JP4821320B2 - 電気化学キャパシタ - Google Patents
電気化学キャパシタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4821320B2 JP4821320B2 JP2005379398A JP2005379398A JP4821320B2 JP 4821320 B2 JP4821320 B2 JP 4821320B2 JP 2005379398 A JP2005379398 A JP 2005379398A JP 2005379398 A JP2005379398 A JP 2005379398A JP 4821320 B2 JP4821320 B2 JP 4821320B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- electrode
- integer
- polymer
- electrolyte membrane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/13—Energy storage using capacitors
Landscapes
- Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
Description
擬似電気二重層容量)を利用するレドックスキャパシタからなり、これらを総称して電気
化学キャパシタと呼ばれることが多い。
たとえば、パーフルオロアルキレンスルホン酸系高分子化合物(商品名;ナフィオン)を電解質膜として用いた場合の低温特性の改良が試みられており(J. Power Sources, 36(1991)341-361、非特許文献1)、酸水溶液やエチレングリコール水溶液による処理が行われ
ているが、酸水溶液では改良効果は認められるが、新たに酸腐食の問題が懸念され、またその他の処理では大きな改良効果は認められていない。
J. Power Sources, 36(1991)341-361
(1)1対の、金属集電体と接続した金属酸化物およびプロトン伝導性を有する高分子結着
材を含む電極層と、
両電極層に挟持された高分子電解質膜とを備える膜−電極−集電体よりなる構造体を有する電気化学キャパシタにおいて、
前記高分子結着材および高分子電解質膜は−30℃〜0℃に融解点を有する水分を保持し、
前記プロトン伝導性を有する高分子結着材および/または高分子電解質膜は、
下記一般式(A)で表される構造単位、および下記一般式(B)で表される構造単位を含むスルホン酸基を有するポリアリーレン;
−(lは1〜10の整数である)、−C(CF3)2−からなる群より選ばれた少なくとも1種の構造を示し、Zは直接結合または、−(CH2)l−(lは1〜10の整数である)、−C(
CH3)2−、−O−、−S−からなる群より選ばれた少なくとも1種の構造を示し、Ar
は−SO3Hまたは−O(CH2)pSO3Hまたは−O(CF2)pSO3Hで表される置換基を
有する芳香族基を示す。pは1〜12の整数を示し、mは0〜10の整数を示し、nは0〜10の整数を示し、kは1〜4の整数を示す。)
の整数である)、−CR’2−(R’は脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基およびハロゲ
ン化炭化水素基を示す)、シクロヘキシリデン基、フルオレニリデン基、−O−、−S−
からなる群より選ばれた少なくとも1種の構造を示し、Bは独立に酸素原子または硫黄原子であり、R1〜R16は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、フッ素原子、
アルキル基、一部またはすべてがハロゲン化されたハロゲン化アルキル基、アリル基、アリール基、ニトロ基、ニトリル基からなる群より選ばれた少なくとも1種の原子または基を示す。s、tは0〜4の整数を示し、rは0または1以上の整数を示す。)
を含む電気化学キャパシタ。
(3)上記電極層中のプロトン伝導性結着材の含有量が、金属酸化物100重量部に対しプ
ロトン伝導性結着材が2.5重量部以上50重量部以下である(1)の電気化学キャパシタ。
の範囲で含有するポリアリーレンである(1)〜(3)の電気化学キャパシタ。
(5)金属酸化物およびプロトン伝導性を有する高分子結着材を含む電極層と、
両電極層に挟持された高分子電解質膜の乾燥重量(高分子結着材と高分子電解質膜の合計)100重量部に対し、0.5〜50重量部の含水量を有する(1)〜(4)の電気化学キャパシタ。
まず本発明に係る電気化学キャパシタの膜−電極構造体に使用されるスルホン酸基を有するポリアリーレンについて具体的に説明する。
まず本発明に使用されるスルホン酸基を有するポリアリーレンについて具体的に説明する。本発明に使用されるスルホン酸基を有するポリアリーレンは、下記一般式(A)で表されるスルホン酸基を有する構造単位と、下記一般式(B)で表されるスルホン酸基を有さない構造単位とを含むことが特徴であり、下記一般式(C)で表される重合体である。
<スルホン酸ユニット>
−、−(CF2)l−(lは1〜10の整数である)、−C(CF3)2−からなる群より選ばれた少なくとも1種の構造を示す。このうち、−CO−、−SO2−が好ましい。
−O−が好ましい。
換基(pは1〜12の整数を示す)を有する芳香族基を示す。
