JP4819879B2 - ソース、ソースを取り付けるための構成、およびソースを取り付け取り出すための方法 - Google Patents
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Description
a)チャンバが閉鎖しているときに、実質上周囲環境から隔離して開閉可能な、固体または液体ソース材料用のチャンバを備えたソースを、気相成長反応容器のソース取付具またはソース取付具と連結したソース空間の内部に少なくとも部分的に挿入するステップと、
b)ソースが適位置に取り付けられた後でソース取付具を閉鎖するステップと、
c)チャンバと、チャンバの開放した壁に少なくとも部分的に配置されたカバー様の隔離手段とを互いに摺動させることによって、ソース材料を使用するためにソースのチャンバを開放するステップと、
d)固体または液体ソース材料を使用した後で、チャンバと、チャンバの少なくとも部分的に開放した壁に配置されたカバー様の隔離手段とを互いに摺動することによって、ソースのチャンバを閉鎖するステップと、
e)ソースを取り出すためにソース取付具を開放するステップと、
f)ソースを前記気相成長反応容器のソース取付具から取り出すステップとを含むことを特徴とする方法によって達成される。
本発明は、気相成長反応容器に提供されたソース取付具、またはソース取付具に提供されたレセプタクル(receptacle)、または連結式の穴、またはソース取付具に連結されソースを受けるように構成された別個の空間の内部に、少なくとも部分的に、好ましくは完全に挿入可能なソースを提供するという考えに基づいている。ソースは、気相成長反応容器に提供されたソース取付具のレセプタクルにソースが取り付けられていないときに、チャンバが通常閉鎖され実質上周囲環境から隔離されるような、固体または液体ソース材料用のチャンバを備える。ソースのチャンバは、ソースが、ソース取付具のレセプタクルに存在するときでも開閉可能であるように形成される。ソースがレセプタクルまたは空間から取り出されるときにもチャンバが好ましくは閉鎖されるように、ソースをソース取付具のレセプタクルまたはソース取付具に連結された別個の空間に取り付ける間に、チャンバを自動的に開放することができる。一方、ソースのチャンバは、ソースの適位置への取り付けとは完全に独立して開放することができ、それにより、ソースがソース取付具の内部に取り付けられた後にチャンバを開閉する。別個の手段がもたらされる。こうした構成では、ソースは、チャンバを隔離する特別な手段、ならびに特別な手段を備えたチャンバを開放および/または閉鎖する操作手段を備えることができる。ソース取付具はさらに、ソースがレセプタクルに存在するときに、ソースをソース取付具の適位置に取り付けかつ/またはロックし、かつ/あるいはソースのレセプタクルを閉鎖かつ封止する装入手段を備えることができる。あるいは、上述の装入手段を、固体ソースが取り付け可能である別個の空間と連結するように提供することができる。
管の端部またはその一部分は、好ましくはその端部の第2の端部13の近傍部分では、焼結物などの多孔質の材料から作ることもでき、その結果、多孔質の部分がチャンバに存在して、ソース材料がその多孔質の部分を通って流れることが可能になる。したがって、チャンバは、多孔質の部分を介して周りの空間に対して開放しており、それにより、フィルターとして働くこともできる。これは、ソース材料の汚れ(dusting)による不利点を避けることを可能にする。
Claims (30)
- 気相成長法のためのソースであって、気相成長反応容器に提供されたソース取付具または前記ソース取付具に連結されたソース空間の内部に、少なくとも部分的に挿入可能なソースであり、
前記ソースは、固体または液体ソース材料(3)用のチャンバ(1)であって、少なくとも1つの少なくとも部分的に開放した壁を備えるチャンバ(1)と、前記チャンバ(1)の前記壁上に配置可能な、前記チャンバを周囲環境から隔離するカバー様の隔離手段とを備え、前記カバー様の隔離手段および前記チャンバ(1)が、前記ソースが前記ソース取付具に取り付けられた後で前記チャンバ(1)を開放および閉鎖するために、互いに対して摺動するように構成され、前記ソースがさらに、第1の端部(11)および第2の端部(9)を有する棒要素(5)を備え、前記棒要素(5)が、前記第2の端部(9)またはその近くにチャンバ(1)を含むことを特徴とするソース。 - 請求項1に記載のソースであって、前記ソースは操作手段を備え、実質上周囲環境から隔離されている前記チャンバ(1)を開放および閉鎖するために、前記カバー様の隔離手段が前記操作手段によって前記チャンバ(1)に対して移動可能であるか、または前記チャンバ(1)が前記操作手段によって前記隔離手段に対して移動可能であることを特徴とするソース。
- 請求項1または2に記載のソースであって、前記チャンバ(1)が、固体または液体ソース材料(3)を受けるように構成されたソースるつぼであることを特徴とするソース。
