JP4777395B2 - 光減衰器デバイス、放射システム、及び、フィルタの製造方法 - Google Patents
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 318
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 189
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 55
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 46
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 41
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 claims description 23
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 17
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 9
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims description 9
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 49
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 31
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 29
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 27
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 24
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 21
- 230000006870 function Effects 0.000 description 18
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 17
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 14
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 4
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 230000003187 abdominal effect Effects 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 210000003128 head Anatomy 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000002730 additional effect Effects 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 description 1
- 239000012737 fresh medium Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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Description
ことに留意されたい。
Claims (15)
- リソグラフィ装置における使用のための放射のビームの均一性を改善するための光減衰器デバイスであって、
前記放射のビームから前記放射の少なくとも一部を取り除く少なくとも1つの光減衰器要素を含み、
前記少なくとも1つの光減衰器要素は、その長さにわたり変化する幅プロフィルを有するリボン及びワイヤの1つを含む光減衰器デバイス。 - 前記光減衰器要素は、前記放射のビーム内に存在するその一部の少なくとも2倍の長さである長さを有し、かつ、前記光減衰器要素はそれぞれアクチュエータの手段により前記ビームに対して可動である請求項1に記載の光減衰器デバイス。
- 前記光減衰器要素は2つのリール上に巻かれ、前記光減衰器デバイスは前記ビームに対して前記光減衰器要素を移動するためのリール駆動部をさらに含む請求項1に記載の光減衰器デバイス。
- リソグラフィ装置における使用のための放射のビームの均一性を改善するための光減衰器デバイスであって、
前記放射のビームから前記放射の少なくとも一部を取り除く少なくとも1つの光減衰器要素を含み、
前記少なくとも1つの光減衰器要素は第1のミラー及び第2のミラー、並びに、ミラー・アクチュエータを含み、前記第1と第2のミラーの間にはスリットが存在し、かつ、ミラーの少なくとも1つは、スリット幅を変化させるために、前記ミラー・アクチュエータにより前記放射のビームに対して可動である光減衰器デバイス。 - 前記第1のミラーと前記第2のミラーの少なくとも1つは、前記放射のビームに対して可動である複数のミラー部分を含む請求項4に記載の光減衰器デバイス。
- リソグラフィ装置における使用のための放射のビームの均一性を改善するための光減衰器デバイスであって、
前記放射のビームから前記放射の少なくとも一部を取り除く少なくとも1つの光減衰器要素を含み、
前記少なくとも1つの光減衰器要素は、内部に少なくとも1つのチャネルを有し、前記放射に対して透明である材料から作成されている本体を含む少なくとも1つの光学フィルタ要素を含み、前記チャネルは媒体で充填可能である光減衰器デバイス。 - 前記光減衰器デバイスは前記少なくとも1つのチャネルを制御可能に充填するための注入器をさらに含む請求項6に記載の光減衰器デバイス。
- 前記注入器は、前記放射に対して前記媒体よりも大きな固有吸収を有する制御可能な量の材料で前記少なくとも1つのチャネルを充填するように構成及び配列されている請求項7に記載の光減衰器デバイス。
- リソグラフィ装置における使用のための放射のビームの均一性を改善するための光減衰器デバイスであって、
前記放射のビームから前記放射の少なくとも一部を取り除く少なくとも1つの光減衰器要素を含み、
前記光減衰器要素は光学フィルタ要素の長さに沿った位置の関数として変化する光学密度を有する前記光学フィルタ要素を含み、前記光学フィルタ要素は前記放射のビームに対して回転可能である光減衰器デバイス。 - リソグラフィ装置における使用のための放射のビームの均一性を改善するための光減衰器デバイスであって、
前記放射のビームから前記放射の少なくとも一部を取り除く少なくとも1つの光減衰器要素を含み、
前記少なくとも1つの光減衰器要素は、各々が光学フィルタ要素の長さに沿った位置の関数として変化する光学密度を有する少なくとも2つの光学フィルタ要素を含み、前記光学フィルタ要素の少なくとも1つは前記フィルタ要素の他方に対して回転可能である光減衰器デバイス。 - 前記第1の光学フィルタ要素の長さに沿った位置の第1の関数として変化する光学密度を有する第1の光学フィルタ要素、及び、第2の光学フィルタ要素の長さに沿った位置の第2の関数として変化する光学密度を有する前記第2の光学フィルタ要素を含み、前記第1の関数は実質的に前記第2の関数の逆数である請求項10に記載の光減衰器デバイス。
- リソグラフィ装置における使用のための放射のビームの均一性を改善するための光減衰器デバイスであって、
前記放射のビームから前記放射の少なくとも一部を取り除く少なくとも1つの光減衰器要素を含み、
前記少なくとも1つの光減衰器要素は、前記放射のビーム内に移動可能であり、前記放射に対して10%と100%の間の透明である材料を含む複数の相互に平行な帯状片を含み、
前記帯状片は、前記放射のビームの第1の側面から前記放射のビーム内に可動である第1の複数の相互に平行な帯状片、及び、前記第1の側面の反対側の第2の側面から前記放射のビーム内に可動である第2の複数の相互に平行な帯状片を含み、
前記第1の複数の帯状片の帯状片は第1の平面において可動であり、前記第2の複数の帯状片の帯状片は前記第1の平面と平行かつ非同一平面である第2の平面において可動であり、
少なくとも1つの帯状片は、前記少なくとも1つの帯状片が少なくとも1つの他の帯状片と部分的に重なり合う位置に可動である、
光減衰器デバイス。 - リソグラフィ装置における使用のための放射のビームの均一性を改善するための光減衰器デバイスであって、