芳香族基として具体的には、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基などが挙げられる。これらの基のうち、フェニル基、ナフチル基が好ましい。−SO3
Hまたは−O(CH2)pSO3Hまたは−O(CF2)pSO3Hで表される置換基(pは1〜1
2の整数を示す)は、少なくとも1個置換されていることが必要であり、ナフチル基であ
る場合には2個以上置換していることが好ましい。
m、nの値とY、Z、Arの構造についての好ましい組み合わせとして、
(1)m=0、n=0であり、Yは−CO−であり、Arが置換基として−SO3Hを有す
るフェニル基である構造、
(2)m=1、n=0であり、Yは−CO−であり、Zは−O−であり、Arが置換基として−SO3Hを有するフェニル基である構造、
(3)m=1、n=1、k=1であり、Yは−CO−であり、Zは−O−であり、Arが置換基として−SO3Hを有するフェニル基である構造、
(4)m=1、n=0であり、Yは−CO−であり、Arが置換基として2個の−SO3H
を有するナフチル基である構造、
(5)m=1、n=0であり、Yは−CO−であり、Zは−O−であり、Arが置換基として−O(CH2)4SO3Hを有するフェニル基である構造などを挙げることができる。
<疎水性ユニット>
−、−CONH−、−COO−、−(CF2)l−(lは1〜10の整数である)、−(CH2)l−(lは1〜10の整数である)、−CR’2−(R’は脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基およびハロゲン化炭化水素基を示す)、シクロヘキシリデン基、フルオレニリデン基、
−O−、−S−からなる群より選ばれた少なくとも1種の構造を示す。ここで、−CR’2−で表される構造の具体的な例として、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、プロピル基、オクチル基、デシル基、オクタデシル基、フェニル基、トリフルオロメチル基、などが挙げられる。これらのうち、直接結合または、−CO−、−SO2−、−CR’2−(R’は脂肪族炭化水素基、芳香族
炭化水素基およびハロゲン化炭化水素基を示す)、シクロヘキシリデン基、フルオレニリ
デン基、−O−が好ましい。
R1〜R16は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、フッ素原子、アルキル
基、一部またはすべてがハロゲン化されたハロゲン化アルキル基、アリル基、アリール基、ニトロ基、ニトリル基からなる群より選ばれた少なくとも1種の原子または基を示す。
s、tの値と、A、B、D、R1〜R16の構造についての好ましい組み合わせとしては
、
(1)s=1、t=1であり、Aが−CR’2−(R’は脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基およびハロゲン化炭化水素基を示す)、シクロヘキシリデン基、フルオレニリデン基で
あり、Bが酸素原子であり、Dが−CO−または、−SO2−であり、R1〜R16が水素原子またはフッ素原子である構造、(2)s=1、t=0であり、Bが酸素原子であり、Dが−CO−または、−SO2−であり、R1〜R16が水素原子またはフッ素原子である構造、(3)s=0、t=1であり、Aが−CR’2−(R’は脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基およびハロゲン化炭化水素基を示す)、シクロヘキシリデン基、フルオレニリデン基、
Bが酸素原子であり、R1〜R16が水素原子またはフッ素原子またはニトリル基である構
造が挙げられる。
<ポリマー構造>
〜R16は、それぞれ上記一般式(A)および(B)中のA、B、D、Y、Z、Ar、k、m、n、r、s、tおよびR1〜R16と同義である。x、yはx+y=100モル%とした場
合のモル比を示す。
<ポリマーの製造方法>
スルホン酸基を有するポリアリーレンの製造には、例えば下記に示すA法、B法、C法の3通りの方法を用いることができる。
B)で表される構造単位となりうるモノマー、またはオリゴマーとを共重合させ、この重
合体をスルホン化剤を用いて、スルホン化することにより合成することもできる。
r=0の場合、例えば4,4'−ジクロロベンゾフェノン、4,4'−ジクロロベンズアニリド、2,2−ビス(4−クロロフェニル)ジフルオロメタン、2,2−ビス(4−クロロフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、4−クロロ安息香酸−4−
クロロフェニルエステル、ビス(4−クロロフェニル)スルホキシド、ビス(4−クロロフ
ェニル)スルホン、2,6−ジクロロベンゾニトリルが挙げられる。これらの化合物にお
いて塩素原子が臭素原子またはヨウ素原子に置き換わった化合物などが挙げられる。
r≧2の場合、例えば特開2004−137444号公報、特開2004−244517号公報、特開2004−346146号公報、特開2005−112985号公報、特開2005−112985号公報、特願2004−211739、特願2004−211
740に記載の化合物を挙げることができる。
属化合物を含む触媒系であり、この触媒系としては、(1)遷移金属塩および配位子となる化合物(以下、「配位子成分」という。)、または配位子が配位された遷移金属錯体(銅塩
を含む)、ならびに(2)還元剤を必須成分とし、さらに、重合速度を上げるために、「塩
