JP4799040B2 - 位置検出装置、および、位置入力装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明を適用した実施形態に係る位置入力装置としての座標入力装置1の概略構成を示す図である。図1に示すように、座標入力装置1は、ユーザが手に持って操作する入力ペン(座標指示器)10と、操作台となる操作面20aを有するタブレット20とを含んで構成される。
位置検出装置としてのタブレット20は、操作面20aにおける入力ペン10の位置を検出するとともに、入力ペン10の芯11が押圧操作された場合に、その操作を検出するものである。また、タブレット20は、入力ペン10による操作位置を検出する処理を行う検出回路部100を内蔵し、この検出回路部100は、タブレット20を入力デバイスとして利用する電子機器49に接続される。電子機器49は、表示装置50および出力装置51を備える。
なお、以下の説明においては、タブレット20の各部について、操作面20a側(上側)を表側とし、その反対側を裏側とする。
表面シート22の下方にはパネル23が配設される。パネル23は、入力ペン10とタブレット20との間で送受信される信号を透過させる材料(例えば、合成樹脂等)により構成される板状部材であり、筐体21に嵌め込まれる。
表面シート22およびパネル23は同サイズに形成される。また、センサ基板24およびシールド部201は、ほぼ同形状かつ同サイズに構成され、これらセンサ基板24およびシールド部201は表面シート22およびパネル23よりも大きなサイズとなっている。
ループコイル群28は、X軸方向に並ぶ複数(例えば、48本)のループコイル28-i(i=1、2、…、48)から構成される。ループコイル28-iは、上記Y軸に沿って延びる1ターンのループコイルであり、各ループコイル28-iは、互いに平行で、かつ、重なり合う如く並べて配置されたものである。また、ループコイル群29は、Y軸方向に並ぶ複数(例えば、48本)のループコイル29-i(i=1、2、…、48)から構成され、上記Y軸方向に沿って延びる1ターンのループコイルであり、各ループコイル29-iは、互いに平行で、かつ、重なり合う如く並べて配置されたものである。
入力ペン10は、内蔵する基板(図示略)に実装されるコンデンサ14およびコイル15を含む共振回路16を内蔵しており、この共振回路16と、タブレット20が有するループコイル群28、29との間で所定周波数の無線信号を送受信する。また、入力ペン10は、芯11に加わる押圧力に応じてコイル15のインダクタンスが変化する機構を備え、これにより、入力ペン10の操作時に芯11に押圧力が加わると、共振回路16の共振周波数が変化するようになっている。
送受切替回路34は、信号発生回路31から入力される送受切替信号Cに従って選択回路32により選択されたX方向の一のループコイルを駆動回路45並びに増幅器47に交互に接続し、送受切替回路35は、送受切替信号Cに従って選択回路33により選択されたY方向の一のループコイルを駆動回路46並びに増幅器48に交互に接続する。
信号Fが出力されている間、検出回路部100は上記送信動作を実行し、信号Fが出力されていない間は上記受信動作を実行する。この送信動作と受信動作とは上記時間T毎に交互に繰り返される。
図5に示すように、シールド部201は、シールド板221の裏面側にシールド層231を設けた構成となっており、シールド板221はセンサ基板24にループコイル群28、29(図3)が配設された領域を覆う形状及びサイズを有し、シールド層231は、シールド板221の裏面のほぼ全体を覆う。
上述したように、座標入力装置1においては、操作面20aの端部、すなわちループコイル群28、29が配設された領域の端部において受信感度が低下する可能性がある。これは、操作面20aの中央においては、入力ペン10のコイルにループコイルからの多くの磁力線が入射するのに対し、操作面20aの端においては、ループコイルの磁力線が入力ペン10のコイルの中心軸と直角に近い角度で交わるため、入力ペン10のコイルに少しの磁力線しか入射しないことに起因すると考えられる。さらに、シールド部201の直下に、金属板(特に面積の広い金属板)がある場合には、渦電流損失によって、より一層磁力線が減少するために、受信感度の低下が顕著になる。
また、カーソルコイル17をカーソル本体175に収めた状態においては、コイル172の環を覆うレンズ(図示略)が装着され、このレンズにはコイル172の中心位置(環の中心)を示すマーカ(図示略)が付されている。後述する測定においては、このマーカにより示されるコイル172の中心位置を基準として、インダクタンスを測定した。
そして、カーソルコイル17の移動は、上記直線上で端点Pから100mm(ミリメートル)離隔したシールド部201内の点を始点とし、端点Pを通り、シールド部201外で端点Pから15mm離隔した点を終点とする。
図7(b)は測定結果を示す図表であり、図中、横軸は上記直線上における端点Pからの距離(-100mm〜15mm)を示し、縦軸はカーソルコイル17のインダクタンスを示す。
