JP4818024B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4818024B2 JP4818024B2 JP2006226289A JP2006226289A JP4818024B2 JP 4818024 B2 JP4818024 B2 JP 4818024B2 JP 2006226289 A JP2006226289 A JP 2006226289A JP 2006226289 A JP2006226289 A JP 2006226289A JP 4818024 B2 JP4818024 B2 JP 4818024B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- type mos
- control circuit
- mos transistor
- antifuse
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 48
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 38
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 12
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
- G11C17/14—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM
- G11C17/18—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
Description
図1及び図2を参照して本発明の第1実施形態に係る半導体記憶装置を説明する。
先ず、図1を参照して、本発明の第1実施形態に係る半導体記憶装置の概略構成を説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体記憶装置の概略構成図である。
次に、図2を参照して、本発明の第1実施形態に係る半導体記憶装置の書き込み電圧昇圧動作について説明する。図2は、本発明の第1実施形態に係る半導体記憶装置の動作タイミング図である。なお、書き込み電圧源2は、すべての記憶セル1aに対して、共通に設けられているため、書き込み動作を行わない記憶セル1aであってもそのアンチヒューズ10に対して書き込み電圧源2から書き込み電圧が供給される。
次に、図2を参照して、第1実施形態に係る半導体装置の書き込み動作について説明する。書き込み電圧源2の昇圧動作が完了した状態で、まず、書き込み回路4が第2n型MOSトランジスタ13をオンするのに十分な電圧、例えば、1.5Vのゲート信号を出力する。この書き込み回路4からのゲート信号に伴い、第2n型MOSトランジスタ13がオン状態となり、センスノード14と接地端子16とが接続される。そして、センスノード14が、GNDレベルとなると共に、下端ノード11の電位も低下する。これにより、アンチヒューズ10の両端に大きな電位差が発生し、アンチヒューズ10を構成するゲート絶縁膜が破壊され、情報の書き込みが行われる。このようにアンチヒューズ10を構成するゲート絶縁膜が破壊された状態において、アンチヒューズ10は導電性を有し、書き込み電圧源2と下端ノード11は導通する。
次に、第1実施形態における半導体記憶装置の読み出し動作について説明する。まず、バリアトランジスタ制御電圧源3は、第1n型MOSトランジスタ12をオンするのに十分な電圧、例えば3Vに昇圧し、ゲート信号を出力する。これに伴い、第1n型MOSトランジスタ12はオンとなり、下端ノード11とセンスノード14とが接続される。つづいて、書き込み電圧源2がアンチヒューズ10を構成するゲート絶縁膜を破壊する虞のない程度の電圧、例えば、1.5Vを出力する。これに伴い、書き込みの行われた記憶セル1aにおいて、センスノード14の電位が上昇する。一方、書き込みの行われていない記憶セル1aにおいては、センスノード14の電位は上昇しない。
次に、図3及び図4を参照して、本発明の第2実施形態に係る半導体記憶装置を説明する。
先ず、図3を参照して、本発明の第2実施形態に係る半導体記憶装置の概略構成を説明する。図3は、本発明の第2実施形態に係る半導体記憶装置の概略構成図である。
次に、図4を参照して、第2実施形態の半導体記憶装置における書き込み電圧源2の昇圧動作について説明する。図4は、第2実施形態における半導体記憶装置の動作タイミング図である。なお、書き込み電圧源2は、すべての記憶セル1aに対して、共通に設けられているため、書き込み動作を行わない記憶セル1aであってもそのアンチヒューズ10に対して書き込み電圧昇圧動作が実行される。
次に、第2実施形態に係る半導体記憶装置における書き込み動作について説明する。書き込み電圧昇圧動作が完了した状態で、始めに、書き込み回路4が第2n型MOSトランジスタ13をオンするのに十分な電圧、例えば1.5Vに昇圧しゲート信号を出力する。すると、第2n型MOSトランジスタ13がオンすることによって、センスノード14と接地端子16とが接続される。そして、センスノード14がGNDレベルとなり、それに伴い下端ノード11の電位も低下する。
次に、第2実施形態に係る半導体記憶装置の読み出し動作について説明する。読み出し動作においては、書き込み回路4は常に低電位を出力し、プリチャージ制御回路6は常に高電位を出力する。始めに、バリアトランジスタ制御電圧源3が第1n型MOSトランジスタ12をオンするのに十分な電圧、例えば3Vに昇圧し、ゲート信号を出力する。このゲート信号に伴い、第1n型MOSトランジスタ12がオンとなり、下端ノード11とセンスノード14とが接続される。次に、書き込み電圧源2がアンチヒューズ10を構成するゲート絶縁膜を破壊する恐れのない程度の電圧、例えば1.5V を発生する。
Claims (3)
- 書き込み電圧を印加可能な書き込み電圧源と、
前記書き込み電圧源に接続され、その一端に前記書き込み電圧が供給されるアンチヒューズと、
当該アンチヒューズの他端に一端を接続した第1トランジスタと、
当該第1トランジスタのゲートにゲート信号を与え、前記第1トランジスタのオン/オフを制御する第1トランジスタ制御回路と、
前記第1トランジスタの他端に一端を接続し、他端を接地した第2トランジスタと、
当該第2トランジスタのゲートにゲート信号を与え、前記第2トランジスタのオン/オフを制御する第2トランジスタ制御回路と、
前記第1トランジスタの他端に一端を接続したセンスノードと、
当該センスノードに接続され、当該センスノードにかかる電位を参照電位と比較するセンスアンプと、
前記センスノードに電荷を蓄積させ、前記アンチヒューズの両端にかかる電位差を制御する電位差制御回路とを備え、
前記電位差制御回路は、
前記センスノードに一端を接続し、前記第2トランジスタ制御回路にゲートを接続した第3トランジスタと、
前記第3トランジスタの他端に一端を接続し、前記第1トランジスタ制御回路に他端を接続した第4トランジスタと、
前記第4トランジスタのゲートにゲート信号を与え、前記第4トランジスタのオン/オフを制御するプリチャージ制御回路と
を備えることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記センスノードに一端を接続すると共に他端を接地した接地トランジスタと、
当該接地トランジスタのゲートにゲート信号を与え、前記接地トランジスタのオン/オフを制御し、前記センスノードに蓄積された電荷の放電を制御するディスチャージ制御回路と
を備えることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。 - 前記アンチヒューズは、MOSFETのゲート絶縁膜であることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の半導体記憶装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006226289A JP4818024B2 (ja) | 2006-08-23 | 2006-08-23 | 半導体記憶装置 |
US11/839,199 US7542367B2 (en) | 2006-08-23 | 2007-08-15 | Semiconductor memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006226289A JP4818024B2 (ja) | 2006-08-23 | 2006-08-23 | 半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008052789A JP2008052789A (ja) | 2008-03-06 |
JP4818024B2 true JP4818024B2 (ja) | 2011-11-16 |
Family
ID=39113227
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006226289A Expired - Fee Related JP4818024B2 (ja) | 2006-08-23 | 2006-08-23 | 半導体記憶装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7542367B2 (ja) |
JP (1) | JP4818024B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4851903B2 (ja) * | 2005-11-08 | 2012-01-11 | 株式会社東芝 | 半導体チャージポンプ |
JP4510057B2 (ja) * | 2007-06-21 | 2010-07-21 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2009277291A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2010170609A (ja) | 2009-01-22 | 2010-08-05 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2011159365A (ja) * | 2010-02-02 | 2011-08-18 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及び半導体装置を含む情報処理システム |
US8508971B2 (en) * | 2011-11-08 | 2013-08-13 | Wafertech, Llc | Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate |
US9362001B2 (en) * | 2014-10-14 | 2016-06-07 | Ememory Technology Inc. | Memory cell capable of operating under low voltage conditions |
US9177665B1 (en) * | 2015-02-07 | 2015-11-03 | Chung Yuan Christian University | Write and read circuit for anti-fuse non-volatile memory |
FR3085530B1 (fr) | 2018-08-31 | 2020-10-02 | St Microelectronics Rousset | Circuit integre comportant au moins une cellule memoire avec un dispositif anti-fusible. |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0697702B1 (en) * | 1994-08-19 | 2003-01-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device and high-voltage switching circuit |
JP3688899B2 (ja) * | 1998-09-08 | 2005-08-31 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路装置 |
US6320809B1 (en) * | 2000-07-05 | 2001-11-20 | Micron Technology, Inc. | Low voltage level power-up detection circuit |
JP4138228B2 (ja) * | 2000-11-20 | 2008-08-27 | 株式会社東芝 | 半導体メモリ |
JP3790208B2 (ja) * | 2002-10-08 | 2006-06-28 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路装置 |
JP2005116048A (ja) * | 2003-10-07 | 2005-04-28 | Elpida Memory Inc | アンチフューズプログラミング回路 |
JP4282529B2 (ja) * | 2004-04-07 | 2009-06-24 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路装置及びそのプログラム方法 |
JP4302049B2 (ja) * | 2004-12-17 | 2009-07-22 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2006172660A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP4772328B2 (ja) * | 2005-01-13 | 2011-09-14 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2006236511A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置 |
JP4761980B2 (ja) * | 2005-09-13 | 2011-08-31 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路装置 |
JP4851903B2 (ja) * | 2005-11-08 | 2012-01-11 | 株式会社東芝 | 半導体チャージポンプ |
US7310282B2 (en) * | 2005-12-30 | 2007-12-18 | Lexmark International, Inc. | Distributed programmed memory cell overwrite protection |
-
2006
- 2006-08-23 JP JP2006226289A patent/JP4818024B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-08-15 US US11/839,199 patent/US7542367B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008052789A (ja) | 2008-03-06 |
US7542367B2 (en) | 2009-06-02 |
US20080049485A1 (en) | 2008-02-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4818024B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
US7796460B2 (en) | Nonvolatile semiconductor memory device | |
JP4921985B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
US7269081B2 (en) | Program circuit of semiconductor | |
KR101027734B1 (ko) | 전기 퓨즈 회로 및 전자 부품 | |
US8154941B2 (en) | Non-volatile semiconductor memory device and method of writing data therein | |
JP5082334B2 (ja) | 電気ヒューズ回路、メモリ装置及び電子部品 | |
US7257012B2 (en) | Nonvolatile semiconductor memory device using irreversible storage elements | |
US7864602B2 (en) | Non-volatile semiconductor storage device and method of writing data thereto | |
JP2006294085A (ja) | 半導体装置 | |
JP4922009B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
US6301154B1 (en) | Semiconductor memory device having floating gate type transistors programmed to have differing threshold voltages | |
JP2009283602A (ja) | 不揮発性半導体メモリ | |
US8565028B2 (en) | Semiconductor nonvolatile memory device | |
US20070262791A1 (en) | Integrated Circuit to Store a Datum | |
JP2007294031A (ja) | 不揮発性記憶素子を搭載した半導体記憶装置 | |
KR101210285B1 (ko) | 전기적인 퓨즈 프로그래밍을 이용한 1t-sram의 리던던시 제어 회로 | |
US7551500B2 (en) | Memory cell fuse circuit and controlling method thereof | |
JP2004259320A (ja) | オプションフューズ回路 | |
TWI281671B (en) | An option fuse circuit using standard CMOS manufacturing process | |
JP2011233195A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090205 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110610 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110621 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110713 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110802 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110830 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140909 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140909 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |