JP4715301B2 - Element transfer device, element transfer method, and display device manufacturing method - Google Patents
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本発明は、第1基板に形成された接着層に貼り付けられた素子を、第2基板に形成された未硬化樹脂層中に埋没させることで、上記素子を第1基板側から第2基板側に転写する技術において、基板間の平行出しが容易な転写装置、転写方法および表示装置の製造方法に関するものである。 The present invention embeds an element attached to an adhesive layer formed on a first substrate in an uncured resin layer formed on a second substrate, so that the element is connected to the second substrate from the first substrate side. TECHNICAL FIELD The present invention relates to a transfer device, a transfer method, and a display device manufacturing method, in which parallel transfer between substrates is easy.
第1基板に形成された接着層に貼り付けられた素子を、第2基板に形成された未硬化樹脂層中に埋没させることで、上記素子を第1基板側から第2基板側に転写する技術が知られている(例えば、特許文献1、2参照。)。この埋め込み転写技術では、第1基板と第2基板とを極力平行にし、その平行状態を保ったまま第1基板と第2基板とを接近させ、第1基板上の素子のみが第2基板に形成された樹脂層に均等に接触することで、第1基板側から第2基板側に素子が転写される。
The element attached to the adhesive layer formed on the first substrate is embedded in an uncured resin layer formed on the second substrate, thereby transferring the element from the first substrate side to the second substrate side. Techniques are known (see, for example,
このとき、第1基板と第2基板との平行度が悪い等の理由で、第1基板と第2基板とが直接接触すると、第1基板の接着層と第2基板の未硬化樹脂層とが接着し、第1基板と第2基板との分離が困難になる。それを無理に引き剥がすと、第2基板の未硬化樹脂層にダメージを与え、転写品質が著しく悪くなる。 At this time, if the first substrate and the second substrate are in direct contact with each other due to poor parallelism between the first substrate and the second substrate, the adhesive layer of the first substrate and the uncured resin layer of the second substrate Adheres, making it difficult to separate the first substrate from the second substrate. If it is peeled off forcibly, the uncured resin layer of the second substrate will be damaged, and the transfer quality will be remarkably deteriorated.
そのため、埋め込み転写では、第1基板と第2基板とを平行にする平行出し精度が重要となる。 For this reason, in the embedded transfer, it is important to have paralleling accuracy in which the first substrate and the second substrate are parallel to each other.
従来の二つの基板間における平行出しの方法は、基板同士を直接機械的に押し当てて、一方の基板を他方に倣わせて行う方法、又は、2枚の基板の間に、寸法精度の非常に高い球形のスペーサーをはさんで、基板を押し当てて行う方法が採用されていた(例えば、非特許文献1、2参照。)。しかし、直接押し当てる方法は、上述したように不適当である。また球形のスペーサーを挟んで押し当てる方法も、第1基板に対して第2基板の転写エリアのほうが大きい場合には、スペーサーを挿入する場所が無く、やはり不適当である。
The conventional method of parallelism between two substrates is a method in which the substrates are directly pressed against each other so that one substrate follows the other, or the dimensional accuracy between two substrates is extremely high. In other words, a method in which a substrate is pressed between high spherical spacers has been employed (for example, see Non-Patent
解決しようとする問題点は、第1基板に形成された接着層に貼り付けられた素子を、第2基板に形成された未硬化樹脂層中に埋没させることで、上記素子を第1基板側から第2基板側に転写する技術において、第1基板と第2基板とに接触することなく第1基板と第2基板との平行出しができない点である。 The problem to be solved is that the element attached to the adhesive layer formed on the first substrate is buried in an uncured resin layer formed on the second substrate, so that the element is placed on the first substrate side. In the technique of transferring from the first substrate to the second substrate side, the first substrate and the second substrate cannot be paralleled without contacting the first substrate and the second substrate.
