JP4761026B2 - Element transfer device, element transfer method, and display device manufacturing method - Google Patents

Element transfer device, element transfer method, and display device manufacturing method Download PDF

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本発明は、基板に形成された複数の素子を別の基板に転写(移設)することが容易な素子転写装置、素子転写方法および表示装置の製造方法に関するものである。   The present invention relates to an element transfer device, an element transfer method, and a display device manufacturing method that can easily transfer (transfer) a plurality of elements formed on a substrate to another substrate.

従来の埋め込み転写技術では、複数の素子が形成されている第1基板と、上記複数の素子が転写(移設)される第2基板とを、位置センサと各第1、第2基板を支持するステージの機械的精度によって、極力平行にし、その平行を保持した状態で第1基板と第2基板とを接触させ、上記複数の素子を第2基板に転写(移設)する必要があった(例えば、特許文献1、2参照。)。   In the conventional embedded transfer technology, a position sensor and each of the first and second substrates are supported by a first substrate on which a plurality of elements are formed and a second substrate to which the plurality of elements are transferred (transferred). Depending on the mechanical accuracy of the stage, the first substrate and the second substrate must be brought into contact with each other while keeping the parallelism as much as possible, and the plurality of elements must be transferred (transferred) to the second substrate (for example, Patent Documents 1 and 2).

そのため、図13(1)に示すように、第1基板51と第2基板52との平行出しの精度が悪くなるほど、転写不良を生じていた。また図13(2)に示すように、素子55の高さが低くなるほど、転写不良を生じていた。また図13(3)に示すように、第1基板51が大きくなるほど、転写不良を生じていた。さらに図14(4)に示すように、第2基板52の平坦性、平行度、うねりなどが悪くなるほど、転写不良を生じていた。この不良は第1基板51でも同様に起こる。また、図14(5)に示すように、この転写不良を防止するためにステージ100ごとあおり調整をする場合、その回転中心Oが素子55から離れるほど、大きな位置ずれを生じてしまう。それを防止するには複雑で高価かつ低スループットなステージ機構を要していた。例えば、2枚の基板の間に、寸法精度の非常に高い球形のスペーサーをはさんで、基板を押し当てて行う方法が採用されていた(例えば、非特許文献1、2参照。)。しかし、球形のスペーサーを挟んで押し当てる方法は、第1基板に対して第2基板の転写エリアのほうが大きい場合には、スペーサーを挿入する場所が無く、不適当である。   For this reason, as shown in FIG. 13 (1), transfer defects occur as the parallelism accuracy between the first substrate 51 and the second substrate 52 becomes worse. As shown in FIG. 13B, the lower the height of the element 55, the lower the transfer defect. Further, as shown in FIG. 13 (3), as the first substrate 51 becomes larger, the transfer defect occurred. Further, as shown in FIG. 14 (4), the poorer the flatness, parallelism, waviness, etc. of the second substrate 52, the more transfer defects occurred. This defect also occurs in the first substrate 51 as well. Further, as shown in FIG. 14 (5), when the tilt adjustment is performed with the stage 100 in order to prevent this transfer failure, the larger the rotational center O is from the element 55, the larger the position shift occurs. To prevent this, a complicated, expensive and low-throughput stage mechanism is required. For example, a method in which a substrate is pressed between two substrates with a spherical spacer having very high dimensional accuracy is employed (for example, see Non-Patent Documents 1 and 2). However, the method of sandwiching and pressing the spherical spacer is not appropriate because there is no place to insert the spacer when the transfer area of the second substrate is larger than the first substrate.

特開2004−273596号公報JP 2004-273596 A 特開2004−281630号公報JP 2004-281630 A ボンドアライナBA6、[online]、2002年、ズースマイクロテック株式会社、ホームページ、サイトマップ、製品紹介、基板ボンダ/アライナ、BA6ボンドアライナ、[平成17年3月31日検索]、インターネット<URL:http://www.suss.jp/html/ba6.html>Bond aligner BA6, [online], 2002, SUSS Microtech Co., Ltd., homepage, site map, product introduction, substrate bonder / aligner, BA6 bond aligner, [March 31, 2005 search], Internet <URL: http : //www.suss.jp/html/ba6.html> ズースマイクロテック株式会社(旧カールズースジャパン株式会社)「基板ボンダ/アライナ、BA6ボンドアライナ パンフレット」2002年SUSS Microtech Co., Ltd. (formerly Carl Sousse Japan Co., Ltd.) “Board Bonder / Aligner, BA6 Bond Aligner Brochure” 2002

解決しようとする問題点は、第1基板に形成された接着層に貼り付けられた複数の素子を、第2基板に形成された接着層(例えば未硬化樹脂層)中に埋没させることで、上記素子を第1基板側から第2基板側に転写する技術において、第1基板の素子を第2基板に倣わせた状態に接触させて、埋め込むことができない点である。 The problem to be solved is to bury a plurality of elements attached to the adhesive layer formed on the first substrate in an adhesive layer (for example, an uncured resin layer) formed on the second substrate, In the technique of transferring the element from the first substrate side to the second substrate side, the element on the first substrate cannot be embedded by being brought into contact with the second substrate.

本発明の素子転写装置は、第1基板に接着された複数の素子を第2基板に接着させて、第2基板側に接着された前記複数の素子から第1基板を離間させる素子転写装置であって、前記第1基板を載置して該第1基板裏面側を流体圧で押し圧することで該第1基板を浮上させて前記第2基板側に押し圧する第1基板支持部と、前記第1基板に対向するように配置される前記第2基板を支持する第2基板支持部と、前記第1基板支持部に載置された前記第1基板を前記第2基板支持部に支持された第2基板直下の所定の位置に搬送する基板搬送部とを備えたことを特徴とする。 The element transfer apparatus of the present invention is an element transfer apparatus that bonds a plurality of elements bonded to a first substrate to a second substrate and separates the first substrate from the plurality of elements bonded to the second substrate side. there are a first substrate supporting unit which applies pressing the second substrate side by floating the first substrate by applying pressing by fluid pressure to the first substrate back side by mounting the first substrate, wherein a second substrate supporting section for supporting the second substrate disposed to face the first substrate is supported the first substrate placed on the first substrate supporting portion to the second substrate supporting section And a substrate transfer unit that transfers the substrate to a predetermined position directly below the second substrate.

上記素子転写装置では、第1基板支持部は、その上に載置されている第1基板の裏面側を流体圧で押し圧することで、第1基板支持部より第1基板を浮上させて第2基板側に押し圧する。これにより、第1基板は流体の圧力によって均等に押し圧されるので、第1基板上の複数の素子が第2基板側に接触した際に、各素子は均等な圧力で第2基板の接着層に押し付けられ、接着される。 In the element transfer device, the first substrate support unit lifts the first substrate from the first substrate support unit by pressing the back side of the first substrate placed thereon with fluid pressure. 2 Press to the substrate side. As a result, the first substrate is uniformly pressed by the pressure of the fluid, so that when the plurality of elements on the first substrate come into contact with the second substrate side , each element adheres to the second substrate with equal pressure. Pressed against the layer and glued.

また、第1基板支持部と第2基板支持部との平行出しが不十分であっても、第1基板は流体圧によって浮上されるので、第1基板上の素子が第2基板側に接触するときには、第1基板は素子を介して第2基板の接着層を均一な力で押し圧する。よって、素子が第1基板の面内に複数分布していても、各素子は均等な圧力で第2基板の接着層に押し付けられ、接着される。   Even if the first substrate support part and the second substrate support part are not sufficiently parallel, the first substrate is floated by the fluid pressure, so that the element on the first substrate contacts the second substrate side. When doing so, the first substrate presses the adhesive layer of the second substrate with a uniform force through the element. Therefore, even if a plurality of elements are distributed in the plane of the first substrate, each element is pressed and bonded to the adhesive layer of the second substrate with equal pressure.

また、素子の高さが低い場合であっても、第1基板は流体圧によって浮上されるので、第1基板上の素子の一部が第2基板側に接触すると、その点を支点にして、第1基板が浮上されて残りの素子が接着層に接触される。このため、第1基板は素子を介して第2基板の接着層を均一な力で押し圧する。よって、素子が第1基板の面内に複数分布していても、各素子は均等な圧力で第2基板の接着層に押し付けられ、接着される。   Even when the height of the element is low, the first substrate is levitated by the fluid pressure, so when a part of the element on the first substrate comes into contact with the second substrate side, that point is used as a fulcrum. The first substrate is floated and the remaining elements are brought into contact with the adhesive layer. For this reason, the first substrate presses the adhesive layer of the second substrate with a uniform force through the element. Therefore, even if a plurality of elements are distributed in the plane of the first substrate, each element is pressed and bonded to the adhesive layer of the second substrate with equal pressure.

また、第1基板の面積が第2基板と同等近くに大きく、第1基板の広範囲にわたって素子がある場合であっても、第1基板は流体圧によって浮上されるので、第1基板上の素子の一部が第2基板側に接触すると、その点を支点にして、第1基板が浮上されて残りの素子が接着層に接触される。このため、第1基板は素子を介して第2基板の接着層を均一な力で押し圧する。よって、素子が第1基板の面内に複数分布していても、各素子は均等な圧力で第2基板の接着層に押し付けられ、接着される。   In addition, even when the area of the first substrate is as large as the second substrate and there are elements over a wide area of the first substrate, the first substrate is levitated by the fluid pressure, so the elements on the first substrate When a part of the first substrate comes into contact with the second substrate side, the first substrate is levitated using the point as a fulcrum and the remaining elements are brought into contact with the adhesive layer. For this reason, the first substrate presses the adhesive layer of the second substrate with a uniform force through the element. Therefore, even if a plurality of elements are distributed in the plane of the first substrate, each element is pressed and bonded to the adhesive layer of the second substrate with equal pressure.

また、第2基板が例えば反りやうねりを生じている場合であっても、第1基板裏面を流体の圧力によって均等に押し圧することから、第1基板上の素子の一部が第2基板側に接触すると、その点を支点にして、第2基板の表面形状に倣った状態に第1基板が傾いて第1基板上の素子を第2基板側に押し付ける。このため、第1基板は素子を介して第2基板の接着層を均一な力で押し圧する。よって、素子が第1基板の面内に複数分布していても、各素子は均等な圧力で第2基板の接着層に押し付けられ、接着される。   Further, even when the second substrate is warped or wavy, for example, the back surface of the first substrate is uniformly pressed by the pressure of the fluid, so that some of the elements on the first substrate are on the second substrate side. When the contact is made, the first substrate tilts to press the element on the first substrate toward the second substrate with the point serving as a fulcrum and following the surface shape of the second substrate. For this reason, the first substrate presses the adhesive layer of the second substrate with a uniform force through the element. Therefore, even if a plurality of elements are distributed in the plane of the first substrate, each element is pressed and bonded to the adhesive layer of the second substrate with equal pressure.

本発明の素子転写方法は、第1基板上の複数の素子を第2基板に形成された接着層に接着させて、第2基板側に接着された前記複数の素子から第1基板を離間させる素子転写方法であって第1基板支持部に載置された前記第1基板上の複数の素子を前記第2基板に接近もしくは前記接着層の一部に接触させた状態にする素子接近・接触工程と、前記第1基板裏面側を流体圧で押し圧することにより該第1基板を浮上させて前記第2基板側に押し圧して、前記複数の素子を前記接着層に接着させる素子接着工程と、前記複数の素子を前記接着層に接着した状態で前記第1基板を前記複数の素子から引き離す基板離間工程とを備えたことを特徴とする。 In the element transfer method of the present invention, a plurality of elements on a first substrate are bonded to an adhesive layer formed on a second substrate, and the first substrate is separated from the plurality of elements bonded to the second substrate side. An element transfer method , wherein a plurality of elements on the first substrate placed on a first substrate support are brought close to the second substrate or brought into contact with a part of the adhesive layer. a contact step, wherein by pressure pressing the first substrate rear surface side flow body pressure by applying pressing by floating the first substrate to the second substrate side, the element adhering the plurality of elements in the adhesive layer bonding And a substrate separation step of separating the first substrate from the plurality of elements in a state where the plurality of elements are bonded to the adhesive layer.

上記素子転写方法では、素子接近・接触工程によって、第1基板上の素子を第2基板に接近もしくは接着層の一部に接触させた状態にした後、素子接着工程によって、流体の圧力により第1基板を浮上させて第2基板側に押し上げるため、第1基板上複数の素子それぞれは均等な力を受けて接着層に接着される。すなわち、第2基板に対して第1基板を平行にした状態で第1基板の素子を第2基板側に接着することができる。しかも、素子接近・接触工程によって、第1基板上の素子を第2基板に接近もしくは第2基板側の接着層の一部に接触させた状態にすることで、素子は第2基板側の接着位置に正確に導かれる。 In the element transfer method, after the element on the first substrate is brought close to the second substrate or brought into contact with a part of the adhesive layer by the element approach / contact process, the first pressure is applied by the fluid pressure by the element adhesion process. In order to float one substrate and push it up to the second substrate side, each of the plurality of elements on the first substrate receives an equal force and is bonded to the adhesive layer. That is, the element of the first substrate can be bonded to the second substrate side with the first substrate parallel to the second substrate. Moreover, the element is bonded to the second substrate side by bringing the element on the first substrate close to the second substrate or in contact with a part of the adhesive layer on the second substrate side by the element approach / contact process. Accurately guided to position.

また、上記素子転写方法は、第1基板は流体の圧力により浮上されて第2基板側に押し圧されるので、以下のような場合にも対応することができる。 Further, in the above-described device transfer method, the first substrate because the pressure pushing on the second substrate side is floated by the pressure of the fluid, it is possible to cope with the following situations.

第1基板支持部と第2基板支持部との平行出しが不十分な場合であっても、第1基板裏面を流体の圧力によって均等に押し圧することから、第1基板上の素子が第2基板側に接触するときには、第1基板は素子を介して第2基板の接着層を均一な力で押し圧する。よって、素子が第1基板の面内に複数分布していても、各素子は均等な圧力で第2基板の接着層に押し付けられ、接着される。   Even when the parallel alignment between the first substrate support portion and the second substrate support portion is insufficient, the back surface of the first substrate is uniformly pressed by the fluid pressure, so that the elements on the first substrate are second. When contacting the substrate side, the first substrate presses the adhesive layer of the second substrate through the element with a uniform force. Therefore, even if a plurality of elements are distributed in the plane of the first substrate, each element is pressed and bonded to the adhesive layer of the second substrate with equal pressure.

また、素子の高さが低い場合であっても、第1基板裏面を流体の圧力によって均等に押し圧することから、第1基板上の素子の一部が第2基板側に接触すると、その点を支点にして、第1基板が浮上されて残りの素子が接着層に接触される。このため、第1基板は素子を介して第2基板の接着層を均一な力で押し圧する。よって、素子が第1基板の面内に複数分布していても、各素子は均等な圧力で第2基板の接着層に押し付けられ、接着される。   Further, even when the height of the element is low, the back surface of the first substrate is uniformly pressed by the pressure of the fluid, so that when a part of the element on the first substrate contacts the second substrate side, that point As a fulcrum, the first substrate is levitated and the remaining elements are brought into contact with the adhesive layer. For this reason, the first substrate presses the adhesive layer of the second substrate with a uniform force through the element. Therefore, even if a plurality of elements are distributed in the plane of the first substrate, each element is pressed and bonded to the adhesive layer of the second substrate with equal pressure.

また、第1基板の面積が第2基板と同等近くに大きく、第1基板の広範囲にわたって素子がある場合であっても、第1基板裏面を流体の圧力によって均等に押し圧することから、第1基板上の素子の一部が第2基板側に接触すると、その点を支点にして、第1基板が浮上されて残りの素子が接着層に接触される。このため、第1基板は素子を介して第2基板の接着層を均一な力で押し圧する。よって、素子が第1基板の面内に複数分布していても、各素子は均等な圧力で第2基板の接着層に押し付けられ、接着される。   Further, even when the area of the first substrate is as large as that of the second substrate and there are elements over a wide range of the first substrate, the first substrate back surface is uniformly pressed by the pressure of the fluid. When a part of the elements on the substrate comes into contact with the second substrate side, the first substrate is levitated using the point as a fulcrum, and the remaining elements are in contact with the adhesive layer. For this reason, the first substrate presses the adhesive layer of the second substrate with a uniform force through the element. Therefore, even if a plurality of elements are distributed in the plane of the first substrate, each element is pressed and bonded to the adhesive layer of the second substrate with equal pressure.

また、第2基板が例えば反りやうねりを生じている場合であっても、第1基板裏面を流体の圧力によって均等に押し圧することから、第1基板上の素子の一部が第2基板側に接触すると、その点を支点にして、第2基板の表面形状に倣った状態に第1基板が傾いて第1基板上の素子を第2基板側に押し付ける。このため、第1基板は素子を介して第2基板の接着層を均一な力で押し圧する。よって、素子が第1基板の面内に複数分布していても、各素子は均等な圧力で第2基板の接着層に押し付けられ、接着される。   Further, even when the second substrate is warped or wavy, for example, the back surface of the first substrate is uniformly pressed by the pressure of the fluid, so that some of the elements on the first substrate are on the second substrate side. When the contact is made, the first substrate tilts to press the element on the first substrate toward the second substrate with the point serving as a fulcrum and following the surface shape of the second substrate. For this reason, the first substrate presses the adhesive layer of the second substrate with a uniform force through the element. Therefore, even if a plurality of elements are distributed in the plane of the first substrate, each element is pressed and bonded to the adhesive layer of the second substrate with equal pressure.

このため、第2基板の接着層に素子が均一に接着されるとともに、素子が接着される際に第1基板が第2基板側に接触することがないので、第2基板側の接着層を第1基板によって損傷することがなくなる。   For this reason, the element is uniformly bonded to the adhesive layer of the second substrate, and the first substrate does not contact the second substrate side when the element is bonded. No damage is caused by the first substrate.

本発明の表示装置の製造方法は、第1基板上の複数の発光素子を第2基板に形成された接着層に接着させて、第2基板側に接着された前記複数の発光素子から第1基板を離間させる素子転写方法を用いて、複数の発光素子を配列実装する表示装置の製造方法であって、前記素子転写方法は、前記第1基板上の前記複数の発光素子を前記第2基板に接近もしくは前記接着層の一部に接触させた状態にする素子接近・接触工程と、前記第1基板裏面側を流体圧で押し圧することにより該第1基板を浮上させて前記第2基板側に押し圧して、前記複数の発光素子を前記接着層に接着させる素子接着工程と、前記複数の発光素子を前記接着層に接着した状態で前記第1基板を前記複数の発光素子から引き離す基板離間工程とを備えたことを特徴とする。 Method of manufacturing a display device of the present invention, a plurality of light emitting elements on the first substrate is adhered to the adhesive layer formed on the second substrate, the first from the plurality of light emitting devices bonded to the second substrate side using the device transfer method for separating the substrate, a manufacturing method of a display device arranged mounting a plurality of light emitting elements, the device transfer method, the said plurality of light emitting elements on the first substrate second substrate the second substrate closer or the element toward or contacting step to a state where the brought into contact with a portion of the adhesive layer, by floating the first substrate by applying pressing the first substrate rear surface side flow in body pressure by applying push to the side, away the plurality of light emitting elements and the element bonding step for bonding to the adhesive layer, the first substrate a plurality of light emitting elements in a state adhered to the adhesive layer from said plurality of light emitting element substrate And a separation step.