」を添加してもよい。
(A法)前駆体のスルホン酸エステル基を有するポリアリーレンを、特開2004−137444号公報に記載の方法で脱エステル化する方法。
(B法)前駆体のポリアリーレンを、特開2001−342241号公報に記載の方法でスルホン化する方法。
(C法)前駆体のポリアリーレンに、特開2005−60625号公報に記載の方法で、アルキルスルホン酸基を導入する方法。
本発明に係る電気化学キャパシタは、
1対の、金属集電体に固定された金属酸化物およびプロトン伝導性を有する高分子結着材を含む電極層と、
両電極層に挟持された高分子電解質膜とを備える膜−電極−集電体を有するものであり、
前記プロトン伝導性を有する高分子結着材および高分子電解質膜もしくはいずれか一方として、前記したスルホン酸基を有するポリアリーレンを含むものであり、膜−電極中に融解温度−30〜0℃の水分を有するものである。
、通常上記したポリアリーレンが使用される。なお、後述する高分子結着材として、上記スルホン酸基を有するポリアリーレンを使用する場合、高分子電解質膜として前記ポリアリーレン以外のものを使用することも可能である、
前記スルホン酸基を有するポリアリーレン以外に使用可能なプロトン伝導性材料としては、従来より用いられていたNafion、Flemion、Aciplexに代表されるパーフルオロカーボン重合体、ポリスチレンスルホン酸などのビニル系ポリマーのスルホン化物、ポリベンズイミダゾール、ポリエーテルエーテルケトンなどの耐熱性高分子に、スルホン酸基またはリン酸基を導入したポリマーなどの有機系ポリマーが挙げられる。これをまとめて酸性プロトン伝導性物質ということもある。
本発明に使用される金属酸化物としては、レドックスキャパシタに使用される金属酸化物であれば、貴金属酸化物、非金属酸化物のいずれも使用することができる。
、ルテニウムとバナジウムの複合酸化物、ルテニウムとモリブデンの複合酸化物、ルテニウムとカルシウムの複合酸化物等を挙げることができる。
さらに金属酸化物は、水和物であってもよく、具体的には、RuO2・nH2O、(Ru+
Ir)OX・nH2O、Ru(1-y)CryO2・nH2O、MnO2・nH2O、V2O5・nH2O、NiO・nH2O等を挙げることができる。
金属酸化物の電子伝導性を増強するために、カーボンブラックやグラファイト等の導電性付与剤を同時に加えてもよい。
プロトン伝導性を有する電解質膜および/または高分子結着材を用いることにより、電極と電解質の界面における水素イオンの交換反応が円滑に進み良好な蓄電特性が得られる。
電極中に含まれる高分子結着材の量は、金属酸化物に対して2.5〜50重量%、好適には5〜25重量%の範囲にあることが望ましい。前記範囲の下限未満では集電体金属との接着性が低下することがあり、上限を超えた場合、電極粒子間の電子伝導性が低下するため、充放電特性の低下を招くことがある。
は10000〜200000であることが望ましい。
本発明の集電体で使用される金属として、チタン、ニッケル、ステンレス、ニオブ等を挙げることができる。これらの中でサイクル特性、経時変化等の安定性からチタン、ステンレス、ニオブが好ましく、集電体への加工性、コスト等の観点からチタン、ステンレスが特に好ましい。
本発明の電極−集電体の接合体は、高分子結着材と金属酸化物粒子を、揮発性溶媒に分散または溶解させてペースト状としたのち、たとえばポリエステルフィルムなどの剥離性の高い基材表面に、塗布・乾燥したのち、基材を剥離させ、集電体に重ねて熱プレスを行うことにより電極−集電体の接合体を作製することができる。更に集電体の表面に、ペーストを直接、塗布乾燥させることで、電極−集電体の接合体を作製することもできる。
本発明では、上記電極−集電体の接合体と高分子電解質膜との構造体が使用される。
ミド、γ−ブチロラクトン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジ
メチル尿素、ジメチルイミダゾリジノン(DMI)などの非プロトン系極性溶剤が挙げられ、特に溶解性、溶液粘度の面から、N−メチル−2−ピロリドンが好ましい。非プロトン系極性溶剤は、単独であるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。
げられ、特にメタノールが幅広い組成範囲で溶液粘度を下げる効果があり好ましい。アルコールは、単独であるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。
高分子電解質膜の膜厚としては、キャパシタの容量、大きさ、出力などにより適宜選択されるが、通常15〜150μm程度であればよい。
本発明に係るプロトン伝導膜は、通常含水された状態で使用される。本発明において金属酸化物およびプロトン伝導性を有する高分子結着材を含む電極層と両電極層に挟持された高分子電解質膜の乾燥重量(高分子結着材と高分子電解質膜の合計)100部に対し、0.5〜50重量部、好ましくは1.5〜20重量部の含水量を有することが望ましい。含水量が少ないものは低温特性の低下が大きく、多すぎると室温以上でのサイクル特性が低下することがある。含水量は得られた接合体の含水時間、水温、ポリアリーレン中のスルホン酸基の量等で制御することができる。
構造体を巻回させて収容させても良い。2層以上に積層したり、巻回体を使用すれば、容量を増大させることが可能となる。また、積層体とする際に、隣り合う集電体を共用して、1枚の集電体の表裏に電極を形成する構造にしても良い。