本発明の素子転写装置は、第1基板が載置される第1基板支持部と、第1基板に対向
するように配置される第2基板を支持する第2基板支持部と、第1基板と第2基板とが平行になるように、第1基板支持部の位置調整を行うあおり部と、あおり部を支持して移動させる可動ステージと、第1基板と第2基板との間隔を測定する測定部とを備え、あおり部は、3角形の頂点に位置して各々第1基板支持部の昇降動作を行う3個のアクチュエータを有すると共に、アクチュエータの可動部先端側に、互いに直交する回動軸および揺動軸を有し、回動軸および揺動軸により当該アクチュエータの昇降動作に伴う第1基板支持部の回動および揺動を許容して第1基板支持部の位置調整を行うことを特徴とする。
Element transfer apparatus of the present invention includes a first substrate supporting portion where the first substrate is mounted, a second substrate support portion for supporting the second substrate disposed to face the first substrate, the first substrate When such a second substrate is parallel, the tilt unit for adjusting the position of the first substrate supporting portion, a movable stage for moving the Oh cage portion supporting and, the distance between the first substrate and the second substrate And the tilting part has three actuators that are located at the apex of the triangle and each move up and down the first substrate support part, and are orthogonal to each other at the distal end side of the movable part of the actuator. A pivot shaft and a pivot shaft are provided, and the pivot adjustment shaft and the pivot shaft allow the first substrate support portion to rotate and swing as the actuator is moved up and down to adjust the position of the first substrate support portion. It is characterized by performing .
上記素子転写装置では、あおり部を設けたことにより、第1基板の傾きを微調整することにより第2基板に対して第1基板を平行に配置することが可能になる。またあおり部を移動させる可動ステージを設けたことにより、可動ステージ上にあおり部、第1基板支持部を介して支持される第1基板を第2基板直下の所望の位置に移動させることが可能になる。また第1基板と第2基板とに非接触で第1基板と第2基板との間隔を測定する測定部を備えたことにより、双方の基板の対向する面に接着性の層を形成してもその接着性の層に測定部が接触することはない。 In the element transfer apparatus, by providing the tilt portion, the first substrate can be arranged in parallel to the second substrate by finely adjusting the tilt of the first substrate. Further, by providing a movable stage for moving the tilt part, it is possible to move the first substrate supported on the movable stage via the tilt part and the first substrate support part to a desired position directly below the second substrate. become. Further, by providing a measurement unit that measures the distance between the first substrate and the second substrate in a non-contact manner between the first substrate and the second substrate, an adhesive layer is formed on the opposing surfaces of both substrates. However, the measuring part does not come into contact with the adhesive layer.
本発明の素子転写方法は、第1基板に接着された素子を第2基板に形成された接着層
に接着させる素子転写方法であって、第1基板と第2基板とをそれぞれ第1基板支持部と第2基板支持部に支持させ、接近させる基板接近工程と、第1基板と第2基板との間隔を測定した測定値に基づいて第1基板と第2基板とが平行となるように調整する平行出し工程と、第1基板と第2基板との平行が保たれた状態で第1基板と第2基板とを接近させて素子を接着層に接着させる素子接着工程とを備え、平行出し工程において、第1基板支持部の昇降動作を行う3個のアクチュエータを有すると共に、アクチュエータの可動部先端側に設けられた互いに直交する回動軸および揺動軸を有するあおり部を用い、回動軸および揺動軸により、当該アクチュエータの昇降動作に伴う前記第1基板支持部の回動および揺動を許容して前記第1基板支持部の位置調整を行う
ことを特徴とする。
The element transfer method of the present invention is an element transfer method in which an element bonded to a first substrate is bonded to an adhesive layer formed on a second substrate, and the first substrate and the second substrate are respectively supported by the first substrate. parts and is supported by the second substrate supporting unit, and the substrate approaching step of approximating, as the first substrate and on the basis of the measured values obtained by measuring the distance between the first substrate and the second substrate and the second substrate is parallel comprising parallel out step of adjusting, and the first substrate and the element bonding step of bonding the first substrate and the second substrate is brought closer to element in contact adhesive layer in a state where parallel is maintained between the second substrate In the paralleling step, there are three actuators for raising and lowering the first substrate support portion, and a tilt portion having a rotation axis and a swing axis provided at the distal end side of the movable portion of the actuator. , The pivot shaft and the swing shaft And it allows the rotation and swinging of the first substrate supporting portion due to the vertical movement of the motor, characterized in <br/> to perform the positional adjustment of the first substrate supporting section.
上記素子転写方法では、第1基板と第2基板とを接近させた後に、第1基板と第2基板との間隔を測定した測定値に基づいて第1基板と第2基板とが平行となるように調整することにより、第2基板に対して第1基板を平行に配置することが可能になる。したがって、第1基板と第2基板とが非接触状態で第1基板に接着された素子は第2基板に形成された接着層に接着される。 In the element transfer method, after the first substrate and the second substrate are brought close to each other, the first substrate and the second substrate become parallel based on a measurement value obtained by measuring the distance between the first substrate and the second substrate. By adjusting as described above, the first substrate can be arranged in parallel to the second substrate. Therefore, the element bonded to the first substrate in a non-contact state between the first substrate and the second substrate is bonded to the adhesive layer formed on the second substrate.