図8に示す結果においても、シールド層231としてアモルファス磁性合金リボンを用いた例(1)では、シールド層231を設けない例(4)に比べて、インダクタンスが顕著に向上することが明らかになった。また、シールド層231として6.5%Si鋼板を用いた例(2)、すなわち、シールド板221と同一のものをシールド層231に用いた例でも、インダクタンスが顕著に向上することが明らかになった。一方、シールド層231として鋼板を用いた例(3)では、シールド層231を設けない例(4)と同様の結果となり、シールド層231の効果が殆ど無いことが明らかになった。
そこで、一例として、比透磁率と強く相関するインダクタンスに着目して種々の材料について検討を行った結果、上述した0.08mm厚アモルファス磁性合金リボン(熱処理後)および0.1mm厚6.5%Si鋼板に加え、0.5mm厚Si鋼板(1〜4重量%)、0.2mm厚Si鋼板(1〜4重量%)、NiCr合金(ニッケル−クロム−鉄合金)、PBパーマロイ、PCパーマロイ、42Ni板(42ニッケル−鉄合金板)を用いた場合において、対照例とは有意な差が認められた。ここでいうインダクタンスは、一例として、375kHzにおけるインダクタンスである。
1.アルミニウム板:インダクタンス59.1[μH]、最大比透磁率(μm)1、初期比透磁率(μi)1
2.鋼板:インダクタンス60.7[μH]、最大比透磁率6000〜9000、初期比透磁率200〜300
3.0.5mm厚Si鋼板(1〜4重量%):インダクタンス75.3[μH]、最大比透磁率7000〜13000、初期比透磁率(下限)1500
4.0.2mm厚Si鋼板(1〜4重量%):インダクタンス78.5[μH]
5.0.2mm厚NiCr合金板:インダクタンス82.8[μH]
6.0.1mm厚6.5%Si鋼板:インダクタンス83.0[μH]、最大比透磁率(下限)23000
7.PBパーマロイ:インダクタンス88[μH]、最大比透磁率40000〜50000、初期比透磁率4000〜6000
8.0.125mm厚42Ni合金板:インダクタンス90.2[μH]、初期比透磁率(下限)4500
9.アモルファス磁性合金板(熱処理前):インダクタンス90[μH]、最大比透磁率(下限)45000
10.PCパーマロイ:インダクタンス93.5[μH]、最大比透磁率120000〜300000、初期比透磁率15000〜40000
11.アモルファス磁性合金板(熱処理後):インダクタンス98.2[μH]、初期比透磁率30000〜50000
一方、3.〜11.の各材料を用いた場合には、タブレット20の受信強度を増す効果が得られることが明らかになった。
従って、本第1の実施の形態におけるシールド層231を構成する材料としては、鉄を除く強磁性材料が好ましく、例えばインダクタンスを指標とした場合は75[μH]以上のもの、また例えば最大比透磁率を指標とした場合は7000以上、初期比透磁率を指標とした場合は1500以上のものが利用可能である。さらに、例えば、Si鋼板(1〜4重量%)、NiCr合金板、6.5%Si鋼板、PBパーマロイ、42Ni合金板、アモルファス磁性合金板(熱処理前)、PCパーマロイ、および、アモルファス磁性合金板(熱処理後)のいずれかであれば、より好ましい。また、シールド層231の厚みが薄くても効果が得られることから、厚みについては特に制限はなく、上記材料の箔を用いても好適であると考えられる。
また、Si鋼板については、上述したものだけでなく、例えば4.0重量%〜7.0重量%のケイ素を含むケイ素鋼の板を用いても同様の効果が得られる。
シールド部201において、シールド板221に加えてシールド層231を設けることでタブレット20における受信強度が改善される理由としては、シールド部201の端部において、シールド板221とシールド層231の面に対する磁力線の回り込みが起きると考えられる。つまり、シールド部201がシールド板221のみにより構成される場合、磁力線がシールド板221の裏面に回り込むのに対し、シールド層231をさらに設ければ、シールド板221の裏面だけでなく、シールド層231の裏面にも磁力線が回り込むことで、タブレット20の受信強度がより一層高まったものと考えられる。
そこで本出願人は、シールド層231として強磁性材料からなる複数の層を積層したものを用い、その効果を検討した。その結果を図9に示す。
なお、図9中の(1)は、シールド部201の周囲に強磁性材料および金属材料等を置かない状況において測定した結果を示し、(2)はシールド部201から所定の距離だけ離隔した下方にアルミニウム板を配置した状況において測定した結果を示し、(3)はシールド部201の直下にシールド部201よりも広い面積を有するアルミニウム板を配置した状況において測定した結果を示す。(2)および(3)の例は、図2(b)に示すように周辺回路26が存在する状況を模して、インダクタンスの変化をみるために行った。
この効果は、シールド部201の下方にアルミニウム板が位置する状況(2)およびシールド部201の直下にアルミニウム板が位置する状況(3)であっても同様であり、アルミニウム板の影響によってインダクタンスが全体的に低下するものの、シールド層231の層の数が増加するに従ってインダクタンスが増大しており、タブレット20の受信強度が改善することが明らかである。