次に、添付の図面を参照しながら本発明に係る電気化学キャパシタについて説明する。
図1は電気化学キャパシタに用いる膜−電極−集電体構造体の一構成例を示す概略断面図である。
前記膜−電極−集電体構造体は、正極1と負極2との間に高分子電解質膜3を有しており、正極1と負極2とは、いずれも集電体層4と、集電体層4上に形成された電極層5とを備え、電極層5側で高分子電解質膜3に接している。電極層5は、上述した金属酸化物および結着材としてプロトン伝導性ポリマーを含んでいる。
また、集電体層4は金属箔からなる。従来の電気化学キャパシタでは、電解液に硫酸液が使用され、腐食される虞があるので金属箔を使用することは困難であった。しかしながら、本発明では、上記したように、特定のプロトン伝導膜を使用しているので、特定の硫酸水溶液による腐食の恐れがなく、このため従来の電気化学キャパシタのような導電性カーボンとゴムの複合物等の特殊で低抵抗の材料を用いる必要はなく、SUS、ニッケル等の金属箔の使用が可能である。
外装ケースは、キャパシタの形状に応じて、図1に示すボタン形状のほかに、円筒型、角型など、種々の形状を採用することが可能である。
以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
実施例において、スルホン酸当量、分子量およびプロトン伝導度は以下のようにして求めた。
得られたスルホン酸基を有する重合体の水洗水が中性になるまで洗浄し、フリーに残存している酸を除いて充分に水洗し、乾燥後、所定量の重合体を秤量し、THF/水の混合溶剤に溶解したフェノールフタレインを指示薬とし、NaOHの標準液を用いて滴定を行い、中和点から、スルホン酸当量を求めた。
スルホン酸基を有しないポリアリーレン重量平均分子量は、溶剤としてテトラヒドロフラン(THF)を用い、GPCによって、ポリスチレン換算の分子量を求めた。スルホン酸
基を有するポリアリーレンの分子量は、溶剤として臭化リチウムと燐酸を添加したN−メチル−2−ピロリドン(NMP)を溶離液として用い、GPCによって、ポリスチレン換算の分子量を求めた。
交流抵抗は、5mm幅の短冊状の高分子電解質膜試料の表面に、白金線(f=0.5m
m)を押し当て、恒温恒湿装置中に試料を保持し、白金線間の交流インピーダンス測定か
ら求めた。具体的な条件としては、25℃、60℃、相対湿度80%の環境下で交流10kHzにおけるインピーダンスを測定した。
4.キャパシタ中の−30℃〜0℃に融解温度を示す水分量の測定
同一条件で2個の試験用の構造体を作成し、1個をSUS製の封止缶に封止し電気特性の評価を行った。残りの1個で水分量の評価を行った。
Instraments製)において、5℃/minで−100℃まで降温させ、次に200℃まで
昇温させる。そのときの水の融解ピークの熱量から、−30℃〜0℃に融解温度を示す水分量を算出する。また半束縛水と自由水では融解ピークが異なるため分離評価を行った。
[合成例1]
(オリゴマーの調製)
撹拌機、温度計、冷却管、Dean-Stark管、窒素導入の三方コックを取り付けた1Lの三つ口のフラスコに、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン(ビスフェノールAF)67.3g(0.20モル)、4,4'−ジクロロベンゾフェノン(4,4'−DCBP)60.3g(0.24モル)、炭酸カリウム71.9g(
0.52モル)、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)300mL、トルエン150mLをとり、オイルバス中、窒素雰囲気下で加熱し撹拌下130℃で反応させた。反応により生成する水をトルエンと共沸させ、Dean-Stark管で系外に除去しながら反応させると、約3時間で水の生成がほとんど認められなくなった。反応温度を130から徐々に150℃まで上げた。その後、反応温度を徐々に150℃まで上げながら大部分のトルエンを除去し、150で10時間反応を続けた後、4,4'−DCBP10.0g(0.040モル)を加え、さらに5時間反応した。得られた反応液を放冷後、副生した無機化合物の沈殿物を濾過除去し、濾液を4Lのメタノール中に投入した。沈殿した生成物を濾別、回収し乾燥後、テトラヒドロフラン300mLに溶解した。これをメタノール4Lに再沈殿し、目的の化合物95g(収率85%)を得た。
などに可溶で、Tgは110℃、熱分解温度は498℃であった。
う)であった。
(ネオペンチル基を保護基としたポリアリーレン共重合体(PolyAB−SO3 neo-Pe)の調製)
撹拌機、温度計、冷却管、Dean-Stark管、窒素導入の三方コックを取り付けた500mLの三つ口のフラスコに、4−[4−(2,5−ジクロロベンゾイル)フェノキシ]ベンゼ
ンスルホン酸neo-ペンチル(A−SO3 neo-Pe)39.58g(98.64ミリモル)と合成例1で合成した、BCPAFオリゴマー(Mn=11200)15.23g(0.136
ミリモル)、Ni(PPh3)2Cl2 1.67g(0.26ミリモル)、PPh3 10.49
g(4.00ミリモル)、NaI 0.45g(0.30ミリモル)、亜鉛末 15.69g(
24.0ミリモル)、乾燥NMP 129mLを窒素下で加えた。反応系を攪拌下に加熱し(最終的には75℃まで加温)、3時間反応させた。重合反応液をTHF 250mLで希