本発明の表示装置の製造方法では、第1基板に接着された発光素子を第2基板に形成
された接着層に接着させて、複数の発光素子を配列実装する表示装置の製造方法において、第1基板に接着された素子を第2基板に形成された接着層に接着させる方法は、第1基板と第2基板とをそれぞれ第1基板支持部と第2基板支持部に支持させ、接近させる基板接近工程と、第1基板と第2基板との間隔を測定した測定値に基づいて第1基板と第2基板とが平行となるように調整する平行出し工程と、第1基板と第2基板との平行が保たれた状態で第1基板と第2基板とを接近させて素子を接着層に接着させる素子接着工程とを備え、平行出し工程において、第1基板支持部の昇降動作を行う3個のアクチュエータを有すると共に、アクチュエータの可動部先端側に設けられた互いに直交する回動軸および揺動軸を有するあおり部を用い、回動軸および揺動軸により、当該アクチュエータの昇降動作に伴う前記第1基板支持部の回動および揺動を許容して前記第1基板支持部の位置調整を行う
ことを特徴とする。
According to a method for manufacturing a display device of the present invention, in a method for manufacturing a display device in which a plurality of light emitting elements are arranged and mounted by bonding a light emitting element bonded to a first substrate to an adhesive layer formed on a second substrate. In the method of bonding an element bonded to one substrate to an adhesive layer formed on a second substrate , the first substrate and the second substrate are supported by the first substrate support portion and the second substrate support portion, respectively , and are brought close to each other. a substrate approaching step, parallel out step in which the first substrate and on the basis of the measured values obtained by measuring the distance between the first substrate and the second substrate and the second substrate is adjusted to be parallel, and the first substrate and the second and a device bonding process to a state where parallel is maintained with the substrate is brought closer to the first substrate and the second substrate is bonded to the contact adhesive layer element, in parallel-out step, lifting the first substrate supporting section It has three actuators to perform the operation and Using a tilting portion having a rotation axis and a swinging shaft that are orthogonal to each other provided on the distal end side of the moving portion, the first substrate support portion is rotated by the rotation shaft and the swinging shaft as the actuator moves up and down. Further, the position adjustment of the first substrate support portion is performed while allowing the swing .
上記表示装置の製造方法では、本発明の素子転写方法により第1基板に接着された素子を表示装置の基板となる第2基板に接着させることから、上記説明した素子転写方法と同様なる作用が得られる。すなわち、第2基板に対して第1基板を平行に配置することが可能になるので、第1基板と第2基板とが非接触状態で第1基板に接着された素子は第2基板に形成された接着層に接着される。 In the manufacturing method of the display device, since the element bonded to the first substrate by the element transfer method of the present invention is bonded to the second substrate serving as the substrate of the display device, the same operation as the above-described element transfer method is achieved. can get. That is, since the first substrate can be arranged in parallel to the second substrate, the element bonded to the first substrate in a non-contact state between the first substrate and the second substrate is formed on the second substrate. Is adhered to the adhesive layer.
本発明の素子転写装置は、可動ステージを備えたため第1基板を第2基板直下の所望の位置に移動させることが容易にできるようになり、あおり部を備えたため第1基板と第2基板とを平行に配置させることが容易にできるようになり、しかも非接触測定を行う測定部を設けたことにより第1基板と第2基板との距離を非接触で測定することができるようになるので、第1基板に貼り付けられている素子を第2基板側に平行に押し付けることが可能になる。その際、第1基板と第2基板とが平行になっているので、基板同士が接触することがない。このため、第2基板を損傷することなく、第1基板側の素子を第2基板側に押し付けることができるという利点がある。よって、素子の転写技術における歩留りの向上が図れる。 Since the element transfer apparatus according to the present invention includes the movable stage, the first substrate can be easily moved to a desired position directly below the second substrate, and since the tilt portion is provided, the first substrate and the second substrate are provided. Can be easily arranged in parallel, and the distance between the first substrate and the second substrate can be measured in a non-contact manner by providing a measurement unit that performs non-contact measurement. The element attached to the first substrate can be pressed in parallel to the second substrate side. At this time, since the first substrate and the second substrate are parallel, the substrates do not contact each other. For this reason, there is an advantage that the element on the first substrate side can be pressed against the second substrate side without damaging the second substrate. Therefore, the yield in the element transfer technology can be improved.