前記放射のビームから前記放射の少なくとも一部を取り除く少なくとも1つの光減衰器要素を含み、
前記少なくとも1つの光減衰器要素は、前記放射のビーム内に移動可能であり、前記放射に対して10%と100%の間の透明である材料を含む複数の相互に平行な帯状片を含み、
前記帯状片は、前記放射のビームの第1の側面から前記放射のビーム内に可動である第1の複数の相互に平行な帯状片、及び、前記第1の側面の反対側の第2の側面から前記放射のビーム内に可動である第2の複数の相互に平行な帯状片を含み、
前記第1の複数の帯状片の少なくとも1つの帯状片の対称の軸は前記第2の複数の帯状片の少なくとも1つの帯状片の対称の対応する軸に対して移動されており、
前記第1の複数の帯状片の少なくとも1つの帯状片の対称の前記軸は、前記第1の複数の帯状片の前記少なくとも1つの帯状片の幅の半分だけ前記第2の複数の帯状片の少なくとも1つの対称の対応する軸に対して移動されている、
光減衰器デバイス。 - フィルタを製造する方法であって、
表面を有し、かつ、所定のタイプの放射に対して少なくとも90%の透過を有する基板を設けるステップと、
除去可能な材料を前記表面の一部上に、前記フィルタの中心部分が前記除去可能な材料がないように保たれるように塗布するステップであって、前記フィルタの前記中心部分は長手方向において前記基板の1つのエッジから前記基板の反対側のエッジに延長し、前記長手方向における長さ及び前記長手方向に垂直な方向における幅を有し、前記幅は前記長さに沿った位置の所定の関数として前記長さにわたって変化するステップと、
前記除去可能な材料と前記表面の他の部分の双方を覆って反射防止コーティングを塗布するステップと、
前記除去可能な材料を覆って塗布された前記反射防止コーティングとともに、前記除去可能な材料を除去するステップとを含む方法。 - 均一な強度分布を持つ放射のビームを提供するように構成及び配列された放射システムであって、放射の光源、前記放射を前記放射のビームに集光するように構成及び配列された集光器、及び、前記放射のビームから前記放射の少なくとも一部を取り除く少なくとも1つの光減衰器要素を含む光減衰器デバイスを含み、
前記放射のビーム内に配列された複数のファセットを含むミラーであって、各ファセットは、反射部分ビームとして前記放射のビームの一部を、前記反射部分ビームの少なくとも2つが前記ミラーから所定の距離において重なり合うように、反射するように構成及び配列されているミラーをさらに含み、
前記光減衰器要素は前記集光器と前記ミラーの間に位置する少なくとも1つのロッドを含み、前記ロッドは前記放射のビームの伝播方向に垂直な方向において延長する、
放射システム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/748,849 US7030958B2 (en) | 2003-12-31 | 2003-12-31 | Optical attenuator device, radiation system and lithographic apparatus therewith and device manufacturing method |
US10/748849 | 2003-12-31 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004375383A Division JP4309836B2 (ja) | 2003-12-31 | 2004-12-27 | 光減衰器デバイス、放射システム、及び、それらの付属するリソグラフィ装置、及び、デバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008235941A JP2008235941A (ja) | 2008-10-02 |
JP4777395B2 true JP4777395B2 (ja) | 2011-09-21 |
Family
ID=34620639
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004375383A Expired - Fee Related JP4309836B2 (ja) | 2003-12-31 | 2004-12-27 | 光減衰器デバイス、放射システム、及び、それらの付属するリソグラフィ装置、及び、デバイス製造方法 |
JP2008172173A Expired - Fee Related JP4777395B2 (ja) | 2003-12-31 | 2008-07-01 | 光減衰器デバイス、放射システム、及び、フィルタの製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004375383A Expired - Fee Related JP4309836B2 (ja) | 2003-12-31 | 2004-12-27 | 光減衰器デバイス、放射システム、及び、それらの付属するリソグラフィ装置、及び、デバイス製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7030958B2 (ja) |
EP (2) | EP1555573B1 (ja) |
JP (2) | JP4309836B2 (ja) |
KR (1) | KR100695985B1 (ja) |
CN (1) | CN1641414B (ja) |
DE (1) | DE602004015713D1 (ja) |
SG (1) | SG113028A1 (ja) |
TW (1) | TWI259934B (ja) |
Families Citing this family (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2006049527A (ja) * | 2004-08-03 | 2006-02-16 | Canon Inc | 反射屈折型投影光学系及び当該反射屈折型投影光学系を有する露光装置、デバイス製造方法 |
JP4599936B2 (ja) * | 2004-08-17 | 2010-12-15 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、照明光学装置の調整方法、露光装置、および露光方法 |
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US7145634B2 (en) * | 2004-12-01 | 2006-12-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7362413B2 (en) * | 2004-12-09 | 2008-04-22 | Asml Netherlands B.V. | Uniformity correction for lithographic apparatus |
US20060139784A1 (en) * | 2004-12-28 | 2006-06-29 | Asml Holding N.V. | Uniformity correction system having light leak compensation |
US7088527B2 (en) * | 2004-12-28 | 2006-08-08 | Asml Holding N.V. | Uniformity correction system having light leak and shadow compensation |
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US7924406B2 (en) * | 2005-07-13 | 2011-04-12 | Asml Netherlands B.V. | Stage apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method having switch device for two illumination channels |
US7671970B2 (en) * | 2005-07-13 | 2010-03-02 | Asml Netherlands B.V. | Stage apparatus with two patterning devices, lithographic apparatus and device manufacturing method skipping an exposure field pitch |