- 請求項1乃至3のいずれか一項に記載のソースであって、前記カバー様の隔離手段がさらに、前記棒要素(5)に提供されるシール(19)を備え、前記シール(19)は、前記棒要素の長手方向における前記チャンバ(1)の少なくとも片側に提供され、管(7)が前記棒要素(5)の上に配置された後に、前記シール(19)が前記管(7)の内面に
押し付けられることを特徴とするソース。 - 請求項1乃至4のいずれか一項に記載のソースであって、周囲環境から実質上隔離された前記チャンバ(1)を開放および閉鎖するために、前記棒要素(5)が、前記カバー様の隔離手段に対して、前記棒要素(5)の長手方向軸の方向に移動可能であるか、または前記カバー様の隔離手段が、前記棒要素(5)に関して前記棒要素(5)の前記長手方向軸の方向に移動可能であるように、前記操作手段が提供されることを特徴とするソース。
- 請求項1乃至5のいずれか一項に記載のソースであって、前記カバー様の隔離手段は、第1の端部(15)および第2の端部(13)を有する管(7)を備え、前記管(7)が、前記チャンバ(1)を周囲環境から実質上隔離するように、前記棒要素(5)の周りに少なくとも部分的に配置可能であることを特徴とするソース。
- 請求項1乃至5のいずれか一項に記載のソースであって、前記カバー様の隔離手段は、実質上平坦なまたは湾曲したカバーを備え、前記カバーが、前記チャンバ(1)を周囲環境から実質上隔離するように、前記チャンバ(1)の前記開放した壁上に少なくとも部分的に配置可能であることを特徴とするソース。
- 請求項6に記載のソースであって、前記棒要素(5)が前記管(7)より長く、前記棒要素(5)の前記第2の端部(9)またはその付近に提供された前記チャンバ(1)の少なくとも一部分が、前記管(7)の前記第2の端部(13)の外に突き出すまで、あるいは同様に、前記チャンバ(1)が再び前記管(7)内に完全に引き込まれるまで、前記棒要素(5)が、前記管(7)の内側で前記棒要素(5)の長手方向軸の方向に移動可能になるように、前記チャンバ(1)が開放可能であるか、または、同様に、閉鎖可能であることを特徴とするソース。
- 請求項5乃至8のいずれか一項に記載のソースであって、前記チャンバ(1)を開放および閉鎖する前記操作手段が、前記棒要素(5)の前記第1の端部(11)に配置された第1のフランジ(25)と、前記管(7)またはカバーの前記第1の端部(15)に配置された第2のフランジ(27)とを備え、前記操作手段が、前記棒要素(5)の前記第1のフランジ(25)と前記管(7)またはカバーの前記第2のフランジ(27)との間に少なくとも1つのばね(17)を備えることを特徴とするソース。
- 請求項9に記載のソースであって、前記ばね(17)が圧縮されていない状態のときは、前記チャンバ(1)が周囲環境から実質上隔離されて閉鎖された状態にあり、前記ばね(17)が圧縮された状態のときは、前記チャンバ(1)が少なくとも部分的に開放されていることを特徴とするソース。
- 請求項9または10に記載のソースであって、前記操作手段がさらに、前記チャンバ(1)を開放するための、前記ばね(17)を圧縮する手段、および、前記チャンバ(1)を閉鎖するための、前記ばね(17)を解放する手段を備えることを特徴とするソース。
- 請求項1乃至4のいずれか一項に記載のソースであって、周囲環境から実質上隔離された前記チャンバ(1)を開放および閉鎖するために、前記棒要素(5)が、前記管(7)またはカバーに対して前記棒要素(5)の長手方向軸の周りを回転可能であるか、または前記管(7)またはカバーが、前記棒要素(5)に対して前記棒要素(5)の長手方向軸の周りを回転可能であるように、前記操作手段が提供されることを特徴とするソース。
- 請求項6または12に記載のソースであって、前記チャンバを開放および閉鎖するために、前記管(7)が、開口部、凹所、または多孔質領域を含み、それらが、前記操作手段によって、前記チャンバ(1)に存在しかつそこから離れるように移動可能であることを特徴とするソース。
- 請求項1乃至4のいずれか一項に記載のソースであって、周囲環境から実質上隔離された前記チャンバ(1)を開放および閉鎖するために、前記棒要素(5)が前記管(7)またはカバーに対して前記棒要素(5)の長手方向軸の方向に移動可能であるか、または前記管(7)またはカバーが前記棒要素(5)に対して前記棒要素(5)の長手方向軸の方向に移動可能であり、さらに、前記棒要素(5)が前記管(7)またはカバーに対して前記棒要素(5)長手方向軸の周りを回転可能であるか、または前記管(7)またはカバーが前記棒要素(5)に対して前記棒要素(5)の長手方向軸の周りを回転可能であるように、前記操作手段が提供されることを特徴とするソース。
- 請求項1乃至14のいずれか一項に記載のソースであって、前記操作手段が、前記気相成長反応容器に提供された制御手段に連結されて、前記チャンバ(1)を開放および閉鎖するために、前記操作手段を作動させることを可能にすることを特徴とするソース。