また、上記実施形態において、シールド部201は、シールド板221の裏面側にシールド層231を設けた構成としたが、本発明はこれに限定されず、例えば、シールド板221の表側、すなわち、シールド板221とセンサ基板24との間にシールド層231を設けた構成としても良い。この場合、シールド層231がセンサ基板24に対してさらに近接することにより、シールド層231による効果がより顕著に現れる。すなわち、センサ基板24の辺縁部における受信強度を、より一層向上させることが可能となる。
図10は、シールド部201に代えて用いるシールド部202の構成を示す図であり、(a)は表側を示す平面図であり、(b)は正面図であり、(c)は側面図であり、(d)は裏側を示す平面図である。
図11は、シールド部201に代えて用いるシールド部203の構成を示す図であり、(a)は表側を示す平面図であり、(b)は正面図であり、(c)は側面図であり、(d)は裏側を示す平面図である。
図12は、シールド部201に代えて用いるシールド部204の構成を示す図であり、(a)は表側を示す平面図であり、(b)は正面図であり、(c)は側面図であり、(d)は裏側を示す平面図である。
図13は、シールド部201に代えて用いるシールド部205の構成を示す図であり、(a)は表側を示す平面図であり、(b)は正面図であり、(c)は側面図であり、(d)は裏側を示す平面図である。
図14は、シールド部201に代えて用いるシールド部206の構成を示す図であり、(a)は表側を示す平面図であり、(b)は正面図であり、(c)は側面図であり、(d)は裏側を示す平面図である。
図15は、シールド部201に代えて用いるシールド部207の構成を示す図であり、(a)は表側を示す平面図であり、(b)は正面図であり、(c)は側面図であり、(d)は裏側を示す平面図である。
図16は、シールド部201に代えて用いるシールド部208の構成を示す図であり、(a)は表側を示す平面図であり、(b)は正面図であり、(c)は側面図であり、(d)は裏側を示す平面図である。
図17は、シールド部201に代えて用いるシールド部209の構成を示す図であり、(a)は表側を示す平面図であり、(b)は正面図であり、(c)は側面図であり、(d)は裏側を示す平面図である。
シールド板222は、シールド板221と同様の材料により構成される。また、シールド層241の材料は、上記実施形態におけるシールド層231と同様であって、1層または複数の層からなるものであるが、シールド層241の材料および層の数は、シールド層241のインダクタンスがシールド板222よりも大きくなるように決定されることが望ましい。
図18は、シールド部201に代えて用いるシールド部210の構成を示す図であり、(a)は表側を示す平面図であり、(b)は正面図であり、(c)は側面図であり、(d)は裏側を示す平面図である。
シールド層242の材料は、上記実施形態におけるシールド層231と同様であって、1層または複数の層からなるものであるが、シールド層242の材料および層の数は、シールド層242のインダクタンスがシールド板222よりも大きくなるように決定されることが望ましい。
図19は、シールド部201に代えて用いるシールド部211の構成を示す図であり、(a)は表側を示す平面図であり、(b)は正面図であり、(c)は側面図であり、(d)は裏側を示す平面図である。
シールド層244の材料は、上記実施形態におけるシールド層231と同様であって、1層または複数の層からなるものであるが、シールド層244の材料および層の数は、シールド層244のインダクタンスがシールド板222よりも大きくなるように決定されることが望ましい。
図20は、シールド部201に代えて用いるシールド部212の構成を示す図であり、(a)は表側を示す平面図であり、(b)は正面図であり、(c)は側面図であり、(d)は裏側を示す平面図である。
シールド層245の材料は、上記実施形態におけるシールド層231と同様であって、1層または複数の層からなるものであるが、シールド層245の材料および層の数は、シールド層245のインダクタンスがシールド板222よりも大きくなるように決定されることが望ましい。
図21は、シールド部201に代えて用いるシールド部213の構成を示す図であり、
(a)は表側を示す平面図であり、(b)は正面図であり、(c)は側面図であり、(d)は裏側を示す平面図である。
すなわち、図22(a)〜(c)に示すように、シールド板221の表側の面において、シールド板221の中央及びその近傍を覆う位置に金属層250を配置する構成とする。
図23は、図22に示す構成におけるインダクタンスを示す図表であり、(a)はシールド板221のみとした場合のインダクタンスを示し、(b)は金属層250を配した場合におけるインダクタンスを示す。
この場合、入力ペン10から送信される信号の受信強度の差を、ソフトウェア的に補償する必要があるが、検出される入力ペン10の位置に応じて受信された信号の強度を補正する処理の負荷が大きく、望ましいものではない。
ここで、金属層250は、金属であって、シールド層221のインダクタンスを低下させる材料により構成され、例えば、アルミニウム等の非磁性材料、或いは、鉄、ニッケル、コバルト、ケイ素鋼板等の強磁性材料のうち比透磁率(インダクタンスL)の小さいものが挙げられる。