釈し、30分攪拌し、セライトをろ過助剤に用い、ろ過紙、ろ液を大過剰のメタノール1500mLに注ぎ、凝固させた。凝固物を濾集、風乾し、さらにTHF/NMP(それぞ
れ200/300mL)に再溶解し、大過剰のメタノール1500mLで凝固析出させた
。風乾後、加熱乾燥により目的の黄色繊維状のネオペンチル基で保護されたスルホン酸誘導体からなる共重合体(PolyAB-SO3neo-Pe)47.0g(収率92%)を得た。GPCによる分子量はMn=47,600、Mw=159,000であった。
温した。反応系にメタノール50mLと濃塩酸8mLの混合物を一時に加えた。懸濁状態となりながら、温和の還流条件で10時間反応させた。蒸留装置を設置し、過剰のメタノールを溜去させ、淡緑色の透明溶液を得た。この溶液を大量の水/メタノール(1:1重
量比)中に注いで、ポリマーを凝固させた後、洗浄水のPHが6以上となるまで、イオン
交換水でポリマーを洗浄した。こうして得られたポリマーのIRスペクトルおよびイオン交換容量の定量分析から、スルホン酸エステル基(−SO3R)は定量的にスルホン酸基(−SO3H)に転換していることがわかった。
攪拌機、温度計、Dean-stark管、窒素導入管、冷却管をとりつけた1Lの三口フラスコに、2,6−ジクロロベンゾニトリル48.8g(284mmol)、2,2−ビス(4−
ヒドロキシフェニル)-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロパン89.5g(266mmol)、炭酸カリウム47.8g(346mmol)をはかりとった。窒素置換後、スルホラン346mL、トルエン173mLを加えて攪拌した。オイルバスで反応液を150℃で加熱還流させた。反応によって生成する水はDean-stark管にトラップした。3時間後、水の生成がほとんど認められなくなったところで、トルエンをDean-stark管から系外に除去した。徐々に反応温度を200℃に上げ、3時間攪拌を続けた後、2,6−ジクロロベンゾニトリル9.2g(53mmol)を加え、さらに5時間反応させた。
得られた化合物は式(I)で表されるオリゴマーであることを確認した。
攪拌機、温度計、窒素導入管をとりつけた1Lの三口フラスコに、3−(2,5−ジク
ロロベンゾイル)ベンゼンスルホン酸ネオペンチル135.2g(337mmol)、合成
例3で得られたMn9,500の疎水性ユニット48.7g(5.1mmol)、ビス(ト
リフェニルホスフィン)ニッケルジクロリド6.71g(10.3mmol)、ヨウ化ナト
リウム1.54g(10.3mmol)、トリフェニルホスフィン35.9g(137mm
ol)、亜鉛53.7g(821mmol)をはかりとり、乾燥窒素置換した。ここにN,N-ジメチルアセトアミド(DMAc)430mLを加え、反応温度を80℃に保持しながら
3時間攪拌を続けた後、DMAc730mLを加えて希釈し、不溶物を濾過した。
攪拌機、温度計、窒素導入管をとりつけた1Lの三口フラスコに、3−(2,5−ジク
ロロベンゾイル)ベンゼンスルホン酸ネオペンチル135.2g(337mmol)、合成
例3で得られたMn9,500の疎水性ユニット48.7g(5.1mmol)、4-クロ
ロベンゾフェノン1.5g(6.9mmol)、ビス(トリフェニルホスフィン)ニッケルジ
クロリド6.71g(10.3mmol)、ヨウ化ナトリウム1.54g(10.3mmo
l)、トリフェニルホスフィン35.9g(137mmol)、亜鉛53.7g(821mmol)をはかりとり、乾燥窒素置換した。
まず、合成例2で合成したスルホン酸基を有するポリアリーレンをN−メチル−2−ピロリドンに溶解し、キャスト法により乾燥膜厚40μmの高分子電解質膜を調製した。該高分子電解質膜のプロトン伝導度を25℃、100%RH下で測定したところ3.8×10-1S/cmの伝導度が得られた。
バインダーとを、粒子:バインダー=1:0.15の重量比で均一に混合して電極ペース
トを調製した。
μmのチタン箔上にブレードコーターにて塗工し、60℃で10分間乾燥した後、100℃で減圧乾燥することにより二酸化ルテニウム水和物層を備える電極−集電体接合体を形成した。
次に、正極、負極の電極−集電体接合体に高分子電解質膜が挟持された状態でテフロン(登録商標)フィルムに包み、170℃、5kg/cm2のプレス条件で5分間加圧し、電解質膜−電極界面が接合された構造体を得た。該構造体は同一条件で12個作成(1実施例
当たり2個)した。
S製の封止缶にセットし、かしめ装置にて封口し、電気化学キャパシタを形成した。同時に同一条件でもう1個の構造体も作成し、示査走査熱量計で水分量測定を行った。
CDT5R2-4 を用い、充放電電流を1mA/cm2の電流密度で0−1Vでの充放電
を25℃、−25℃の恒温槽中で行った。充電は定時間(2000秒)行い1mA/cm2の定電流放電により放電容量を評価した。
正負両極の電極材(水和酸化ルテニウム)の重量で割ったものである。特に放電容量では単極重量当たりの容量として表記される場合があるが、この場合は4倍の値となる。
結果を表1および2に示す。
まず、合成例4で合成したスルホン酸基を有するポリアリーレンをN−メチル−2−ピロリドンに溶解し、キャスト法により乾燥膜厚40μmの高分子電解質膜を調製した。該高分子電解質膜のプロトン伝導度を25℃、100%RH下で測定したところ4.1×10-1S/cmの伝導度が得られた。