- 請求項1乃至15のいずれか一項に記載のソースであって、前記チャンバ(1)および/または前記棒要素(5)および/または前記カバー様の隔離手段が、少なくとも部分的にガラス製であることを特徴とするソース。
- 請求項1乃至16のいずれか一項に記載のソースであって、前記棒要素(5)がさらに、キャリアガス、洗浄ガスなどの流れを前記チャンバ(1)上に案内するためのチャネル(30)を備えることを特徴とするソース。
- ソースを気相成長反応容器に取り付けるための構成であって、前記構成は、ソース用の少なくとも1つのソース取付具を備え、前記ソース取付具が前記気相成長反応容器の反応空間に連結され、前記構成はさらに、前記ソース取付具または前記ソース取付具に連結されたソース空間の内部に、少なくとも部分的に取り付け可能なソースを備え、
前記構成は、前記ソース取付具内で前記ソースを受ける受取手段と、前記ソースを使用のために前記ソース取付具の適位置に取り付ける装入手段と、前記ソースに提供される、固体または液体ソース材料(3)用のチャンバ(1)と、前記チャンバ(1)を周囲環境から実質上隔離するカバー様の隔離手段(7、19)とを備え、
前記装入手段が、前記ソース取付具が閉鎖しているときに前記ソースの前記チャンバ(1)の隔離を開放し、および前記ソース取付具が開放されているときに前記チャンバの隔離を閉鎖するように構成され、前記カバー様の隔離手段および前記チャンバ(1)は、前記ソースが前記ソース取付具に取り付けられた後で前記チャンバ(1)を開放および閉鎖するために、互いに対して摺動するように構成されることを特徴とする構成。 - 請求項18に記載の構成であって、前記カバー様の隔離手段および前記チャンバ(1)を互いに摺動させることによって、前記ソースが前記ソース取付具に存在するときに、前記チャンバ(1)の隔離が、随意に開放可能および閉鎖可能となるように、前記カバー様の隔離手段(7、19)が提供されることを特徴とする構成。
- 請求項18または19に記載の構成であって、前記カバー様の隔離手段(7、19)によって隔離された前記チャンバ(1)を開放および閉鎖する、前記ソースに提供される操作手段をさらに備えることを特徴とする構成。
- 請求項18乃至20のいずれか一項に記載の構成であって、前記受取手段が、前記ソースおよび少なくとも前記ソースの前記チャンバ(1)を受けるための、連結式の穴またはレセプタクルを備えることを特徴とする構成。
- 請求項18乃至21のいずれか一項に記載の構成であって、前記装入手段が、前記ソースを前記ソース取付具の適位置にロックし、また、前記ソースのロックを開放するように構成されることを特徴とする構成。
- 請求項18または22に記載の構成であって、前記装入手段が手動で動作することを特徴とする構成。
- 請求項18乃至23のいずれか一項に記載の構成であって、前記装入手段が、前記ソースを前記ソース取付具に提供されたレセプタクルの内部にロックするための扉を備えることを特徴とする構成。
- 請求項18または24に記載の構成であって、前記隔離手段によってもたらされる前記ソースの前記チャンバ(1)の隔離を開放および閉鎖する、前記ソース取付具に提供された別個の操作手段を備えることを特徴とする構成。
- 請求項18乃至24のいずれか一項に記載の構成であって、キャリアガス、洗浄ガスなどを前記ソース取付具内に吹き出す少なくとも1組の気体供給手段をさらに備えることを特徴とする構成。
- 請求項19乃至28のいずれか一項に記載の構成であって、前記ソースの前記チャンバに収容された前記固体または液体ソース材料を加熱する、前記ソース取付具に提供される加熱手段をさらに備えることを特徴とする構成。
- ソースを気相成長反応容器に取り付け前記ソースを気相成長反応容器から取り出すための方法であって、
a)チャンバが閉鎖しているときに、実質上周囲環境から隔離して開閉可能な、固体または液体ソース材料用の前記チャンバを備えたソースを、気相成長反応容器のソース取付具または前記ソース取付具と連結したソース空間の内部に少なくとも部分的に挿入するステップと、
b)前記ソースが適位置に取り付けられた後で前記ソース取付具を閉鎖するステップと、
c)前記チャンバと、前記チャンバの開放した壁に少なくとも部分的に配置されたカバー様の隔離手段とを互いに摺動させることによって、前記ソース材料を使用するために前記ソースの前記チャンバを開放するステップと、
d)前記固体または液体ソース材料を使用した後で、前記チャンバと、前記チャンバの少なくとも部分的に開放した壁に配置されたカバー様の隔離手段とを互いに摺動することによって、前記ソースの前記チャンバを閉鎖するステップと、
e)前記ソースを取り出すために前記ソース取付具を開放するステップと、
f)前記ソースを前記気相成長反応容器の前記ソース取付具から取り出すステップとを含み、
ステップb)およびc)ならびにステップd)およびe)を、前記ソース取付具を閉鎖することにより、前記チャンバを自動的に開放し、前記ソース取付具を開放することによって、前記チャンバを自動的に閉鎖するように組み合わせることを特徴とする方法。 - 請求項28に記載の方法であって、前記ソースの前記チャンバが、前記ソース取付具に存在する間に、所望の通りの動作順序にしたがって開閉されることを特徴とする方法。