上記表示装置の製造方法では、本発明の素子転写方法により第1基板上の複数の発光素子を表示装置の基板となる第2基板に接着させることから、上記説明した素子転写方法と同様なる作用が得られる。すなわち、第2基板の接着層に対して第1基板上の複数の発光素子が均一な力で押し圧されるので、第1基板と第2基板とが非接触状態で、第1基板上の発光素子それぞれは第2基板に形成された接着層に均等に接着される。 In the manufacturing method of the display device, the plurality of light emitting elements on the first substrate are bonded to the second substrate serving as the substrate of the display device by the element transfer method of the present invention. Is obtained. That is, since the plurality of light emitting elements on the first substrate are pressed against the adhesive layer of the second substrate with a uniform force, the first substrate and the second substrate are not in contact with each other, Each light emitting element is evenly bonded to an adhesive layer formed on the second substrate.

本発明の素子転写装置は、第1基板を載置して該第1基板裏面側を流体圧で押し圧することで該第1基板を浮上させて第2基板側に押し圧する第1基板支持部を備えたことから、第1基板を第2基板の素子が接着される側の表面状態に倣って第1基板上の複数の素子が第2基板側に押し圧できるので、第1基板上の複数の素子を均等に第2基板側に接着させることができる。また、第1基板と第2基板とが平行になるので、基板同士が接触することがないため、第2基板を損傷することなく、第1基板側の複数の素子を第2基板側に押し付けることができるという利点がある。よって、素子の転写技術における歩留りの向上が図れる。 The element transfer apparatus of the present invention, first substrate support for pressurizing press first substrate rear surface side of the first substrate is placed on the second substrate side by floating the first substrate by applying pressing hydraulically Since the plurality of elements on the first substrate can be pressed toward the second substrate following the surface state of the first substrate on the side to which the elements of the second substrate are bonded, the first substrate can be pressed on the first substrate. The plurality of elements can be evenly bonded to the second substrate side. In addition, since the first substrate and the second substrate are parallel to each other, the substrates do not come into contact with each other, and the plurality of elements on the first substrate side are pressed against the second substrate side without damaging the second substrate. There is an advantage that you can. Therefore, the yield in the element transfer technology can be improved.

本発明の素子転写方法は、第1基板上の複数の素子を第2基板に接近もしくは接着層の一部に接触させた状態にした後、流体の圧力により第1基板を浮上させて第2基板側に押し上げるため、第2基板と第1基板とを平行にすることができ、第1基板上の複数の素子を接着層に均等に接着することができる。しかも、第1基板上の素子を第2基板に接近もしくは第2基板側の接着層の一部に接触させた状態にするので、第2基板側の接着位置に位置ずれをほとんど起こすことなく素子を導くことができる。したがって、複数の素子の全てを第2基板に対して平行で接着層に対して例えば均一な深さに接着させることが可能になる。その際、第1基板と第2基板とが平行になっているので、基板同士が接触することがない。このため、第2基板を損傷することなく、第1基板側の素子を第2基板側に押し付けることができるという利点がある。よって、素子の転写技術における歩留りの向上が図れる。 In the element transfer method of the present invention, the plurality of elements on the first substrate are brought close to the second substrate or brought into contact with a part of the adhesive layer, and then the first substrate is levitated by the pressure of the fluid. Since the second substrate and the first substrate are pushed up toward the two substrates, the second substrate and the first substrate can be made parallel, and a plurality of elements on the first substrate can be evenly bonded to the adhesive layer. In addition, since the element on the first substrate is brought close to the second substrate or brought into contact with a part of the adhesive layer on the second substrate side, the element is hardly displaced in the bonding position on the second substrate side. Can guide you. Therefore, all of the plurality of elements can be bonded to the adhesive layer at a uniform depth, for example, parallel to the second substrate. At this time, since the first substrate and the second substrate are parallel, the substrates do not contact each other. For this reason, there is an advantage that the element on the first substrate side can be pressed against the second substrate side without damaging the second substrate. Therefore, the yield in the element transfer technology can be improved.

本発明の表示装置の製造方法は、第1基板側の複数の発光素子を第2基板側に転写する際に、第1基板と第2基板とが平行に保持されているので、基板同士が接触することがない。このため、第2基板を損傷することなく、第1基板側の複数の発光素子を第2基板側に押し付けることができるという利点がある。よって、素子の転写技術を用いて表示装置を製造する際の歩留りの向上が図れる。 In the method for manufacturing a display device of the present invention, when the plurality of light emitting elements on the first substrate side are transferred to the second substrate side, the first substrate and the second substrate are held in parallel. Will not touch. For this reason, there is an advantage that a plurality of light emitting elements on the first substrate side can be pressed against the second substrate side without damaging the second substrate. Therefore, it is possible to improve the yield when manufacturing the display device using the element transfer technique.

素子を搭載している第1基板と素子が転写される側の第2基板とを平行に保持して、第1基板上の素子を第2基板に形成された接着層(例えば未硬化樹脂層)に埋め込むという目的を、第1基板裏面側を流体圧で押し圧することで該第1基板を浮上させて第2基板側に押し圧することで、第2基板に対して第1基板を平行にすることで実現したものである。その詳細を以下に説明する。   An adhesive layer (for example, an uncured resin layer) formed on the second substrate by holding the element on which the element is mounted in parallel with the second substrate on which the element is transferred is held in parallel. The first substrate is made parallel to the second substrate by levitation of the first substrate by pressing the back surface side of the first substrate with fluid pressure and pressing the second substrate side against the second substrate. It is realized by doing. Details thereof will be described below.

本発明の素子転写装置に係る一実施の形態の一例を、図1の概略構成図および要部拡大断面図によって説明する。   An example of an embodiment according to the element transfer apparatus of the present invention will be described with reference to the schematic configuration diagram of FIG.

図1(1)に示すように、素子転写装置1は、第1基板51を載置して該第1基板51裏面側を流体圧で押し圧することで該第1基板51を浮上させて第2基板52側に押し圧する第1基板支持部11と、上記第1基板51に対向するように配置される第2基板52を支持する第2基板支持部12と、第1基板支持部11に載置された第1基板51を第2基板支持部12に支持された第2基板52直下の所定の位置に搬送する基板搬送部41とを備えたものである。   As shown in FIG. 1A, the element transfer apparatus 1 places the first substrate 51 and lifts the first substrate 51 by pressing the back side of the first substrate 51 with fluid pressure. The first substrate support unit 11 that presses against the second substrate 52 side, the second substrate support unit 12 that supports the second substrate 52 disposed so as to face the first substrate 51, and the first substrate support unit 11 A substrate transfer unit 41 is provided that transfers the placed first substrate 51 to a predetermined position directly below the second substrate 52 supported by the second substrate support unit 12.

図1(2)は、(1)図中の第1基板支持部11の拡大断面図であり、第1基板支持部11に形成されるもので給気および真空引きを行う孔14を多数形成したものの一例である。上記給気は第1基板51を浮上させるための気体を供給するものであり、上記真空引きは第1基板51を第1基板支持部11に真空吸着させるための真空引きである。   FIG. 1 (2) is an enlarged cross-sectional view of the first substrate support 11 in FIG. 1 (1), and a large number of holes 14 for supplying and evacuating are formed in the first substrate support 11. This is an example. The air supply is for supplying a gas for floating the first substrate 51, and the evacuation is for evacuating the first substrate 51 to the first substrate support 11.

上記孔14は、第1基板支持部11の第1基板載置面全面に均等に分布させる。例えば、第1基板支持部11の基板載置面中心から放射状かつ同心円上に分布させる、第1基板支持部11の基板載置面に碁盤の目状に分布させる、等、種々の分布状態を採用することができる。要するに、各孔14より流体(例えば気体)を第1基板51側に吹き付けた際に、第1基板支持部11の基板載置面と第1基板51の裏面との距離がどの位置においても等距離になるように、第1基板51を浮上させることができるような孔形成となっている。   The holes 14 are evenly distributed over the entire first substrate placement surface of the first substrate support 11. For example, various distribution states such as a radial and concentric distribution from the center of the substrate placement surface of the first substrate support 11, a grid pattern on the substrate placement surface of the first substrate support 11, etc. Can be adopted. In short, when fluid (for example, gas) is sprayed from the holes 14 to the first substrate 51 side, the distance between the substrate placement surface of the first substrate support 11 and the back surface of the first substrate 51 is the same at any position. Holes are formed so that the first substrate 51 can be levitated so as to have a distance.

また、第1基板支持部11の第1基板載置面は、平坦に形成されている必要はあるが、その面は鏡面である必要はない。むしろ鏡面でないほうが好ましい。それは、鏡面に形成されていると、第1基板51の裏面が鏡面に形成されている場合には、第1基板支持部11の基板載置面と第1基板51裏面とが鏡面であるが故に吸着してしまい、孔14より流体(例えば気体)を吹き出そうとしても、容易に第1基板51を浮上させることができなくなる可能性があるためである。したがって、第1基板支持部11の基板載置面は第1基板51が自然吸着しにくく、しかも真空吸着が可能で、かつ第1基板51裏面が傷つき難い面粗さを有することが好ましい。   Moreover, although the 1st board | substrate mounting surface of the 1st board | substrate support part 11 needs to be formed flat, the surface does not need to be a mirror surface. Rather, it is preferable not to be a mirror surface. That is, when the back surface of the first substrate 51 is formed as a mirror surface when formed on the mirror surface, the substrate placement surface of the first substrate support portion 11 and the back surface of the first substrate 51 are mirror surfaces. Therefore, the first substrate 51 may not be easily levitated even if it is adsorbed and fluid (for example, gas) is blown out from the hole 14. Therefore, it is preferable that the substrate mounting surface of the first substrate support portion 11 has a surface roughness that makes it difficult for the first substrate 51 to be naturally adsorbed, allows vacuum adsorption, and prevents the back surface of the first substrate 51 from being damaged.

また、第1基板支持部11の第1基板載置面は高さのそろった多数のピン(図示せず)を配置し、その多数のピン上に第1基板51を載置する構成としてもよい。ピンの高さは数十μm〜数100μmあればよい。これによって、孔14より流体(気体)を吹き出した際に、第1基板支持部11の基板載置面より第1基板51が容易に浮上し易くなる。この場合、ピン先端を平面に形成し、ピン先端面に孔14を形成することが好ましい。   Further, the first substrate mounting surface of the first substrate support portion 11 may have a configuration in which a large number of pins (not shown) having the same height are arranged and the first substrate 51 is mounted on the numerous pins. Good. The height of the pin may be several tens of μm to several 100 μm. Accordingly, when a fluid (gas) is blown out from the hole 14, the first substrate 51 can easily float from the substrate placement surface of the first substrate support 11. In this case, it is preferable to form the pin tip in a flat surface and form the hole 14 in the pin tip surface.

上記第1基板支持部11より吹き出させる流体は気体が好ましく、例えば、空気や窒素もしくは不活性な気体を用いる。例えば、不活性な気体としては希ガスがあげられる。   The fluid to be blown out from the first substrate support 11 is preferably a gas. For example, air, nitrogen, or an inert gas is used. For example, the inert gas includes a rare gas.

上記第1基板51には直径が40mm〜200mm(8インチ)程度の平坦度、基板表示と基板裏面の平行度に優れた基板を用いる。基板材料としては、ガラス基板、シリコン基板、セラミック基板等を用いることができる。上記第2基板52には、直径もしくは矩形の一辺の長さが75mm(3インチ)〜2m程度もしくはそれ以上の、平坦度、基板表示と基板裏面の平行度に優れた基板を用いる。この基板材料としては、用途に応じて、ガラス基板、半導体基板、プラスチック基板、セラミック基板等を用いることができる。   The first substrate 51 is a substrate having a flatness of about 40 mm to 200 mm (8 inches) in diameter and excellent parallelism between the substrate display and the back surface of the substrate. As a substrate material, a glass substrate, a silicon substrate, a ceramic substrate, or the like can be used. As the second substrate 52, a substrate having a flatness and a parallelism between the substrate display and the back surface of the substrate having a diameter or a length of one side of a rectangle of about 75 mm (3 inches) to 2 m or more is used. As the substrate material, a glass substrate, a semiconductor substrate, a plastic substrate, a ceramic substrate, or the like can be used depending on the application.

上記第1基板51の表面には第2基板52側に転写する素子55が接着される接着層53が形成されている。この接着層53は、樹脂塗布膜、樹脂フィルム等で形成されたもので、表面側が素子55を接着するような接着性を有する。また第2基板52の表面(第1基板51と対向する面)には素子55を接着する接着層54が形成されている。この接着層54は上記接着層53より素子55を接着する力が強いもので、例えば、未硬化樹脂層からなる。この未硬化樹脂層としては、LEDモールド用の素子55を留める力の強いレジスト樹脂をスピンコート、印刷もしくはラミネートにて形成したものを用いることができる。一方、上記接着層53は、例えば、両面粘着材を介して微粘着性を有するシリコーンゴムフィルムをラミネートしたものを用いることができる。または、シリコーン系フィルムの代わりにアクリル系粘着材や樹脂膜など、接着層54よりも弱い接着力を有するものであれば材料は問わない。また形成方法も、フィルムのラミネートに限らず、回転塗布やスタンプ(印刷)による形成方法であっても構わない。 On the surface of the first substrate 51, an adhesive layer 53 to which the element 55 to be transferred to the second substrate 52 side is bonded is formed. The adhesive layer 53 is formed of a resin coating film, a resin film, or the like, and has an adhesive property that the surface side adheres the element 55. An adhesive layer 54 for adhering the element 55 is formed on the surface of the second substrate 52 (the surface facing the first substrate 51). The adhesive layer 54 has a stronger force for adhering the element 55 than the adhesive layer 53 , and is made of an uncured resin layer, for example. As this uncured resin layer, a resist resin having a strong force for holding the LED molding element 55 formed by spin coating, printing or laminating can be used. On the other hand, as the adhesive layer 53, for example, a laminate obtained by laminating a slightly-adhesive silicone rubber film through a double-sided adhesive material can be used. Alternatively, any material may be used as long as it has an adhesive force weaker than that of the adhesive layer 54, such as an acrylic adhesive material or a resin film instead of the silicone film. The forming method is not limited to film lamination, and may be a forming method by spin coating or stamping (printing).

上記基板搬送部41は、主として、粗動ステージ42と微動ステージ43とからなる。上記粗動ステージ42は、基本的には、例えばx、y、z、θ方向に素早く長い距離(例えば数十cm〜2m程度)を移動可能なステージが用いられている。これによって、第1基板51のロード、アンロードおよびタイリング箇所への移動を高速に行うことが可能となっている。また上記微動ステージ43は、基本的には、例えばx、y、z、θ方向に短い距離(例えば数μm〜数百μm程度)を微動可能なステージが用いられている。これによって、アライメント時における高い分解能と高い停止位置精度が実現されている。また、上記粗動ステージ42の動作の一部を上記微動ステージ43の動作に兼ねさせることもできる。例えば上記粗動ステージ42のθ方向の動作を上記微動ステージ43のθ方向の動作に兼ねさせることができる。また、上記微動ステージ43のz方向の動作を後に詳細に説明するあおり部21のZ方向の動作に兼ねさせることもできる。なお、本明細書におけるx方向およびy方向およびz方向は3次元直交座標系における各軸であり、θ方向はx−y面内におけるz軸周りの回転方向である。   The substrate transport unit 41 mainly includes a coarse movement stage 42 and a fine movement stage 43. As the coarse movement stage 42, basically, a stage that can move quickly in a long distance (for example, about several tens of cm to 2 m) in, for example, the x, y, z, and θ directions is used. As a result, the first substrate 51 can be loaded, unloaded and moved to the tiling location at high speed. The fine movement stage 43 is basically a stage capable of fine movement over a short distance (for example, about several μm to several hundred μm) in the x, y, z, and θ directions, for example. This achieves high resolution and high stop position accuracy during alignment. Further, a part of the operation of the coarse movement stage 42 can be combined with the operation of the fine movement stage 43. For example, the movement of the coarse movement stage 42 in the θ direction can be combined with the movement of the fine movement stage 43 in the θ direction. Further, the operation of the fine movement stage 43 in the z direction can be combined with the operation of the tilt portion 21 described later in detail in the Z direction. In this specification, the x direction, the y direction, and the z direction are axes in a three-dimensional orthogonal coordinate system, and the θ direction is a rotation direction around the z axis in the xy plane.

また、上記基板搬送部41は、上記第2基板52に形成された接着層54に上記素子55を接着させた状態にして上記素子55から上記第1基板51は引き離す動作を有するものであってもよい。この動作は基板搬送部41のz軸の動作において降下動作を行えばよい。   The substrate transport unit 41 has an operation of separating the first substrate 51 from the element 55 in a state where the element 55 is adhered to the adhesive layer 54 formed on the second substrate 52. Also good. This operation may be performed by a descent operation in the z-axis operation of the substrate transport unit 41.

上記基板搬送部41は、上記第1基板支持部11を介して第1基板51を第2基板52直下の所定の位置まで移動させることが可能になる。したがって、基板搬送部41によって、第1基板51は第2基板52に対して所望の位置に移動することが可能となっている。   The substrate transport unit 41 can move the first substrate 51 to a predetermined position directly below the second substrate 52 via the first substrate support unit 11. Therefore, the first substrate 51 can be moved to a desired position with respect to the second substrate 52 by the substrate transport unit 41.

上記基板搬送部41と上記第1基板支持部11との間には、第1基板51に接着されている素子55が第2基板52側に接触した状態を感知するセンサ部15が備えられている。このセンサ部15は、例えば、第1基板51に接着した素子55を第2基板52側に押し当てたときにかかる荷重を測定することができる荷重センサを用いることができる。   A sensor unit 15 is provided between the substrate transport unit 41 and the first substrate support unit 11 to detect a state in which the element 55 bonded to the first substrate 51 is in contact with the second substrate 52 side. Yes. As the sensor unit 15, for example, a load sensor that can measure a load applied when the element 55 bonded to the first substrate 51 is pressed against the second substrate 52 side can be used.

