JP4785326B2 - 二重ペンドラム弁アセンブリ - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ゲート弁アセンブリに、特に処理室隔離弁および真空ポンプ隔離弁を備えた二重ペンドラム弁アセンブリに関する。真空ポンプ隔離弁は、ペンドラム弁アセンブリおよび処理室のクリーニング中に、ペンドラム弁アセンブリに連結された真空ポンプを隔離することによって、真空ポンプが大気に触れないようにするのに有用である。
【０００２】
【従来の技術】
ペンドラム弁アセンブリには一般的に、ペンドラム弁を収容し、内部空間、およびガス流体が内部空間に流出入できるようにする１対の開口を有するハウジングが設けられている。その名前が表すように、ペンドラム弁は、開閉位置間を枢動し、また、一般的にディスクとして設けられてピボットアームによって回転シャフトに連結された弁体を有する。全開位置では、ペンドラム弁のディスクは、開口によって定められた流路から外れる位置へ移動して、流体がハウジングの内部空間に流出入できるようにする一方、全閉位置では、ディスクが開口の１つを包囲している弁座と密着接触する位置へ移動して、流体が内部空間に流入できないようにする。
【０００３】
ディスクの移動は一般的に、全開位置に等しい第１角位置と第２角位置との間の枢動または回転移動と、その次の、第２角位置から、ディスクが弁座と密着接触する全閉位置への少なくとも多少の並進移動とを必要とする。回転および並進移動をこのように組み合わせるために、従来型ペンドラム弁は一般的に多数のアクチュエータ部材を使用しているが、これらは本来的にディスクを正確に移動させることが困難であり、したがって、正確な流量制御に使用することが困難である。そのような従来型ペンドラム弁の例として、米国特許第２，８５０，２６０号、第３，５５７，８２２号、第３，７２２，８５７号、第３，９７３，７５３号、第４，０５２，０３６号、第４，０８９，５０５号、第４，３３３，６３１号、第４，６２７，５６７号、第４，７８５，８４４号、第５，５７７，７０７号、第５，８７３，５６２号、英国特許第１，０５０，４３５号およびドイツ特許第１，１９０，７５５号を参照されたい。他の弁構造が、米国特許第２，７４９，０８２号、第３，８５４，６９６号、第４，０７３，４６８号、第４，０８８，３０１号、第４，１３５，８５４号、第４，３９５，０４９号、第４，４４２，９９６号、第４，４５８，９０５号、第４，５１９，５７８号、第４，９２１，２１３号、第５，３７９，９８３号および第５，３３０，１５７号に示されている。
【０００４】
米国特許出願第０９／３３９，０８４号は、多数のアクチュエータ機構を必要としないように設計かつ構成された改良型ペンドラム弁アセンブリを開示している。代わりに、改良型ペンドラム弁アセンブリは、弁体の全開位置および全閉位置間での回転および軸方向移動を正確に制御する簡単な回転カム機構を使用している。
【０００５】
ペンドラム弁は、超低圧（高真空）、たとえば、１トール以下程度の圧力で実施される半導体製造または他の薄膜塗布処理に使用されるような高純度ガス送出システムに特に有用である。低コンダクタンスで作動することができる１つの超高真空システムは、ペンドラム弁によって処理室から分離された真空ポンプを備えており、このことは、真空ポンプによって処理室内に発生する圧力を所定範囲内に制御するのを助ける。
【０００６】
高純度ガス送出システムの処理室は通常、所定使用期間後にクリーニングが必要である。そのようなクリーニングには、処理室表面および関連の真空部材、たとえば、処理室を隔離するペンドラム弁の物理的スクラビング（こすり洗い）が含まれる。
【０００７】