- 請求項28または29に記載の方法であって、ソース取付具のソースを取り替えるために適用されることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI20055189 | 2005-04-22 | ||
FI20055189A FI118803B (fi) | 2005-04-22 | 2005-04-22 | Lähde, järjestely lähteen asentamiseksi sekä menetelmä lähteen asentamiseksi ja poistamiseksi |
PCT/FI2006/050159 WO2006111618A1 (en) | 2005-04-22 | 2006-04-21 | Source, an arrangement for installing a source, and a method for installing and removing a source |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008537022A JP2008537022A (ja) | 2008-09-11 |
JP4819879B2 true JP4819879B2 (ja) | 2011-11-24 |
Family
ID=34508188
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008507108A Active JP4819879B2 (ja) | 2005-04-22 | 2006-04-21 | ソース、ソースを取り付けるための構成、およびソースを取り付け取り出すための方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7922821B2 (ja) |
EP (1) | EP1871923A4 (ja) |
JP (1) | JP4819879B2 (ja) |
CN (1) | CN101163815B (ja) |
FI (1) | FI118803B (ja) |
RU (1) | RU2398048C2 (ja) |
WO (1) | WO2006111618A1 (ja) |
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- 2005-04-22 FI FI20055189A patent/FI118803B/fi active
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2006
- 2006-04-21 JP JP2008507108A patent/JP4819879B2/ja active Active
- 2006-04-21 RU RU2007137547/02A patent/RU2398048C2/ru active
- 2006-04-21 EP EP06725934A patent/EP1871923A4/en not_active Withdrawn
- 2006-04-21 US US11/918,125 patent/US7922821B2/en active Active
- 2006-04-21 CN CN2006800135430A patent/CN101163815B/zh active Active
- 2006-04-21 WO PCT/FI2006/050159 patent/WO2006111618A1/en active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1871923A4 (en) | 2010-05-26 |
RU2007137547A (ru) | 2009-05-27 |
RU2398048C2 (ru) | 2010-08-27 |
US20090277390A1 (en) | 2009-11-12 |
FI118803B (fi) | 2008-03-31 |
FI20055189A (fi) | 2006-10-23 |
FI20055189A0 (fi) | 2005-04-22 |
JP2008537022A (ja) | 2008-09-11 |
WO2006111618A1 (en) | 2006-10-26 |
CN101163815A (zh) | 2008-04-16 |
EP1871923A1 (en) | 2008-01-02 |
US7922821B2 (en) | 2011-04-12 |
CN101163815B (zh) | 2010-12-08 |
WO2006111618A8 (en) | 2006-12-28 |
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