上記第1基板支持部11の基板支持方法は、機械的な支持、真空吸着による支持もしくはその他の支持手段であってもよい。要するに、第1基板51を浮上させるまで第1基板支持部11に第1基板51が支持固定されるものであればよい。また、第2基板支持部12の基板支持方法は、機械的な支持、真空吸着による支持もしくはその他の支持手段であってもよい。要するに、第2基板支持部12は第2基板52が支持固定されるものであればよい。   The substrate support method of the first substrate support unit 11 may be mechanical support, support by vacuum suction, or other support means. In short, what is necessary is that the first substrate 51 is supported and fixed to the first substrate support portion 11 until the first substrate 51 is levitated. Further, the substrate support method of the second substrate support unit 12 may be mechanical support, support by vacuum suction, or other support means. In short, the second substrate support unit 12 may be any member as long as the second substrate 52 is supported and fixed.

上記素子転写装置1には、第1基板支持部11によって第2基板支持部12に支持されている第2基板52に対して第1基板51を所定の位置に位置決めするためのアライメント部65が、例えば第1基板支持部11側に設置されている。このアライメント部65は、例えば第2基板52側に形成されたアライメントマークに第1基板51側に形成されたアライメントマークを一致させるように、上記基板搬送部41を動作させて第2基板52に対して第1基板51をアライメントするものである。   The element transfer apparatus 1 includes an alignment unit 65 for positioning the first substrate 51 at a predetermined position with respect to the second substrate 52 supported by the second substrate support unit 12 by the first substrate support unit 11. For example, it is installed on the first substrate support part 11 side. For example, the alignment unit 65 operates the substrate transport unit 41 to align the alignment mark formed on the first substrate 51 side with the alignment mark formed on the second substrate 52 side. In contrast, the first substrate 51 is aligned.

次に、前記図1を用いて上記素子転写装置1の動作の説明をする。   Next, the operation of the element transfer apparatus 1 will be described with reference to FIG.

第1基板51を第1基板支持部11上の所定の位置に載置し、第2基板52を第2基板支持部12の所定の位置に支持する。   The first substrate 51 is placed at a predetermined position on the first substrate support unit 11, and the second substrate 52 is supported at a predetermined position on the second substrate support unit 12.

そして、基板搬送部41の粗動ステージ42および微動ステージ43によって、第1基板51が第2基板52の所定の領域直下に位置するように、移動させる。そして、第2基板52裏面より100μm程度の距離に第1基板51上の素子55を近づけ、精密アライメントを行う。この精密アライメントは、例えば微動ステージ43によって、x方向、y方向、θ方向のアライメントを行い、第2基板52の接着層54の埋め込み位置直下に素子55を導く。   Then, the first substrate 51 is moved by the coarse movement stage 42 and the fine movement stage 43 of the substrate transport unit 41 so that the first substrate 51 is located immediately below a predetermined region of the second substrate 52. Then, the element 55 on the first substrate 51 is brought close to the distance of about 100 μm from the back surface of the second substrate 52 to perform precise alignment. In this precise alignment, for example, the fine movement stage 43 performs alignment in the x direction, the y direction, and the θ direction, and guides the element 55 directly below the embedded position of the adhesive layer 54 of the second substrate 52.

さらに、微動ステージ43をz軸方向に駆動して、第1基板51と第2基板52との間隔を詰める。そして、第1基板51上の素子55が第2基板52側に接触すると、センサ部15がその接触圧力を感知する。このとき、微動ステージ43のz軸方向の駆動を停止する。   Further, the fine movement stage 43 is driven in the z-axis direction to close the interval between the first substrate 51 and the second substrate 52. And if the element 55 on the 1st board | substrate 51 contacts the 2nd board | substrate 52 side, the sensor part 15 will sense the contact pressure. At this time, driving of fine movement stage 43 in the z-axis direction is stopped.

次に、第1基板51の真空吸着を解放し、孔14に流体(例えば気体)を供給する給気を行い、上記第1基板支持部11の基板載置面より流体を吹き出して、第1基板支持部11より第1基板51を浮上させる。このときの流体としては、空気もしくは窒素(N2)もしくはアルゴン(Ar)のような希ガスなどを用いる。 Next, the vacuum suction of the first substrate 51 is released, air is supplied to supply a fluid (for example, gas) to the hole 14, the fluid is blown out from the substrate mounting surface of the first substrate support portion 11, and the first The first substrate 51 is levitated from the substrate support 11. As the fluid at this time, air or a rare gas such as nitrogen (N 2 ) or argon (Ar) is used.

気体の吹き出しにより浮上させられた第1基板51上の素子55は、先に第2基板52側に接触した点を支点として、第2基板52の表面形状に倣うように押し圧される。これにより第1基板51上の全ての素子55が第2基板52に形成された接着層54に転写される。   The element 55 on the first substrate 51 that has been levitated by the blowing of gas is pressed so as to follow the surface shape of the second substrate 52 with the point that has previously contacted the second substrate 52 as a fulcrum. As a result, all the elements 55 on the first substrate 51 are transferred to the adhesive layer 54 formed on the second substrate 52.

第2基板52側に素子55の接着が完了した後、孔14への流体の供給を停止し、今度は真空引きすることにより、再度第1基板支持部11によって第1基板51を真空吸着して、第2基板52の接着層54に接着された素子55から第1基板51を引き離し、さらに第1基板支持部11を降下させて、埋め込み転写が完了する。 After the bonding of the element 55 to the second substrate 52 side is completed, the supply of the fluid to the hole 14 is stopped, and this time, by vacuuming, the first substrate 51 is again vacuum-adsorbed by the first substrate support 11. Then, the first substrate 51 is pulled away from the element 55 adhered to the adhesive layer 54 of the second substrate 52, and the first substrate support portion 11 is further lowered to complete the embedded transfer.

上記素子転写装置1では、第1基板支持部11は、その上に載置されている第1基板51の裏面側を流体圧で押し圧することで、第1基板支持部11より第1基板51を浮上させて第2基板52側に押し圧する。これにより、第1基板51は流体の圧力によって均等に押し圧されるので、第1基板51上の素子55が第2基板52側に接触した際に、その素子55が第1基板51の面内に複数分布していても、各素子55は均等な圧力で第2基板52の接着層54に押し付けられ、接着される。   In the element transfer apparatus 1, the first substrate support unit 11 presses the back surface side of the first substrate 51 placed thereon with a fluid pressure, so that the first substrate 51 from the first substrate support unit 11. Is floated and pressed to the second substrate 52 side. As a result, the first substrate 51 is evenly pressed by the pressure of the fluid. Therefore, when the element 55 on the first substrate 51 comes into contact with the second substrate 52 side, the element 55 becomes the surface of the first substrate 51. Even if a plurality of elements 55 are distributed, the respective elements 55 are pressed against and adhered to the adhesive layer 54 of the second substrate 52 with equal pressure.

基板搬送部41によって、第2基板52に対して第1基板51が平行な状態に、第2基板52の所定の位置直下に移動された場合には、図2(1)に示すように、第1基板支持部11の第1基板51に対する真空吸着を解放し、孔14から気体を吹き出させることで、吹き出させた流体の圧力によって第1基板51の裏面側を押し圧する。これにより、第1基板支持部11より第1基板51が浮上されて、第1基板51上の素子55は第2基板52側に押し圧される。このように、第1基板51は流体(気体)の圧力によって均等に押し圧されるので、第1基板51上の素子55が第2基板52側(接着層54)に接触した際に、その素子55が第1基板51の面内に複数分布していても、各素子55は均等な圧力で第2基板52の接着層54に押し付けられ、接着される。なお、図2、図3では、第1基板支持部11に形成される孔14は、一箇所のみの記載であるが、図面では簡略化して示したのであって実際には、前記説明したように、複数箇所に形成されている。   When the substrate transport unit 41 moves the first substrate 51 in a state parallel to the second substrate 52 to a position immediately below the second substrate 52, as shown in FIG. The vacuum suction of the first substrate support 11 to the first substrate 51 is released, and the gas is blown out from the holes 14 to press the back side of the first substrate 51 by the pressure of the blown fluid. As a result, the first substrate 51 is levitated from the first substrate support portion 11 and the elements 55 on the first substrate 51 are pressed against the second substrate 52 side. Thus, since the first substrate 51 is uniformly pressed by the pressure of the fluid (gas), when the element 55 on the first substrate 51 contacts the second substrate 52 side (adhesive layer 54), Even if a plurality of elements 55 are distributed in the plane of the first substrate 51, each element 55 is pressed against and adhered to the adhesive layer 54 of the second substrate 52 with equal pressure. 2 and 3, the hole 14 formed in the first substrate support portion 11 is shown only in one place, but it is shown in a simplified manner in the drawings, and in fact, as described above. In addition, it is formed at a plurality of locations.

また、図2(2)に示すように、第1基板支持部11と第2基板支持部12との平行出しが不十分であっても、第1基板支持部11の第1基板51に対する真空吸着を解放し、孔14から気体を吹き出させることで、第1基板51は流体圧(気体の圧力)によって浮上されるので、第1基板51上の素子55が第2基板52側(接着層54)に接触するときには、第1基板51は素子55を介して第2基板52の接着層54を均一な力で押し圧する。よって、素子55が第1基板51の面内に複数分布していても、各素子55は均等な圧力で第2基板52の接着層54に押し付けられ、接着される。   In addition, as shown in FIG. 2B, even when the first substrate support portion 11 and the second substrate support portion 12 are not sufficiently parallel, the vacuum of the first substrate support portion 11 with respect to the first substrate 51 is obtained. Since the first substrate 51 is levitated by fluid pressure (gas pressure) by releasing the suction and blowing the gas from the hole 14, the element 55 on the first substrate 51 is moved to the second substrate 52 side (adhesion layer). 54), the first substrate 51 presses the adhesive layer 54 of the second substrate 52 with a uniform force through the element 55. Therefore, even if a plurality of elements 55 are distributed in the plane of the first substrate 51, each element 55 is pressed against and adhered to the adhesive layer 54 of the second substrate 52 with equal pressure.

また、図2(3)に示すように、素子55の高さが低い場合であっても、第1基板支持部11の第1基板51に対する真空吸着を解放し、孔14から気体を吹き出させることで、第1基板51は流体圧(気体の圧力)によって浮上されるので、第1基板51上の素子55の一部が第2基板52側に接触すると、その点を支点にして、第1基板51が浮上されて残りの素子55が接着層54に接触される。このため、第1基板51は素子55を介して第2基板52の接着層54を均一な力で押し圧する。よって、素子55が第1基板51の面内に複数分布していても、各素子55は均等な圧力で第2基板52の接着層54に押し付けられ、接着される。   Further, as shown in FIG. 2 (3), even when the height of the element 55 is low, the vacuum suction of the first substrate support 11 to the first substrate 51 is released, and the gas is blown out from the hole 14. Thus, since the first substrate 51 is levitated by the fluid pressure (gas pressure), when a part of the element 55 on the first substrate 51 comes into contact with the second substrate 52 side, the point is used as a fulcrum. One substrate 51 is levitated and the remaining elements 55 are brought into contact with the adhesive layer 54. For this reason, the first substrate 51 presses the adhesive layer 54 of the second substrate 52 through the element 55 with a uniform force. Therefore, even if a plurality of elements 55 are distributed in the plane of the first substrate 51, each element 55 is pressed against and adhered to the adhesive layer 54 of the second substrate 52 with equal pressure.

また、図3(4)に示すように、第1基板51の面積が第2基板52と同等近くに大きく、第1基板51の広範囲にわたって素子55がある場合であっても、第1基板支持部11の第1基板51に対する真空吸着を解放し、孔14から気体を吹き出させることで、第1基板51は流体圧(気体の圧力)によって浮上されるので、第1基板51上の素子55の一部が第2基板52側に接触すると、その点を支点にして、第1基板51が浮上されて残りの素子55が接着層54に接触される。このため、第1基板51は素子55を介して第2基板52の接着層54を均一な力で押し圧する。よって、素子55が第1基板51の面内に複数分布していても、各素子55は均等な圧力で第2基板52の接着層54に押し付けられ、接着される。   Further, as shown in FIG. 3 (4), even when the area of the first substrate 51 is as large as the second substrate 52 and the element 55 is present over a wide area of the first substrate 51, the first substrate support Since the first substrate 51 is levitated by the fluid pressure (gas pressure) by releasing the vacuum suction of the part 11 to the first substrate 51 and blowing out the gas from the hole 14, the element 55 on the first substrate 51. When a part of the first substrate 51 comes into contact with the second substrate 52 side, the first substrate 51 is levitated using the point as a fulcrum, and the remaining elements 55 are in contact with the adhesive layer 54. For this reason, the first substrate 51 presses the adhesive layer 54 of the second substrate 52 through the element 55 with a uniform force. Therefore, even if a plurality of elements 55 are distributed in the plane of the first substrate 51, each element 55 is pressed against and adhered to the adhesive layer 54 of the second substrate 52 with equal pressure.

また、図3(5)に示すように、第2基板52が例えば反りやうねりを生じている場合であっても、第1基板支持部11の第1基板51に対する真空吸着を解放し、孔14から気体を吹き出させることで、第1基板51裏面を流体の圧力(気体の圧力)によって均等に押し圧することから、第1基板51上の素子55の一部が第2基板52側に接触すると、その点を支点にして、第2基板52の表面形状に倣った状態に第1基板51が傾いて第1基板51上の素子55を第2基板52側に押し付ける。このため、第1基板51は素子55を介して第2基板52の接着層54を均一な力で押し圧する。よって、素子55が第1基板51の面内に複数分布していても、各素子55は均等な圧力で第2基板52の接着層54に押し付けられ、接着される。   Further, as shown in FIG. 3 (5), even when the second substrate 52 is warped or wavy, for example, the vacuum suction of the first substrate support portion 11 to the first substrate 51 is released, and the holes By blowing gas from 14, the back surface of the first substrate 51 is uniformly pressed by the pressure of the fluid (gas pressure), so that part of the element 55 on the first substrate 51 contacts the second substrate 52 side. Then, with this point as a fulcrum, the first substrate 51 tilts in a state following the surface shape of the second substrate 52, and the element 55 on the first substrate 51 is pressed against the second substrate 52 side. For this reason, the first substrate 51 presses the adhesive layer 54 of the second substrate 52 through the element 55 with a uniform force. Therefore, even if a plurality of elements 55 are distributed in the plane of the first substrate 51, each element 55 is pressed against and adhered to the adhesive layer 54 of the second substrate 52 with equal pressure.

また、図3(6)に示すように、本発明の素子転写方法では、第1基板51上の素子55の一部が第2基板52の接着層54に接触し、その状態で、第1基板を流体圧で浮上させることから、第1基板51は素子55が接着層54に接触した点を回転中心Oとして回動して、第1基板51は第2基板52に対して平行になる。今、素子55が接着層54に接触したときの第2基板52に対する第1基板51の傾きをθ、回転中心Oから素子までの距離をrとする。また、第2基板52に対して第1基板51が平行な状態で第1基板51を浮上させた場合の素子55の接着位置(転写位置)と、第2基板52に対して第1基板51がθだけ傾いた状態で第1基板51を浮上させた時の接着位置(転写位置)との差をdとすると、d=r(1−cosθ)となるので、θが例えば1度程度であればd=0.0001rであり、θが例えば3度であってもd=0.001rであり、d≒0と見なせる。したがって、上記素子転写装置1による第1基板51から第2基板52への素子55の転写は、正確な位置に行うことができるといえる。   As shown in FIG. 3 (6), in the element transfer method of the present invention, a part of the element 55 on the first substrate 51 is in contact with the adhesive layer 54 of the second substrate 52, and in this state, Since the substrate is floated by the fluid pressure, the first substrate 51 rotates around the point where the element 55 contacts the adhesive layer 54 as the rotation center O, and the first substrate 51 is parallel to the second substrate 52. . Now, the inclination of the first substrate 51 with respect to the second substrate 52 when the element 55 contacts the adhesive layer 54 is θ, and the distance from the rotation center O to the element is r. Further, the bonding position (transfer position) of the element 55 when the first substrate 51 is levitated in a state where the first substrate 51 is parallel to the second substrate 52, and the first substrate 51 with respect to the second substrate 52. If the difference from the adhesion position (transfer position) when the first substrate 51 is levitated in a state where is inclined by θ is d, then d = r (1−cos θ), so θ is about 1 degree, for example. If d = 0.0001r, d = 0.001r even if θ is 3 degrees, for example, it can be considered that d≈0. Therefore, it can be said that the transfer of the element 55 from the first substrate 51 to the second substrate 52 by the element transfer apparatus 1 can be performed at an accurate position.

次に、上記第1基板51の形状の変形例について図4の概略構成図により説明する。   Next, a modified example of the shape of the first substrate 51 will be described with reference to the schematic configuration diagram of FIG.

図4(1)に示すように、第1基板51の基本形は、平板である。その変形例として、図4(2)に示すように、基板周辺部が基板中央部より低くなっている凸型基板がある。この凸型基板の凸部の側面は図示したように傾斜面とすることが好ましい。傾斜面とすることにより、接着層54を形成し易くなる。特に、接着層53を第1基板51に貼り付け形成する場合には有効となる。そして、上記凸型基板を用いた場合には、第1基板51が第2基板52に対して傾いた状態で第1基板上の素子55が第2基板52の接着層54に接触した場合、第1基板51のエッジ部分が第2基板54側に接触しにくくなるという利点がある。特に、素子55の高さが低い場合に有効である。 As shown in FIG. 4A, the basic shape of the first substrate 51 is a flat plate. As a modification thereof, as shown in FIG. 4B, there is a convex substrate in which the peripheral portion of the substrate is lower than the central portion of the substrate. The side surface of the convex portion of the convex substrate is preferably an inclined surface as shown. By using the inclined surface, the adhesive layer 54 can be easily formed. This is particularly effective when the adhesive layer 53 is formed by being attached to the first substrate 51. When the convex substrate is used, when the element 55 on the first substrate contacts the adhesive layer 54 of the second substrate 52 with the first substrate 51 tilted with respect to the second substrate 52, There is an advantage that the edge portion of the first substrate 51 is less likely to contact the second substrate 54 side. This is particularly effective when the height of the element 55 is low.

次に、上記第1基板51と第1基板支持部11との支持関係の変形例について図5の概略構成図により説明する。   Next, a modified example of the support relationship between the first substrate 51 and the first substrate support portion 11 will be described with reference to the schematic configuration diagram of FIG.