バインダーとを、粒子:バインダー=1:0.08の重量比で均一に混合して電極ペース
トを調製した。
μmのチタン箔上にブレードコーターにて塗工し、60℃で10分間乾燥した後、100℃で減圧乾燥することにより二酸化ルテニウム水和物層を備える電極−集電体接合体を形成した。
たり2個)した。
結果を表3および4に示す
(スルホン化ポリエーテルエーテルケトンの合成)
ビクトレックス社製のポリエーテルエーテルケトン(PEEK)3.0gを濃硫酸(150mL)中に溶解させ、攪拌しながら50℃で24時間反応を行った。得られた混合物を大量の脱イオン水中に投入して、スルホン化ポリマーを沈殿させた。沈殿物を濾別し、続いて洗浄に使用した脱イオン水のpHが中性になるまで洗浄を行った後、乾燥してスルホン化ポリエーテルエーテルケトンを合成した。得られた重合体のイオン交換容量は2.2meq/gであった。
(スルホプロピル化ポリ1,4-ビフェニレンエーテルエーテルスルホンの合成)
乾燥した6gのポリ1,4-ビフェニレンエーテルエーテルスルホンと、脱水したクロ
ロホルム150mlをオートクレーブに投入し、60℃で約2時間保持し、ポリマーを溶解させた。次いで、この溶液に、プロパンスルトン5.7g(0.047mol)を加えた。この溶液に、攪拌しながら無水塩化アルミニウムを約1時間かけて加えた。無水塩化アルミニウムを添加後、24時間、130℃で攪拌を行った。析出したポリマーをろ過し、クロロホルム約150mLで洗浄後、減圧乾燥した。乾燥後のポリマーを水約300mLに懸濁させ、ミキサーで激しく攪拌させながら、洗浄、ろ過を5回繰り返した。洗浄、ろ過後の重合体を、減圧下、90℃で乾燥を行った。得られたスルホプロピル化ポリ1,4-
ビフェニレンエーテルエーテルスルホンのイオン交換容量は1.9meq/gであった。
合成例6で得られたスルホン化ポリエーテルエーテルケトンの15重量%NMP溶液を、ガラス板上にキャストして製膜した後、風乾、真空乾燥し、乾燥膜厚40μmのプロトン伝導膜を得た。このスルホン酸基を有するポリエーテルエーテルケトンからなる高分子電解質膜のプロトン伝導度を25℃、100%RH下で測定したところ1.0×10-1S/cmの伝導度であった。
酸化ルテニウム水和物(アルドリッチ)粒子と、合成例6で合成したスルホン酸基を有するポリエーテルエーテルケトンをN-メチル-2-ピロリドンに溶解してなるイオン伝導性高分子バインダーとを、粒子:バインダー=1:0.15の重量比で均一に混合して電極ペーストを調製した。
μmのチタン箔上にブレードコーターにて塗工し、60℃で10分間乾燥した後、100℃で減圧乾燥することにより二酸化ルテニウム水和物層を備える電極−集電体接合体を形成した。
次に、正極、負極の電極−集電体接合体に高分子電解質膜が挟持された状態でテフロン(登録商標)フィルムに包み、260℃、10kg/cm2のプレス条件で3分間加圧し、電解質膜−電極界面が接合された構造体を得た。該構造体は同一条件で8個作成(1実施
例当たり2個)した。
。ここで温度、時間を変えることにより含水量を変量したものを作成し各実施例とした。含水処理の後、構造体表面の余剰の水分を除去し、該構造体を前記図1に示すようなSUS製の封止缶にセットし、かしめ装置にて封口し、電気化学キャパシタを形成した。同時に同一条件でもう1個の構造体も作成し、示査走査熱量計で水分量測定を行った。
結果を表5および6に示す。
合成例7で得られたスルホプロピル化ポリ1,4-ビフェニレンエーテルエーテルスル
ホンをN,N-ジメチルホルムアミドーシクロヘキサノンーメチルエチルケトン混合溶媒
(容積比20:80:25)に溶解し、ガラス板上にキャストして製膜した後、風乾、真空乾燥し、乾燥膜厚40μmのプロトン伝導膜を得た。このスルホン酸基を有するスルホプロピル化ポリ1,4-ビフェニレンエーテルエーテルスルホン高分子電解質膜のプロト
ン伝導度を25℃、100%RH下で測定したところ0.9×10-1S/cmの伝導度であ
った。
子電解質をN-メチル-2-ピロリドンに溶解してなるイオン伝導性高分子バインダーとを、
粒子:バインダー=1:0.15の重量比で均一に混合して電極ペーストを調製した。
μmのステンレス箔上にブレードコーターにて塗工し、60℃で10分間乾燥した後、100℃で減圧乾燥することにより二酸化ルテニウム水和物層を備える電極−集電体接合体を形成した。
次に、正極、負極の電極−集電体接合体に高分子電解質膜が挟持された状態でテフロン(登録商標)フィルムに包み、200℃、10kg/cm2のプレス条件で5分間加圧し、電解質膜−電極界面が接合された構造体を得た。該構造体は同一条件で8個作成(1実施
例当たり2個)した。該構造体を所定の温度、時間で純水に浸漬し、含水処理を行った。
含水処理の後、構造体表面の余剰の水分を除去し、該構造体を前記図1に示すようなSUS製の封止缶にセットし、かしめ装置にて封口し、電気化学キャパシタを形成した。同時に同一条件でもう1個の構造体も作成し、示査走査熱量計で水分量測定を行った。
二酸化ルテニウム水和物(アルドリッチ)粒子と、テフロン(登録商標)ディスパージョン(ポリフロンTFE−D1(ダイキン工業製)、固形分含量;60%)とを、粒子:テフロン(登録商標)バインダー=1:0.08の重量比となるように均一に混合して電
極ペーストを調製した。
μmのチタン箔上にブレードコーターにて塗工し、90℃で60分間乾燥した後、100℃で減圧乾燥を行った。その後電極とチタン箔との密着性を確保するために、150℃の圧延ロールに通すことにより二酸化ルテニウム水和物層を備える電極−集電体接合体を形成した。