本発明の素子転写方法は、第1基板と第2基板とを接近させた後に、第1基板と第2基板との間隔を測定した測定値に基づいて第1基板と第2基板とが平行となるように調整するため、第1基板と第2基板とを平行に配置させることが容易にできるようになる。また第1基板と第2基板との平行が保持された状態で、第1基板に貼り付けられている素子を第2基板側に平行に押し付けることが可能になる。その際、第1基板と第2基板とが平行になっているので、基板同士が接触することがない。このため、第2基板を損傷することなく、第1基板側の素子を第2基板側に押し付けることができるという利点がある。よって、素子の転写技術における歩留りの向上が図れる。 In the element transfer method of the present invention, after the first substrate and the second substrate are brought close to each other, the first substrate and the second substrate are parallel to each other based on a measurement value obtained by measuring the distance between the first substrate and the second substrate. Therefore, the first substrate and the second substrate can be easily arranged in parallel. In addition, it is possible to press the element attached to the first substrate in parallel to the second substrate side in a state where the parallelism between the first substrate and the second substrate is maintained. At this time, since the first substrate and the second substrate are parallel, the substrates do not contact each other. For this reason, there is an advantage that the element on the first substrate side can be pressed against the second substrate side without damaging the second substrate. Therefore, the yield in the element transfer technology can be improved.
本発明の表示装置の製造方法は、第1基板側の素子を第2基板側に転写する際に、第1基板と第2基板とが平行に保持されているので、基板同士が接触することがない。このため、第2基板を損傷することなく、第1基板側の素子を第2基板側に押し付けることができるという利点がある。よって、素子の転写技術を用いて表示装置を製造する際の歩留りの向上が図れる。 In the method for manufacturing a display device of the present invention, when the element on the first substrate side is transferred to the second substrate side, the first substrate and the second substrate are held in parallel. There is no. For this reason, there is an advantage that the element on the first substrate side can be pressed against the second substrate side without damaging the second substrate. Therefore, it is possible to improve the yield when manufacturing the display device using the element transfer technique.
素子を搭載している第1基板と素子が転写される側の第2基板とを平行に保持して、第1基板上の素子を第2基板に形成された接着層(例えば未硬化樹脂層)に埋め込むという目的を、測定部で基板間の距離を測定しながらあおり部で基板間の平行を微調整することで実現したものである。その詳細を以下に説明する。 An adhesive layer (for example, an uncured resin layer) formed on the second substrate by holding the element on which the element is mounted in parallel with the second substrate on which the element is transferred is held in parallel. ) Is realized by finely adjusting the parallelism between the substrates at the tilt portion while measuring the distance between the substrates at the measurement portion. Details thereof will be described below.
本発明の素子転写装置に係る一実施の形態の一例を、図1の概略構成図、図2の要部拡大図、図3の平面レイアウト図によって説明する。 An example of one embodiment of the element transfer apparatus of the present invention will be described with reference to the schematic configuration diagram of FIG. 1, the enlarged view of the main part of FIG. 2, and the plan layout diagram of FIG.
図1〜図3に示すように、素子転写装置1は、第1基板51が載置される第1基板支持部11と、上記第1基板51に対向するように配置される第2基板52を支持する第2基板支持部12と、上記第1基板51と上記第2基板52とが平行になるように上記第1基板支持部11の位置調整を行うあおり部21と、上記あおり部21を支持するものでx、y、z、θ方向に移動可能な可動ステージ31と、上記第1基板51と上記第2基板52との間隔を測定する測定部41とを備えたものである。
As shown in FIGS. 1 to 3, the
上記可動ステージ31には、例えば、粗動ステージ32と微動ステージ33とからなる。粗動ステージ32は、基本的には、例えばx、y、z、θ方向に素早く長い距離(例えば数十cm〜2m程度)を移動可能なステージが用いられている。これによって、第1基板51のロード、アンロードおよびタイリング箇所への移動を高速に行うことが可能となっている。また微動ステージ33は、基本的には、例えばx、y、z、θ方向に短い距離(例えば数μm〜数mm程度)を微動可能なステージが用いられている。これによって、アライメント時における高い分解能と高い停止位置精度が実現されている。また、上記粗動ステージ32の動作の一部を上記微動ステージ33の動作に兼ねさせることもできる。例えば上記粗動ステージ32のθ方向の動作を上記微動ステージ33のθ方向の動作に兼ねさせることができる。また、上記微動ステージ33のz方向の動作を後に詳細に説明するあおり部21のZ方向の動作に兼ねさせることもできる。なお、本明細書におけるx方向およびy方向およびz方向は3次元直交座標系における各軸であり、θ方向はz軸周りの回転方向である。
The movable stage 31 includes, for example, a
上記可動ステージ31は、上記あおり部21を介して第1基板51を第2基板52直下の所定の位置まで移動させることが可能になる。したがって、可動ステージ31によって、第1基板51は第2基板52に対して所望の位置に移動することが可能となっている。
The movable stage 31 can move the
上記あおり部21は、上記可動ステージ31に支持されているものであって、上記可動ステージ31によって第2基板52直下の所定位置まで移動させられた第1基板51と、第2基板支持部12に支持されている第2基板52とが平行になるように調整するものである。その機構の詳細を以下に説明する。
The
上記あおり部21は、第2基板52に対して第1基板51を平行に位置させるためのものであって、上記可動ステージ31上に設けられた3個の1軸方向(例えばz軸方向)に昇降可能なアクチュエータ22を備えている。そして上記各アクチュエータ22は、3角形の頂点となる位置に配置されている。通常、基板を支持してその傾きの調整を行うには、その基板を3点で支持することで行うことができる。よって、本実施の形態でも3個のアクチュエータ22により第1基板支持部11を3点で支持している。その支持点は、図3に示すように、第1基板支持部11の中心と中心が一致する正三角形の頂点に位置させることが好ましい。なお、4点以上で支持することもできるが、第1基板支持部11に3点が接触し、残りの1点は接触しない状態もあり得るので、支持点は3点で十分である。また、支持点を第1基板支持部11の中心と中心が一致する正三角形の頂点に位置させることにより、第1基板支持部11を介して第1基板51の傾き調整が行い易くなる。また、微調整の精度を高めるために、図示したように、(第1基板支持部11の下面側(第1基板51が支持される側とは反対側)に第1基板支持部11よりも大きな支持部固定板13が設けられている。この場合には、下記に説明する球面軸受23は、図示したように支持部固定板13の裏面側(第1基板支持部11が固定される側とは反対側)に設けられてもよく、またセンサ部15と重ならない位置ならば、支持部固定板13の表面側(第1基板支持部11がセンサ部15を介して固定される側)に設けてもよい。その際には、上記支持部固定板13に、後に説明する揺動軸28が接触しないように貫通できる孔(図示せず)を設ける必要がある。このように、球面軸受23の取り付け位置は、機構設計上、適宜選択することができる。
The
上記各アクチュエータ22の可動部先端には回動軸受24が設けられ、この回動軸受24は可動ステージ31上に固定された直動軸25に昇降自在に支持されている直動軸受26を備えている。上記回動軸受24には回動軸27が回動自在に支持されていて、この回動軸27の中心には回動軸27に直交する揺動軸28が形成されている。したがって、回動軸27と揺動軸28はT字型に形成されている。上記揺動軸28の先端部は球形に形成され、その球形部29を受ける球面軸受23が上記第1基板支持部11の裏面(第1基板51を支持する面とは反対側の面)に設けられている。図面では前述したように支持部固定板13を設けているので、球面軸受23は支持部固定板13に設置される。
A
上記あおり部21には、第2基板52側に転写される素子55が貼り付けられている第1基板51を支持する第1基板支持部11が搭載されている。また、上記第1基板支持部11上方には、第1基板支持部11に支持される第1基板51と対向するように配置される第2基板52を支持する第2基板支持部12が設けられている。
Mounted on the
なお、上記あおり部21ではアクチュエータ22によってz軸方向に昇降可能となっているので、上記可動ステージ31のZ軸方向の動作を兼用することもできる。この場合には、上記可動ステージ31においてz軸方向の動作機構を省略することができる。
Since the