図5(1)に示すように、第1基板51の周囲に、第1基板51表面よりも低い位置に表面が位置するもので、第1基板支持部11に固着されたガイドリング57を備えてもよい。また、素子55が接着されるもので第1基板51に形成される接着層53は上記ガイドリング57表面に延長されて接着されている。また、上記ガイドリング57は、例えば、第1基板支持部11に設けた吸着孔16により真空吸着させることで、第1基板支持部11に固着させることができる。   As shown in FIG. 5A, a guide ring 57 is provided around the first substrate 51, the surface of which is located at a position lower than the surface of the first substrate 51 and fixed to the first substrate support portion 11. May be. In addition, the adhesive layer 53 formed on the first substrate 51 is attached to the surface of the guide ring 57 and is bonded to the element 55. Further, the guide ring 57 can be fixed to the first substrate support 11 by, for example, vacuum suction using the suction holes 16 provided in the first substrate support 11.

上記構成の第1基板支持部11は、ガイドリング57を設け、第1基板51に形成される接着層53をガイドリング57表面に貼り付けたことによって、第1基板支持部11に形成された孔14より気体を第1基板51側に吹き付けた際に、第1基板51上とガイドリング57上との間の接着層53が伸ばされる。言い換えれば、接着層53によって第1基板51が急激に浮上するのを防止することができる。これは、先に説明したように、接着層53が樹脂塗布膜、樹脂フィルム等で形成されるので、弾性を有しているからである。このようにして、第1基板51が、第1基板51上方に配置される第2基板(図示せず)に衝突するのを避けることができる。また、ガイドリング57の表面が第1基板51表面よりも低い位置に形成されていることから、第1基板支持部11を第2基板側に上昇させた際に、ガイドリング57が第2基板側に接触するのを防止することができる。これらによって、第2基板側の損傷を防ぎ、歩留りの向上が図れる。   The first substrate support portion 11 having the above configuration is formed on the first substrate support portion 11 by providing the guide ring 57 and attaching the adhesive layer 53 formed on the first substrate 51 to the surface of the guide ring 57. When the gas is blown from the hole 14 toward the first substrate 51, the adhesive layer 53 between the first substrate 51 and the guide ring 57 is stretched. In other words, the adhesive layer 53 can prevent the first substrate 51 from rising rapidly. This is because, as described above, the adhesive layer 53 is formed of a resin coating film, a resin film or the like, and thus has elasticity. In this way, it is possible to avoid the first substrate 51 from colliding with a second substrate (not shown) disposed above the first substrate 51. Further, since the surface of the guide ring 57 is formed at a position lower than the surface of the first substrate 51, the guide ring 57 is moved to the second substrate when the first substrate support portion 11 is raised to the second substrate side. Contact with the side can be prevented. By these, damage on the second substrate side can be prevented and the yield can be improved.

図5(2)に示すように、第1基板51の周囲に、第1基板51表面よりも低い位置に表面が位置するもので、第1基板支持部11に粘着層58を介して固着されたガイドリング57を備えてもよい。また、上記粘着層58は、第1基板51の裏面側およびガイドリング57の裏面(第1基板支持部11側の面)を粘着するもので、例えば1層の粘着層で形成されている。この粘着層58は、裏面(第1基板51とは反対側の面)は粘着性を有していない。また、第1基板51上には素子(図示せず)を接着する接着層53が形成されている。また、上記ガイドリング57は、その裏面側に粘着されている粘着層58を、例えば、第1基板支持部11に設けた吸着孔16により真空吸着させることで、第1基板支持部11に固着させることができる。   As shown in FIG. 5 (2), the surface is positioned around the first substrate 51 at a position lower than the surface of the first substrate 51, and is fixed to the first substrate support portion 11 via the adhesive layer 58. A guide ring 57 may be provided. The adhesive layer 58 adheres the back surface side of the first substrate 51 and the back surface of the guide ring 57 (surface on the first substrate support part 11 side), and is formed of, for example, a single adhesive layer. As for this adhesion layer 58, the back surface (surface on the opposite side to the 1st board | substrate 51) does not have adhesiveness. Further, an adhesive layer 53 for adhering an element (not shown) is formed on the first substrate 51. Further, the guide ring 57 is fixed to the first substrate support 11 by, for example, vacuum-adsorbing the adhesive layer 58 adhered to the back side of the guide ring 57 through the suction holes 16 provided in the first substrate support 11. Can be made.

上記構成の第1基板支持部11は、ガイドリング57を設け、第1基板51の裏面(第1基板支持部11側の面)に形成される粘着層58をガイドリング57裏面に貼り付けたことによって、第1基板支持部11に形成された孔14より気体を第1基板51側に吹き付けた際に、粘着層58によって第1基板51が急激に浮上するのを防止することができる。これは、第1基板51に粘着されている部分とガイドリング57に粘着されている部分の間の粘着層58が伸ばされるためである。これにより、第1基板51が第1基板51上方に配置される第2基板(図示せず)に衝突するのを避けることができる。また、ガイドリング57の表面が第1基板51表面よりも低い位置に形成されていることから、第1基板支持部11を第2基板側に上昇させた際に、たとえ、第2基板に対して第1基板支持部11が傾いても、ガイドリング57が第2基板側に接触するのを防止することができる。これらによって、第2基板側の損傷を防ぎ、歩留りの向上が図れる。   The first substrate support portion 11 having the above configuration is provided with the guide ring 57, and the adhesive layer 58 formed on the back surface of the first substrate 51 (the surface on the first substrate support portion 11 side) is attached to the back surface of the guide ring 57. As a result, when the gas is blown to the first substrate 51 side from the hole 14 formed in the first substrate support portion 11, it is possible to prevent the first substrate 51 from rapidly rising by the adhesive layer 58. This is because the adhesive layer 58 between the part adhered to the first substrate 51 and the part adhered to the guide ring 57 is stretched. Thereby, it can avoid that the 1st board | substrate 51 collides with the 2nd board | substrate (not shown) arrange | positioned above the 1st board | substrate 51. FIG. Further, since the surface of the guide ring 57 is formed at a position lower than the surface of the first substrate 51, even when the first substrate support portion 11 is raised to the second substrate side, Even if the first substrate support portion 11 is inclined, the guide ring 57 can be prevented from coming into contact with the second substrate side. By these, damage on the second substrate side can be prevented and the yield can be improved.

図5(3)に示すように、第1基板51の周囲に、第1基板51表面よりも低い位置に表面が位置するもので、第1基板支持部11に接着層53を介して固着されたガイドリング57を備えてもよい。また、素子55が接着されるもので第1基板51に形成される接着層53は上記ガイドリング57裏面に延長されて接着されている。したがって、接着層53は第1基板51表面よりガイドリング57裏面に、1層で形成されている。また、上記ガイドリング57は、接着層53側を、例えば、第1基板支持部11に設けた吸着孔16により真空吸着させることで、第1基板支持部11に固着させることができる。   As shown in FIG. 5 (3), the surface is positioned around the first substrate 51 at a position lower than the surface of the first substrate 51, and is fixed to the first substrate support portion 11 via the adhesive layer 53. A guide ring 57 may be provided. The adhesive layer 53 formed on the first substrate 51 is attached to the back surface of the guide ring 57 and bonded to the element 55. Therefore, the adhesive layer 53 is formed as a single layer from the surface of the first substrate 51 to the back surface of the guide ring 57. Further, the guide ring 57 can be fixed to the first substrate support portion 11 by, for example, vacuum-adsorbing the adhesive layer 53 side through the suction holes 16 provided in the first substrate support portion 11.

上記構成の第1基板支持部11は、ガイドリング57を設け、第1基板51に形成される接着層53をガイドリング57裏面に貼り付けたことによって、第1基板支持部11に形成された孔14より気体を第1基板51側に吹き付けた際に、第1基板51上とガイドリング57下との間の接着層53が伸ばされる。この接着層53によって第1基板51が急激に浮上するのを防止することができる。これは、先に説明したように、接着層53が樹脂塗布膜、樹脂フィルム等で形成されるので、弾性を有しているからである。このようにして、第1基板51が第1基板51上方に配置される第2基板(図示せず)に衝突するのを避けることができる。また、ガイドリング57の表面が第1基板51表面よりも低い位置に形成されていることから、第1基板支持部11を第2基板側に上昇させた際に、ガイドリング57が第2基板側に接触するのを防止することができる。これらによって、第2基板側の損傷を防ぎ、歩留りの向上が図れる。   The first substrate support portion 11 having the above configuration is formed on the first substrate support portion 11 by providing the guide ring 57 and attaching the adhesive layer 53 formed on the first substrate 51 to the back surface of the guide ring 57. When the gas is blown from the hole 14 toward the first substrate 51, the adhesive layer 53 between the first substrate 51 and the guide ring 57 is stretched. The adhesive layer 53 can prevent the first substrate 51 from rising rapidly. This is because, as described above, the adhesive layer 53 is formed of a resin coating film, a resin film or the like, and thus has elasticity. In this way, it is possible to avoid the first substrate 51 from colliding with a second substrate (not shown) disposed above the first substrate 51. Further, since the surface of the guide ring 57 is formed at a position lower than the surface of the first substrate 51, the guide ring 57 is moved to the second substrate when the first substrate support portion 11 is raised to the second substrate side. Contact with the side can be prevented. By these, damage on the second substrate side can be prevented and the yield can be improved.

次に、上記素子転写装置1において、機械的に第1基板51と第2基板52との平行出し精度を向上させるあおり部を搭載した素子転写装置の一例を、図6の概略構成図、図7の平面レイアウト図によって説明する。   Next, in the element transfer apparatus 1, an example of an element transfer apparatus in which a tilt portion that mechanically improves the parallel alignment accuracy of the first substrate 51 and the second substrate 52 is schematically shown in FIG. This will be described with reference to FIG.

図6および図7に示すように、前記図1によって説明した素子転写装置1において、基板搬送部41と第1基板支持部11との間にあおり部21、センサ支持部13、センサ部15を設けたものである。   As shown in FIGS. 6 and 7, in the element transfer apparatus 1 described with reference to FIG. 1, the ridge portion 21, the sensor support portion 13, and the sensor portion 15 are provided between the substrate transport portion 41 and the first substrate support portion 11. It is provided.

このあおり部21は、例えば前記図1によって説明した上記微動ステージ43に支持されているものであって、上記粗動ステージ42、微動ステージ43によって第2基板52直下の所定位置まで移動させられた第1基板51と、第2基板支持部12に支持されている第2基板52とがほぼ平行になるように調整するものである。その機構の詳細を以下に説明する。   The tilt portion 21 is supported by the fine movement stage 43 described with reference to FIG. 1, for example, and is moved to a predetermined position directly below the second substrate 52 by the coarse movement stage 42 and the fine movement stage 43. The first substrate 51 and the second substrate 52 supported by the second substrate support part 12 are adjusted so as to be substantially parallel. Details of the mechanism will be described below.

上記あおり部21は、第2基板52に対して第1基板51を平行に位置させるためのものであって、上記微動ステージ43上に設けられた3個の1軸方向(例えばz軸方向)に昇降可能なアクチュエータ22を備えている。上記各アクチュエータ22は、3角形の頂点となる位置に配置されている。通常、基板を支持してその傾きの調整を行うには、その基板を3点で支持することで行うことができる。よって、本実施の形態でも3個のアクチュエータ22により第1基板支持部11を3点で支持している。その支持点は、図7に示すように、第1基板支持部11の中心と中心が一致する正三角形の頂点に位置させることが好ましい。なお、4点以上で支持することもできるが、第1基板支持部11に3点が接触し、残りの1点は接触しない状態もあり得るので、支持点は3点で十分である。また、支持点を第1基板支持部11の中心と中心が一致する正三角形の頂点に位置させることにより、第1基板支持部11を介して第1基板51の傾き調整が行い易くなる。また、微調整の精度を高めるために、図示したように、第1基板支持部11の下面側(第1基板51が支持される側とは反対側)に第1基板支持部11よりも大きなセンサ支持部13が設けられている。この場合には、下記に説明する球面軸受30はセンサ支持部13の裏面側(第1基板支持部11が固定される側とは反対側)に設けられることになる。   The tilt portion 21 is for positioning the first substrate 51 in parallel with the second substrate 52 and includes three uniaxial directions (for example, the z-axis direction) provided on the fine movement stage 43. The actuator 22 can be moved up and down. Each of the actuators 22 is disposed at a position that is a vertex of the triangle. Usually, in order to support the substrate and adjust the inclination, the substrate can be supported at three points. Therefore, also in this embodiment, the first substrate support portion 11 is supported at three points by the three actuators 22. As shown in FIG. 7, the support point is preferably located at the apex of an equilateral triangle whose center coincides with the center of the first substrate support portion 11. In addition, although it can also support at four or more points, since three points may contact the 1st board | substrate support part 11 and the remaining one point may not contact, three support points are enough. In addition, by positioning the support point at the apex of an equilateral triangle whose center coincides with the center of the first substrate support portion 11, it becomes easy to adjust the inclination of the first substrate 51 via the first substrate support portion 11. Further, in order to increase the precision of fine adjustment, as shown in the drawing, the lower surface side of the first substrate support portion 11 (the side opposite to the side where the first substrate 51 is supported) is larger than the first substrate support portion 11. A sensor support portion 13 is provided. In this case, the spherical bearing 30 described below is provided on the back surface side of the sensor support portion 13 (the side opposite to the side on which the first substrate support portion 11 is fixed).

上記各アクチュエータ22の可動先端部は以下のような構成となっている。すなわち、アクチュエータ22の駆動軸23先端には回動軸受24が設けられ、この回動軸受24は基板搬送部41上に固定された直動軸25に昇降自在に支持されている直動軸受26を備えている。上記回動軸受24には回動軸27が回動自在に支持されていて、この回動軸26の中心には回動軸27に直交する揺動軸28が形成されている。したがって、回動軸27と揺動軸28はT字型に形成されている。上記揺動軸28の先端部は球形に形成され、その球形部29を受ける球面軸受30が上記第1基板支持部11の裏面(第1基板51を支持する面とは反対側の面)に設けられている。図面では前述したようにセンサ支持部13を設けているので、球面軸受30はセンサ支持部13に設置される。   The movable tip portion of each actuator 22 has the following configuration. In other words, a rotary bearing 24 is provided at the tip of the drive shaft 23 of the actuator 22, and the rotary bearing 24 is supported by a linear motion shaft 25 fixed on the substrate transport portion 41 so as to be movable up and down. It has. A rotating shaft 27 is rotatably supported on the rotating bearing 24, and a swing shaft 28 orthogonal to the rotating shaft 27 is formed at the center of the rotating shaft 26. Therefore, the rotation shaft 27 and the swing shaft 28 are formed in a T shape. The tip of the swing shaft 28 is formed in a spherical shape, and the spherical bearing 30 that receives the spherical portion 29 is on the back surface of the first substrate support portion 11 (the surface opposite to the surface that supports the first substrate 51). Is provided. Since the sensor support portion 13 is provided in the drawing as described above, the spherical bearing 30 is installed on the sensor support portion 13.

また、上記各アクチュエータ22の駆動軸となる上記揺動軸28周りでかつ上記回動軸受24と上記球面軸受30との間には、弾性部31が設けられている。この弾性部31は、上記アクチュエータ22の動作により上記第1基板51に接着された素子55が上記第2基板53側に接触した後、さらに上記第1基板51を上記第2基板52側に押し付ける方向に上記アクチュエータ22を動作させた際の上記第1基板51に対する上記アクチュエータ22の動作量を吸収するものである。この弾性部31は、例えばコイルバネにより形成されている。   In addition, an elastic portion 31 is provided around the swing shaft 28 that is a drive shaft of each actuator 22 and between the rotary bearing 24 and the spherical bearing 30. The elastic portion 31 further presses the first substrate 51 against the second substrate 52 side after the element 55 bonded to the first substrate 51 contacts the second substrate 53 side by the operation of the actuator 22. The operation amount of the actuator 22 with respect to the first substrate 51 when the actuator 22 is operated in the direction is absorbed. The elastic portion 31 is formed by a coil spring, for example.

したがって、上記あおり部21は、以下のように動作する。アクチュエータ22の上昇動作によって回動軸受24が直動軸受26によって摺動支持されて上昇する。このとき回動軸24および揺動軸28も同時に上昇する。そして、揺動軸28に設けられた球形部29によって押し上げられた球面軸受30が上層させられ、球面軸受30が設置されているセンサ支持部13も、当該アクチュエータ22が動作する部分において押し上げられる。各アクチュエータ22はセンサ支持部13上にセンサ部15、第1基板支持部11を介して載置されている第1基板51が第2基板52に対して平行となるように、上昇動作が調整される。このため、各アクチュエータ22の動作量に差が生じる場合がある。   Accordingly, the tilt portion 21 operates as follows. As the actuator 22 moves upward, the rotary bearing 24 is slidably supported by the linear motion bearing 26 and moves up. At this time, the rotating shaft 24 and the swing shaft 28 are also raised simultaneously. Then, the spherical bearing 30 pushed up by the spherical portion 29 provided on the swing shaft 28 is layered, and the sensor support portion 13 on which the spherical bearing 30 is installed is also pushed up at the portion where the actuator 22 operates. Each actuator 22 is adjusted to move upward so that the first substrate 51 placed on the sensor support portion 13 via the sensor portion 15 and the first substrate support portion 11 is parallel to the second substrate 52. Is done. For this reason, a difference may occur in the operation amount of each actuator 22.

例えば、第1アクチュエータ22(22a)の動作量と第2アクチュエータ22(22b)の動作量とが同じでアクチュエータ22(22c)よりも長いとした場合、アクチュエータ22cに連結されている球面軸受30を回動支点として、センサ支持部13は傾斜する。そのため、第1アクチュエータ22(22a)に連結されている球面軸受30と第2アクチュエータ22(22b)に連結されている球面軸受30は、各アクチュエータ22の動作量が同一のときと比較して単に直上に上昇するのではなく、センサ支持部13の傾きに応じて斜め方向に上昇する。この斜め方向の上昇は、アクチュエータ22の動作端となる球形部29の球面軸受30に対する回転運動と、揺動軸28を支持する回動軸27の回動軸受24に対する回動運動によって、追従するようになっている。   For example, when the operation amount of the first actuator 22 (22a) and the operation amount of the second actuator 22 (22b) are the same and longer than the actuator 22 (22c), the spherical bearing 30 connected to the actuator 22c is used. The sensor support part 13 inclines as a rotation fulcrum. Therefore, the spherical bearing 30 connected to the first actuator 22 (22a) and the spherical bearing 30 connected to the second actuator 22 (22b) are simply compared with the case where the operation amount of each actuator 22 is the same. It does not rise directly above, but rises in an oblique direction according to the inclination of the sensor support portion 13. This oblique rise is followed by the rotational motion of the spherical portion 29 serving as the operating end of the actuator 22 with respect to the spherical bearing 30 and the rotational motion of the rotational shaft 27 that supports the swing shaft 28 relative to the rotational bearing 24. It is like that.