ペンドラム弁をクリーニングする時、真空ポンプの電源を落としてシステム全体を大気に通気する必要がある。真空ポンプには、処理室内で行われた処理の残留物が含まれているので、大気に通気すると、これらの残留物が水蒸気や、残留物と反応する可能性がある他の汚染物に触れることによって、腐食性物質が生成され、これによって真空ポンプの腐食および早期故障が起きる可能性がある。たとえば、アルミニウム層をエッチングするために三塩化硼素（ＢＣｌ₃）を使用すると、三塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ₃）の残留物が生成される。三塩化アルミニウム残留物が大気中の水蒸気と反応すると、腐食性が非常に強い塩化水素酸（ＨＣｌ）が生成される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
周知のように、そのような真空ポンプは、非常に高価であると共に、交換が難しい。したがって、処理室およびペンドラム弁のクリーニング中に真空ポンプを大気から隔離するための装置または手段が必要である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、処理室およびペンドラム弁アセンブリのクリーニング中に真空ポンプを大気から隔離するための二重ペンドラム弁アセンブリが提供されている。二重ペンドラム弁アセンブリは、内部空間、および流体が内部空間に流出入できるようにする第１および第２開口を有するハウジングと、内部空間の開口の縁部の周囲に設けられた弁座と、それぞれ第１および第２開口を開閉する第１および第２ペンドラム弁とを備えている。
【００１０】
各ペンドラム弁は独立的に移動可能であって、ハウジングに取り付けられた弁体を有しており、弁体は、流体がそれぞれの開口を通ることができるようにする全開位置と、弁体がそれぞれの開口の周囲の弁座に係合して開口を密封し、流体がそれを通ることができないようにする全閉位置との間を移動可能である。各ペンドラム弁はまた、少なくとも１つのピボットアームを介して弁体に固定的に連結されて少なくとも部分的にハウジング内に取り付けられたシャフトを備えて、弁体がシャフトの長手方向軸回りに、第１弁体が全開位置にある第１角位置と、弁体がそれぞれの開口にほぼ軸方向に整合した第２角位置との間を回転できると共に、ペンドラム弁が回転し続ける時、シャフトの長手方向軸にほぼ平行に移動して、第２角位置と全閉位置との間を移動できるようにしている。
【００１１】
本明細書に開示された二重ペンドラム弁アセンブリは好ましくは、弁体の全開および全閉位置間での回転および軸方向移動を正確に制御する簡単な回転カム機構を用いている。
【００１２】
本開示はまた、二重ペンドラム弁を使用して半導体ウェハ製造装置の処理室内の真空圧を正確に制御する方法も提供している。本方法は、真空ポンプを処理室に、それぞれ弁ハウジングの第１および第２開口を通して接続する段階と、真空ポンプを作動させて、処理室内に第１圧力を発生できるようにする段階とを含む。
【００１３】
次に、第１開口を通るガス流を少なくとも部分的に妨害するように第１弁体を移動させて、処理室内に第２圧力が得られるようにする。次に、第２弁体を第２開口にほぼ整合させて、処理室内に第３圧力が得られるようにする。最後に、第２開口をほぼ密封するように第２弁体を側方へ移動させて、処理室内に第４圧力が維持されるようにする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
図１を参照すると、ペンドラム弁アセンブリ１０には一般的に、ベンドラム弁１６を収容している内部空間１４を画定し、ガスが内部空間に流出入できるようにする１対の向き合った開口１８、２０を有するハウジング１２が設けられている。弁座２２、２４が、ハウジング１２の内部１４の開口１８、２０の縁部の周囲に設けられている。その名前が表すように、ペンドラム弁１６は、開閉位置間を枢動（回動）し、回転シャフト２８にそのシャフトから側方に延出したピボットアーム３０によって連結されたディスク２６として設けられた弁体を有する。