次に、正極、負極の電極−集電体接合体に高分子電解質膜が挟持された状態でテフロン(登録商標)フィルムに包み、200℃、10kg/cm2のプレス条件で5分間加圧し、電解質膜−電極界面が接合された構造体を得た。該構造体は、比較例1〜4の条件で8個作成(1比較例当たり2個)した。該構造体を所定の温度、時間で純水に浸漬し、含水処理を行った。ここで温度、時間を変えることにより含水量を変量したものを作成し各比較例とした。
2 … 負極
3 … 高分子電解質膜
4 … 集電体層
5 … 電極層
8 … 缶
9 … 波形バネ
10… ガスケット
Claims (5)
- 1対の、金属集電体と接続した金属酸化物およびプロトン伝導性を有する高分子結着材を含む電極層と、
両電極層に挟持された高分子電解質膜とを備える膜−電極−集電体よりなる構造体を有する電気化学キャパシタにおいて、
前記高分子結着材および高分子電解質膜は−30℃〜0℃に融解点を有する水分を保持し、
前記プロトン伝導性を有する高分子結着材および高分子電解質膜は、
下記一般式(A)で表される構造単位、および下記一般式(B)で表される構造単位を含むスルホン酸基を有するポリアリーレン;
を含むことを特徴とする電気化学キャパシタ。 - 上記金属集電体が厚さ10〜100μmのチタンないしステンレスよりなることを特徴とする請求項1に記載の電気化学キャパシタ。
- 上記電極層中のプロトン伝導性結着材の含有量が、金属酸化物100重量部に対しプロトン伝導性結着材が2.5重量部以上50重量部以下であることを特徴とする請求項1に記載の電気化学キャパシタ。
- 上記スルホン酸基を有するポリアリーレンが、スルホン酸基を0.3〜5meq/gの範囲で含有するポリアリーレンであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の電気化学キャパシタ。
- 金属酸化物およびプロトン伝導性を有する高分子結着材を含む電極層と、
両電極層に挟持された高分子電解質膜の乾燥重量(高分子結着材と高分子電解質膜の合計)100重量部に対し、0.5〜50重量部の含水量を有することを特徴とする請求項1〜4に記載の電気化学キャパシタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005379398A JP4821320B2 (ja) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | 電気化学キャパシタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005379398A JP4821320B2 (ja) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | 電気化学キャパシタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007180413A JP2007180413A (ja) | 2007-07-12 |
JP4821320B2 true JP4821320B2 (ja) | 2011-11-24 |
Family
ID=38305279
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005379398A Expired - Fee Related JP4821320B2 (ja) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | 電気化学キャパシタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4821320B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5446762B2 (ja) * | 2009-11-17 | 2014-03-19 | Jsr株式会社 | 電気化学デバイス電極用バインダー組成物、電気化学デバイス電極用スラリー、電気化学デバイス電極、及び電気化学デバイス |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6426863B1 (en) * | 1999-11-25 | 2002-07-30 | Lithium Power Technologies, Inc. | Electrochemical capacitor |
JP2001328804A (ja) * | 2000-05-19 | 2001-11-27 | Sony Corp | 水素吸蔵用炭素質材料およびその製造方法、水素吸蔵炭素質材料およびその製造方法、水素吸蔵炭素質材料を用いた電池ならびに水素吸蔵炭素質材料を用いた燃料電池 |
JP2002222741A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電気二重層キャパシタ用分極性電極の製造方法およびその分極性電極を用いた電気二重層キャパシタ |
US7208242B2 (en) * | 2001-03-30 | 2007-04-24 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Solid polymer type fuel cell |
JP3867029B2 (ja) * | 2002-08-20 | 2007-01-10 | Jsr株式会社 | プロトン伝導膜の製造方法 |
JP3975908B2 (ja) * | 2002-08-22 | 2007-09-12 | Jsr株式会社 | 新規な芳香族スルホン酸エステル誘導体、ポリアリーレン、スルホン酸基を有するポリアリーレンおよびその製造方法、ならびにプロトン伝導膜およびその製造方法 |
CN1711612B (zh) * | 2002-11-18 | 2010-05-26 | 索尼株式会社 | 质子导体、单离子导体、其制造方法、及电解质电容器 |
-
2005
- 2005-12-28 JP JP2005379398A patent/JP4821320B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007180413A (ja) | 2007-07-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100800921B1 (ko) | 전기 화학 캐패시터 | |
JP4508954B2 (ja) | 固体高分子型燃料電池用膜−電極構造体 | |
JP2007523230A (ja) | 分岐スルホン化マルチブロック共重合体及びこれを用いた電解質膜 | |
JP5043342B2 (ja) | 固体高分子型燃料電池用膜−電極構造体及びその製造方法 | |
JP6548176B2 (ja) | ポリフェニルスルホン系プロトン伝導性高分子電解質、プロトン伝導性固体高分子電解質膜、固体高分子形燃料電池用の電極触媒層及びその製造方法、並びに燃料電池 | |
CN109790244A (zh) | 聚合物、固体高分子电解质膜及膜电极接合体 | |
JPWO2002062896A1 (ja) | プロトン伝導性高分子膜およびその製造方法 | |
JP6338896B2 (ja) | 樹脂付電極層、樹脂付電極複合体及びレドックスフロー二次電池 | |
JP5352128B2 (ja) | 固体高分子型燃料電池用膜−電極構造体 | |
JP2007180444A (ja) | 電気化学キャパシタ | |
JP2006032181A (ja) | 固体高分子型燃料電池用膜・電極構造体及び固体高分子型燃料電池 | |
JP2009021233A (ja) | 膜−電極接合体及びその製造方法、並びに固体高分子形燃料電池 | |
JP4752336B2 (ja) | 熱安定性改良プロトン伝導膜および該伝導膜形成用組成物 | |
JP4821320B2 (ja) | 電気化学キャパシタ | |
JP2005154578A (ja) | 架橋型高分子電解質およびプロトン伝導膜 | |
JP2006049866A (ja) | 電気化学キャパシタ | |
JP4754496B2 (ja) | ニトリル型疎水性ブロックを有するスルホン化ポリマーおよび固体高分子電解質 | |
JP2007048747A (ja) | 固体高分子型燃料電池用膜−電極構造体 | |
JP2003346815A (ja) | 膜電極接合体、及びその製造方法 | |
JP5581593B2 (ja) | ポリアリーレン系共重合体、プロトン伝導膜および固体高分子電解質型燃料電池 | |
JP2008198936A (ja) | 電気化学キャパシタ | |
JP5350974B2 (ja) | 固体高分子型燃料電池用膜−電極構造体 | |
JP2008311146A (ja) | 膜−電極接合体及びその製造方法、並びに固体高分子型燃料電池 | |
JP4063596B2 (ja) | プロトン伝導性高分子化合物およびプロトン伝導性高分子膜 | |
JP2014234445A (ja) | 高分子電解質組成物、並びに、それを用いた、高分子電解質膜、電極触媒層、膜電極接合体、及び固体高分子型燃料電池 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080611 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100916 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100928 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110315 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110512 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110809 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110822 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4821320 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140916 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140916 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |