9(A)はパターンの平面図、同図(B)は(A)のH−H′線に沿った断面図である。
【図10】図9に続くSRAMの製造過程を説明するための図であり、図10(A)はパターンの平面図、同図(B)は(A)のI−I′線に沿った断面図である。
【図11】図10に続くSRAMの製造過程を説明するための図であり、図11(A)はパターンの平面図、同図(B)は(A)のJ−J′線に沿った断面図である。
【図12】図11に続くSRAMの製造過程を説明するための図であり、図12(A)はパターンの平面図、同図(B)は(A)のK−K′線に沿った断面図である。
【図13】図12に続くSRAMの製造過程を説明するための図であり、図13(A)はパターンの平面図、同図(B)は(A)のL−L′線に沿った断面図である。
【図14】図13に続くSRAMの製造過程を説明するための図であり、図14(A)はパターンの平面図、同図(B)は(A)のM−M′線に沿った断面図である。
【図15】図2の工程に対応してSRAM全体のパターン構成を表す平面図である。
【図16】図3の工程に対応してSRAM全体のパターン構成を表す平面図である。
【図17】図4の工程に対応してSRAM全体のパターン構成を表す平面図である。
【図18】図5の工程に対応してSRAM全体のパターン構成を表す平面図である。
【図19】図6の工程に対応してSRAM全体のパターン構成を表す平面図である。
【図20】図7の工程に対応してSRAM全体のパターン構成を表す平面図である。
【図21】図8の工程に対応してSRAM全体のパターン構成を表す平面図である。
【図22】図9の工程に対応してSRAM全体のパターン構成を表す平面図である。
【図23】図10の工程に対応してSRAM全体のパターン構成を表す平面図である。
【図24】図11の工程に対応してSRAM全体のパターン構成を表す平面図である。
【図25】図12の工程に対応してSRAM全体のパターン構成を表す平面図である。
【図26】図13の工程に対応してSRAM全体のパターン構成を表す平面図である。
【図27】図14の工程に対応してSRAM全体のパターン構成を表す平面図である。
【図28】本発明の第2の実施の形態に係るSRAM全体のパターン構成を表す平面図である。
【図29】本発明の第3の実施の形態に係るSRAM全体のパターン構成を表す平面図である。
【図30】本発明の第4の実施の形態に係るSRAM全体のパターン構成を表す平面図である。
【図31】従来の製造方法を説明するためのSRAM全体のパターン構成を表す平面図である。
【符号の説明】
10,10′…メモリセル、11…半導体基板、12…素子分離領域、13…p型能動領域、14…n型能動領域、21a,21b…ワード線(WL1,WL2)、22a,22b…共通ゲート線(GL1,GL2)、61…導電膜、61a,61b…ノード配線、R61a,R61b…レジストパターン(ノード配線)、S61a,S61b…保護膜パターン(ノード配線)、63a,63b…ランディングパッド層、R63a,R63b…レジストパターン(ランディングパッド層)、S63a,S63b…保護膜パターン(ランディングパッド層)、62…エッチング保護膜
Claims (8)
- 第1の電源電圧を供給する第1の電源電圧供給線と第2の電源電圧を供給する第2の電源電圧供給線との間に直列接続されてゲートが共通に接続された第1の導電型の駆動トランジスタと第2の導電型の負荷トランジスタとからそれぞれが構成され、入力端と出力端とが第1のノード配線および第2のノード配線により交差して接続された2つのインバータを、メモリセル毎に有する半導体記憶装置において、
前記第1のノード配線および第2のノード配線は、互いにかみ合うように配置された略C字形状の同一パターンを有し、
前記第1のノード配線および第2のノード配線と同じ階層に、前記第1の電源電圧供給線,前記第2の電源電圧供給線、およびビット線それぞれに対応するコンタクト上の第1の導電膜および第2の導電膜を備え、
前記第1の導電膜および第2の導電膜は、前記第1のノード配線および第2のノード配線と、同一の導電材料からなると共に同一の膜厚を有し、前記第1の導電膜は、各メモリセルの4辺のうち前記第1のノード配線に近接している2辺以外の2辺上に、前記第2の導電膜は、各メモリセルの4辺のうち前記第2のノード配線に近接している2辺以外の2辺上にそれぞれ配置され、
前記第1のノード配線と前記第2のノード配線との間の離間スペースが露光装置の解像度限界以下であり、
いずれの方向に隣接する2つのメモリセル間においても、前記第1のノード配線および第1の導電膜、並びに、前記第2のノード配線および第2の導電膜それぞれのパターンの位置が、互いにセルの中心を対称軸とした180°の回転対称または互いに鏡面対称の関係にある
半導体記憶装置。 - 各メモリセルにおいて、前記駆動トランジスタのチャネルが形成される第1の能動領域と、前記負荷トランジスタのチャネルが形成される第2の能動領域とが、前記駆動トランジスタおよび負荷トランジスタの各チャネル電流の方向が各メモリセル内で互いに平行となるように配置され、かつ、2つのインバータの各駆動トランジスタを直列に配置し、その両端のそれぞれにワード線を直交させてワードトランジスタを配置してなる
請求項1記載の半導体記憶装置。 - 前記第1の導電膜および第2の導電膜はそれぞれ、各メモリセルの4辺に隣り合うセル間に跨がって、かつ前記2つのノード配線を囲むように形成されている
請求項1または2記載の半導体記憶装置。 - 前記2つのノード配線の離間スペースが、ノード配線自体の幅よりも狭い
請求項1または2記載の半導体記憶装置。 - 前記ビット線は、第1のビット線および第2のビット線を含み、
前記第1の導電膜は、前記第1の電源電圧供給線および前記第1のビット線に対応するコンタクト上に形成され、
前記第2の導電膜は、前記第2の電源電圧供給線および前記第2のビット線に対応するコンタクト上に形成された
請求項1または2記載の半導体記憶装置。 - 第1の電源電圧を供給する第1の電源電圧供給線と第2の電源電圧を供給する第2の電源電圧供給線との間に直列接続されてゲートが共通に接続された第1の導電型の駆動トランジスタと第2の導電型の負荷トランジスタとからそれぞれが構成され、入力端と出力端とが第1のノード配線および第2のノード配線により交差して接続された2つのインバータを、メモリセル毎に有する半導体記憶装置の製造方法であって、
前記第1の電源電圧供給線,前記第2の電源電圧供給線、およびビット線それぞれに対応するコンタクト上の第1の導電膜および第2の導電膜を前記第1のノード配線および第2のノード配線と同じ階層に形成する工程を備え、
前記第1のノード配線および第2のノード配線並びに前記第1の導電膜および第2の導電膜を形成する工程は、
導電膜を形成した後、前記導電膜上に前記導電膜よりもエッチング速度が遅い膜を全面に形成する工程と、
略C字形状の前記第1のノード配線のレジストパターンおよび各メモリセルの4辺のうち前記第1のノード配線に近接している2辺以外の2辺上に配置された前記第1の導電膜のレジストパターンによって前記エッチング速度が遅い膜を加工してエッチングマスク層を形成する工程と、
前記エッチングマスク層によって直下の前記導電膜を保護しながら、前記第1のノード配線と同一形状、かつ互いにかみ合うように配置された前記第2のノード配線のレジストパターンおよび各メモリセルの4辺のうち前記第2のノード配線に近接している2辺以外の2辺上に配置された前記第2の導電膜のレジストパターンによって前記導電膜を加工する工程とを含み、
いずれの方向に隣接する2つのメモリセル間においても、前記第1のノード配線および第1の導電膜、並びに、前記第2のノード配線および第2の導電膜それぞれのパターンの位置が、互いにセルの中心を対称軸とした180°の回転対称または互いに鏡面対称の関係となるように形成する
半導体記憶装置の製造方法。 - 前記導電膜を加工する際に、前記第2のノード配線に対応するレジストパターンを、前記導電膜上において、既に形成された前記エッチングマスク層に対して前記エッチングマスク層および第2のノード配線のパターン幅より狭い離間幅で近接するように形成し、前記レジストパターンおよび前記エッチングマスク層が形成された状態で、前記導電膜の露出した部分を選択的に除去する
請求項6記載の半導体記憶装置の製造方法。 - 前記ビット線は、第1のビット線および第2のビット線を含み、
前記第1の導電膜は、前記第1の電源電圧供給線および前記第1のビット線に対応するコンタクト上に形成され、
前記第2の導電膜は、前記第2の電源電圧供給線および前記第2のビット線に対応するコンタクト上に形成された
請求項6記載の半導体記憶装置の製造方法。
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