US7375353B2 (en) * | 2005-09-13 | 2008-05-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7532308B2 (en) * | 2005-09-13 | 2009-05-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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JP5071385B2 (ja) * | 2006-06-16 | 2012-11-14 | 株式会社ニコン | 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
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RU2754202C1 (ru) * | 2020-12-17 | 2021-08-30 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Многоканальный узел отбора излучения |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4837794A (en) * | 1984-10-12 | 1989-06-06 | Maxwell Laboratories Inc. | Filter apparatus for use with an x-ray source |
US4778263A (en) * | 1987-05-29 | 1988-10-18 | The United States Of America As Respresented By The Department Of Energy | Variable laser attenuator |
JPH05127086A (ja) * | 1991-11-01 | 1993-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光強度の均一化方法およびそれを用いた露光装置 |
JPH1172722A (ja) * | 1997-08-28 | 1999-03-16 | Sharp Corp | 光開閉装置、表示装置及びこれらの製造方法 |
EP0952491A3 (en) | 1998-04-21 | 2001-05-09 | Asm Lithography B.V. | Lithography apparatus |
US6404499B1 (en) * | 1998-04-21 | 2002-06-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithography apparatus with filters for optimizing uniformity of an image |
JP3762102B2 (ja) * | 1998-06-04 | 2006-04-05 | キヤノン株式会社 | 走査型投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
US6704090B2 (en) * | 2000-05-11 | 2004-03-09 | Nikon Corporation | Exposure method and exposure apparatus |
JP2002033272A (ja) * | 2000-05-11 | 2002-01-31 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP3918440B2 (ja) * | 2001-02-09 | 2007-05-23 | ウシオ電機株式会社 | 照度分布均一化フィルタを備えた光照射装置 |
JP3836418B2 (ja) * | 2001-09-07 | 2006-10-25 | エイエスエムエル ネザランドズ ベスローテン フエンノートシャップ | リソグラフィ装置およびデバイスの製造方法 |
EP1870772B1 (en) | 2002-03-18 | 2013-10-23 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
-
2003
- 2003-12-31 US US10/748,849 patent/US7030958B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-12-20 TW TW093139691A patent/TWI259934B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-12-21 DE DE602004015713T patent/DE602004015713D1/de active Active
- 2004-12-21 EP EP04078467A patent/EP1555573B1/en not_active Not-in-force
- 2004-12-21 EP EP08075593A patent/EP1975722B1/en not_active Ceased
- 2004-12-27 JP JP2004375383A patent/JP4309836B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-28 SG SG200407785A patent/SG113028A1/en unknown
- 2004-12-30 CN CN2004101045082A patent/CN1641414B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-30 KR KR1020040116375A patent/KR100695985B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-07-01 JP JP2008172173A patent/JP4777395B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI259934B (en) | 2006-08-11 |
CN1641414B (zh) | 2011-01-05 |
SG113028A1 (en) | 2005-07-28 |
EP1555573A2 (en) | 2005-07-20 |
KR20050069916A (ko) | 2005-07-05 |
US7030958B2 (en) | 2006-04-18 |
EP1555573A3 (en) | 2005-08-03 |
KR100695985B1 (ko) | 2007-03-15 |
TW200534032A (en) | 2005-10-16 |
DE602004015713D1 (de) | 2008-09-25 |
EP1975722A3 (en) | 2009-02-25 |
JP2005196180A (ja) | 2005-07-21 |
JP4309836B2 (ja) | 2009-08-05 |
EP1975722B1 (en) | 2012-10-31 |
EP1975722A2 (en) | 2008-10-01 |
JP2008235941A (ja) | 2008-10-02 |
US20050140957A1 (en) | 2005-06-30 |
CN1641414A (zh) | 2005-07-20 |
EP1555573B1 (en) | 2008-08-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080701 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110428 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110602 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110629 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4777395 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140708 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |