JP4715301B2 - Element transfer device, element transfer method, and display device manufacturing method - Google Patents

Element transfer device, element transfer method, and display device manufacturing method Download PDF

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JP4715301B2 JP2005147659A JP2005147659A JP4715301B2 JP 4715301 B2 JP4715301 B2 JP 4715301B2 JP 2005147659 A JP2005147659 A JP 2005147659A JP 2005147659 A JP2005147659 A JP 2005147659A JP 4715301 B2 JP4715301 B2 JP 4715301B2
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Description

本発明は、第1基板に形成された接着層に貼り付けられた素子を、第2基板に形成された未硬化樹脂層中に埋没させることで、上記素子を第1基板側から第2基板側に転写する技術において、基板間の平行出しが容易な転写装置、転写方法および表示装置の製造方法に関するものである。   The present invention embeds an element attached to an adhesive layer formed on a first substrate in an uncured resin layer formed on a second substrate, so that the element is connected to the second substrate from the first substrate side. TECHNICAL FIELD The present invention relates to a transfer device, a transfer method, and a display device manufacturing method, in which parallel transfer between substrates is easy.

第1基板に形成された接着層に貼り付けられた素子を、第2基板に形成された未硬化樹脂層中に埋没させることで、上記素子を第1基板側から第2基板側に転写する技術が知られている(例えば、特許文献1、2参照。)。この埋め込み転写技術では、第1基板と第2基板とを極力平行にし、その平行状態を保ったまま第1基板と第2基板とを接近させ、第1基板上の素子のみが第2基板に形成された樹脂層に均等に接触することで、第1基板側から第2基板側に素子が転写される。   The element attached to the adhesive layer formed on the first substrate is embedded in an uncured resin layer formed on the second substrate, thereby transferring the element from the first substrate side to the second substrate side. Techniques are known (see, for example, Patent Documents 1 and 2). In this embedded transfer technology, the first substrate and the second substrate are made parallel as much as possible, the first substrate and the second substrate are brought close to each other while maintaining the parallel state, and only elements on the first substrate are attached to the second substrate. By uniformly contacting the formed resin layer, the element is transferred from the first substrate side to the second substrate side.

このとき、第1基板と第2基板との平行度が悪い等の理由で、第1基板と第2基板とが直接接触すると、第1基板の接着層と第2基板の未硬化樹脂層とが接着し、第1基板と第2基板との分離が困難になる。それを無理に引き剥がすと、第2基板の未硬化樹脂層にダメージを与え、転写品質が著しく悪くなる。   At this time, if the first substrate and the second substrate are in direct contact with each other due to poor parallelism between the first substrate and the second substrate, the adhesive layer of the first substrate and the uncured resin layer of the second substrate Adheres, making it difficult to separate the first substrate from the second substrate. If it is peeled off forcibly, the uncured resin layer of the second substrate will be damaged, and the transfer quality will be remarkably deteriorated.

そのため、埋め込み転写では、第1基板と第2基板とを平行にする平行出し精度が重要となる。   For this reason, in the embedded transfer, it is important to have paralleling accuracy in which the first substrate and the second substrate are parallel to each other.

従来の二つの基板間における平行出しの方法は、基板同士を直接機械的に押し当てて、一方の基板を他方に倣わせて行う方法、又は、2枚の基板の間に、寸法精度の非常に高い球形のスペーサーをはさんで、基板を押し当てて行う方法が採用されていた(例えば、非特許文献1、2参照。)。しかし、直接押し当てる方法は、上述したように不適当である。また球形のスペーサーを挟んで押し当てる方法も、第1基板に対して第2基板の転写エリアのほうが大きい場合には、スペーサーを挿入する場所が無く、やはり不適当である。   The conventional method of parallelism between two substrates is a method in which the substrates are directly pressed against each other so that one substrate follows the other, or the dimensional accuracy between two substrates is extremely high. In other words, a method in which a substrate is pressed between high spherical spacers has been employed (for example, see Non-Patent Documents 1 and 2). However, the direct pressing method is inappropriate as described above. Also, the method of pressing with a spherical spacer is also unsuitable because there is no place to insert the spacer when the transfer area of the second substrate is larger than the first substrate.

特開2004−273596号公報JP 2004-273596 A 特開2004−281630号公報JP 2004-281630 A ボンドアライナBA6、[online]、2002年、ズースマイクロテック株式会社、ホームページ、サイトマップ、製品紹介、基板ボンダ/アライナ、BA6ボンドアライナ、[平成17年3月31日検索]、インターネット<URL:http://www.suss.jp/html/ba6.html>Bond aligner BA6, [online], 2002, SUSS Microtech Co., Ltd., homepage, site map, product introduction, substrate bonder / aligner, BA6 bond aligner, [March 31, 2005 search], Internet <URL: http : //www.suss.jp/html/ba6.html> ズースマイクロテック株式会社(旧カールズースジャパン株式会社)「基板ボンダ/アライナ、BA6ボンドアライナ パンフレット」2002年SUSS Microtech Co., Ltd. (formerly Carl Sousse Japan Co., Ltd.) “Board Bonder / Aligner, BA6 Bond Aligner Brochure” 2002

解決しようとする問題点は、第1基板に形成された接着層に貼り付けられた素子を、第2基板に形成された未硬化樹脂層中に埋没させることで、上記素子を第1基板側から第2基板側に転写する技術において、第1基板と第2基板とに接触することなく第1基板と第2基板との平行出しができない点である。   The problem to be solved is that the element attached to the adhesive layer formed on the first substrate is buried in an uncured resin layer formed on the second substrate, so that the element is placed on the first substrate side. In the technique of transferring from the first substrate to the second substrate side, the first substrate and the second substrate cannot be paralleled without contacting the first substrate and the second substrate.

本発明の素子転写装置は、第1基板が載置される第1基板支持部と、第1基板に対向
するように配置される第2基板を支持する第2基板支持部と、第1基板と第2基板とが平行になるように、第1基板支持部の位置調整を行うあおり部と、あおり部を支持して移動させる可動ステージと、第1基板と第2基板との間隔を測定する測定部とを備え、あおり部は、3角形の頂点に位置して各々第1基板支持部の昇降動作を行う3個のアクチュエータを有すると共に、アクチュエータの可動部先端側に、互いに直交する回動軸および揺動軸を有し、回動軸および揺動軸により当該アクチュエータの昇降動作に伴う第1基板支持部の回動および揺動を許容して第1基板支持部の位置調整を行うことを特徴とする。
Element transfer apparatus of the present invention includes a first substrate supporting portion where the first substrate is mounted, a second substrate support portion for supporting the second substrate disposed to face the first substrate, the first substrate When such a second substrate is parallel, the tilt unit for adjusting the position of the first substrate supporting portion, a movable stage for moving the Oh cage portion supporting and, the distance between the first substrate and the second substrate And the tilting part has three actuators that are located at the apex of the triangle and each move up and down the first substrate support part, and are orthogonal to each other at the distal end side of the movable part of the actuator. A pivot shaft and a pivot shaft are provided, and the pivot adjustment shaft and the pivot shaft allow the first substrate support portion to rotate and swing as the actuator is moved up and down to adjust the position of the first substrate support portion. It is characterized by performing .

上記素子転写装置では、あおり部を設けたことにより、第1基板の傾きを微調整することにより第2基板に対して第1基板を平行に配置することが可能になる。またあおり部を移動させる可動ステージを設けたことにより、可動ステージ上にあおり部、第1基板支持部を介して支持される第1基板を第2基板直下の所望の位置に移動させることが可能になる。また第1基板と第2基板とに非接触で第1基板と第2基板との間隔を測定する測定部を備えたことにより、双方の基板の対向する面に接着性の層を形成してもその接着性の層に測定部が接触することはない。   In the element transfer apparatus, by providing the tilt portion, the first substrate can be arranged in parallel to the second substrate by finely adjusting the tilt of the first substrate. Further, by providing a movable stage for moving the tilt part, it is possible to move the first substrate supported on the movable stage via the tilt part and the first substrate support part to a desired position directly below the second substrate. become. Further, by providing a measurement unit that measures the distance between the first substrate and the second substrate in a non-contact manner between the first substrate and the second substrate, an adhesive layer is formed on the opposing surfaces of both substrates. However, the measuring part does not come into contact with the adhesive layer.

本発明の素子転写方法は、第1基板に接着された素子を第2基板に形成された接着層
に接着させる素子転写方法であって、第1基板と第2基板とをそれぞれ第1基板支持部と第2基板支持部に支持させ、接近させる基板接近工程と、第1基板と第2基板との間隔を測定した測定値に基づいて第1基板と第2基板とが平行となるように調整する平行出し工程と、第1基板と第2基板との平行が保たれた状態で第1基板と第2基板とを接近させて素を接着層に接着させる素子接着工程とを備え、平行出し工程において、第1基板支持部の昇降動作を行う3個のアクチュエータを有すると共に、アクチュエータの可動部先端側に設けられた互いに直交する回動軸および揺動軸を有するあおり部を用い、回動軸および揺動軸により、当該アクチュエータの昇降動作に伴う前記第1基板支持部の回動および揺動を許容して前記第1基板支持部の位置調整を行う
ことを特徴とする。
The element transfer method of the present invention is an element transfer method in which an element bonded to a first substrate is bonded to an adhesive layer formed on a second substrate, and the first substrate and the second substrate are respectively supported by the first substrate. parts and is supported by the second substrate supporting unit, and the substrate approaching step of approximating, as the first substrate and on the basis of the measured values obtained by measuring the distance between the first substrate and the second substrate and the second substrate is parallel comprising parallel out step of adjusting, and the first substrate and the element bonding step of bonding the first substrate and the second substrate is brought closer to element in contact adhesive layer in a state where parallel is maintained between the second substrate In the paralleling step, there are three actuators for raising and lowering the first substrate support portion, and a tilt portion having a rotation axis and a swing axis provided at the distal end side of the movable portion of the actuator. , The pivot shaft and the swing shaft And it allows the rotation and swinging of the first substrate supporting portion due to the vertical movement of the motor, characterized in <br/> to perform the positional adjustment of the first substrate supporting section.