上記あおり部21には、第2基板51側に転写される素子55が貼り付けられている第1基板51を支持し、かつ第1基板51を流体圧によって浮上させる第1基板支持部11が搭載されている。   A first substrate support unit 11 that supports the first substrate 51 to which the element 55 to be transferred to the second substrate 51 side is attached and floats the first substrate 51 by fluid pressure is provided in the tilt portion 21. It is installed.

なお、上記あおり部21ではアクチュエータ22によってz軸方向に昇降可能となっているので、上記基板搬送部41のz軸方向の動作を兼用することもできる。この場合には、上記基板搬送部41においてz軸方向の動作機構を省略することができる。   Since the tilt portion 21 can be moved up and down in the z-axis direction by the actuator 22, the operation of the substrate transport portion 41 in the z-axis direction can also be used. In this case, the operation mechanism in the z-axis direction can be omitted in the substrate transport unit 41.

上記センサ部15は、上記第1基板51に接着されている素子55が上記第2基板52側に接触した状態を感知するもので、上記第1基板支持部11と上記あおり部21の第1基板支持部12側に形成されたセンサ支持部13との間に設けられている。このセンサ部15は、例えば、第1基板51に接着した素子55を第2基板52側に押し当てたときにかかる荷重を測定する荷重センサを用いることができる。   The sensor unit 15 senses a state in which the element 55 bonded to the first substrate 51 is in contact with the second substrate 52 side. The sensor unit 15 is configured to detect the first substrate support unit 11 and the first tilt unit 21. It is provided between the sensor support part 13 formed on the substrate support part 12 side. As the sensor unit 15, for example, a load sensor that measures a load applied when the element 55 bonded to the first substrate 51 is pressed against the second substrate 52 can be used.

また、上記測定部61は、上記第1基板51を上記第2基板52に接近させたときに第1基板51が第2基板52と接触したことで第1基板51の動作が停止した位置を測定するとともに、第1基板51が停止した後の上記あおり部21の動作量を測定するもので、それぞれのアクチュエータ22について設けられている。この測定部61は、例えば変位量を読み取ることができるリニアスケールを用いることができる。さらに、第2基板52に対して第1基板51の位置合わせを行うためのアライメント部65が、例えば第1基板支持部11に設けられている。   In addition, the measurement unit 61 determines a position where the operation of the first substrate 51 is stopped when the first substrate 51 comes into contact with the second substrate 52 when the first substrate 51 is brought close to the second substrate 52. In addition to the measurement, the movement amount of the tilt portion 21 after the first substrate 51 is stopped is measured, and is provided for each actuator 22. The measurement unit 61 can use, for example, a linear scale that can read the amount of displacement. Furthermore, an alignment unit 65 for aligning the first substrate 51 with respect to the second substrate 52 is provided in the first substrate support unit 11, for example.

上記素子転写装置1では、基板搬送部41によって第1基板51を第2基板52の直下の所定の位置に移動させるのをスムーズに行うため、予め、第2基板52に対する第1基板51の各移動位置において、第1マスター基板と第2マスター基板とを用いたプリレベリング動作を行って、基板搬送部41の移動位置を予め設定しておくことが好ましい。このようなプリレベリング動作を行うことにより、第2基板52に対する第1基板51のアライメント動作を速く行うことができるようになる。   In the element transfer apparatus 1, in order to smoothly move the first substrate 51 to a predetermined position directly below the second substrate 52 by the substrate transport unit 41, each of the first substrates 51 with respect to the second substrate 52 is previously stored. It is preferable that the movement position of the substrate transport unit 41 is set in advance by performing a pre-leveling operation using the first master substrate and the second master substrate at the movement position. By performing such a pre-leveling operation, the alignment operation of the first substrate 51 with respect to the second substrate 52 can be performed quickly.

プリレベリング動作は以下のようにして行う。まず、第1マスター基板(図示せず)と第2マスター基板(図示せず)とを用意する。両基板ともに寸法精度(特に厚さおよび平坦度の寸法精度)の高い基板を用いる。そして第1基板支持部11に第1マスター基板を載置する。また、第2基板支持部12に第2マスター基板を載置する。   The pre-leveling operation is performed as follows. First, a first master substrate (not shown) and a second master substrate (not shown) are prepared. Both substrates use substrates with high dimensional accuracy (especially dimensional accuracy of thickness and flatness). Then, the first master substrate is placed on the first substrate support portion 11. Further, the second master substrate is placed on the second substrate support portion 12.

次いで基板搬送部41を駆動して、第2マスター基板に対して、第1マスター基板を接触させる所定の位置の下方に第1マスター基板を移動する。このときのx、y、z、θ方向のアライメントはアライメント部により行うこともできる。   Next, the substrate transport unit 41 is driven to move the first master substrate below a predetermined position where the first master substrate is brought into contact with the second master substrate. The alignment in the x, y, z, and θ directions at this time can also be performed by the alignment unit.

上記あおり部21のアクチュエータ22を上昇させる動作を行い、第1マスター基板を第2マスター基板に近づけて行く。このとき、各アクチュエータ22の動作量と、各軸に取り付けたリニアスケールからなる測定部61の測定値と、荷重センサからなるセンサ部15の測定値を常に監視しておく。   The operation of raising the actuator 22 of the tilt portion 21 is performed to bring the first master substrate closer to the second master substrate. At this time, the operation amount of each actuator 22, the measurement value of the measurement unit 61 made of a linear scale attached to each axis, and the measurement value of the sensor unit 15 made of a load sensor are always monitored.

やがて、第1マスター基板の少なくとも一部が第2マスター基板に接触する。例えば各アクチュエータ22のうちの一つのアクチュエータ22a(今、第1アクチュエータとする)に対応する第1マスター基板の位置で第2マスター基板に接触したとすると、第1マスター基板が第2マスター基板に接触した状態を感知するセンサ部15が反応する。すなわち第1マスター基板にかかる荷重が増加方向になったことを検出する。   Eventually, at least a part of the first master substrate comes into contact with the second master substrate. For example, if the first master substrate contacts the second master substrate at the position of the first master substrate corresponding to one of the actuators 22a (hereinafter referred to as the first actuator), the first master substrate becomes the second master substrate. The sensor unit 15 that senses the touched state reacts. That is, it is detected that the load applied to the first master substrate has increased.

そのとき、第1アクチュエータ22aとセンサ支持部13との間に設けられた弾性部31は縮み、その第1アクチュエータ22aを上昇動作させてもその第1クチュエータ22aが支持する第1マスター基板の部分は変動しなくなる。このようにマスター基板同士が接触すると、第1アクチュエータ22aを動作させ続けても、弾性部31が縮むだけで、第1マスター基板は上昇せず、測定部61の値も変化しなくなり、第1アクチュエータ22aの動作量と測定部61の測定値に差ができはじめる。また、センサ部15の値が増加しはじめる。   At that time, the elastic portion 31 provided between the first actuator 22a and the sensor support portion 13 contracts, and even if the first actuator 22a is lifted, the portion of the first master substrate supported by the first actuator 22a No longer fluctuates. When the master substrates are in contact with each other in this way, even if the first actuator 22a is continuously operated, only the elastic portion 31 contracts, the first master substrate does not rise, and the value of the measurement unit 61 does not change. A difference between the operation amount of the actuator 22a and the measurement value of the measurement unit 61 begins to be made. Further, the value of the sensor unit 15 starts to increase.

やがて、各アクチュエータ22の全てが上記状態になる。このとき、第1マスター基板と第2マスター基板の全面が接触したと判断し、そのときの測定部61の測定値を個別に記憶させる。   Eventually, all of the actuators 22 are in the above state. At this time, it is determined that the entire surfaces of the first master substrate and the second master substrate are in contact with each other, and the measurement values of the measurement unit 61 at that time are individually stored.

次に、第1マスター基板を下降させ、次の埋め込み位置に移動させ、再び上記の一連の動作を繰り返す。これを全ての埋め込み位置で行い、プリレベリングが完了する。このプリレベリングは、素子転写装置1が完成した時、素子転写装置1を設置した時、素子転写装置1の調整を行ったとき等、素子転写装置1に対して機械的、電気的もしくはソフト的に変更したときに行うことが好ましい。   Next, the first master substrate is lowered and moved to the next embedding position, and the above series of operations is repeated again. This is performed at all embedding positions, and pre-leveling is completed. This pre-leveling is performed mechanically, electrically, or softly with respect to the element transfer device 1 such as when the element transfer device 1 is completed, when the element transfer device 1 is installed, or when the element transfer device 1 is adjusted. It is preferable to carry out when changed to.

次に、前記図6〜図7を用いて、あおり部21を搭載した上記素子転写装置1の動作の説明をする。   Next, the operation of the element transfer apparatus 1 equipped with the tilt portion 21 will be described with reference to FIGS.

第1基板51を第1基板支持部11上の所定の位置に載置し、第2基板52を第2基板支持部12の所定の位置に支持する。   The first substrate 51 is placed at a predetermined position on the first substrate support unit 11, and the second substrate 52 is supported at a predetermined position on the second substrate support unit 12.

そして、基板搬送部41の粗動ステージ42および微動ステージ43によって、第1基板51が第2基板52の所定の領域直下に位置するように、移動させる。このとき、先にプリレベリング動作によって求めておいた測定位置に基づいて、第1基板51の直下100μm〜300μmの範囲内に第1基板51を移動させる。   Then, the first substrate 51 is moved by the coarse movement stage 42 and the fine movement stage 43 of the substrate transport unit 41 so that the first substrate 51 is located immediately below a predetermined region of the second substrate 52. At this time, based on the measurement position previously obtained by the pre-leveling operation, the first substrate 51 is moved within a range of 100 μm to 300 μm immediately below the first substrate 51.

次に、各アクチュエータ22を上昇動作させ、第1基板51を第2基板52側に接近させる。   Next, each actuator 22 is moved upward to bring the first substrate 51 closer to the second substrate 52 side.

このとき、各アクチュエータ22のうち、例えば第1基板51を第2基板52側に近づけさせている各アクチュエータ22のうちの一つのアクチュエータ22(今、第1アクチュエータ22aとする)に対応する第1基板51の位置で、第1基板51に接着された素子55の一部が第2基板52側の接触層54に接触したとすると、上記素子55が上記第2基板52側に接触した状態を感知する上記センサ部15が反応する。すなわち第1基板51にかかる荷重が増加方向になったことを検出する。このときの第1アクチュエータ22aの位置を測定部61により測定しておく。   At this time, among the actuators 22, for example, the first actuator 22 corresponding to one actuator 22 (now referred to as the first actuator 22 a) of the actuators 22 that brings the first substrate 51 closer to the second substrate 52 side. Assuming that a part of the element 55 bonded to the first substrate 51 is in contact with the contact layer 54 on the second substrate 52 side at the position of the substrate 51, the state where the element 55 is in contact with the second substrate 52 side is as follows. The sensor unit 15 to detect reacts. That is, it is detected that the load applied to the first substrate 51 has increased. The position of the first actuator 22a at this time is measured by the measuring unit 61.

そのとき、第1アクチュエータ22aとセンサ支持部13との間に設けられた弾性部31は縮み、その第1アクチュエータ22aを上昇動作させてもその第1クチュエータ22aが支持する第1基板51の部分は変動しなくなる。そして、第1アクチュエータ22aが上記上昇動作している際に、測定部61により、先に測定しておいた第1基板51と第2基板52との接触位置における第1アクチュエータ22aの位置と、現在の第1アクチュエータ22aの位置とを比較し、所定の範囲内にあるならば、第1アクチュエータ22aの上昇動作を停止する。   At that time, the elastic portion 31 provided between the first actuator 22a and the sensor support portion 13 contracts, and even if the first actuator 22a is lifted, the portion of the first substrate 51 supported by the first actuator 22a. No longer fluctuates. When the first actuator 22a is moving upward, the measurement unit 61 previously measures the position of the first actuator 22a at the contact position between the first substrate 51 and the second substrate 52; The current position of the first actuator 22a is compared, and if it is within a predetermined range, the raising operation of the first actuator 22a is stopped.

一方、第1アクチュエータ22a以外の第2アクチュエータ22(22b)、第3アクチュエータ22(22c)は、第1基板51を第2基板52側に接近させる動作を継続する。そして、例えば、残りの二つのアクチュエータ22b、22cのうち、例えば一つのアクチュエータ(今、第2アクチュエータ22bとする)に対応する第1基板51の位置で第2基板52側の接触層54に接触したとすると、上記素子55が第2基板52側に接触した状態を感知する上記センサ部15が反応する。すなわち第1基板にかかる荷重が増加方向になったことを検出する。このときの第2アクチュエータ22bの位置を測定部61により測定しておく。   On the other hand, the second actuator 22 (22b) and the third actuator 22 (22c) other than the first actuator 22a continue the operation of bringing the first substrate 51 closer to the second substrate 52 side. Then, for example, of the remaining two actuators 22b and 22c, the contact with the contact layer 54 on the second substrate 52 side at the position of the first substrate 51 corresponding to, for example, one actuator (hereinafter referred to as the second actuator 22b). If so, the sensor unit 15 that senses the state in which the element 55 is in contact with the second substrate 52 side reacts. That is, it is detected that the load applied to the first substrate is increasing. The position of the second actuator 22b at this time is measured by the measurement unit 61.

そのとき、第2アクチュエータ22bとセンサ支持部13との間に設けられた弾性部31は縮み、その第2アクチュエータ22bを上昇動作させてもその第2クチュエータ22bが支持する第1基板51の部分は変動しなくなる。そして、第2アクチュエータ22bが上記上昇動作している際に、測定部61により、先に測定しておいた第1基板51と第2基板52との接触位置における第2アクチュエータ22bの位置と、現在の第2アクチュエータ22bの位置とを比較し、所定の範囲内にあるならば、第2アクチュエータ22bの上昇動作を停止する。   At that time, the elastic portion 31 provided between the second actuator 22b and the sensor support portion 13 contracts, and the portion of the first substrate 51 that the second actuator 22b supports even when the second actuator 22b is raised. No longer fluctuates. Then, when the second actuator 22b is moving upward, the measurement unit 61 previously measures the position of the second actuator 22b at the contact position between the first substrate 51 and the second substrate 52, The current position of the second actuator 22b is compared, and if it is within a predetermined range, the raising operation of the second actuator 22b is stopped.

そして、最後に、残りの第3アクチュエータ22cの第1基板51を第2基板52側に接近させる動作を継続する。そしてこの第3アクチュエータ22cに対応する第1基板51の位置で第2基板52に接触したとすると、上記素子55が第2基板52側に接触した状態を感知する上記センサ部15が反応する。すなわち第1基板51にかかる荷重が増加方向になったことを検出する。このときの第3アクチュエータ22cの位置を測定部61により測定しておく。   Finally, the operation of causing the first substrate 51 of the remaining third actuator 22c to approach the second substrate 52 side is continued. If the second substrate 52 is contacted at the position of the first substrate 51 corresponding to the third actuator 22c, the sensor unit 15 that senses the state in which the element 55 is in contact with the second substrate 52 side reacts. That is, it is detected that the load applied to the first substrate 51 has increased. The position of the third actuator 22c at this time is measured by the measurement unit 61.

そのとき、第3アクチュエータ22cとセンサ支持部13との間に設けられた弾性部31は縮み、その第3アクチュエータ22cを上昇動作させてもその第3クチュエータ22cが支持する第1基板51の部分は変動しなくなる。そして、第3アクチュエータ22cが上記上昇動作している際に、測定部61により、先に測定しておいた第1基板51と第2基板52との接触位置における第3アクチュエータ22cの位置と、現在の第3アクチュエータ22cの位置とを比較し、所定の範囲内にあるならば、第3アクチュエータ22cの上昇動作を停止する。   At that time, the elastic portion 31 provided between the third actuator 22c and the sensor support portion 13 contracts, and the portion of the first substrate 51 that the third actuator 22c supports even when the third actuator 22c is moved up. No longer fluctuates. When the third actuator 22c is moving upward, the measurement unit 61 previously measures the position of the third actuator 22c at the contact position between the first substrate 51 and the second substrate 52; The current position of the third actuator 22c is compared, and if it is within a predetermined range, the ascending operation of the third actuator 22c is stopped.

このようにして、3軸のアクチュエータ22全てにおいて、第1基板51に接着された素子55の全域が第2基板52側に接触し、各アクチュエータ22を上昇動作させても弾性部31が変形する(縮む)のみで、第1基板51の位置の変動は起こらなくなる。このときの上記センサ部15が測定する荷重は均一な値となっていることが好ましいが、所定の範囲内であればよい。また、上記測定部61の値は、予め測定して求めた第1基板51と第2基板52との接触位置から所定の範囲内になっていれば、第1基板51と第2基板52とは平行になっていると見なすことができ、素子55を第2基板52側に接着することができると判断される。また、上記アクチュエータ22の動作量が実質、あおり部21の動作量となっている。   In this way, in all the three-axis actuators 22, the entire area of the element 55 bonded to the first substrate 51 is in contact with the second substrate 52 side, and the elastic portion 31 is deformed even if each actuator 22 is moved upward. Only by (shrinking), the position of the first substrate 51 does not change. The load measured by the sensor unit 15 at this time is preferably a uniform value, but may be within a predetermined range. In addition, if the value of the measurement unit 61 is within a predetermined range from the contact position between the first substrate 51 and the second substrate 52 obtained by measurement in advance, the first substrate 51 and the second substrate 52 Can be regarded as being parallel to each other, and it is determined that the element 55 can be bonded to the second substrate 52 side. Further, the operation amount of the actuator 22 is substantially the operation amount of the tilt portion 21.

上記素子転写装置1では、あおり部21を設けたことにより、第1基板51の傾きを微調整することによって第2基板52に対して第1基板51を平行に配置することが可能になる。またあおり部21を移動させる基板搬送部41を設けたことにより、基板搬送部41上にあおり部21、第1基板支持部11を介して支持される第1基板51を第2基板52直下の所望の位置に移動させることが可能になる。また第1基板51と第2基板52とに非接触で第1基板51と第2基板52との間隔を測定する測定部61を備えたことにより、第1基板51と第2基板52とが対向する面に接着性の層(第1接着層53、第2接着層54)を形成してもその第1接着層53、第2接着層54に測定部61が接触することはない。このような特徴を有する素子転写装置1では、第1基板51に貼り付けられている素子55を第2基板52側に平行に押し付けることが可能になる。その際、第1基板51と第2基板52とが平行になっているので、基板同士が接触することがない。このため、第2基板52を損傷することなく、第1基板51側の素子55を第2基板52側に押し付けることができるという利点がある。よって、素子55の転写技術における歩留りの向上が図れる。   In the element transfer apparatus 1, by providing the tilt portion 21, the first substrate 51 can be arranged in parallel to the second substrate 52 by finely adjusting the inclination of the first substrate 51. In addition, by providing the substrate transport unit 41 that moves the tilt unit 21, the first substrate 51 supported on the substrate transport unit 41 via the tilt unit 21 and the first substrate support unit 11 is directly below the second substrate 52. It can be moved to a desired position. Further, since the measurement unit 61 that measures the distance between the first substrate 51 and the second substrate 52 without contact with the first substrate 51 and the second substrate 52 is provided, the first substrate 51 and the second substrate 52 are Even if an adhesive layer (first adhesive layer 53, second adhesive layer 54) is formed on the opposing surfaces, the measurement unit 61 does not contact the first adhesive layer 53 and the second adhesive layer 54. In the element transfer apparatus 1 having such a feature, the element 55 attached to the first substrate 51 can be pressed in parallel to the second substrate 52 side. At this time, since the first substrate 51 and the second substrate 52 are parallel to each other, the substrates do not contact each other. Therefore, there is an advantage that the element 55 on the first substrate 51 side can be pressed against the second substrate 52 side without damaging the second substrate 52. Therefore, the yield in the transfer technique of the element 55 can be improved.

さらに、本発明の素子転写装置1では、第1基板51と第2基板52とのどちらも不透明な基板であっても差し支えなく、第1基板51と第2基板52との平行出しを行うことができるので、第1、第2基板基板材料を選択する自由度が高い特徴を有する。また、基板に素子、配線等形成されていても問題無く、第1基板51と第2基板52との平行出しが行えるという特徴を有している。したがって、基板の平行出しによる各基板に形成されるデバイスの設計自由度は影響を受けない。 Furthermore, in the element transfer apparatus 1 of the present invention, both the first substrate 51 and the second substrate 52 may be opaque substrates, and the first substrate 51 and the second substrate 52 are paralleled. Therefore, the first and second substrates have a high degree of freedom in selecting the substrate material. Further, there is a feature that the first substrate 51 and the second substrate 52 can be paralleled without any problem even if elements, wirings, and the like are formed on the substrate. Therefore, the degree of freedom in designing the devices formed on each substrate by parallel substrate placement is not affected.

また、各基板を支持する第1、第2基板支持部11、12も上記同様に、不透明な基板であっても差し支えなく、第1、第2基板支持部11、12の材料選択の自由度が高い特徴を有する。また、一枚の基板で形成することができるので、第1、第2基板支持部11、12の各基板支持面の平坦度を高精度に加工することができ、基板を支持した際の平行出し精度が高めることができる。   Also, the first and second substrate support portions 11 and 12 that support each substrate may be opaque substrates, as described above, and the degree of freedom in selecting the material of the first and second substrate support portions 11 and 12 is acceptable. Has high characteristics. Further, since it can be formed by a single substrate, the flatness of each substrate support surface of the first and second substrate support portions 11 and 12 can be processed with high accuracy, and parallel when the substrate is supported. The dispensing accuracy can be increased.

次に、本発明の素子転写方法に係る一実施の形態の一例を、図8の製造工程図により説明する。なお、本発明の素子転写方法は、上記本発明の素子転写装置1を用いて成される方法である。したがって、上記図1も参照していただきたい。また、以下の説明における各構成部品には上記素子転写装置の説明で示した構成部品の符号を付与した。   Next, an example of an embodiment according to the element transfer method of the present invention will be described with reference to the manufacturing process diagram of FIG. The element transfer method of the present invention is a method that is performed using the element transfer apparatus 1 of the present invention. Therefore, please also refer to FIG. In addition, the reference numerals of the constituent parts shown in the explanation of the element transfer device are given to the constituent parts in the following explanation.

本発明の素子転写方法は、第1基板51上の素子55を第2基板55に形成された接着層54に接着させて、第2基板52側に接着された素子55から第1基板51を離間させる素子転写方法において、前記図1、図4〜図7等によって説明した素子転写装置1を用いて行う方法であり、第1基板51上の素子55を第2基板52に接近もしくは接着層54の一部に接触させた状態にする素子接近・接触工程と、第1基板51を流体による圧力によって第2基板52側に押し圧して、素子55を接着層54に接着させる素子接着工程と、素子55を接着層54に接着した状態で第1基板51を素子55から引き離す基板離間工程とを備えている。以下、具体的に説明する。   In the element transfer method of the present invention, the element 55 on the first substrate 51 is adhered to the adhesive layer 54 formed on the second substrate 55, and the first substrate 51 is removed from the element 55 adhered to the second substrate 52 side. In the element transfer method for separating, the element transfer apparatus 1 described with reference to FIGS. 1, 4 to 7, etc. is used, and the element 55 on the first substrate 51 is moved closer to the second substrate 52 or the adhesive layer. An element approaching / contacting process for bringing the element into contact with a part of the element 54; an element adhering process for pressing the first substrate 51 toward the second substrate 52 with a fluid pressure and adhering the element 55 to the adhesive layer 54; A substrate separating step of separating the first substrate 51 from the element 55 in a state where the element 55 is adhered to the adhesive layer 54. This will be specifically described below.

図8(1)に示すように、「素子接近・接触工程」S1を行う。この工程では、上記第1基板51を第1基板支持部11に支持させる。この支持方法は、例えば、第1基板51の表面(第1接着層53側)を上にして、第1基板51の裏面を第1基板支持部11側にして、例えば孔14からの真空引きによる真空吸着により支持される。また、上記第1基板51には、例えば直径Φ=40mmからΦ200mm(8インチ)程度の基板が用いられる。また、第1基板51表面に形成された第1接着層53に接着された素子55は、例えば5μm〜100μm程度の大きさであり、その高さは5μm〜100μm程度である。また、第1基板51に接着されている個数は10個〜100万個程度である。   As shown in FIG. 8A, the “element approach / contact process” S1 is performed. In this step, the first substrate 51 is supported by the first substrate support portion 11. For example, the support method is such that the front surface (first adhesive layer 53 side) of the first substrate 51 faces up and the back surface of the first substrate 51 faces the first substrate support portion 11 side, for example, vacuuming from the hole 14. Is supported by vacuum suction. For the first substrate 51, for example, a substrate having a diameter of Φ = 40 mm to Φ200 mm (8 inches) is used. The element 55 bonded to the first adhesive layer 53 formed on the surface of the first substrate 51 has a size of about 5 μm to 100 μm, for example, and a height of about 5 μm to 100 μm. The number of the first substrate 51 bonded is about 10 to 1 million.

次に上記第2基板52を第2基板支持部12に支持させる。この支持方法は、例えば、第2基板52の表面(第2接着層54側)を下にして、第2基板52の裏面を第2基板支持部12側にして、真空吸着により支持される。なお、第1基板支持部11に対する第1基板51の支持は着脱自在にした機械的固定であってもよい。また、上記第2基板52には、例えば直径Φ=75mm(3インチ)から2m四方程度の基板が用いられる。なお、第2基板52は2mシリコン法よりも大きな基板を用いることも可能である。また上記第2基板52の表面には、第2接着層54が形成されている。この第2接着層54は、素子55が接着されている第1接着層53の接着力よりも上記素子55に対して大きな接着力を有する。また、上記第2基板52に形成される第2接着層54は、例えば未硬化樹脂層からなり、この未硬化樹脂層は、例えば、いわゆるタックに強いレジスト膜を、回転塗布法、印刷法、ラミネート法等の成膜方法により形成したものである。なお、上記第1基板支持工程と上記第2基板支持工程とはどちらを先に行ってもよい。   Next, the second substrate 52 is supported by the second substrate support unit 12. This support method is supported by vacuum suction, for example, with the front surface (second adhesive layer 54 side) of the second substrate 52 facing down and the back surface of the second substrate 52 facing the second substrate support portion 12 side. The support of the first substrate 51 with respect to the first substrate support portion 11 may be mechanically fixed so as to be detachable. Further, as the second substrate 52, for example, a substrate having a diameter of Φ = 75 mm (3 inches) to about 2 m square is used. The second substrate 52 can be a substrate larger than the 2 m silicon method. A second adhesive layer 54 is formed on the surface of the second substrate 52. The second adhesive layer 54 has a greater adhesive force with respect to the element 55 than the adhesive force of the first adhesive layer 53 to which the element 55 is bonded. The second adhesive layer 54 formed on the second substrate 52 is made of, for example, an uncured resin layer. The uncured resin layer is made of, for example, a so-called tack-resistant resist film by spin coating, printing, It is formed by a film forming method such as a laminating method. Note that either the first substrate support step or the second substrate support step may be performed first.

次に、上記第1基板51と上記第2基板52とを所定の距離を保って対向させる。具体的には、上記アライメント部65(前記図1参照)の測定に基づいて上記基板搬送部41(前記図1参照)を例えばx−y方向およびθ方向に移動させることにより、第1基板51と第2基板52直下の所定の位置に移動させる。このときの第1基板51上の素子55表面と第2基板52の接着層54表面との距離は例えば30μm〜100μm程度とする。   Next, the first substrate 51 and the second substrate 52 are opposed to each other while maintaining a predetermined distance. Specifically, the first substrate 51 is moved by moving the substrate transport unit 41 (see FIG. 1) in, for example, the xy direction and the θ direction based on the measurement of the alignment unit 65 (see FIG. 1). And move to a predetermined position directly below the second substrate 52. At this time, the distance between the surface of the element 55 on the first substrate 51 and the surface of the adhesive layer 54 of the second substrate 52 is, for example, about 30 μm to 100 μm.

なお、第2基板52に対して第1基板51が傾いて第2基板52側に接近した場合には、上記基板搬送部41によって第1基板支持部11をさらにz方向に徐々に移動させると、第1基板51上の素子55の一部が第2基板52側、すなわち接着層54に接触する。このとき、センサ部15によって圧力上昇が検出されるので、素子55の少なくとも一部が接着層54に接触したことが検出される。   When the first substrate 51 is inclined with respect to the second substrate 52 and approaches the second substrate 52 side, the first substrate support unit 11 is gradually moved further in the z direction by the substrate transport unit 41. A part of the element 55 on the first substrate 51 comes into contact with the second substrate 52 side, that is, the adhesive layer 54. At this time, since an increase in pressure is detected by the sensor unit 15, it is detected that at least a part of the element 55 has contacted the adhesive layer 54.

次に、図8(2)に示すように、上記「素子接着工程」S2を行う。この工程では、第1基板支持部11の孔14より気体を第1基板51側に吹き付けて第1基板51を気体の圧力によって浮上させ、第2基板52側に押し圧して、第1基板51上の素子55を接着層54に接着させる。図面では、簡略しているため、孔14は一個しか描かれていないが、孔14は多数設けられている。そのため、第1基板51の裏面側全面に均等な圧力で気体が吹き付けられている。よって、接着層54に押し圧された素子55は、各素子55の全域にわたって均等な圧力で接着層54に押し圧される。第1基板51の押圧力の調整は、上記気体の圧力(流量)を調整することにより行う。これにより、第1基板51の素子55を第2基板52側に適度な圧力で押し圧力することができるので、素子55を第2基板52に形成された接着層54に適切な深さで埋め込むことができる。よって、素子55を確実に接着層54に接着させることができる。   Next, as shown in FIG. 8B, the “element bonding step” S2 is performed. In this step, gas is blown to the first substrate 51 side from the hole 14 of the first substrate support portion 11 to float the first substrate 51 by the pressure of the gas, and the first substrate 51 is pressed to the second substrate 52 side. The upper element 55 is adhered to the adhesive layer 54. In the drawing, for simplicity, only one hole 14 is depicted, but a large number of holes 14 are provided. Therefore, gas is blown over the entire back surface side of the first substrate 51 with an equal pressure. Therefore, the element 55 pressed against the adhesive layer 54 is pressed against the adhesive layer 54 with a uniform pressure over the entire area of each element 55. The pressing force of the first substrate 51 is adjusted by adjusting the pressure (flow rate) of the gas. As a result, the element 55 of the first substrate 51 can be pressed with an appropriate pressure toward the second substrate 52, so that the element 55 is embedded in the adhesive layer 54 formed on the second substrate 52 with an appropriate depth. be able to. Therefore, the element 55 can be reliably adhered to the adhesive layer 54.

そして、上記接着層54が硬化し、素子55が接着層54に十分接着するようになるまで、第1基板51を気体によって押し圧する状態を保持する。   The state in which the first substrate 51 is pressed with gas is maintained until the adhesive layer 54 is cured and the element 55 is sufficiently adhered to the adhesive layer 54.

次に、図8(3)に示すように、上記「基板離間工程」S3を行う。この工程では、素子55を接着層54に接着した状態で第1基板51を素子55から引き離す。この引き離し動作は、例えば、孔14からの気体の吹き出しを停止して、孔14を真空引きすることで、再び孔14からの真空引きにより第1基板51を第1基板支持部11に真空吸着させることにより行う。さらに上記基板搬送部41(前記図1参照)によってz軸方向に沿って第1基板支持部11を下降させる。   Next, as shown in FIG. 8C, the “substrate separation step” S3 is performed. In this step, the first substrate 51 is separated from the element 55 in a state where the element 55 is bonded to the adhesive layer 54. In this separation operation, for example, by stopping the blowing of gas from the hole 14 and evacuating the hole 14, the first substrate 51 is vacuum-adsorbed to the first substrate support 11 by evacuation from the hole 14 again. To do. Further, the first substrate support unit 11 is lowered along the z-axis direction by the substrate transfer unit 41 (see FIG. 1).

上記素子転写方法では、「素子接近・接触工程」S1によって、第1基板51上の素子55を第2基板52に接近もしくは接着層54の一部に接触させた状態にした後、「素子接着工程」S2によって、流体の圧力により第1基板51を第2基板52側に押し上げるため、第1基板51上に複数の素子55がある場合には各素子55は均等な力を受けて接着層54に接着される。すなわち、第2基板52に対して第1基板51を平行にした状態で第1基板51の素子を第2基板52側に接着することができる。しかも、「素子接近・接触工程」S1によって、第1基板51上の素子55を第2基板52に接近もしくは第2基板52側の接着層54の一部に接触させた状態にすることで、素子55は第2基板52側の接着位置に正確に導かれる。   In the element transfer method, the element 55 on the first substrate 51 is brought close to the second substrate 52 or brought into contact with a part of the adhesive layer 54 by the “element approach / contact process” S1, and then “element adhesion” is performed. In step S2, the first substrate 51 is pushed up to the second substrate 52 side by the pressure of the fluid. When there are a plurality of elements 55 on the first substrate 51, each element 55 receives an equal force and receives an adhesive layer. Adhere to 54. That is, the elements of the first substrate 51 can be bonded to the second substrate 52 side with the first substrate 51 parallel to the second substrate 52. In addition, in the “element approach / contact step” S1, the element 55 on the first substrate 51 is brought close to the second substrate 52 or brought into contact with a part of the adhesive layer 54 on the second substrate 52 side. The element 55 is accurately guided to the bonding position on the second substrate 52 side.

また、上記素子転写方法は、第1基板51は流体の圧力により浮上されて第2基板52側に押し圧されるので、上記第1基板51を第2基板52に接近させたとき、種々の要因によって、第2基板52に対して第1基板51が傾いて接近した場合にも対応することができる。その詳細について、前記図2〜図3によって説明する。   In the element transfer method, the first substrate 51 is levitated by the pressure of the fluid and pressed to the second substrate 52 side. Therefore, when the first substrate 51 is brought close to the second substrate 52, various methods are performed. Depending on the factors, it is possible to cope with the case where the first substrate 51 is inclined and approaches the second substrate 52. The details will be described with reference to FIGS.

前記図2(2)に示すように、第1基板支持部11と第2基板支持部12との平行出しが不十分な場合には、本発明の素子転写方法では、第1基板51上の素子55の一部が先に第2基板52の接着層54に接触する。素子55が接触したか否かの判断は、例えばセンサ部15によって第1基板51にかかる圧力を検出すると、圧力上昇が見られることで判定できる。その後、第1基板支持部11の孔14より気体を第1基板51側に吹き付けて、接着層54に接触した素子55の接触点を支点として、第1基板51を浮上させる。そして、気体の圧力によって第1基板51を第2基板52側に押し圧して、第1基板51上の素子55を接着層54に接着させる。第1基板51は気体の圧力によって浮上される方向に動作するので、第1基板51上の素子55が第2基板52側に接触するときには、第1基板51は素子55を介して第2基板52の接着層54を均一な力で押し圧する。よって、素子55が第1基板51の面内に複数分布していても、各素子55は均等な圧力で第2基板52の接着層54に押し付けられ、接着される。   As shown in FIG. 2 (2), when the parallel alignment between the first substrate support portion 11 and the second substrate support portion 12 is insufficient, the element transfer method of the present invention uses the first substrate support portion 11 on the first substrate 51. A part of the element 55 comes into contact with the adhesive layer 54 of the second substrate 52 first. The determination as to whether or not the element 55 is in contact can be made by, for example, detecting a pressure increase when the sensor unit 15 detects the pressure applied to the first substrate 51. Thereafter, gas is blown from the hole 14 of the first substrate support portion 11 toward the first substrate 51, and the first substrate 51 is floated with the contact point of the element 55 that has contacted the adhesive layer 54 as a fulcrum. Then, the first substrate 51 is pressed toward the second substrate 52 by the gas pressure, and the element 55 on the first substrate 51 is adhered to the adhesive layer 54. Since the first substrate 51 moves in a direction that is levitated by the pressure of the gas, when the element 55 on the first substrate 51 comes into contact with the second substrate 52 side, the first substrate 51 is connected to the second substrate via the element 55. The adhesive layer 54 of 52 is pressed with a uniform force. Therefore, even if a plurality of elements 55 are distributed in the plane of the first substrate 51, each element 55 is pressed against and adhered to the adhesive layer 54 of the second substrate 52 with equal pressure.

また、前記図2(3)に示すように、素子55の高さが低い場合には、従来の転写技術では、素子55の一部が接着層54に接触しないものが生じるが、本発明の素子転写方法では、第1基板51は流体圧(気体の圧力)によって浮上されるので、第1基板51上の素子55の一部が第2基板52側に接触すると、その点を支点にして、第1基板51が浮上されて残りの素子55が接着層54に接触される。このため、第1基板51は素子55を介して第2基板52の接着層54を均一な力で押し圧する。よって、素子55が第1基板51の面内に複数分布していても、各素子55は均等な圧力で第2基板52の接着層54に押し付けられ、接着される。   As shown in FIG. 2C, when the height of the element 55 is low, a part of the element 55 does not come into contact with the adhesive layer 54 in the conventional transfer technique. In the element transfer method, since the first substrate 51 is levitated by fluid pressure (gas pressure), when a part of the element 55 on the first substrate 51 comes into contact with the second substrate 52 side, that point is used as a fulcrum. The first substrate 51 is levitated and the remaining elements 55 are brought into contact with the adhesive layer 54. For this reason, the first substrate 51 presses the adhesive layer 54 of the second substrate 52 through the element 55 with a uniform force. Therefore, even if a plurality of elements 55 are distributed in the plane of the first substrate 51, each element 55 is pressed against and adhered to the adhesive layer 54 of the second substrate 52 with equal pressure.

また、前記図3(4)に示すように、第1基板51の面積が第2基板52と同等近くに大きく、第1基板51の広範囲にわたって素子55がある場合には、従来の転写技術では、素子55の一部が接着層54に接触しないものが生じるが、本発明の素子転写方法では、第1基板51は流体圧(気体の圧力)によって浮上されるので、第1基板51上の素子55の一部が第2基板52側に接触すると、その点を支点にして、第1基板51が浮上されて残りの素子55が接着層54に接触される。このため、第1基板51は素子55を介して第2基板52の接着層54を均一な力で押し圧する。よって、素子55が第1基板51の面内に複数分布していても、各素子55は均等な圧力で第2基板52の接着層54に押し付けられ、接着される。   Further, as shown in FIG. 3 (4), when the area of the first substrate 51 is as large as the second substrate 52 and the element 55 is present over a wide area of the first substrate 51, the conventional transfer technique is used. Some of the elements 55 do not come into contact with the adhesive layer 54. However, in the element transfer method of the present invention, the first substrate 51 is levitated by the fluid pressure (gas pressure). When a part of the element 55 comes into contact with the second substrate 52 side, the first substrate 51 is levitated using the point as a fulcrum, and the remaining element 55 is brought into contact with the adhesive layer 54. For this reason, the first substrate 51 presses the adhesive layer 54 of the second substrate 52 through the element 55 with a uniform force. Therefore, even if a plurality of elements 55 are distributed in the plane of the first substrate 51, each element 55 is pressed against and adhered to the adhesive layer 54 of the second substrate 52 with equal pressure.

また、前記図3(5)に示すように、第2基板52が例えば反りやうねりを生じている場合には、従来の転写技術では、素子55の一部が接着層54に接触しないものが生じるが、本発明の素子転写方法では、第1基板51裏面を気体の圧力によって均等に押し圧することから、第1基板51上の素子55の一部が第2基板52側に接触すると、その点を支点にして、第2基板52の表面形状に倣った状態に第1基板51が傾いて第1基板51上の素子55を第2基板52側に押し付ける。このため、第1基板51は素子55を介して第2基板52の接着層54を均一な力で押し圧する。よって、素子55が第1基板51の面内に複数分布していても、各素子55は均等な圧力で第2基板52の接着層54に押し付けられ、接着される。   In addition, as shown in FIG. 3 (5), when the second substrate 52 is warped or wavy, for example, in the conventional transfer technique, a part of the element 55 does not contact the adhesive layer 54. However, in the element transfer method of the present invention, the back surface of the first substrate 51 is uniformly pressed by the gas pressure, so that when a part of the element 55 on the first substrate 51 comes into contact with the second substrate 52 side, Using the point as a fulcrum, the first substrate 51 tilts in a state following the surface shape of the second substrate 52, and the element 55 on the first substrate 51 is pressed against the second substrate 52 side. For this reason, the first substrate 51 presses the adhesive layer 54 of the second substrate 52 through the element 55 with a uniform force. Therefore, even if a plurality of elements 55 are distributed in the plane of the first substrate 51, each element 55 is pressed against and adhered to the adhesive layer 54 of the second substrate 52 with equal pressure.

また、前記図3(6)に示すように、本発明の素子転写方法では、第1基板51上の素子55の一部が第2基板52の接着層54に接触し、その状態で、第1基板を流体圧で浮上させる場合には、第1基板51は素子55が接着層54に接触した点を支点Oとして回動して、第1基板51は第2基板52に対して平行になる。今、素子55が接着層54に接触したときの第2基板52に対する第1基板51の傾きをθ、支点Oから素子55までの距離をrとする。また、第2基板52に対して第1基板51が平行な状態で第1基板51を浮上させた場合の素子55の接着位置(転写位置)と、第2基板52に対して第1基板51がθだけ傾いた状態で第1基板51を浮上させた時の接着位置(転写位置)との差をdとすると、d=r(1−cosθ)となるので、θが例えば1度程度であればd=0.0001rであり、θが例えば3度であってもd=0.001rであり、d≒0と見なせる。したがって、上記素子転写装置1による第1基板51から第2基板52への素子55の転写は、正確な位置に行うことができる。   Further, as shown in FIG. 3 (6), in the element transfer method of the present invention, a part of the element 55 on the first substrate 51 contacts the adhesive layer 54 of the second substrate 52, and in this state, In the case where one substrate is floated by fluid pressure, the first substrate 51 rotates around the point where the element 55 contacts the adhesive layer 54 as a fulcrum O, and the first substrate 51 is parallel to the second substrate 52. Become. Now, the inclination of the first substrate 51 with respect to the second substrate 52 when the element 55 contacts the adhesive layer 54 is θ, and the distance from the fulcrum O to the element 55 is r. Further, the bonding position (transfer position) of the element 55 when the first substrate 51 is levitated in a state where the first substrate 51 is parallel to the second substrate 52, and the first substrate 51 with respect to the second substrate 52. If the difference from the adhesion position (transfer position) when the first substrate 51 is levitated in a state where is inclined by θ is d, then d = r (1−cos θ), so θ is about 1 degree, for example. If d = 0.0001r, d = 0.001r even if θ is 3 degrees, for example, it can be considered that d≈0. Therefore, the transfer of the element 55 from the first substrate 51 to the second substrate 52 by the element transfer apparatus 1 can be performed at an accurate position.

また、本発明の素子転写方法では、上記第1基板51は前記図4の概略構成図により説明した基板を用いることができる。   In the element transfer method of the present invention, the substrate described with reference to the schematic configuration diagram of FIG. 4 can be used as the first substrate 51.

前記図4(1)に示すように、第1基板51は、両面が平坦度に優れ、両面の平行度に優れた平板を用いる。また、前記図4(2)に示すように、基板周辺部が基板中央部より低くなっている凸型基板を用いることができる。詳細は、前記説明した通りである。   As shown in FIG. 4A, the first substrate 51 is a flat plate having excellent flatness on both surfaces and excellent parallelism on both surfaces. Further, as shown in FIG. 4B, a convex substrate in which the peripheral portion of the substrate is lower than the central portion of the substrate can be used. Details are as described above.

次に、本発明の素子転写方法における上記第1基板51の支持方法に関する変形例について、前記図5の概略構成図により説明する。   Next, a modified example related to the method for supporting the first substrate 51 in the element transfer method of the present invention will be described with reference to the schematic configuration diagram of FIG.

前記図5(1)に示すように、第1基板51の周囲に、第1基板51表面よりも低い位置に表面が位置するもので、第1基板支持部11に固着されたガイドリング57を備え、第1基板51に形成される接着層53は上記ガイドリング57表面に延長されて接着されている構成を用いることができる。また、上記ガイドリング57は、例えば、第1基板支持部11に設けた吸着孔16により真空吸着させることで、第1基板支持部11に固着させる。   As shown in FIG. 5 (1), the guide ring 57 fixed to the first substrate support portion 11 has a surface around the first substrate 51 at a position lower than the surface of the first substrate 51. In addition, the adhesive layer 53 formed on the first substrate 51 may be configured to extend and adhere to the surface of the guide ring 57. Further, the guide ring 57 is fixed to the first substrate support 11 by, for example, vacuum suction using the suction holes 16 provided in the first substrate support 11.

上記構成のガイドリング57および接着層53を用いることによって、第1基板支持部11に形成された孔14より気体を第1基板51側に吹き付けた際に、第1基板51上とガイドリング57上との間の接着層53が伸ばされる。言い換えれば、接着層53によって第1基板51が急激に浮上するのを防止することができる。これは、先に説明したように、接着層53が樹脂塗布膜、樹脂フィルム等で形成されるので、弾性を有しているからである。このようにして、第1基板51が第1基板51上方に配置される第2基板(図示せず)に衝突するのを避けることができる。また、ガイドリング57の表面が第1基板51表面よりも低い位置に形成されていることから、第1基板支持部11を第2基板側に上昇させた際に、ガイドリング57が第2基板側に接触するのを防止することができる。これらによって、第2基板側の損傷を防ぎ、歩留りの向上が図れる。   By using the guide ring 57 and the adhesive layer 53 configured as described above, when the gas is blown to the first substrate 51 side from the hole 14 formed in the first substrate support portion 11, the guide ring 57 and the guide ring 57 are formed. The adhesive layer 53 between the top is stretched. In other words, the adhesive layer 53 can prevent the first substrate 51 from rising rapidly. This is because, as described above, the adhesive layer 53 is formed of a resin coating film, a resin film or the like, and thus has elasticity. In this way, it is possible to avoid the first substrate 51 from colliding with a second substrate (not shown) disposed above the first substrate 51. Further, since the surface of the guide ring 57 is formed at a position lower than the surface of the first substrate 51, the guide ring 57 is moved to the second substrate when the first substrate support portion 11 is raised to the second substrate side. Contact with the side can be prevented. By these, damage on the second substrate side can be prevented and the yield can be improved.

前記図5(2)に示すように、第1基板51の周囲に、第1基板51表面よりも低い位置に表面が位置するもので、第1基板支持部11に粘着層58を介して固着されたガイドリング57を備え、上記粘着層58は、第1基板51の裏面側およびガイドリング57の裏面(第1基板支持部11側の面)を粘着するもので、例えば1層の粘着層で形成されている構成を用いることができる。なお、粘着層58は、裏面(第1基板51とは反対側の面)は粘着性を有していない。また、第1基板51上には素子(図示せず)を接着する接着層53が形成されている。また、上記ガイドリング57は、その裏面側に粘着されている粘着層58を、例えば、第1基板支持部11に設けた吸着孔16により真空吸着させることで、第1基板支持部11に固着させる。   As shown in FIG. 5 (2), the surface is located around the first substrate 51 at a position lower than the surface of the first substrate 51, and is fixed to the first substrate support portion 11 through the adhesive layer 58. The adhesive layer 58 adheres to the back surface side of the first substrate 51 and the back surface of the guide ring 57 (surface on the first substrate support part 11 side). For example, one adhesive layer The structure formed by can be used. Note that the back surface of the adhesive layer 58 (the surface opposite to the first substrate 51) does not have adhesiveness. Further, an adhesive layer 53 for adhering an element (not shown) is formed on the first substrate 51. Further, the guide ring 57 is fixed to the first substrate support 11 by, for example, vacuum-adsorbing the adhesive layer 58 adhered to the back side of the guide ring 57 through the suction holes 16 provided in the first substrate support 11. Let

上記構成のガイドリング57および粘着層58を用いることによって、第1基板支持部11に形成された孔14より気体を第1基板51側に吹き付けた際に、粘着層58によって第1基板51が急激に浮上するのを防止することができる。これは、第1基板51に粘着されている部分とガイドリング57に粘着されている部分の間の粘着層58が伸ばされるためである。これにより、第1基板51が第2基板52に衝突するのを避けることができる。また、ガイドリング57の表面が第1基板51表面よりも低い位置に形成されていることから、第1基板支持部11を第2基板52側に上昇させた際に、たとえ、第2基板52に対して第1基板支持部11が傾いても、ガイドリング57が第2基板52側に接触するのを防止することができる。これらによって、第2基板52側の損傷を防ぎ、歩留りの向上が図れる。   By using the guide ring 57 and the adhesive layer 58 configured as described above, when the gas is blown to the first substrate 51 side from the hole 14 formed in the first substrate support portion 11, the first substrate 51 is caused to adhere to the adhesive layer 58. A sudden rise can be prevented. This is because the adhesive layer 58 between the part adhered to the first substrate 51 and the part adhered to the guide ring 57 is stretched. Thereby, it is possible to avoid the first substrate 51 from colliding with the second substrate 52. Further, since the surface of the guide ring 57 is formed at a position lower than the surface of the first substrate 51, even when the first substrate support portion 11 is raised to the second substrate 52 side, even if the second substrate 52 is moved. In contrast, even if the first substrate support portion 11 is inclined, the guide ring 57 can be prevented from coming into contact with the second substrate 52 side. By these, damage on the second substrate 52 side can be prevented and the yield can be improved.

前記図5(3)に示すように、第1基板51の周囲に、第1基板51表面よりも低い位置に表面が位置するもので、第1基板支持部11に接着層53を介して固着されたガイドリング57を備え、素子55が接着されるもので第1基板51に形成される接着層53を上記ガイドリング57裏面に延長して接着したものを用いることができる。この接着層53は第1基板51表面よりガイドリング57裏面に、例えば1層で形成されている。また、上記ガイドリング57は、接着層53側を、例えば、第1基板支持部11に設けた吸着孔16により真空吸着させることで、第1基板支持部11に固着させる。   As shown in FIG. 5 (3), the surface is positioned around the first substrate 51 at a position lower than the surface of the first substrate 51, and is fixed to the first substrate support portion 11 via the adhesive layer 53. It is possible to use a guide ring 57 that is provided with the element 55 to be bonded and the adhesive layer 53 formed on the first substrate 51 is extended and bonded to the back surface of the guide ring 57. The adhesive layer 53 is formed, for example, as a single layer from the surface of the first substrate 51 to the back surface of the guide ring 57. Further, the guide ring 57 is fixed to the first substrate support portion 11 by, for example, vacuum adsorbing the adhesive layer 53 side through the suction holes 16 provided in the first substrate support portion 11.

上記構成のガイドリング57および接着層53を用いることによって、第1基板支持部11に形成された孔14より気体を第1基板51側に吹き付けた際に、第1基板51上とガイドリング57下との間の接着層53が伸ばされる。この接着層53によって第1基板51が急激に浮上するのを防止することができる。これは、先に説明したように、接着層53が樹脂塗布膜、樹脂フィルム等で形成されるので、弾性を有しているからである。このようにして、第1基板51が第2基板52に衝突するのを避けることができる。また、ガイドリング57の表面が第1基板51表面よりも低い位置に形成されていることから、第1基板支持部11を第2基板52側に上昇させた際に、ガイドリング57が第2基板52側に接触するのを防止することができる。これらによって、第2基板52側の損傷を防ぎ、歩留りの向上が図れる。   By using the guide ring 57 and the adhesive layer 53 configured as described above, when the gas is blown to the first substrate 51 side from the hole 14 formed in the first substrate support portion 11, the guide ring 57 and the guide ring 57 are formed. The adhesive layer 53 between the bottom is stretched. The adhesive layer 53 can prevent the first substrate 51 from rising rapidly. This is because, as described above, the adhesive layer 53 is formed of a resin coating film, a resin film or the like, and thus has elasticity. In this way, it is possible to avoid the first substrate 51 from colliding with the second substrate 52. Further, since the surface of the guide ring 57 is formed at a position lower than the surface of the first substrate 51, the guide ring 57 is second when the first substrate support portion 11 is raised to the second substrate 52 side. Contact with the substrate 52 side can be prevented. By these, damage on the second substrate 52 side can be prevented and the yield can be improved.

上記素子転写方法は繰り返し行うことができる。次に、素子転写方法を繰り返し行う方法を図9、図10のフローチャートおよび製造工程断面図によって説明する。   The element transfer method can be repeated. Next, a method of repeatedly performing the element transfer method will be described with reference to the flowcharts of FIGS.

図9に示すように、上記「素子接近・接触工程」S1、上記「素子接着工程程」S2および上記「基板離間工程」S3を順に行った後、「第1基板の交換工程」S4(S41)を行う。この工程では、素子転写に用いた第1基板51を、新しい素子55が接着された第1基板51に交換し、上記「素子接近・接触工程」S1、上記「素子接着工程」S2および上記「基板離間工程」S3を順に行って、第2基板52の第2接着層54に先に接着した素子55(551)の接着領域とは異なる領域に新たな素子55(552)を接着する。   As shown in FIG. 9, after performing the “element approach / contact process” S1, the “element bonding process step” S2, and the “substrate separation process” S3 in order, the “first substrate replacement process” S4 (S41). )I do. In this step, the first substrate 51 used for element transfer is replaced with a first substrate 51 to which a new element 55 is bonded, and the “element approach / contact process” S1, the “element bonding process” S2, and the “ The substrate separation step “S3” is performed in order, and a new element 55 (552) is bonded to a region different from the bonding region of the element 55 (551) previously bonded to the second adhesive layer 54 of the second substrate 52.

さらに、「第1基板の交換工程」S4(S41)および上記「素子接近・接触工程」S1、上記「素子接着工程」S2および上記「基板離間工程」S3を繰り返し行うことで、第2基板52の広い範囲に素子55の転写を行うことができる。   Further, by repeatedly performing the “first substrate replacement step” S4 (S41) and the “element approach / contact step” S1, the “element bonding step” S2, and the “substrate separation step” S3, the second substrate 52 is obtained. The element 55 can be transferred over a wide range.

また、図10に示すように、上記「素子接近・接触工程」S1、上記「素子接着工程」S2および上記「基板離間工程」S3を順に行った後、「第1基板の交換工程」S4(S402)を行う。この工程では、先に素子転写に用いた第1基板51に接着されていた素子の位置と異なる位置に新しい素子55(552)が接着された第1基板51に交換する。そして、この新たな第1基板51を用いて、上記「素子接近・接触工程」S1、上記「素子接着工程」S2および上記「基板離間工程」S3を順に行う。これによって、第2基板52の第2接着層54に先に接着した素子55(551)の接着領域において、先に接着した素子55(551)の接着位置とは異なる位置に新たな素子55(552)を接着することができる。すなわち、種類の異なる素子を所定の領域に転写させることができる。   Further, as shown in FIG. 10, after performing the “element approach / contact process” S1, the “element bonding process” S2, and the “substrate separation process” S3 in this order, the “first substrate replacement process” S4 ( S402) is performed. In this step, the first substrate 51 is replaced with a new element 55 (552) bonded to a position different from the position of the element bonded to the first substrate 51 previously used for element transfer. Then, using the new first substrate 51, the “element approach / contact process” S1, the “element bonding process” S2, and the “substrate separation process” S3 are performed in order. As a result, in the adhesion region of the element 55 (551) that has been first adhered to the second adhesive layer 54 of the second substrate 52, a new element 55 (in a position different from the adhesion position of the element 55 (551) that has been adhered first). 552) can be glued. That is, different types of elements can be transferred to a predetermined area.

さらに、「第1基板の交換工程」S4(S42)および上記「素子接近・接触工程」S1、上記「素子接着工程」S2および上記「基板離間工程」S3を繰り返し行うことで、第2基板52の所定の領域に複数種類の素子を転写することができる。   Further, by repeatedly performing the “first substrate replacement step” S4 (S42) and the “element approach / contact step” S1, the “element bonding step” S2, and the “substrate separation step” S3, the second substrate 52 is obtained. A plurality of types of elements can be transferred to the predetermined region.

次に、本発明の表示装置の製造方法について図11、図12の製造工程図により説明する。図11、図12では、第1基板に接着された発光素子を第2基板に形成された接着層に接着させて、複数の発光素子を配列実装する表示装置の製造方法を説明する。具体的には、赤色発光素子55R、緑色発光素子55G、青色発光素子55Bを搭載する表示装置の製造方法を説明する。例えば、このような表示装置としては、例えば直径もしくは矩形の1辺の長さが5μm〜100μm程度、高さ5μm〜100μm程度の微小なLED(Light Emitting Diode)を多数(例えば10個〜数百万個程度)配列したLED表示装置がある。   Next, the manufacturing method of the display device of the present invention will be described with reference to the manufacturing process diagrams of FIGS. 11 and 12, a method for manufacturing a display device in which a plurality of light emitting elements are arranged and mounted by bonding a light emitting element bonded to a first substrate to an adhesive layer formed on a second substrate will be described. Specifically, a method for manufacturing a display device on which the red light emitting element 55R, the green light emitting element 55G, and the blue light emitting element 55B are mounted will be described. For example, as such a display device, for example, a large number (for example, 10 to several hundreds) of minute LEDs (Light Emitting Diodes) having a diameter or a rectangular side length of about 5 μm to 100 μm and a height of about 5 μm to 100 μm. There are LED display devices that are arranged.

図11(1)に示すように、第1基板51として、第1接着層53の所定の位置に赤色発光素子55Rが接着されている第1基板51を用いる。次いで、図11(2)に示すように、上記説明した本発明の素子転写方法によって、第1基板51側に接着されている赤色発光素子55Rを第2基板52に形成された第2接着層54に接着転写する。そして、図11(3)に示すように、前記図9によって説明したように、第2基板52の所定の領域全域に赤色発光素子55Rを接着転写させる。   As shown in FIG. 11A, the first substrate 51 in which the red light emitting element 55R is bonded to a predetermined position of the first adhesive layer 53 is used as the first substrate 51. Next, as shown in FIG. 11B, the second adhesive layer in which the red light emitting element 55R bonded to the first substrate 51 side is formed on the second substrate 52 by the element transfer method of the present invention described above. Adhesive transfer to 54. Then, as shown in FIG. 11 (3), as described with reference to FIG. 9, the red light emitting element 55R is bonded and transferred to the entire predetermined region of the second substrate 52.

次に、図11(4)に示すように、第1基板51として、第1接着層53の所定の位置に緑色発光素子55Gが接着されている第1基板51を用いる。次いで、図11(5)に示すように、上記説明した本発明の素子転写方法によって、第1基板51側に接着されている緑色発光素子55Gを第2基板52に形成された第2接着層54に接着転写する。その際、図11(5)に示すように、前記図10によって説明した方法によって、先に接着した赤色発光素子55Rの接着位置とは異なる所定の位置に新たな緑色発光素子55Gを接着する。そして、図11(6)に示すように、前記図9によって説明した方法によって、第2基板52の所定の領域全域に緑色発光素子55Gを接着転写させる。   Next, as shown in FIG. 11 (4), the first substrate 51 in which the green light emitting element 55 </ b> G is bonded to a predetermined position of the first adhesive layer 53 is used as the first substrate 51. Next, as shown in FIG. 11 (5), the second adhesive layer in which the green light emitting element 55G bonded to the first substrate 51 side is formed on the second substrate 52 by the element transfer method of the present invention described above. Adhesive transfer to 54. At that time, as shown in FIG. 11 (5), a new green light emitting element 55G is bonded to a predetermined position different from the bonding position of the previously bonded red light emitting element 55R by the method described with reference to FIG. Then, as shown in FIG. 11 (6), the green light emitting element 55G is bonded and transferred to the entire predetermined region of the second substrate 52 by the method described with reference to FIG.

次に、図12(1)に示すように、第1基板51として、第1接着層53の所定の位置に青色発光素子55Bが接着されている第1基板51を用いる。次いで、図12(2)に示すように、上記説明した本発明の素子転写方法によって、第1基板51側に接着されている青色発光素子55Bを第2基板52に形成された第2接着層54に接着転写する。その際、図12(2)に示すように、前記図10によって説明した方法によって、先に接着した赤色発光素子55Rおよび緑色発光素子55Gの接着位置とは異なる所定の位置に新たな青色発光素子55Bを接着する。そして、図12(3)に示すように、前記図9によって説明した方法によって、第2基板52の所定の領域全域に青色発光素子55Bを接着転写させる。   Next, as shown in FIG. 12A, the first substrate 51 in which the blue light emitting element 55 </ b> B is bonded to a predetermined position of the first adhesive layer 53 is used as the first substrate 51. Next, as shown in FIG. 12B, the second adhesive layer in which the blue light emitting element 55B bonded to the first substrate 51 side is formed on the second substrate 52 by the element transfer method of the present invention described above. Adhesive transfer to 54. At that time, as shown in FIG. 12 (2), a new blue light emitting element is formed at a predetermined position different from the bonding position of the red light emitting element 55R and the green light emitting element 55G previously bonded by the method described with reference to FIG. Adhere 55B. Then, as shown in FIG. 12 (3), the blue light emitting element 55B is bonded and transferred to the entire predetermined region of the second substrate 52 by the method described with reference to FIG.

このようにして、表示装置に用いられる各色の発光素子(赤色発光素子55R、緑色発光素子55G、青色発光素子55Bを第1基板51から第2基板52に転写することができた。   In this manner, each color light emitting element (red light emitting element 55R, green light emitting element 55G, and blue light emitting element 55B) used in the display device could be transferred from the first substrate 51 to the second substrate 52.

本発明の表示装置の製造方法は、第1基板51側の素子55を第2基板52側に転写する際に、第1基板51と第2基板52とが平行に保持されているので、基板同士が接触することがない。このため、第2基板52を損傷することなく、第1基板51側の素子55を第2基板52側に押し付けることができるという利点がある。よって、素子55の転写技術を用いて表示装置を製造する際の歩留りの向上が図れる。   In the manufacturing method of the display device of the present invention, the first substrate 51 and the second substrate 52 are held in parallel when the element 55 on the first substrate 51 side is transferred to the second substrate 52 side. There is no contact between them. Therefore, there is an advantage that the element 55 on the first substrate 51 side can be pressed against the second substrate 52 side without damaging the second substrate 52. Therefore, it is possible to improve the yield when manufacturing the display device using the transfer technology of the element 55.

なお、上記説明では、光の3原色である赤色、緑色、青色の発光素子を用いた表示装置の製造方法の一例を説明したが、他の色の発光素子を用いることもでき、また4色以上の発光素子を用いた表示装置の製造方法にも適用できる。   In the above description, an example of a method for manufacturing a display device using light emitting elements of three primary colors of red, green, and blue has been described. However, light emitting elements of other colors can be used, and four colors can be used. The present invention can also be applied to a method for manufacturing a display device using the above light emitting element.

上記表示装置の製造方法では、微細なLEDを埋め込んでパネル化することが容易に行えるようになる。また、上記図11、図12によって説明したように、各色の発光素子(例えばLED)が各第1基板51上に選択転写されて乗っており、多色(例えば3色)化および大画面化、タイリングをこの工程で行うことができる。   In the manufacturing method of the display device, it becomes easy to embed a fine LED into a panel. Further, as described with reference to FIGS. 11 and 12 above, light emitting elements (for example, LEDs) of the respective colors are selectively transferred onto the first substrates 51, and are multicolored (for example, three colors) and have a large screen. Tiling can be performed in this step.

本発明の素子転写装置に係る一実施の形態の一例を示した概略構成図および要部拡大断面図である。It is the schematic block diagram and the principal part expanded sectional view which showed an example of one Embodiment which concerns on the element transfer apparatus of this invention. 基板の各種状態における素子の埋め込み性の一例を示した概略構成断面図である。It is a schematic structure sectional view showing an example of embedding nature of an element in various states of a substrate. 基板の各種状態における素子の埋め込み性の一例を示した概略構成断面図である。It is a schematic structure sectional view showing an example of embedding nature of an element in various states of a substrate. 第1基板の形状の変形例を示した概略構成図である。It is the schematic block diagram which showed the modification of the shape of a 1st board | substrate. 第1基板と第1基板支持部との支持関係の変形例の一例を示した概略構成図である。It is the schematic block diagram which showed an example of the modification of the support relationship of a 1st board | substrate and a 1st board | substrate support part. 機械的に第1基板と第2基板との平行出しを行うあおり部を搭載した素子転写装置の一例を示した概略構成図である。It is the schematic block diagram which showed an example of the element transfer apparatus carrying the tilt part which carries out the parallel alignment of the 1st board | substrate and the 2nd board | substrate mechanically. 機械的に第1基板と第2基板との平行出しを行うあおり部を搭載した素子転写装置の一例を示した平面レイアウト図である。FIG. 5 is a plan layout diagram showing an example of an element transfer device on which a tilt portion that mechanically aligns a first substrate and a second substrate is mounted. 本発明の素子転写方法に係る実施の形態の一例を示した製造工程断面図である。It is manufacturing process sectional drawing which showed an example of embodiment which concerns on the element transfer method of this invention. 本発明の素子転写方法に係る実施の形態の一例を示したフローチャートおよび概略構成断面図である。It is the flowchart and schematic structure sectional drawing which showed an example of Embodiment which concerns on the element transfer method of this invention. 本発明の素子転写方法に係る一実施の形態の一例を示したフローチャート図および概略構成断面図である。It is the flowchart figure and schematic structure sectional drawing which showed an example of one Embodiment which concerns on the element transfer method of this invention. 本発明の表示装置の製造方法に係る実施の形態の一例を示した製造工程図である。It is the manufacturing process figure which showed an example of embodiment which concerns on the manufacturing method of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の製造方法に係る実施の形態の一例を示した製造工程図である。It is the manufacturing process figure which showed an example of embodiment which concerns on the manufacturing method of the display apparatus of this invention. 従来の素子転写方法に係る素子埋め込みの問題点を示した概略構成断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a problem of element embedding according to a conventional element transfer method. 従来の素子転写方法に係る素子埋め込みの問題点を示した概略構成断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a problem of element embedding according to a conventional element transfer method.

符号の説明Explanation of symbols

1…素子転写装置、11…第1基板支持部、12…第2基板支持部、41…基板搬送部、51…第1基板、52…第2基板   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Element transfer apparatus, 11 ... 1st board | substrate support part, 12 ... 2nd board | substrate support part, 41 ... Board | substrate conveyance part, 51 ... 1st board | substrate, 52 ... 2nd board | substrate

Claims (12)

第1基板に接着された複数の素子を第2基板に接着させて、第2基板側に接着された前記複数の素子から第1基板を離間させる素子転写装置であって、
前記第1基板を載置して該第1基板裏面側を流体圧で押し圧することで該第1基板を浮上させて前記第2基板側に押し圧する第1基板支持部と、
前記第1基板に対向するように配置される前記第2基板を支持する第2基板支持部と、
前記第1基板支持部に載置された前記第1基板を前記第2基板支持部に支持された第2基板直下の所定の位置に搬送する基板搬送部と
を備えた素子転写装置。
A plurality of elements which are bonded to the first substrate is attached to a second substrate, a plurality of elements which are bonded to the second substrate side an element transferring device for separating the first substrate,
A first substrate support section that places the first substrate and presses the back surface side of the first substrate with fluid pressure to float the first substrate and press it against the second substrate side;
A second substrate supporting section for supporting the second substrate disposed so as to face the first substrate,
And a substrate transfer unit for transferring the first substrate placed on the first substrate supporting portion at a predetermined position immediately below the second substrate supported by the second substrate supporting unit, the element transfer apparatus.
前記第1基板に接着されている複数の素子が前記第2基板側に接触したことを感知するもので、前記第1基板支持部と前記基板搬送部との間に設けたセンサ部
を備えた請求項1記載の素子転写装置。
Senses that a plurality of elements bonded to the first substrate are in contact with the second substrate side, and includes a sensor unit provided between the first substrate support unit and the substrate transport unit. , element transfer apparatus according to claim 1.
前記第1基板は平板からなる請求項1記載の素子転写装置。 The element transfer apparatus according to claim 1 , wherein the first substrate is a flat plate. 前記第1基板は基板周辺部が基板中央部より低くなっている凸型基板からなる請求項1記載の素子転写装置。 The element transfer apparatus according to claim 1 , wherein the first substrate is a convex substrate having a substrate peripheral portion lower than a substrate central portion. 前記第1基板の周囲に、前記第1基板表面よりも低い位置に表面が位置するもので、前記第1基板支持部に固着されたガイドリングを有し、
前記第1基板に形成される複数の素子を接着する接着層が前記ガイドリング表面に延長されて接着されている
求項1記載の素子転写装置。
The surface is located at a position lower than the surface of the first substrate around the first substrate, and has a guide ring fixed to the first substrate support part,
An adhesive layer for bonding a plurality of elements formed on the first substrate is extended and bonded to the surface of the guide ring.
Element transfer device Motomeko 1 wherein.
前記第1基板の周囲に、前記第1基板表面よりも低い位置に表面が位置するもので、前記第1基板支持部に固着されたガイドリングを有し、
前記第1基板の前記第1基板支持部側に貼り付けられた粘着層によって前記ガイドリングと前記第1基板支持部とが固着されている
求項1記載の素子転写装置。
The surface is located at a position lower than the surface of the first substrate around the first substrate, and has a guide ring fixed to the first substrate support part,
The guide ring and the first substrate support portion are fixed to each other by an adhesive layer attached to the first substrate support portion side of the first substrate.
Element transfer device Motomeko 1 wherein.
前記第1基板の周囲に、前記第1基板表面よりも低い位置に表面が位置するもので、前記第1基板支持部に固着されたガイドリングを有し、
前記第1基板に形成される複数の素子を接着する接着層が前記ガイドリング裏面に延長されて前記ガイドリングと前記第1基板支持部とを接着している
求項1記載の素子転写装置。
The surface is located at a position lower than the surface of the first substrate around the first substrate, and has a guide ring fixed to the first substrate support part,
An adhesive layer for bonding a plurality of elements formed on the first substrate is extended to the back surface of the guide ring to bond the guide ring and the first substrate support part.
Element transfer device Motomeko 1 wherein.
第1基板上の複数の素子を第2基板に形成された接着層に接着させて、第2基板側に接着された前記複数の素子から第1基板を離間させる素子転写方法であって
第1基板支持部に載置された前記第1基板上の複数の素子を前記第2基板に接近もしくは前記接着層の一部に接触させた状態にする素子接近・接触工程と、
前記第1基板裏面側を流体圧で押し圧することにより該第1基板を浮上させて前記第2基板側に押し圧して、前記複数の素子を前記接着層に接着させる素子接着工程と、
前記複数の素子を前記接着層に接着した状態で前記第1基板を前記複数の素子から引き離す基板離間工程と
を備えた素子転写方法。
An element transfer method in which a plurality of elements on a first substrate are bonded to an adhesive layer formed on a second substrate, and the first substrate is separated from the plurality of elements bonded to the second substrate side,
An element approach / contact step for bringing a plurality of elements on the first substrate placed on the first substrate support portion into a state of approaching the second substrate or contacting a part of the adhesive layer;
An element bonding step by floating the first substrate by applying pressing the second substrate side, thereby bonding the plurality of elements in the adhesive layer by pressure pressing in the first substrate rear surface side flow body pressure,
It said plurality of said first substrate in a state adhered to the adhesive layer element comprising a substrate spaced steps away from the plurality of elements, the element transfer method.
前記第1基板の周囲に、前記第1基板表面よりも低い位置に表面が位置するガイドリングを前記第1基板支持部に固着し、
前記第1基板に形成される複数の素子を接着する接着層を前記ガイドリング表面に延長して該接着層を前記ガイドリング表面に接着する
請求項8記載の素子転写方法。
Around the first substrate, a guide ring whose surface is located at a position lower than the surface of the first substrate is fixed to the first substrate support part,
An adhesive layer for bonding a plurality of elements formed on the first substrate is extended to the guide ring surface to bond the adhesive layer to the guide ring surface.
The element transfer method according to claim 8.
前記第1基板の周囲に、前記第1基板表面よりも低い位置に表面が位置するガイドリングを用意し、
前記第1基板の前記第1基板支持部側に貼り付けられた粘着層によって前記ガイドリングを前記第1基板支持部に固着する
請求項8記載の素子転写方法。
A guide ring having a surface positioned at a position lower than the surface of the first substrate is provided around the first substrate,
The guide ring is fixed to the first substrate support portion by an adhesive layer attached to the first substrate support portion side of the first substrate.
The element transfer method according to claim 8.
前記第1基板の周囲に、前記第1基板表面よりも低い位置に表面が位置するガイドリングを用意し、
前記第1基板に形成される複数の素子を接着する接着層を前記ガイドリング裏面に延長して、該接着層によって前記ガイドリングと前記第1基板支持部とを固着する
請求項8記載の素子転写方法。
A guide ring having a surface positioned at a position lower than the surface of the first substrate is provided around the first substrate,
An adhesive layer for bonding a plurality of elements formed on the first substrate is extended to the back surface of the guide ring, and the guide ring and the first substrate support portion are fixed by the adhesive layer.
The element transfer method according to claim 8.
第1基板上の複数の発光素子を第2基板に形成された接着層に接着させて、第2基板側に接着された前記複数の発光素子から第1基板を離間させる素子転写方法を用いて、複数の発光素子を配列実装する表示装置の製造方法であって
前記素子転写方法は、
前記第1基板上の前記複数の発光素子を前記第2基板に接近もしくは前記接着層の一部に接触させた状態にする素子接近・接触工程と、
前記第1基板裏面側を流体圧で押し圧することにより該第1基板を浮上させて前記第2基板側に押し圧して、前記複数の発光素子を前記接着層に接着させる素子接着工程と、
前記複数の発光素子を前記接着層に接着した状態で前記第1基板を前記複数の発光素子から引き離す基板離間工程と
を備えた表示装置の製造方法。
Using an element transfer method in which a plurality of light emitting elements on a first substrate are bonded to an adhesive layer formed on a second substrate, and the first substrate is separated from the plurality of light emitting elements bonded to the second substrate side. , A method for manufacturing a display device in which a plurality of light emitting elements are arranged and mounted,
The element transfer method includes:
An element approaching / contacting step for bringing the plurality of light emitting elements on the first substrate into contact with the second substrate or in contact with a part of the adhesive layer;
An element bonding step by floating the first substrate by applying pressing the second substrate side, thereby adhering the plurality of light emitting elements in the adhesive layer by pressure pressing in the first substrate rear surface side flow body pressure,
It said plurality of said first substrate in a state adhered to the adhesive layer emitting element and a substrate spaced steps away from the plurality of light emitting elements, a method of manufacturing a display device.
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