また、上記実施形態においては、シールド部のシールド板及びシールド層を構成する材料として、主に金属材料を中心に検討しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、上述したインダクタンス、最大比透磁率、初期比透磁率を指標とした条件に適合するものであれば、金属材料に限らず、樹脂材料等をはじめとする種々の材料を用いることが可能である。
10 入力ペン(位置指示器)
11 芯
14 コンデンサ
15 コイル
16 共振回路
20 タブレット(位置検出装置)
20a 操作面
21 筐体
22 表面シート
23 パネル
24 センサ基板(センス部)
26 周辺回路
28、29 ループコイル群
30 制御回路
100 検出回路部
201〜213 シールド部
221〜223 シールド板
231〜238、241、242、244〜246 シールド層(磁性体)
250 金属層
Claims (16)
- 位置指示器との間における電磁誘導作用により、前記位置指示器により指示された位置を検出する位置検出装置において、
前記位置指示器により位置が指示される操作面と、この操作面の下方に配置され、位置検出用の複数のコイルを有するセンス部と、このセンス部の裏面に対向配置されるシールド板とを備え、
前記操作面が、前記センス部の端部まで設けられ、前記シールド板の下方であって、前記センス部の端部に重なる領域に、純鉄を除く強磁性材料からなる磁性体を設けたこと、
を特徴とする位置検出装置。 - 前記強磁性材料からなる磁性体は、そのインダクタンス、最大比透磁率、または初期比透磁率が、前記シールド板を構成する材料と同一またはそれより大きいものであることを特徴とする請求項1記載の位置検出装置。
- 前記磁性体は、前記強磁性材料からなる複数の層が積層されたものであることを特徴とする請求項1または2記載の位置検出装置。
- 前記強磁性材料は、インダクタンスが75[μH]以上のものであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の位置検出装置。
- 前記強磁性材料は、最大比透磁率が7000以上のものであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の位置検出装置。
- 前記強磁性材料は、初期比透磁率が1500以上のものであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の位置検出装置。
- 前記強磁性材料は、ケイ素鋼、NiCr合金、PBパーマロイ、42Ni合金、熱処理されていないアモルファス磁性合金、PCパーマロイ、および、熱処理済みのアモルファス磁性合金のいずれかであることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の位置検出装置。
- 前記シールド板はケイ素鋼により構成されたことを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の位置検出装置。
- 前記ケイ素鋼は、4.0〜7.0重量%のケイ素を含むものであることを特徴とする請求項8記載の位置検出装置。
- 前記磁性体は、前記シールド板の表面において、少なくともその端部を覆うものであることを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載の位置検出装置。
- 前記磁性体は、前記シールド板の表面において、少なくとも1以上の隅部を覆うものであることを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載の位置検出装置。
- 前記磁性体は、前記シールド板の表面において、その辺縁部を覆うものであることを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載の位置検出装置。
- 前記磁性体は、前記シールド板の少なくとも一方の面全体を覆うものであることを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載の位置検出装置。
- 前記磁性体は、前記シールド板の下方において、その一部が前記シールド板に重ならない位置まで延びるように配設され、前記シールド板を上方から見た場合に前記磁性体の一部が露出することを特徴とする請求項9から13のいずれかに記載の位置検出装置。
- 前記磁性体は、各々が前記強磁性材料で形成された複数の部材で構成されるものであることを特徴とする請求項1から14のいずれかに記載の位置検出装置。
- 位置を指示する位置指示器と、前記位置指示器との間における電磁誘導作用によって前記位置指示器により指示された位置を検出する位置検出装置とを備え、前記位置検出装置により検出した位置を示す情報を出力する位置入力装置において、
前記位置検出装置は、前記位置指示器により位置が指示される操作面と、この操作面の下方に配置され、位置検出用の複数のコイルを有するセンス部と、このセンス部の裏面に対向配置されるシールド板とを備え、前記操作面が、前記センス部の端部まで設けられ、前記シールド板の下方であって、前記センス部の端部に重なる領域に、鉄を除く強磁性材料からなる磁性体を重ねて配設した構成を有すること、
を特徴とする位置入力装置。
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