上記素子転写方法では、第1基板と第2基板とを接近させた後に、第1基板と第2基板との間隔を測定した測定値に基づいて第1基板と第2基板とが平行となるように調整することにより、第2基板に対して第1基板を平行に配置することが可能になる。したがって、第1基板と第2基板とが非接触状態で第1基板に接着された素子は第2基板に形成された接着層に接着される。   In the element transfer method, after the first substrate and the second substrate are brought close to each other, the first substrate and the second substrate become parallel based on a measurement value obtained by measuring the distance between the first substrate and the second substrate. By adjusting as described above, the first substrate can be arranged in parallel to the second substrate. Therefore, the element bonded to the first substrate in a non-contact state between the first substrate and the second substrate is bonded to the adhesive layer formed on the second substrate.

本発明の表示装置の製造方法では、第1基板に接着された発光素子を第2基板に形成
された接着層に接着させて、複数の発光素子を配列実装する表示装置の製造方法において、第1基板に接着された素子を第2基板に形成された接着層に接着させる方法は、第1基板と第2基板とをそれぞれ第1基板支持部と第2基板支持部に支持させ、接近させる基板接近工程と、第1基板と第2基板との間隔を測定した測定値に基づいて第1基板と第2基板とが平行となるように調整する平行出し工程と、第1基板と第2基板との平行が保たれた状態で第1基板と第2基板とを接近させて素を接着層に接着させる素子接着工程とを備え、平行出し工程において、第1基板支持部の昇降動作を行う3個のアクチュエータを有すると共に、アクチュエータの可動部先端側に設けられた互いに直交する回動軸および揺動軸を有するあおり部を用い、回動軸および揺動軸により、当該アクチュエータの昇降動作に伴う前記第1基板支持部の回動および揺動を許容して前記第1基板支持部の位置調整を行う
ことを特徴とする。
According to a method for manufacturing a display device of the present invention, in a method for manufacturing a display device in which a plurality of light emitting elements are arranged and mounted by bonding a light emitting element bonded to a first substrate to an adhesive layer formed on a second substrate. In the method of bonding an element bonded to one substrate to an adhesive layer formed on a second substrate , the first substrate and the second substrate are supported by the first substrate support portion and the second substrate support portion, respectively , and are brought close to each other. a substrate approaching step, parallel out step in which the first substrate and on the basis of the measured values obtained by measuring the distance between the first substrate and the second substrate and the second substrate is adjusted to be parallel, and the first substrate and the second and a device bonding process to a state where parallel is maintained with the substrate is brought closer to the first substrate and the second substrate is bonded to the contact adhesive layer element, in parallel-out step, lifting the first substrate supporting section It has three actuators to perform the operation and Using a tilting portion having a rotation axis and a swinging shaft that are orthogonal to each other provided on the distal end side of the moving portion, the first substrate support portion is rotated by the rotation shaft and the swinging shaft as the actuator moves up and down. Further, the position adjustment of the first substrate support portion is performed while allowing the swing .

上記表示装置の製造方法では、本発明の素子転写方法により第1基板に接着された素子を表示装置の基板となる第2基板に接着させることから、上記説明した素子転写方法と同様なる作用が得られる。すなわち、第2基板に対して第1基板を平行に配置することが可能になるので、第1基板と第2基板とが非接触状態で第1基板に接着された素子は第2基板に形成された接着層に接着される。   In the manufacturing method of the display device, since the element bonded to the first substrate by the element transfer method of the present invention is bonded to the second substrate serving as the substrate of the display device, the same operation as the above-described element transfer method is achieved. can get. That is, since the first substrate can be arranged in parallel to the second substrate, the element bonded to the first substrate in a non-contact state between the first substrate and the second substrate is formed on the second substrate. Is adhered to the adhesive layer.

本発明の素子転写装置は、可動ステージを備えたため第1基板を第2基板直下の所望の位置に移動させることが容易にできるようになり、あおり部を備えたため第1基板と第2基板とを平行に配置させることが容易にできるようになり、しかも非接触測定を行う測定部を設けたことにより第1基板と第2基板との距離を非接触で測定することができるようになるので、第1基板に貼り付けられている素子を第2基板側に平行に押し付けることが可能になる。その際、第1基板と第2基板とが平行になっているので、基板同士が接触することがない。このため、第2基板を損傷することなく、第1基板側の素子を第2基板側に押し付けることができるという利点がある。よって、素子の転写技術における歩留りの向上が図れる。   Since the element transfer apparatus according to the present invention includes the movable stage, the first substrate can be easily moved to a desired position directly below the second substrate, and since the tilt portion is provided, the first substrate and the second substrate are provided. Can be easily arranged in parallel, and the distance between the first substrate and the second substrate can be measured in a non-contact manner by providing a measurement unit that performs non-contact measurement. The element attached to the first substrate can be pressed in parallel to the second substrate side. At this time, since the first substrate and the second substrate are parallel, the substrates do not contact each other. For this reason, there is an advantage that the element on the first substrate side can be pressed against the second substrate side without damaging the second substrate. Therefore, the yield in the element transfer technology can be improved.

本発明の素子転写方法は、第1基板と第2基板とを接近させた後に、第1基板と第2基板との間隔を測定した測定値に基づいて第1基板と第2基板とが平行となるように調整するため、第1基板と第2基板とを平行に配置させることが容易にできるようになる。また第1基板と第2基板との平行が保持された状態で、第1基板に貼り付けられている素子を第2基板側に平行に押し付けることが可能になる。その際、第1基板と第2基板とが平行になっているので、基板同士が接触することがない。このため、第2基板を損傷することなく、第1基板側の素子を第2基板側に押し付けることができるという利点がある。よって、素子の転写技術における歩留りの向上が図れる。   In the element transfer method of the present invention, after the first substrate and the second substrate are brought close to each other, the first substrate and the second substrate are parallel to each other based on a measurement value obtained by measuring the distance between the first substrate and the second substrate. Therefore, the first substrate and the second substrate can be easily arranged in parallel. In addition, it is possible to press the element attached to the first substrate in parallel to the second substrate side in a state where the parallelism between the first substrate and the second substrate is maintained. At this time, since the first substrate and the second substrate are parallel, the substrates do not contact each other. For this reason, there is an advantage that the element on the first substrate side can be pressed against the second substrate side without damaging the second substrate. Therefore, the yield in the element transfer technology can be improved.

本発明の表示装置の製造方法は、第1基板側の素子を第2基板側に転写する際に、第1基板と第2基板とが平行に保持されているので、基板同士が接触することがない。このため、第2基板を損傷することなく、第1基板側の素子を第2基板側に押し付けることができるという利点がある。よって、素子の転写技術を用いて表示装置を製造する際の歩留りの向上が図れる。   In the method for manufacturing a display device of the present invention, when the element on the first substrate side is transferred to the second substrate side, the first substrate and the second substrate are held in parallel. There is no. For this reason, there is an advantage that the element on the first substrate side can be pressed against the second substrate side without damaging the second substrate. Therefore, it is possible to improve the yield when manufacturing the display device using the element transfer technique.

素子を搭載している第1基板と素子が転写される側の第2基板とを平行に保持して、第1基板上の素子を第2基板に形成された接着層(例えば未硬化樹脂層)に埋め込むという目的を、測定部で基板間の距離を測定しながらあおり部で基板間の平行を微調整することで実現したものである。その詳細を以下に説明する。   An adhesive layer (for example, an uncured resin layer) formed on the second substrate by holding the element on which the element is mounted in parallel with the second substrate on which the element is transferred is held in parallel. ) Is realized by finely adjusting the parallelism between the substrates at the tilt portion while measuring the distance between the substrates at the measurement portion. Details thereof will be described below.

本発明の素子転写装置に係る一実施の形態の一例を、図1の概略構成図、図2の要部拡大図、図3の平面レイアウト図によって説明する。   An example of one embodiment of the element transfer apparatus of the present invention will be described with reference to the schematic configuration diagram of FIG. 1, the enlarged view of the main part of FIG. 2, and the plan layout diagram of FIG.

図1〜図3に示すように、素子転写装置1は、第1基板51が載置される第1基板支持部11と、上記第1基板51に対向するように配置される第2基板52を支持する第2基板支持部12と、上記第1基板51と上記第2基板52とが平行になるように上記第1基板支持部11の位置調整を行うあおり部21と、上記あおり部21を支持するものでx、y、z、θ方向に移動可能な可動ステージ31と、上記第1基板51と上記第2基板52との間隔を測定する測定部41とを備えたものである。   As shown in FIGS. 1 to 3, the element transfer apparatus 1 includes a first substrate support unit 11 on which a first substrate 51 is placed, and a second substrate 52 disposed so as to face the first substrate 51. A second substrate support portion 12 that supports the first substrate support portion 11, a tilt portion 21 that adjusts the position of the first substrate support portion 11 so that the first substrate 51 and the second substrate 52 are parallel, and the tilt portion 21. And a movable stage 31 that can move in the x, y, z, and θ directions, and a measurement unit 41 that measures the distance between the first substrate 51 and the second substrate 52.