【００１５】
超低圧（高真空）、たとえば、１トール以下程度の圧力で実施される半導体製造または他の薄膜塗布処理などの高純度ガス送出システムの一部を形成するために、図示のように、ペンドラム弁アセンブリ１０の第１開口１８を、たとえば、処理室に接続し、第２開口２０を真空ポンプに接続することができる。一般的に、加工物を処理室に入れて、処理ガスを室に導入することによって、加工物を所定通りに化学反応させることができる。化学反応によって、図示のように、残留物が生成される。
【００１６】
ペンドラム弁アセンブリ１０は、ディスク２６の位置を（点線で図示したような）全開位置および（実線で図示したような）全閉位置間で制御することによって、処理室および真空ポンプ間でのガスの流れの制御を助ける。閉鎖位置にある時、ディスク２６は、内部空間１４内で第１開口１８の縁部の周囲に設けられた弁座２２と密着接触する。
【００１７】
好適なペンドラム弁アセンブリ１０は、「ペンドラム弁アセンブリ」と題する米国特許出願第０９／３３９，０８４号に記載された形式であり、この出願の開示内容全体が参照として本明細書に援用される。このペンドラム弁アセンブリ１０は、図２〜図６にも示されているが、弁体２６の全開位置および全閉位置間での回転および軸方向移動を正確に制御する簡単な回転カム機構を使用している。
【００１８】
図１、図３および図４を参照すると、ペンドラム弁１６の長手方向シャフト２８は、少なくとも部分的にハウジング１２内に取り付けられて、その長手方向軸３２回りに回転可能であると共に、その長手方向軸３２に沿って軸方向移動可能である。長手方向シャフト２８は好ましくは一端部で、図３〜図４に示されているような回転カム部材３４に固定的に取り付けられている。回転カム部材３４は、図３〜図５に示されているように、カム面を形成するスロット３６を設けた円筒形表面を有する。図３および図６に示されているカムローラカラー３８が、長手方向シャフト２８を取り囲んでハウジング１２に固定されており、カム部材３４のスロット３６にはまったカムローラ４０を有する。
【００１９】
図３に示されているように、ポート４４から加圧ガスが供給された時、空気圧ピストン４２が、シャフト２８に軸方向の力を加えて、ディスク２６を閉鎖位置の方へ押しつける。弁機構（図示せず）を加圧ガス源（図示せず）およびポート４４に接続することによって、加圧ガスを使用して、ペンドラム弁１６の閉鎖時に空気圧ピストン４２をシャフト２８に押しつけ、ペンドラム弁１６の開放時にガスを逃がすことができる。弁機構は、ペンドラム弁１６の移動時に起動されるように適当に配置された切り換え装置によって制御することができる。空気圧ピストン４２が解放された時、ディスク２６が弁座２２から確実に離脱できるようにするために、ばね４６がペンドラム弁１６を第１開口１８から離れる軸方向に押しつける。
【００２０】
カム部材３４のカム面３６によって、ディスク２６は第１開口１８に平行な平面上で回転して、ディスク２６の全開位置に等しい第１角位置から、ディスク２６が第１開口１８にほぼ整合する第２角位置へ回転する。カム部材３４のスロット３６が純粋回転移動でカムローラ４０に追従するので、ディスク２６は、平行な平面上で移動する。しかし、ディスク２６および第１開口１８がほぼ軸方向に整合して、シャフト２８がその長手方向軸回りに回転し続けた時、カム部材３４のカム面３６がローラ４０に追従するため、長手方向シャフト２８、ピボットアーム３０およびディスク２６もシャフト軸３２に平行に第１開口１８の方へ、ディスク２６が弁座２２に係合するまで移動する。図示のように、ディスク２６は、ディスクおよび弁座２２間を液密シールするためのＯリング２７を備えている。したがって、ディスク２６の回転軸３２に設けられた回転カム機構は、ペンドラム弁１６の回転および軸方向閉鎖を行うための簡単な装置を提供している。
【００２１】
ディスク２６の位置を制御するために、アセンブリ１０は、図３に示されているように、ハウジング１２に取り付けられたモータ４８および歯車機構を備えている。モータ４８は好ましくは、可逆ステップモータであって、歯車機構の第１回転歯車５２に固定または他の方法で設けられたモータ軸５０を有する。歯車機構にはさらに、モータ４８が歯車をモータ軸５０回りの回転方向に駆動する時、第１回転歯車５２の回転移動と逆方向に回転する第２回転歯車５４が設けられている。第２回転歯車５２は、ペンドラム弁１６の長手方向シャフト２８の端部に固定されている。
【００２２】
以上に記載したペンドラム弁アセンブリ１０の範囲から逸脱することなく、さまざまな変更を加えることができることを理解されたい。たとえば、カムスロット３６をカム部材３４に設けてシャフト２８に固定しているが、配置を逆にして、カムフォロワ４０をシャフトに固定し、カム面３６をハウジング１２に固定することができる。また、第２歯車５４がシャフト２８に固定されて、したがって、シャフトが軸に沿って移動する時、第１歯車５２に対して軸方向に移動するが、歯車を互いに軸方向に固定して、シャフトが両歯車に対して軸方向に移動できるようにすることができる。また、弁をばね閉鎖するために、ピストン４２およびばね４６を逆にすることもできる。さらに、ペンドラム弁１６を駆動するための可逆ステップモータ４８および歯車機構５２、５４の代わりに、空気圧アクチュエータおよび関連のリンク機構などの別の適当な駆動手段を用いてもよいことがわかる。
【００２３】
次に図７〜図１０を参照すると、本発明に従って構成された二重ベンドラム弁アセンブリ１００が示されている。アセンブリ１００は、図１〜図６のペンドラム弁アセンブリ１０と同様であり、同一の部材には同一の参照番号を付けている。二重ペンドラム弁アセンブリ１００は、処理室およびペンドラム弁アセンブリ１００のクリーニング中に、第２開口２０を閉鎖して真空ポンプを大気から隔離するための第２ペンドラム弁１１６を備えている。第２ペンドラム弁１１６も、ディスク１２６として設けられている弁体の、全開位置および全閉位置間での回転および軸方向移動を正確に制御する簡単な回転カム機構１３６、１４０を使用している。
【００２４】
図９を参照すると、ピボットアーム１３０によってディスク１２６に連結された第２ペンドラム弁１１６の長手方向シャフト１２８が、少なくとも部分的にアセンブリのハウジング１１２内に取り付けられて、その長手方向軸１３２回りに回転可能であると共に、その長手方向軸１３２に沿って軸方向移動可能である。図示のように、第２ペンドラム弁１１６のシャフト１２８は、管状であって、第１ペンドラム弁１６のシャフト２８に同軸的に被せられているため、シャフト１２８は、第１ペンドラム弁１６のシャフト２８に対して回転かつ軸方向移動することができる（すなわち、シャフトは互いに独立的に移動する）。
【００２５】
カムローラ１４０が、シャフト１２８に固定されて、それから半径方向に延出して、図３〜図５に示されているようなカム面を形成しているハウジング１１２のスロット１３６にはまっている。ハウジング１１２のカム面１３６および第２ペンドラム弁１１６のカムローラ１４０によって、ディスク１２６は第２開口２０に平行な平面上で回転して、ディスク１２６の全開位置に等しい第１角位置から、ディスク１２６が第２開口２０にほぼ整合する第２角位置へ回転する。シャフト１２８のカムローラ１４０が純粋回転移動でハウジング１１２のスロット１３６に追従するので、ディスク１２６は、平行な平面上で移動する。しかし、ディスク１２６および第２開口２０がほぼ軸方向に整合して、シャフト１２８がその長手方向軸回りに回転し続けた時、シャフト１２８のカムローラ１４０がスロット１３６に追従するため、シャフト１２８、ピボットアーム１３０およびディスク１２６もシャフト軸１３２に平行に第２開口２０の方へ、ディスク１２６が弁座２４に係合するまで移動する。図示のように、ディスク１２６は、ディスクおよび弁座２４間を液密シールするためのＯリング１２７を備えている。したがって、ディスク１２６の回転軸１３２に設けられた回転カム機構は、第２ペンドラム弁１１６の回転および軸方向閉鎖を行うための簡単な装置を提供している。
【００２６】
加圧ガスがピストンに加えられた時、第２ペンドラム弁１１６のシャフト１２８を軸方向に押しつけ、ディスク１２６を閉鎖位置に向かわせて第２弁座２４に押しつけるために、（第１シャフト２８のピストン４２と同様の）第２空気圧ピストンを設けることができる。しかし、真空ポンプ内に存在する真空がディスク１２６を弁座２４と密着係合する位置へ引き込むので、実際には第２ペンドラム弁１１６はそのようなピストン構造の補助を必要としないことがわかった。さらに、第２開口を開放しようとする時、ディスク１２６が弁座２４から確実に離脱できるように、第２ペンドラム弁１１６を第２開口２０から離れる軸方向に押しつける（第１シャフト２８のばね４６と同様な）ばねを設けてもよい。
【００２７】
ディスク１２６の位置を制御するために、アセンブリ１１０は、図９に示されているように、ハウジング１１２に取り付けられた第２モータ１４８および歯車機構を備えている。モータ１４８は好ましくは、可逆ステップモータであって、歯車機構の第１回転歯車１５２に固定または他の方法で設けられたモータ軸１５０を有する。歯車機構にはさらに、モータ１４８が歯車をモータ軸１５０回りの回転方向に駆動する時、第１回転歯車１５２の回転移動と逆方向に回転する第２回転歯車１５４が設けられている。第２回転歯車１５２は、第２ペンドラム弁１１６の長手方向シャフト１２８の端部に固定されている。
【００２８】
以上に記載した二重ペンドラム弁アセンブリ１００の範囲から逸脱することなく、さまざまな変更を加えることができることを理解されたい。たとえば、カムスロット１３６をハウジング１１２内に設けて、カムローラ１４０をシャフト１２８に固定しているが、配置を逆にして、カムフォロワ１４０をハウジング１１２に固定し、カム面１３６をシャフト１２８に固定することができる。また、第２歯車１５４がシャフト１２８に固定されており、したがって、シャフトが軸に沿って移動する時、第１歯車５２に対して軸方向に移動するが、歯車を互いに軸方向に固定して、シャフトが両歯車に対して軸方向に移動できるようにすることができる。さらに、第２ペンドラム弁１１６を駆動するための可逆ステップモータ１４８および歯車機構１５２、１５４の代わりに、空気圧アクチュエータおよび関連のリンク機構などの別の適当な駆動手段を用いてもよい。
【００２９】
次に図１１および図１２を参照すると、本開示は、図７〜図１０の二重ペンドラム弁１００を使用して半導体ウェハ製造装置の処理室内の真空圧を正確に制御する方法も提供している。本方法は、真空ポンプを処理室に、それぞれ弁ハウジング１１２の第１および第２開口１８、２０を介して接続する段階と、真空ポンプを作動させて、処理室内に第１圧力「Ｐ₁」を発生する段階とを含む。
【００３０】
次に、第１開口１８を通るガス流を少なくとも部分的に妨害するように第１弁体２６を移動させて、処理室内に第２圧力「Ｐ₂」を得られるようにする。次に、第２弁体１２６を第２開口２０にほぼ整合させて、処理室内に第３圧力「Ｐ₃」を得られるようにする。最後に、第２開口２０をほぼ密封するように第２弁体１２６を側方へ移動させて、処理室内に第４圧力「Ｐ₄」を維持できるようにする。
【００３１】
本明細書に開示した二重ペンドラム弁アセンブリの範囲から逸脱することなく、上記装置にある程度の変更を加えることができるので、上記説明に含まれるか、添付図面に示されたすべての事項は、説明的であって、制限的ではないと解釈されるべきものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図示のように開閉位置間を移動可能なディスクを有するペンドラム弁アセンブリを備えた高純度ガス送出システムの一部分の概略図である。
【図２】 図１のペンドラム弁アセンブリの斜視図である。
【図３】 図１のペンドラム弁アセンブリを、ペンドラム弁を移動させるためにそれに取り付けられたモータおよび歯車機構と共に示す断面図である。
【図４】 図１〜図３のペンドラム弁アセンブリのペンドラム弁およびカム部材の等角図である。
【図５】 図１〜図４のペンドラム弁アセンブリのカム部材の等角図である。
【図６】 カム部材と相互作用するための、図１〜図３のペンドラム弁アセンブリのカムフォロワ支持部材の等角図である。
【図７】 図示のように開閉位置間を移動可能な第１および第２ディスクを有する本開示に従った二重ペンドラム弁アセンブリを備えた別の高純度ガス送出システムの一部分の概略図である。
【図８】 図７の二重ペンドラム弁アセンブリの斜視図である。
【図９】 図７〜図８の二重ペンドラム弁アセンブリを、アセンブリの第１および第２ディスクを独立的に移動させるためにそれに取り付けられたモータおよび歯車機構と共に示す一部破断側面図である。
【図１０】 図７〜図９の二重ペンドラム弁アセンブリの別の側面図である。
【図１１】 図７〜図１０の二重ペンドラム弁アセンブリを使用して半導体ウェハ製造装置の処理室内の真空圧を正確に制御する方法を説明するフローチャートである。
【図１２】 図１１の方法をさらに説明する、二重ペンドラム弁を通る流量 対 処理室内の真空圧のグラフである。

Claims (18)

1. 内部空間、および流体が該内部空間に流出入できるようにする１対の開口を有するハウジングと、
   前記内部空間内で、流体が第１開口を通ることができるようにする全開位置と、前記第１開口を密封して流体が通ることができないようにする全閉位置との間を、独立的に移動可能な第１弁体と、
   前記内部空間内で、流体が第２開口を通ることができるようにする全開位置と、前記第２開口を密封して流体が通ることができないようにする全閉位置との間を、独立的に移動可能な第２弁体と、を備え、
   前記第２弁体は、第１弁体が第１開口を通るガス流を少なくとも部分的に妨害するように移動した後に、前記第２弁体が全開位置にある第１角位置と、前記第２弁体が前記第２開口に、それから間隔を置いてほぼ整合する第２角位置との間を枢軸周りに枢動し、次に、前記第２角位置および全閉位置間を、該枢軸に平行に移動することを特徴とする弁アセンブリ。
2. ほぼ側方に延出したピボットアームを介して前記第２弁体に固定的に連結された該枢軸に沿って延在するシャフトをさらに備えており、該シャフトは、少なくとも部分的に前記ハウジング内に取り付けられて、前記シャフトの長手方向軸回りに回転することにより、前記枢動を行い、長手方向軸にほぼ平行に移動することによって前記枢軸に平行な移動を行うことを特徴とする請求項１に記載の弁アセンブリ。
3. 前記シャフトおよび前記ハウジング間に連結されて、前記シャフトの長手方向移動を制御するように構成されたカム機構をさらに備えた請求項２に記載の弁アセンブリ。
4. 前記カム機構は、
   前記ハウジングによって形成されたカム面と、
   前記シャフトに固定されて、前記ハウジングの前記カム面に係合することによって、前記ハウジングに対する前記シャフトの移動を定めることができるカムフォロワとを有する請求項３に記載の弁アセンブリ。
5. ほぼ側方に延出したピボットアームを介して前記第１弁体に固定的に連結されたシャフトをさらに備えており、前記第１弁体の前記シャフトは、少なくとも部分的に前記ハウジング内に取り付けられて、前記シャフトの長手方向軸回りに回転することができるようにした請求項２に記載の弁アセンブリ。