上記可動ステージ31には、例えば、粗動ステージ32と微動ステージ33とからなる。粗動ステージ32は、基本的には、例えばx、y、z、θ方向に素早く長い距離(例えば数十cm〜2m程度)を移動可能なステージが用いられている。これによって、第1基板51のロード、アンロードおよびタイリング箇所への移動を高速に行うことが可能となっている。また微動ステージ33は、基本的には、例えばx、y、z、θ方向に短い距離(例えば数μm〜数mm程度)を微動可能なステージが用いられている。これによって、アライメント時における高い分解能と高い停止位置精度が実現されている。また、上記粗動ステージ32の動作の一部を上記微動ステージ33の動作に兼ねさせることもできる。例えば上記粗動ステージ32のθ方向の動作を上記微動ステージ33のθ方向の動作に兼ねさせることができる。また、上記微動ステージ33のz方向の動作を後に詳細に説明するあおり部21のZ方向の動作に兼ねさせることもできる。なお、本明細書におけるx方向およびy方向およびz方向は3次元直交座標系における各軸であり、θ方向はz軸周りの回転方向である。   The movable stage 31 includes, for example, a coarse movement stage 32 and a fine movement stage 33. The coarse movement stage 32 is basically a stage that can be moved quickly in a long distance (for example, about several tens of cm to 2 m) in, for example, the x, y, z, and θ directions. As a result, the first substrate 51 can be loaded, unloaded and moved to the tiling location at high speed. The fine movement stage 33 is basically a stage capable of fine movement over a short distance (for example, about several μm to several mm) in the x, y, z, and θ directions, for example. This achieves high resolution and high stop position accuracy during alignment. Further, a part of the operation of the coarse movement stage 32 can be combined with the operation of the fine movement stage 33. For example, the movement of the coarse movement stage 32 in the θ direction can be combined with the movement of the fine movement stage 33 in the θ direction. Further, the movement of the fine movement stage 33 in the z direction can be combined with the movement of the tilt portion 21 which will be described in detail later in the Z direction. In the present specification, the x direction, the y direction, and the z direction are axes in the three-dimensional orthogonal coordinate system, and the θ direction is a rotation direction around the z axis.

上記可動ステージ31は、上記あおり部21を介して第1基板51を第2基板52直下の所定の位置まで移動させることが可能になる。したがって、可動ステージ31によって、第1基板51は第2基板52に対して所望の位置に移動することが可能となっている。   The movable stage 31 can move the first substrate 51 to a predetermined position directly below the second substrate 52 via the tilt portion 21. Therefore, the first substrate 51 can be moved to a desired position with respect to the second substrate 52 by the movable stage 31.

上記あおり部21は、上記可動ステージ31に支持されているものであって、上記可動ステージ31によって第2基板52直下の所定位置まで移動させられた第1基板51と、第2基板支持部12に支持されている第2基板52とが平行になるように調整するものである。その機構の詳細を以下に説明する。   The tilt portion 21 is supported by the movable stage 31, and is moved by the movable stage 31 to a predetermined position directly below the second substrate 52, and the second substrate support portion 12. It adjusts so that the 2nd board | substrate 52 currently supported by 2 may become parallel. Details of the mechanism will be described below.

上記あおり部21は、第2基板52に対して第1基板51を平行に位置させるためのものであって、上記可動ステージ31上に設けられた3個の1軸方向(例えばz軸方向)に昇降可能なアクチュエータ22を備えている。そして上記各アクチュエータ22は、3角形の頂点となる位置に配置されている。通常、基板を支持してその傾きの調整を行うには、その基板を3点で支持することで行うことができる。よって、本実施の形態でも3個のアクチュエータ22により第1基板支持部11を3点で支持している。その支持点は、図3に示すように、第1基板支持部11の中心と中心が一致する正三角形の頂点に位置させることが好ましい。なお、4点以上で支持することもできるが、第1基板支持部11に3点が接触し、残りの1点は接触しない状態もあり得るので、支持点は3点で十分である。また、支持点を第1基板支持部11の中心と中心が一致する正三角形の頂点に位置させることにより、第1基板支持部11を介して第1基板51の傾き調整が行い易くなる。また、微調整の精度を高めるために、図示したように、(第1基板支持部11の下面側(第1基板51が支持される側とは反対側)に第1基板支持部11よりも大きな支持部固定板13が設けられている。この場合には、下記に説明する球面軸受23は、図示したように支持部固定板13の裏面側(第1基板支持部11が固定される側とは反対側)に設けられてもよく、またセンサ部15と重ならない位置ならば、支持部固定板13の表面側(第1基板支持部11がセンサ部15を介して固定される側)に設けてもよい。その際には、上記支持部固定板13に、後に説明する揺動軸28が接触しないように貫通できる孔(図示せず)を設ける必要がある。このように、球面軸受23の取り付け位置は、機構設計上、適宜選択することができる。 The tilt portion 21 is for positioning the first substrate 51 in parallel with the second substrate 52, and is provided with three uniaxial directions (for example, z-axis direction) provided on the movable stage 31. The actuator 22 can be moved up and down. The actuators 22 are arranged at positions that are the apexes of the triangle. Usually, in order to support the substrate and adjust the inclination, the substrate can be supported at three points. Therefore, also in this embodiment, the first substrate support portion 11 is supported at three points by the three actuators 22. As shown in FIG. 3, the support point is preferably located at the apex of an equilateral triangle whose center coincides with the center of the first substrate support portion 11. In addition, although it can also support at four or more points, since three points may contact the 1st board | substrate support part 11 and the remaining one point may not contact, three support points are enough. In addition, by positioning the support point at the apex of an equilateral triangle whose center coincides with the center of the first substrate support part 11, it becomes easy to adjust the inclination of the first substrate 51 via the first substrate support part 11. Further, in order to increase the precision of fine adjustment, as shown in the drawing, the lower surface side of the first substrate support portion 11 (the side opposite to the side where the first substrate 51 is supported) is more than the first substrate support portion 11. A large support portion fixing plate 13 is provided, and in this case, a spherical bearing 23 described below is provided on the back surface side (the side on which the first substrate support portion 11 is fixed) of the support portion fixing plate 13 as illustrated. If the position does not overlap with the sensor unit 15, the surface side of the support unit fixing plate 13 (the side on which the first substrate support unit 11 is fixed via the sensor unit 15) may be provided. when it. its be provided is to the support portion fixing plate 13, the rocking shaft 28 to be described later it is necessary to provide through it hole (not shown) so as not to contact. Thus, spherical mounting position of the bearing 23, mechanism design, it can be appropriately selected

上記各アクチュエータ22の可動部先端には回動軸受24が設けられ、この回動軸受24は可動ステージ31上に固定された直動軸25に昇降自在に支持されている直動軸受26を備えている。上記回動軸受24には回動軸27が回動自在に支持されていて、この回動軸27の中心には回動軸27に直交する揺動軸28が形成されている。したがって、回動軸27と揺動軸28はT字型に形成されている。上記揺動軸28の先端部は球形に形成され、その球形部29を受ける球面軸受23が上記第1基板支持部11の裏面(第1基板51を支持する面とは反対側の面)に設けられている。図面では前述したように支持部固定板13を設けているので、球面軸受23は支持部固定板13に設置される。   A rotary bearing 24 is provided at the tip of the movable portion of each actuator 22, and the rotary bearing 24 includes a linear motion bearing 26 that is supported by a linear motion shaft 25 fixed on a movable stage 31 so as to be movable up and down. ing. A rotary shaft 27 is rotatably supported on the rotary bearing 24, and a swing shaft 28 orthogonal to the rotary shaft 27 is formed at the center of the rotary shaft 27. Therefore, the rotation shaft 27 and the swing shaft 28 are formed in a T shape. The tip of the swing shaft 28 is formed in a spherical shape, and the spherical bearing 23 that receives the spherical portion 29 is on the back surface of the first substrate support portion 11 (the surface opposite to the surface that supports the first substrate 51). Is provided. Since the support portion fixing plate 13 is provided in the drawing as described above, the spherical bearing 23 is installed on the support portion fixing plate 13.

上記あおり部21には、第2基板52側に転写される素子55が貼り付けられている第1基板51を支持する第1基板支持部11が搭載されている。また、上記第1基板支持部11上方には、第1基板支持部11に支持される第1基板51と対向するように配置される第2基板52を支持する第2基板支持部12が設けられている。   Mounted on the tilt portion 21 is the first substrate support portion 11 that supports the first substrate 51 on which the element 55 to be transferred to the second substrate 52 side is attached. A second substrate support unit 12 that supports the second substrate 52 disposed to face the first substrate 51 supported by the first substrate support unit 11 is provided above the first substrate support unit 11. It has been.

なお、上記あおり部21ではアクチュエータ22によってz軸方向に昇降可能となっているので、上記可動ステージ31のZ軸方向の動作を兼用することもできる。この場合には、上記可動ステージ31においてz軸方向の動作機構を省略することができる。   Since the tilt portion 21 can be moved up and down in the z-axis direction by the actuator 22, the operation of the movable stage 31 in the Z-axis direction can also be used. In this case, an operation mechanism in the z-axis direction can be omitted in the movable stage 31.

また、上記第1基板51と上記第2基板52との間隔を測定するための測定部41が、例えば第1基板51上方に備えられ、上記測定部41は、第1基板51と第2基板52との間隔を、第1、第2基板51、52に非接触で測定できる光学的に測定する測定器を用いることが好ましい。例えば、光学式変位計を用いることができる。そのため、例えば第2基板支持部12は測定に用いる光線の波長を透過する材料で形成されているか、または当該光線を通す窓14が形成されている必要がある。この窓14は開口された状態でもよいが、好ましくは透明基材、例えば透明なガラス基板、石英基板等が設けられていることが好ましい。また第2基板52は測定に用いる光線の波長を透過する材料で形成されていることが必要である。   In addition, a measurement unit 41 for measuring the distance between the first substrate 51 and the second substrate 52 is provided above the first substrate 51, for example, and the measurement unit 41 includes the first substrate 51 and the second substrate. It is preferable to use a measuring instrument that optically measures the distance between the first substrate 52 and the second substrate 51 in a non-contact manner. For example, an optical displacement meter can be used. Therefore, for example, the second substrate support 12 needs to be formed of a material that transmits the wavelength of the light beam used for measurement, or a window 14 through which the light beam passes. The window 14 may be open, but preferably a transparent base material such as a transparent glass substrate or quartz substrate is provided. The second substrate 52 needs to be formed of a material that transmits the wavelength of light used for measurement.

上記第1基板支持部11および第2基板支持部12の基板支持方法は、機械的な支持、真空吸着による支持もしくはその他の支持手段であってもよい。要するに、第1基板支持部11は第1基板51が支持固定されるものであればよく、第2基板支持部12は第2基板52が支持固定されるものであればよい。   The substrate support method of the first substrate support part 11 and the second substrate support part 12 may be mechanical support, support by vacuum suction, or other support means. In short, the first substrate support unit 11 may be any unit as long as the first substrate 51 is supported and fixed, and the second substrate support unit 12 may be any unit as long as the second substrate 52 is supported and fixed.

上記素子転写装置1には、第1基板支持部11によって第2基板支持部12に支持されている第2基板52に対して第1基板51を所定の位置に位置決めするためのアライメント部45が、例えば第2基板支持部12の上方に設置されている。このアライメント部45は、例えば第2基板52に形成されたアライメントマークに第1基板51に形成されたアライメントマークを一致させるように、上記可動ステージ31を動作させて第2基板52に対して第1基板51をアライメントするものである。   The element transfer apparatus 1 includes an alignment unit 45 for positioning the first substrate 51 at a predetermined position with respect to the second substrate 52 supported by the second substrate support unit 12 by the first substrate support unit 11. For example, it is installed above the second substrate support part 12. For example, the alignment unit 45 operates the movable stage 31 so that the alignment mark formed on the first substrate 51 coincides with the alignment mark formed on the second substrate 52. One substrate 51 is aligned.

上記素子転写装置1では、あおり部21を設けたことにより、第1基板51の傾きを微調整することにより第2基板52に対して第1基板51を平行に配置することが可能になる。またあおり部21を移動させる可動ステージ31を設けたことにより、可動ステージ31上にあおり部21、第1基板支持部11を介して支持される第1基板51を第2基板52直下の所望の位置に移動させることが可能になる。また第1基板51と第2基板52とに非接触で第1基板51と第2基板52との間隔を測定する測定部41を備えたことにより、第1基板51と第2基板52とが対向する面に接着性の層(第1接着層53、第2接着層54)を形成してもその第1接着層53、第2接着層54に測定部41が接触することはない。このような特徴を有する素子転写装置1では、第1基板51に貼り付けられている素子55を第2基板52側に平行に押し付けることが可能になる。その際、第1基板51と第2基板52とが平行になっているので、基板同士が接触することがない。このため、第2基板52を損傷することなく、第1基板51側の素子55を第2基板52側に押し付けることができるという利点がある。よって、素子55の転写技術における歩留りの向上が図れる。   In the element transfer apparatus 1, by providing the tilt portion 21, the first substrate 51 can be arranged in parallel to the second substrate 52 by finely adjusting the inclination of the first substrate 51. Further, by providing the movable stage 31 for moving the tilt portion 21, the first substrate 51 supported on the movable stage 31 via the tilt portion 21 and the first substrate support portion 11 is directly below the second substrate 52. It can be moved to a position. In addition, since the measurement unit 41 that measures the distance between the first substrate 51 and the second substrate 52 without contacting the first substrate 51 and the second substrate 52 is provided, the first substrate 51 and the second substrate 52 are Even if an adhesive layer (the first adhesive layer 53 and the second adhesive layer 54) is formed on the opposing surfaces, the measurement unit 41 does not contact the first adhesive layer 53 and the second adhesive layer 54. In the element transfer apparatus 1 having such a feature, the element 55 attached to the first substrate 51 can be pressed in parallel to the second substrate 52 side. At this time, since the first substrate 51 and the second substrate 52 are parallel to each other, the substrates do not contact each other. Therefore, there is an advantage that the element 55 on the first substrate 51 side can be pressed against the second substrate 52 side without damaging the second substrate 52. Therefore, the yield in the transfer technique of the element 55 can be improved.

次に、本発明の素子転写方法に係る一実施の形態の一例を、図4のフローチャートにより説明する。なお、本発明の素子転写方法は、上記本発明の素子転写装置1を用いて成される方法である。したがって、上記図1、図2、図3も参照していただきたい。また、以下の説明における各構成部品には上記素子転写装置の説明で示した構成部品の符号を付与した。   Next, an example of an embodiment according to the element transfer method of the present invention will be described with reference to the flowchart of FIG. The element transfer method of the present invention is a method that is performed using the element transfer apparatus 1 of the present invention. Therefore, please also refer to FIG. 1, FIG. 2, and FIG. In addition, the reference numerals of the constituent parts shown in the explanation of the element transfer device are given to the constituent parts in the following explanation.

本発明の素子転写方法は、第1基板51に第1接着層53を介して接着された素子55を第2基板52に形成された接着層54に接着させる素子転写方法であり、第1基板51と第2基板52とを接近させる基板接近工程と、第1基板51と第2基板52との間隔を測定した測定値に基づいて第1基板51と第2基板52とが平行となるように調整する平行出し工程と、第1基板51と第2基板52との平行が保たれた状態で第1基板51と第2基板52とを接近させて素子55を接着層に接着させる素子接着工程とを備えている。以下、具体的に説明する。   The element transfer method of the present invention is an element transfer method in which an element 55 bonded to a first substrate 51 via a first adhesive layer 53 is bonded to an adhesive layer 54 formed on a second substrate 52. The first substrate 51 and the second substrate 52 are made parallel to each other based on the substrate approach step for bringing the first substrate 51 and the second substrate 52 closer to each other and the measurement value obtained by measuring the distance between the first substrate 51 and the second substrate 52. A parallel alignment step for adjusting the first substrate 51 and the second substrate 52 in a state where the first substrate 51 and the second substrate 52 are kept parallel to each other. Process. This will be specifically described below.

図4に示すように、「基板接近工程」S1を行う。この工程では、まず「第1基板支持工程」S11を行う。この工程では、上記第1基板51を第1基板支持部11に支持させる。この支持方法は、例えば、第1基板51の表面(第1接着層53側)を上にして、第1基板51の裏面を第1基板支持部11側にして、真空吸着または機械的に固定されることにより支持される。また、上記第1基板51には、例えば直径Φ=30mmからΦ200mm(8インチ)程度の基板が用いられる。また、第1基板51表面に形成された第1接着層53に接着された素子55は、例えば3μm〜300μm程度の大きさであり、その高さは3μm〜300μm程度である。また、第1基板51に接着されている個数は10個〜100万個程度である。   As shown in FIG. 4, the “substrate approach step” S1 is performed. In this step, first, a “first substrate support step” S11 is performed. In this step, the first substrate 51 is supported by the first substrate support portion 11. This support method is, for example, vacuum suction or mechanically fixed with the front surface (first adhesive layer 53 side) of the first substrate 51 facing up and the back surface of the first substrate 51 facing the first substrate support portion 11 side. To be supported. For the first substrate 51, for example, a substrate having a diameter of about Φ = 30 mm to about Φ200 mm (8 inches) is used. The element 55 adhered to the first adhesive layer 53 formed on the surface of the first substrate 51 has a size of about 3 μm to 300 μm, for example, and a height of about 3 μm to 300 μm. The number of the first substrate 51 bonded is about 10 to 1 million.

次に「第2基板支持工程」S12を行う。この工程では、上記第2基板52を第2基板支持部12に支持させる。この支持方法は、例えば、第2基板52の表面(第2接着層54側)を下にして、第2基板52の裏面を第2基板支持部12側にして、真空吸着または機械的に固定されることにより支持される。また、上記第2基板52には、例えば直径Φ=50mm(2インチ)から2m四方程度の基板が用いられる。なお、第2基板52は2mシリコン法よりも大きな基板を用いることも可能である。また上記第2基板52の表面には、第2接着層54が形成されている。この第2接着層54は、素子55が接着されている第1接着層53の接着力よりも上記素子55に対して大きな接着力を有する。また、上記第2基板52に形成される第2接着層54は、例えば未硬化樹脂層からなり、この未硬化樹脂層は、例えば、いわゆるタックに強いレジスト膜を、回転塗布法、印刷法、ラミネート法等の成膜方法により形成したものである。なお、「第1基板支持工程」S11と「第2基板支持工程」S12とはどちらを先に行ってもよい。   Next, the “second substrate supporting step” S12 is performed. In this step, the second substrate 52 is supported by the second substrate support unit 12. This support method is, for example, vacuum suction or mechanically fixed with the front surface (second adhesive layer 54 side) of the second substrate 52 facing down and the back surface of the second substrate 52 facing the second substrate support portion 12 side. To be supported. For the second substrate 52, for example, a substrate having a diameter Φ = 50 mm (2 inches) to about 2 m square is used. The second substrate 52 can be a substrate larger than the 2 m silicon method. A second adhesive layer 54 is formed on the surface of the second substrate 52. The second adhesive layer 54 has a greater adhesive force with respect to the element 55 than the adhesive force of the first adhesive layer 53 to which the element 55 is bonded. The second adhesive layer 54 formed on the second substrate 52 is made of, for example, an uncured resin layer. The uncured resin layer is made of, for example, a so-called tack-resistant resist film by spin coating, printing, It is formed by a film forming method such as a laminating method. Note that either the “first substrate support step” S11 or the “second substrate support step” S12 may be performed first.

次に、「アライメント工程」S13を行う。この工程では、上記第1基板51と上記第2基板52とを所定の距離を保って対向させる。具体的には、上記アライメント部45の測定に基づいて上記可動ステージ31を例えばx−y方向およびθ方向に移動させることにより、第1基板51と第2基板52直下の所定の位置に移動させる。さらに、上記可動ステージ31により例えばz方向に移動させることにより、第1基板51を第2基板52に対して所定の距離になるまで接近させる。例えば、第1基板51と第2基板52との間隔を、素子55の高さプラス100μm〜300μm程度まで近づける。   Next, an “alignment step” S13 is performed. In this step, the first substrate 51 and the second substrate 52 are opposed to each other with a predetermined distance. Specifically, the movable stage 31 is moved to a predetermined position directly below the first substrate 51 and the second substrate 52 by moving the movable stage 31 in, for example, the xy direction and the θ direction based on the measurement of the alignment unit 45. . Further, the first substrate 51 is moved closer to the second substrate 52 by a predetermined distance by moving the movable stage 31 in the z direction, for example. For example, the distance between the first substrate 51 and the second substrate 52 is made close to the height of the element 55 plus about 100 μm to 300 μm.

次に、「基板間隔測定工程」S14を行う。この工程では、上記第1基板51と上記第2基板52との間隔を測定する。この測定位置は、同一直線上にならないような3箇所で行うことが好ましい。この測定は、測定部41によって測定位置が一直線上にならないように、例えば第1基板51の中心と正三角形の中心とを一致させて、その正三角形の頂点の位置における基板間の距離を測定する。言いかえれば、第1基板51の中心を中心とする円周上の等間隔の3点を測定点とする。また、上記測定においては、測定箇所1箇所に対して、その近傍(測定箇所そのものを含んでも良い)の複数箇所も測定し、それらの平均値をその箇所の値として扱っても良い。   Next, the “substrate interval measuring step” S14 is performed. In this step, the distance between the first substrate 51 and the second substrate 52 is measured. This measurement position is preferably performed at three locations that do not lie on the same straight line. In this measurement, for example, the center of the first substrate 51 and the center of the equilateral triangle are matched so that the measurement position is not aligned by the measurement unit 41, and the distance between the substrates at the vertex position of the equilateral triangle is measured. To do. In other words, three equally spaced points around the center of the first substrate 51 are taken as measurement points. Further, in the above measurement, a plurality of locations in the vicinity (which may include the measurement location itself) may be measured with respect to one measurement location, and the average value thereof may be handled as the value at that location.

次に、「基板間隔判定工程」S15を行う。この工程では、上記第1基板51と上記第2基板52との間隔が基準の範囲内か否かを判定する。   Next, a “substrate interval determining step” S15 is performed. In this step, it is determined whether or not the distance between the first substrate 51 and the second substrate 52 is within a reference range.

上記「基板間隔判定工程」S15において上記第1基板51と上記第2基板52との間隔が基準の範囲内にない、すなわち「No」と判定された場合には、「基板間隔調整工程」S16を行う。この工程では、第1基板51と第2基板52との間隔が所定の範囲内になるように、上記可動ステージ31によって、もしくは上記あおり部21によって、第1基板51と第2基板52との間隔を調整する。そして、上記「基板間隔測定工程」S14に戻る。再度、基板間隔を測定することで、正確に所望の基板間隔とすることができる。なお、基板間隔の調整時間を短縮する場合には、「基板間隔調整工程」S16を行った後、上記「基板間隔測定工程」S14に戻らず、次工程の「基板平行出し工程」S2を行ってもよい。   If the interval between the first substrate 51 and the second substrate 52 is not within the reference range in the “substrate interval determining step” S15, that is, it is determined “No”, the “substrate interval adjusting step” S16 is performed. I do. In this step, the first substrate 51 and the second substrate 52 are separated by the movable stage 31 or the tilt part 21 so that the distance between the first substrate 51 and the second substrate 52 is within a predetermined range. Adjust the interval. And it returns to said "board | substrate space | interval measurement process" S14. By measuring the substrate interval again, the desired substrate interval can be accurately set. In order to shorten the adjustment time of the substrate interval, after performing the “substrate interval adjustment step” S16, the next step “substrate paralleling step” S2 is performed without returning to the “substrate interval measurement step” S14. May be.

上記「基板間隔判定工程」S15において上記第1基板51と上記第2基板52との間隔が基準の範囲内にある、すなわち「Yes」と判定された場合には、「基板平行出し工程」S2を行う。   If the interval between the first substrate 51 and the second substrate 52 is within the reference range in the “substrate interval determining step” S15, that is, it is determined “Yes”, the “substrate paralleling step” S2 I do.

この「基板平行出し工程」S2では、まず「基板間の平行測定工程」S21を行う。この工程では、第1基板51と第2基板52との間隔を測定する。この測定は、測定部41によって測定位置が一直線上にならないように、例えば第1基板51の中心と正三角形の中心とを一致させて、その正三角形の頂点の位置における基板間の距離を測定する。言いかえれば、第1基板51の中心を中心とする円周上の等間隔の3点を測定点とする。また、上記測定においては、測定箇所1箇所に対して、その近傍(測定箇所そのものを含んでも良い)の複数箇所も測定し、それらの平均値をその箇所の値として扱っても良い。   In the “substrate parallel alignment step” S2, first, “a parallel measurement step between substrates” S21 is performed. In this step, the distance between the first substrate 51 and the second substrate 52 is measured. In this measurement, for example, the center of the first substrate 51 and the center of the equilateral triangle are matched so that the measurement position is not aligned by the measurement unit 41, and the distance between the substrates at the vertex position of the equilateral triangle is measured. To do. In other words, three equally spaced points around the center of the first substrate 51 are taken as measurement points. Further, in the above measurement, a plurality of locations in the vicinity (which may include the measurement location itself) may be measured with respect to one measurement location, and the average value thereof may be handled as the value at that location.

次に、「基板間の平行判定工程」S22を行う。この工程では、上記第1基板51と上記第2基板52とが平行となっているか、否かを判定する。その際、完全に平行であることが望ましいが、上記第1基板51と上記第2基板52との平行の度合いが許容の範囲内であれば平行とみなす。   Next, a “parallel determination step between substrates” S22 is performed. In this step, it is determined whether or not the first substrate 51 and the second substrate 52 are parallel. At this time, it is desirable that the first substrate 51 and the second substrate 52 be parallel to each other, but it is regarded as parallel if it is within the allowable range.

上記「基板間の平行判定工程」S22で上記第1基板51と上記第2基板52とが平行であるとすることができる範囲内にない、すなわち「No」と判定された場合には、「基板間の平行調整工程」S23を行う。この工程では、上記第1基板51と上記第2基板52とが平行になるように上記第1基板51と上記第2基板52との間隔を調整する。例えば、上記測定部41により測定された3箇所の測定値が全て同じ値、もしくは許容できる誤差範囲内になるように、あおり部21の3軸のアクチュエータ22にて基板間隔の調整を行う。   When it is determined that the first substrate 51 and the second substrate 52 are not in the range in which the first substrate 51 and the second substrate 52 are parallel in the “parallelity determination step between substrates” S22, that is, “No” is determined. “Parallel adjustment process between substrates” S23 is performed. In this step, the distance between the first substrate 51 and the second substrate 52 is adjusted so that the first substrate 51 and the second substrate 52 are parallel to each other. For example, the substrate interval is adjusted by the three-axis actuator 22 of the tilt portion 21 so that the three measured values measured by the measuring portion 41 are all within the same value or within an allowable error range.

上記「基板間の平行測定工程」S21、「基板間の平行測定工程」S22および「基板間の平行調整工程」S23は、1サイクルを行うだけでもよいが、上記「基板間の平行測定工程」S22において上記第1基板51と上記第2基板52とが平行であると判定されるまで繰り返し行うことがより好ましい。また、基板間の平行出し時間を短縮する場合には、「基板間の平行調整工程」S23を行った後、上記「基板間の平行測定工程」S21に戻らず、次工程の「素子接着工程」S3を行ってもよい。   The “parallel measurement step between substrates” S21, “parallel measurement step between substrates” S22 and “parallel adjustment step between substrates” S23 may be performed only once, but the above “parallel measurement step between substrates”. It is more preferable to repeat the process until it is determined in S22 that the first substrate 51 and the second substrate 52 are parallel. Further, in order to shorten the parallel alignment time between the substrates, after performing the “parallel adjustment step between substrates” S23, the process does not return to the “parallel measurement step between substrates” S21 but the “element bonding step” of the next step. S3 may be performed.

上記「基板間の平行判定工程」S22で上記第1基板51と上記第2基板52とが平行であるとすることができる範囲内にある、すなわち「Yes」と判定された場合には、「素子接着工程」S3を行う。この工程では、上記第1基板51と上記第2基板52との平行を保持した状態で上記第1基板51と上記第2基板52とを接近させて第1基板51の第1接着層53に接着された素子55を第2基板52に形成された第2接着層54に接着させる。   When it is determined that the first substrate 51 and the second substrate 52 are in a range in which the first substrate 51 and the second substrate 52 are parallel in the “parallelism determination step between substrates” S22, that is, “Yes” is determined. “Element bonding step” S3 is performed. In this step, the first substrate 51 and the second substrate 52 are brought close to each other in the state where the first substrate 51 and the second substrate 52 are kept parallel to the first adhesive layer 53 of the first substrate 51. The bonded element 55 is bonded to the second bonding layer 54 formed on the second substrate 52.

具体的には、まず、「基板第1接近工程」S31を行う。この工程では、第1基板51と第2基板52との間隔が素子55の高さプラス20μm〜100μm程度となるように、第1基板51と第2基板52とを近づける。この動作は、アクチュエータ22によって行ってもよく、または可動ステージ31の微動ステージ33を用いて行ってもよい。   Specifically, first, the “first substrate approach step” S31 is performed. In this step, the first substrate 51 and the second substrate 52 are brought close to each other so that the distance between the first substrate 51 and the second substrate 52 is about the height of the element 55 plus about 20 μm to 100 μm. This operation may be performed by the actuator 22 or may be performed using the fine movement stage 33 of the movable stage 31.

次いで、「精密アライメント工程」S32を行う。この工程では、アライメント部45によって、アライメントマークを確認しながら、x、y、θ方向の精密アライメントを行い、第1基板51に接着されている素子55を第2基板に接着しようとする正確な位置に移動させる。この精密アライメントは可動ステージ31の微動ステージ33を用いて行うことができる。この後、再度上記「基板間隔測定工程」S14〜「基板間隔調整工程」S16を行い、第1基板51と第2基板52との間隔が素子55の高さプラス20μm〜100μm程度となることを確実にしても良いが、通常は、上記「基板第2接近工程」S33を行ってよい。   Next, a “precision alignment step” S32 is performed. In this step, the alignment unit 45 performs precise alignment in the x, y, and θ directions while confirming the alignment mark, and the element 55 that is bonded to the first substrate 51 is accurately bonded to the second substrate. Move to position. This precise alignment can be performed using the fine movement stage 33 of the movable stage 31. Thereafter, the “substrate interval measuring step” S14 to “substrate interval adjusting step” S16 are performed again, and the interval between the first substrate 51 and the second substrate 52 becomes the height of the element 55 plus about 20 μm to 100 μm. Normally, the “substrate second approach step” S33 may be performed.

その後、「基板第2接近工程」S33を行う。この工程では、第1基板51上の素子55が第2基板52の第2接着層54に接触もしくはその一部が埋め込まれる(例えば、素子55の高さの半分程度まで埋め込まれる)まで、第1基板51を第2基板52側に上昇させる。このとき、第1基板51に形成された第1接着層53と第2基板52に形成された第2接着層54とは接触させない。   Thereafter, the “substrate second approach step” S33 is performed. In this step, until the element 55 on the first substrate 51 comes into contact with the second adhesive layer 54 of the second substrate 52 or a part thereof is embedded (for example, embedded to about half the height of the element 55). The first substrate 51 is raised to the second substrate 52 side. At this time, the first adhesive layer 53 formed on the first substrate 51 and the second adhesive layer 54 formed on the second substrate 52 are not brought into contact with each other.

次に、「素子接着保持工程」S34を行う。この工程では、上記素子55を上記第2接着層54に接着させた状態を一定時間保持する。例えば、第2基板52側に形成された第2接着層54によって素子55が十分に接着されるまで保持する。ここでいう、十分に接着されるとは、第1基板51に形成された第1接着層53に素子55が接着されている接着力よりも第2基板52に形成された第2接着層54が接着される接着力が大きくなることをいう。これは、未硬化樹脂からなる接着層はある程度の時間が経過することにより硬化されるので、その未硬化樹脂層に接着されている物体に対する接着力は増加することを利用している。   Next, an “element adhesion holding step” S34 is performed. In this step, the state in which the element 55 is bonded to the second adhesive layer 54 is maintained for a certain time. For example, the element 55 is held until it is sufficiently adhered by the second adhesive layer 54 formed on the second substrate 52 side. Here, the term “sufficiently bonded” means that the second adhesive layer 54 formed on the second substrate 52 has a greater adhesive force than the element 55 is bonded to the first adhesive layer 53 formed on the first substrate 51. It means that the adhesive force to which the is bonded increases. This utilizes the fact that an adhesive layer made of an uncured resin is cured after a certain amount of time has elapsed, so that the adhesive force to an object adhered to the uncured resin layer is increased.

次に、「基板離間工程」S35を行う。この工程では、上記素子55を上記第2接着層54に接着させた状態で上記第1基板51と上記第2基板52とを素早く引き離して上記素子55から上記第1基板51を引き離す。各接着層の接着力にもよるが、例えば、0.1mm/s以上の速度で引き離す。これによって、第1基板51に接着されていた素子55は第2基板52に形成された第2接着層54に接着される。ここで、第1基板51に形成された第1接着層53の素子55に対する接着力は第2基板52に形成された第2接着層54の素子55に対する接着力よりも弱いことが必要である。例えば、第1基板51に形成される第1接着層53は、第1基板51を移動させた際に素子55が移動しない程度の接着力があれば十分である。第1基板51に形成された第1接着層53によって素子55が第1基板51に強固に接着される必要はない。   Next, a “substrate separation step” S35 is performed. In this step, the first substrate 51 and the second substrate 52 are quickly separated while the element 55 is adhered to the second adhesive layer 54, and the first substrate 51 is separated from the element 55. Depending on the adhesive strength of each adhesive layer, for example, the layers are pulled apart at a speed of 0.1 mm / s or more. As a result, the element 55 bonded to the first substrate 51 is bonded to the second adhesive layer 54 formed on the second substrate 52. Here, the adhesive force of the first adhesive layer 53 formed on the first substrate 51 to the element 55 needs to be weaker than the adhesive force of the second adhesive layer 54 formed on the second substrate 52 to the element 55. . For example, it is sufficient for the first adhesive layer 53 formed on the first substrate 51 to have an adhesive force that does not move the element 55 when the first substrate 51 is moved. The element 55 does not need to be firmly bonded to the first substrate 51 by the first adhesive layer 53 formed on the first substrate 51.

上記素子転写方法は、第1基板51と第2基板52とを接近させた後に、第1基板51と第2基板52との間隔を測定した測定値に基づいて第1基板51と第2基板52とが平行となるように調整するため、第1基板51と第2基板52とを平行に配置させることが容易にできるようになる。また第1基板51と第2基板52との平行が保持された状態で、第1基板51に貼り付けられている素子を第2基板52側に平行に押し付けることが可能になる。その際、第1基板51と第2基板52とが平行になっているので、基板同士が接触することがない。このため、第2基板52を損傷することなく、第1基板51側の素子55を第2基板52側に押し付けることができるという利点がある。よって、素子55の転写技術における歩留りの向上が図れる。   In the element transfer method, after the first substrate 51 and the second substrate 52 are brought close to each other, the first substrate 51 and the second substrate 52 are measured based on the measured values obtained by measuring the distance between the first substrate 51 and the second substrate 52. Therefore, the first substrate 51 and the second substrate 52 can be easily arranged in parallel. In addition, in a state where the first substrate 51 and the second substrate 52 are kept parallel, the element attached to the first substrate 51 can be pressed in parallel to the second substrate 52 side. At this time, since the first substrate 51 and the second substrate 52 are parallel to each other, the substrates do not contact each other. Therefore, there is an advantage that the element 55 on the first substrate 51 side can be pressed against the second substrate 52 side without damaging the second substrate 52. Therefore, the yield in the transfer technique of the element 55 can be improved.

上記素子転写方法は繰り返し行うことができる。次に、素子転写方法を繰り返し行う方法を図5、図6のフローチャートによって説明する。   The element transfer method can be repeated. Next, a method of repeatedly performing the element transfer method will be described with reference to the flowcharts of FIGS.

図5に示すように、上記「基板接近工程」S1、上記「平行出し工程」S2および上記「素子接着工程」S3を順に行った後、「第1基板の交換工程」S4(S41)を行う。この工程では、素子転写に用いた第1基板51を、新しい素子55が接着された第1基板51に交換し、上記「基板接近工程」S1、上記「平行出し工程」S2および上記「素子接着工程」S3を順に行って、第2基板52の第2接着層54に先に接着した素子55(551)の接着領域とは異なる領域に新たな素子55(552)を接着する。   As shown in FIG. 5, after performing the “substrate approaching step” S1, the “paralleling step” S2 and the “element bonding step” S3 in order, the “first substrate replacing step” S4 (S41) is performed. . In this step, the first substrate 51 used for element transfer is replaced with the first substrate 51 to which the new element 55 is bonded, and the “substrate approaching step” S1, the “paralleling step” S2, and the “element bonding” are exchanged. Step “S3” is performed in order, and a new element 55 (552) is bonded to a region different from the bonding region of the element 55 (551) previously bonded to the second adhesive layer 54 of the second substrate 52.

さらに、「第1基板の交換工程」S4(S41)および上記「基板接近工程」S1、上記「平行出し工程」S2、上記「素子接着工程」S3を繰り返し行うことで、第2基板52の広い範囲に素子55の転写を行うことができる。   Further, by repeating the “first substrate exchanging step” S4 (S41) and the “substrate approaching step” S1, the “paralleling step” S2, and the “element bonding step” S3, the second substrate 52 is widened. The element 55 can be transferred to the range.

また、図6に示すように、上記「基板接近工程」S1、上記「平行出し工程」S2および上記「素子接着工程」S3を順に行った後、「第1基板の交換工程」S4(S42)を行う。この工程では、先に素子転写に用いた第1基板51に接着されていた素子の位置と異なる位置に新しい素子55(552)が接着された第1基板51に交換する。そして、この新たな第1基板51を用いて、上記「基板接近工程」S1、上記「平行出し工程」S2および上記「素子接着工程」S3を順に行う。これによって、第2基板52の第2接着層54に先に接着した素子55(551)の接着領域において、先に接着した素子55(551)の接着位置とは異なる位置に新たな素子55(552)を接着することができる。すなわち、種類の異なる素子を所定の領域に転写させることができる。   Further, as shown in FIG. 6, after performing the “substrate approaching step” S1, the “paralleling step” S2 and the “element bonding step” S3 in this order, the “first substrate replacing step” S4 (S42). I do. In this step, the first substrate 51 is replaced with a new element 55 (552) bonded to a position different from the position of the element bonded to the first substrate 51 previously used for element transfer. Then, using the new first substrate 51, the “substrate approaching step” S1, the “paralleling step” S2, and the “element bonding step” S3 are performed in order. As a result, in the adhesion region of the element 55 (551) that has been first adhered to the second adhesive layer 54 of the second substrate 52, a new element 55 (in a position different from the adhesion position of the element 55 (551) that has been adhered first). 552) can be glued. That is, different types of elements can be transferred to a predetermined area.

さらに、「第1基板の交換工程」S4(S42)および上記「基板接近工程」S1、上記「平行出し工程」S2、上記「素子接着工程」S3を繰り返し行うことで、第2基板52の所定の領域に複数種類の素子を転写することができる。   Further, the “first substrate replacement step” S4 (S42) and the “substrate approach step” S1, the “paralleling step” S2, and the “element bonding step” S3 are repeatedly performed, whereby the second substrate 52 is predetermined. Multiple types of elements can be transferred to the region.

次に、本発明の表示装置の製造方法について図7の製造工程図により説明する。図7では、第1基板に接着された発光素子を第2基板に形成された接着層に接着させて、複数の発光素子を配列実装する表示装置の製造方法を説明する。具体的には、赤色発光素子55R、緑色発光素子55G、青色発光素子55Bを搭載する表示装置の製造方法を説明する。   Next, the manufacturing method of the display device of the present invention will be described with reference to the manufacturing process diagram of FIG. FIG. 7 illustrates a method for manufacturing a display device in which a light emitting element bonded to a first substrate is bonded to an adhesive layer formed on a second substrate, and a plurality of light emitting elements are arranged and mounted. Specifically, a method for manufacturing a display device on which the red light emitting element 55R, the green light emitting element 55G, and the blue light emitting element 55B are mounted will be described.

図7(1)に示すように、第1基板51として、第1接着層53の所定の位置に赤色発光素子55Rが接着されている第1基板51を用いる。次いで、図7(2)に示すように、上記説明した本発明の素子転写方法によって、第1基板51側に接着されている赤色発光素子55Rを第2基板52に形成された第2接着層54に接着転写する。そして、図7(3)に示すように、前記図5によって説明したように、第2基板52の所定の領域全域に赤色発光素子55Rを接着転写させる。   As shown in FIG. 7A, the first substrate 51 in which the red light emitting element 55R is bonded to a predetermined position of the first adhesive layer 53 is used as the first substrate 51. Next, as shown in FIG. 7B, the second adhesive layer in which the red light emitting element 55R bonded to the first substrate 51 side is formed on the second substrate 52 by the element transfer method of the present invention described above. Adhesive transfer to 54. Then, as shown in FIG. 7 (3), as described with reference to FIG. 5, the red light emitting element 55R is bonded and transferred to the entire predetermined region of the second substrate 52.

次に、図7(4)に示すように、第1基板51として、第1接着層53の所定の位置に緑色発光素子55Gが接着されている第1基板51を用いる。次いで、図7(5)に示すように、上記説明した本発明の素子転写方法によって、第1基板51側に接着されている緑色発光素子55Gを第2基板52に形成された第2接着層54に接着転写する。その際、図7(6)に示すように、前記図6によって説明した方法によって、先に接着した赤色発光素子55Rの接着位置とは異なる所定の位置に新たな緑色発光素子55Gを接着する。そして、図8(7)に示すように、前記図5によって説明した方法によって、第2基板52の所定の領域全域に緑色発光素子55Gを接着転写させる。   Next, as shown in FIG. 7 (4), as the first substrate 51, the first substrate 51 in which the green light emitting element 55G is bonded to a predetermined position of the first adhesive layer 53 is used. Next, as shown in FIG. 7 (5), the second adhesive layer in which the green light emitting element 55G bonded to the first substrate 51 side is formed on the second substrate 52 by the element transfer method of the present invention described above. Adhesive transfer to 54. At that time, as shown in FIG. 7 (6), a new green light emitting element 55G is bonded to a predetermined position different from the bonding position of the previously bonded red light emitting element 55R by the method described with reference to FIG. Then, as shown in FIG. 8 (7), the green light emitting element 55G is adhered and transferred to the entire predetermined region of the second substrate 52 by the method described with reference to FIG.

次に、図8(8)に示すように、第1基板51として、第1接着層53の所定の位置に青色発光素子55Bが接着されている第1基板51を用いる。次いで、図8(9)に示すように、上記説明した本発明の素子転写方法によって、第1基板51側に接着されている青色発光素子55Bを第2基板52に形成された第2接着層54に接着転写する。その際、図7(6)に示すように、前記図6によって説明した方法によって、先に接着した赤色発光素子55Rおよび緑色発光素子55Gの接着位置とは異なる所定の位置に新たな青色発光素子55Bを接着する。そして、図8(7)に示すように、前記図5によって説明した方法によって、第2基板52の所定の領域全域に青色発光素子55Bを接着転写させる。   Next, as shown in FIG. 8 (8), as the first substrate 51, the first substrate 51 in which the blue light emitting element 55 </ b> B is bonded to a predetermined position of the first adhesive layer 53 is used. Next, as shown in FIG. 8 (9), the second adhesive layer in which the blue light emitting element 55B bonded to the first substrate 51 side is formed on the second substrate 52 by the element transfer method of the present invention described above. Adhesive transfer to 54. At that time, as shown in FIG. 7 (6), a new blue light emitting element is formed at a predetermined position different from the bonding position of the red light emitting element 55R and the green light emitting element 55G previously bonded by the method described with reference to FIG. Adhere 55B. Then, as shown in FIG. 8 (7), the blue light emitting element 55B is adhered and transferred to the entire predetermined region of the second substrate 52 by the method described with reference to FIG.

このようにして、表示装置に用いられる各色の発光素子(赤色発光素子55R、緑色発光素子55G、青色発光素子55Bを第1基板51から第2基板52に転写することができた。   In this manner, each color light emitting element (red light emitting element 55R, green light emitting element 55G, and blue light emitting element 55B) used in the display device could be transferred from the first substrate 51 to the second substrate 52.

本発明の表示装置の製造方法は、第1基板51側の素子55を第2基板52側に転写する際に、第1基板51と第2基板52とが平行に保持されているので、基板同士が接触することがない。このため、第2基板52を損傷することなく、第1基板51側の素子55を第2基板52側に押し付けることができるという利点がある。よって、素子55の転写技術を用いて表示装置を製造する際の歩留りの向上が図れる。   In the manufacturing method of the display device of the present invention, the first substrate 51 and the second substrate 52 are held in parallel when the element 55 on the first substrate 51 side is transferred to the second substrate 52 side. There is no contact between them. Therefore, there is an advantage that the element 55 on the first substrate 51 side can be pressed against the second substrate 52 side without damaging the second substrate 52. Therefore, it is possible to improve the yield when manufacturing the display device using the transfer technology of the element 55.

本発明の素子転写装置に係る一実施の形態の一例を示した概略構成図である。It is the schematic block diagram which showed an example of one Embodiment which concerns on the element transfer apparatus of this invention. 本発明の素子転写装置に係る一実施の形態の一例を示した要部拡大図である。It is a principal part enlarged view which showed an example of one Embodiment which concerns on the element transfer apparatus of this invention. 本発明の素子転写装置に係る一実施の形態の一例を示した概略構成図である。It is the schematic block diagram which showed an example of one Embodiment which concerns on the element transfer apparatus of this invention. 本発明の素子転写方法に係る一実施の形態の一例を示したフローチャート図である。It is the flowchart figure which showed an example of one Embodiment which concerns on the element transfer method of this invention. 本発明の素子転写方法に係る一実施の形態の一例を示したフローチャート図である。It is the flowchart figure which showed an example of one Embodiment which concerns on the element transfer method of this invention. 本発明の素子転写方法に係る一実施の形態の一例を示したフローチャート図である。It is the flowchart figure which showed an example of one Embodiment which concerns on the element transfer method of this invention. 本発明の表示装置の製造方法に係る一実施の形態の一例を示した製造工程図である。It is the manufacturing process figure which showed an example of one Embodiment which concerns on the manufacturing method of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の製造方法に係る一実施の形態の一例を示した製造工程図である。It is the manufacturing process figure which showed an example of one Embodiment which concerns on the manufacturing method of the display apparatus of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1…素子転写装置、11…第1基板支持部、12…第2基板支持部、21…あおり部、31…可動ステージ、41…測定部   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Element transfer apparatus, 11 ... 1st board | substrate support part, 12 ... 2nd board | substrate support part, 21 ... tilt part, 31 ... movable stage, 41 ... measurement part

Claims (14)

表面に第1基板が載置される第1基板支持部と、
前記第1基板に対向するように配置される第2基板を支持する第2基板支持部と、
前記第1基板と前記第2基板とが平行になるように、前記第1基板支持部の位置調整を
行うあおり部と、
前記あおり部を支持して移動させる可動ステージと、
前記第1基板と前記第2基板との間隔を測定する測定部とを備え
前記あおり部は、3角形の頂点に位置して各々前記第1基板支持部の昇降動作を行う3
個のアクチュエータを有すると共に、前記アクチュエータの可動部先端側に、互いに直交する回動軸および揺動軸を有し、前記回動軸および揺動軸により当該アクチュエータの昇降動作に伴う前記第1基板支持部の回動および揺動を許容して前記第1基板支持部の位置調整を行う
素子転写装置。
A first substrate support on which a first substrate is placed on the surface ;
A second substrate support part for supporting a second substrate disposed to face the first substrate;
A tilt portion for adjusting the position of the first substrate support portion so that the first substrate and the second substrate are parallel to each other;
A movable stage that supports and moves the tilt part;
A measuring unit for measuring a distance between the first substrate and the second substrate ;
The tilt portions are positioned at the apexes of the triangles, and each lifts and lowers the first substrate support portion 3
The first substrate having a plurality of actuators and having a rotating shaft and a swinging shaft orthogonal to each other on the distal end side of the movable portion of the actuator, and accompanying the lifting and lowering operation of the actuator by the rotating shaft and the swinging shaft An element transfer device that adjusts the position of the first substrate support portion while allowing the support portion to rotate and swing .
前記揺動軸の先端に球形部を有すると共に、前記第1基板支持部の裏面に前記球形部をA spherical portion is provided at the tip of the swing shaft, and the spherical portion is provided on the back surface of the first substrate support portion.
受ける球面軸受を有するHas a spherical bearing to receive
請求項1記載の素子転写装置。The element transfer apparatus according to claim 1.
前記第1基板支持部は、当該第1基板支持部よりも大きな支持部固定板の表面に設けられ、前記球面軸受は、前記支持部固定板の裏面に設けられているThe first substrate support portion is provided on a surface of a support portion fixing plate larger than the first substrate support portion, and the spherical bearing is provided on a back surface of the support portion fixing plate.
請求項2記載の素子転写装置。The element transfer apparatus according to claim 2.
前記第2基板に対して前記第1基板を位置合わせするアライメント部を備え
求項1記載の素子転写装置。
An alignment unit is provided for aligning the first substrate with respect to the second substrate .
Element transfer device Motomeko 1 wherein.
前記あおり部は、前記第1基板に接着された素子を前記第2基板に形成された接着層に
接着させる位置に上昇させる動作と、
前記接着層に前記素子を接着させた状態にして前記素子から前記第1基板を引き離す動
作とを行
求項1記載の素子転写装置。
The tilting portion raises the element bonded to the first substrate to a position where the element is bonded to the adhesive layer formed on the second substrate;
It intends rows and operation of separating the first substrate from the device in the state of being bonded to the element to the adhesive layer
Element transfer device Motomeko 1 wherein.
前記可動ステージはx、y、z、θ方向に前記あおり部を移動させるものからな
求項1記載の素子転写装置。
The movable stage that Do from those moving x, y, z, the swinging unit in the θ direction
Element transfer device Motomeko 1 wherein.
前記可動ステージは、
前記第1基板に接着された素子を前記第2基板に形成された接着層に接着させる位置に
上昇させる動作と、
前記接着層に前記素子を接着させた状態にして前記素子から前記第1基板は引き離す動
作とを行
求項1記載の素子転写装置。
The movable stage is
An operation of raising the element bonded to the first substrate to a position where the element is bonded to an adhesive layer formed on the second substrate;
The first substrate from the device in the state of being bonded to the element to the adhesive layer intends rows and operation for separating
Element transfer device Motomeko 1 wherein.
第1基板に接着された素子を第2基板に形成された接着層に接着させる素子転写方法で
あって、
前記第1基板と前記第2基板とをそれぞれ第1基板支持部と第2基板支持部に支持させ、
接近させる基板接近工程と、
前記第1基板と前記第2基板との間隔を測定した測定値に基づいて前記第1基板と前記
第2基板とが平行となるように調整する平行出し工程と、
前記第1基板と前記第2基板との平行が保たれた状態で前記第1基板と前記第2基板と
を接近させて前記素子を前記接着層に接着させる素子接着工程とを備え
前記平行出し工程において、前記第1基板支持部の昇降動作を行う3個のアクチュエー
タを有すると共に、前記アクチュエータの可動部先端側に設けられた互いに直交する回動軸および揺動軸を有するあおり部を用い、前記回動軸および揺動軸により、当該アクチュエータの昇降動作に伴う前記第1基板支持部の回動および揺動を許容して前記第1基板支持部の位置調整を行う
素子転写方法。
An element transfer method for bonding an element bonded to a first substrate to an adhesive layer formed on a second substrate,
The first substrate and the second substrate are supported by a first substrate support part and a second substrate support part, respectively.
A substrate approaching process to approach,
A parallelizing step of adjusting the first substrate and the second substrate to be parallel based on a measurement value obtained by measuring a distance between the first substrate and the second substrate;
An element adhering step of adhering the element to the adhesive layer by bringing the first substrate and the second substrate closer to each other while the first substrate and the second substrate are kept parallel ;
Three actuators for raising and lowering the first substrate support in the paralleling step
And a tilting portion provided on the distal end side of the movable portion of the actuator and having a rotation shaft and a swing shaft that are orthogonal to each other, and the actuator is moved up and down by the rotation shaft and the swing shaft. An element transfer method for adjusting the position of the first substrate support portion while allowing the first substrate support portion to rotate and swing .
前記基板接近工程は、
前記第1基板と前記第2基板とを所定の距離を保って対向させるアライメント工程と、
前記第1基板と前記第2基板との間隔を測定する基板間隔測定工程と、
前記第1基板と前記第2基板との間隔が基準の範囲内か否かを判定する基板間隔判定工
程と、
前記第1基板と前記第2基板との間隔が所定の範囲内にない場合には、前記第1基板と
前記第2基板との間隔が基準の範囲内になるように前記第1基板と前記第2基板との間隔
を調整して、前記基板間隔測定工程に戻る基板間調整工程とを備え
求項8記載の素子転写方法。
The substrate approach step includes
An alignment step in which the first substrate and the second substrate are opposed to each other while maintaining a predetermined distance;
A substrate interval measuring step for measuring an interval between the first substrate and the second substrate;
A substrate interval determining step for determining whether or not an interval between the first substrate and the second substrate is within a reference range;
When the interval between the first substrate and the second substrate is not within a predetermined range, the first substrate and the second substrate are set such that the interval between the first substrate and the second substrate is within a reference range. by adjusting the distance between the second substrate, and a substrate gap adjusting step of returning to the substrate gap measuring step
Motomeko 8 device transferring method according.
前記平行出し工程は、
前記第1基板と前記第2基板とを平行に調整する基板平行出し工程と、
前記第1基板と前記第2基板との間隔を測定する基板間の平行測定工程と、
前記第1基板と前記第2基板とが平行か否かを判定する基板間の平行判定工程と、
前記第1基板と前記第2基板とが平行と許容できる範囲内にない場合には、前記第1基
板と前記第2基板とが平行になるように前記第1基板と前記第2基板との間隔を調整して、前記基板間の平行測定工程に戻る基板間の平行調整工程とを備え
求項8記載の素子転写方法。
The paralleling step includes
A substrate paralleling step of adjusting the first substrate and the second substrate in parallel;
A parallel measurement step between the substrates for measuring the distance between the first substrate and the second substrate;
A parallel determination step between the substrates for determining whether or not the first substrate and the second substrate are parallel;
When the first substrate and the second substrate are not within the allowable range of being parallel, the first substrate and the second substrate are arranged so that the first substrate and the second substrate are parallel to each other. A parallel adjustment step between the substrates that adjusts the interval and returns to the parallel measurement step between the substrates .
Motomeko 8 device transferring method according.
前記素子接着工程の後、
前記素子を前記接着層に接着させた状態を保持する素子接着保持工程と、
前記素子を前記接着層に接着させた状態で前記第1基板と前記第2基板とを引き離して
前記素子から前記第1基板を引き離す基板離間工程とを備え
求項8記載の素子転写方法。
After the element bonding step,
An element bonding holding step for holding the element bonded to the adhesive layer;
A substrate separation step of separating the first substrate from the element by separating the first substrate and the second substrate in a state where the element is adhered to the adhesive layer .
Motomeko 8 device transferring method according.
前記第1基板に接着された素子を前記第2基板に形成された接着層に接着させた後、
前記第1基板を新たな素子が接着された第1基板に交換する工程を行い、
その後、前記基板接近工程と、前記平行出し工程と、前記素子接着工程とを行って、前 記新たな素子を前記第2基板の別の位置に接着させ
求項8記載の素子転写方法。
After adhering the element bonded to the first substrate to the adhesive layer formed on the second substrate,
A step of replacing the first substrate with a first substrate to which a new element is bonded;
Then, it said substrate approaching step, the parallel out step, performed with the device bonding process, Ru to adhere the pre SL new element to a different position of the second substrate
Motomeko 8 device transferring method according.
前記第1基板に接着された素子を前記第2基板に形成された接着層に接着させた後、
前記第1基板を新たな素子が接着された第1基板に交換する工程を行い、
その後、前記基板接近工程と、前記平行出し工程と、前記素子接着工程とを行って、
前記新たな素子を前記第2基板の別の位置に接着させることを複数回繰り返
求項12記載の素子転写方法。
After adhering the element bonded to the first substrate to the adhesive layer formed on the second substrate,
A step of replacing the first substrate with a first substrate to which a new element is bonded;
Thereafter, the substrate approaching step, the paralleling step, and the element bonding step are performed,
To repeat a plurality of times to adhere the new element to a different position of the second substrate
Motomeko 12 device transferring method according.
第1基板に接着された発光素子を第2基板に形成された接着層に接着させて、複数の発 光素子を配列実装する表示装置の製造方法において、
第1基板に接着された素子を第2基板に形成された接着層に接着させる方法は、
前記第1基板と前記第2基板とをそれぞれ第1基板支持部と第2基板支持部に支持させ、
接近させる基板接近工程と、
前記第1基板と前記第2基板との間隔を測定した測定値に基づいて前記第1基板と前記
第2基板とが平行となるように調整する平行出し工程と、
前記第1基板と前記第2基板との平行が保たれた状態で前記第1基板と前記第2基板と
を接近させて前記素子を前記接着層に接着させる素子接着工程とを備え
前記平行出し工程において、前記第1基板支持部の昇降動作を行う3個のアクチュエー
タを有すると共に、前記アクチュエータの可動部先端側に設けられた互いに直交する回動軸および揺動軸を有するあおり部を用い、前記回動軸および揺動軸により、当該アクチュエータの昇降動作に伴う前記第1基板支持部の回動および揺動を許容して前記第1基板支持部の位置調整を行う
示装置の製造方法。
In a manufacturing method of a display device in which a light emitting element bonded to a first substrate is bonded to an adhesive layer formed on a second substrate, and a plurality of light emitting elements are arranged and mounted.
The method of adhering the element adhered to the first substrate to the adhesive layer formed on the second substrate is as follows:
The first substrate and the second substrate are supported by a first substrate support part and a second substrate support part, respectively.
A substrate approaching process to approach,
A parallelizing step of adjusting the first substrate and the second substrate to be parallel based on a measurement value obtained by measuring a distance between the first substrate and the second substrate;
An element adhesion step of adhering the element to the adhesive layer by bringing the first substrate and the second substrate closer to each other while the first substrate and the second substrate are kept parallel to each other ;
Three actuators for raising and lowering the first substrate support in the paralleling step
And a tilting portion having a rotation shaft and a swing shaft that are orthogonal to each other and provided on the distal end side of the movable portion of the actuator, and the actuator is moved up and down by the rotation shaft and the swing shaft. The position of the first substrate support portion is adjusted by allowing the first substrate support portion to rotate and swing.
Manufacturing method of the table shows the device.
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