6. 前記第２弁体の前記シャフトは、前記第１弁体の前記シャフトと同軸的に配置されている請求項５に記載の弁アセンブリ。
7. 前記第２弁体の前記シャフトは、管状であって、前記第１弁体の前記シャフトに被せられて、前記第１弁体の前記シャフトに対して独立的に回転できるようにした請求項６に記載の弁アセンブリ。
8. 前記第２弁体を前記全開位置および前記全閉位置間で駆動するアクチュエータをさらに備え、前記アクチュエータは、可逆ステップモータを有する請求項１に記載の弁アセンブリ。
9. 前記可逆ステップモータは、歯車機構によって前記第２弁体に連結されている請求項８に記載の弁アセンブリ。
10. 前記モータは、駆動軸を有し、前記歯車機構は、少なくとも２つの歯車を有して、該歯車の一方が前記モータの駆動軸に固定され、他方が前記第２弁体に固定されており、前記２つの歯車は、互いに対して回転および長手方向移動が可能である請求項９に記載の弁アセンブリ。
11. 該全開位置及び全閉位置との間で該第２の弁体を駆動するためのアクチュエータと、前記第２弁体から独立的に、前記第１弁体を前記全開位置および前記全閉位置間で駆動する別体のアクチュエータをさらに備えている請求項１に記載の弁アセンブリ。
12. 前記第１および第２弁体の各々は、ディスクを有する請求項１に記載の弁アセンブリ。
13. 前記第１および第２ディスクの各々は、前記ハウジングの内部の前記開口の周囲に密着係合するためのＯリングを備えている請求項１２に記載の弁アセンブリ。
14. 前記ハウジングは、前記弁体を受け取るように、前記内部空間内の前記開口の縁部の周囲に配置された弁座をさらに含む請求項１に記載の弁アセンブリ。
15. 半導体ウェハ製造装置の処理室内の真空圧を、弁アセンブリを介して正確に制御する方法であって、
    該弁アセンブリは、
    内部空間、および流体が該内部空間に流出入できるようにする１対の開口を有するハウジングと、
    前記内部空間内で、流体が第１開口を通ることができるようにする全開位置と、前記第１開口を密封して流体が通ることができないようにする全閉位置との間を、独立的に移動可能な第１弁体と、
    前記内部空間内で、流体が第２開口を通ることができるようにする全開位置と、前記第２開口を密封して流体が通ることができないようにする全閉位置との間を、独立的に移動可能な第２弁体と、を備え、
    該方法は、
    該第１開口に該処理室を、真空ポンプに該第２開口を、それぞれ接続する段階と、
    真空ポンプを作動させて、前記処理室内に第１圧力を発生できるようにする段階と、
    前記第１開口を通るガス流を少なくとも部分的に妨害するように該第１弁体を移動させて、前記処理室内に第２圧力が得られるようにする段階と、
    前記第２開口にほぼ整合するように第２弁体を枢軸周りに枢動させて、前記処理室内に第３圧力が得られるようにする段階と、
    前記第２開口をほぼ密封するように前記第２弁体を該枢軸に平行に移動させて、前記処理室内に第４圧力が維持されるようにする段階とを含む方法。
16. 前記第１開口を通るガス流を少なくとも部分的に妨害するように、前記第１弁体を枢動移動させる請求項１５に記載の真空圧を正確に制御する方法。
17. 薄膜塗布処理を行うために使用されるシステムは、
    処理室と、
    該処理室内に真空を生成するための真空ポンプと、
    請求項１から１４のいずれか一項に記載した弁アセンブリとを備え、
    該処理室は該第１開口に、該真空ポンプは該第２開口に、それぞれ接続されていることを特徴とするシステム。
18. 該弁アセンブリは、該第一弁体が、内部、該内部から該処理室を分離し、該第２弁体は内部から該ポンプを分離する二重ペンドラムゲート弁であることを特徴とする請求項１７に記載のシステム。

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