また、上記第1基板51と上記第2基板52との間隔を測定するための測定部41が、例えば第1基板51上方に備えられ、上記測定部41は、第1基板51と第2基板52との間隔を、第1、第2基板51、52に非接触で測定できる光学的に測定する測定器を用いることが好ましい。例えば、光学式変位計を用いることができる。そのため、例えば第2基板支持部12は測定に用いる光線の波長を透過する材料で形成されているか、または当該光線を通す窓14が形成されている必要がある。この窓14は開口された状態でもよいが、好ましくは透明基材、例えば透明なガラス基板、石英基板等が設けられていることが好ましい。また第2基板52は測定に用いる光線の波長を透過する材料で形成されていることが必要である。
In addition, a measurement unit 41 for measuring the distance between the
上記第1基板支持部11および第2基板支持部12の基板支持方法は、機械的な支持、真空吸着による支持もしくはその他の支持手段であってもよい。要するに、第1基板支持部11は第1基板51が支持固定されるものであればよく、第2基板支持部12は第2基板52が支持固定されるものであればよい。
The substrate support method of the first
上記素子転写装置1には、第1基板支持部11によって第2基板支持部12に支持されている第2基板52に対して第1基板51を所定の位置に位置決めするためのアライメント部45が、例えば第2基板支持部12の上方に設置されている。このアライメント部45は、例えば第2基板52に形成されたアライメントマークに第1基板51に形成されたアライメントマークを一致させるように、上記可動ステージ31を動作させて第2基板52に対して第1基板51をアライメントするものである。
The
上記素子転写装置1では、あおり部21を設けたことにより、第1基板51の傾きを微調整することにより第2基板52に対して第1基板51を平行に配置することが可能になる。またあおり部21を移動させる可動ステージ31を設けたことにより、可動ステージ31上にあおり部21、第1基板支持部11を介して支持される第1基板51を第2基板52直下の所望の位置に移動させることが可能になる。また第1基板51と第2基板52とに非接触で第1基板51と第2基板52との間隔を測定する測定部41を備えたことにより、第1基板51と第2基板52とが対向する面に接着性の層(第1接着層53、第2接着層54)を形成してもその第1接着層53、第2接着層54に測定部41が接触することはない。このような特徴を有する素子転写装置1では、第1基板51に貼り付けられている素子55を第2基板52側に平行に押し付けることが可能になる。その際、第1基板51と第2基板52とが平行になっているので、基板同士が接触することがない。このため、第2基板52を損傷することなく、第1基板51側の素子55を第2基板52側に押し付けることができるという利点がある。よって、素子55の転写技術における歩留りの向上が図れる。
In the
次に、本発明の素子転写方法に係る一実施の形態の一例を、図4のフローチャートにより説明する。なお、本発明の素子転写方法は、上記本発明の素子転写装置1を用いて成される方法である。したがって、上記図1、図2、図3も参照していただきたい。また、以下の説明における各構成部品には上記素子転写装置の説明で示した構成部品の符号を付与した。
Next, an example of an embodiment according to the element transfer method of the present invention will be described with reference to the flowchart of FIG. The element transfer method of the present invention is a method that is performed using the
本発明の素子転写方法は、第1基板51に第1接着層53を介して接着された素子55を第2基板52に形成された接着層54に接着させる素子転写方法であり、第1基板51と第2基板52とを接近させる基板接近工程と、第1基板51と第2基板52との間隔を測定した測定値に基づいて第1基板51と第2基板52とが平行となるように調整する平行出し工程と、第1基板51と第2基板52との平行が保たれた状態で第1基板51と第2基板52とを接近させて素子55を接着層に接着させる素子接着工程とを備えている。以下、具体的に説明する。
The element transfer method of the present invention is an element transfer method in which an
図4に示すように、「基板接近工程」S1を行う。この工程では、まず「第1基板支持工程」S11を行う。この工程では、上記第1基板51を第1基板支持部11に支持させる。この支持方法は、例えば、第1基板51の表面(第1接着層53側)を上にして、第1基板51の裏面を第1基板支持部11側にして、真空吸着または機械的に固定されることにより支持される。また、上記第1基板51には、例えば直径Φ=30mmからΦ200mm(8インチ)程度の基板が用いられる。また、第1基板51表面に形成された第1接着層53に接着された素子55は、例えば3μm〜300μm程度の大きさであり、その高さは3μm〜300μm程度である。また、第1基板51に接着されている個数は10個〜100万個程度である。
As shown in FIG. 4, the “substrate approach step” S1 is performed. In this step, first, a “first substrate support step” S11 is performed. In this step, the
次に「第2基板支持工程」S12を行う。この工程では、上記第2基板52を第2基板支持部12に支持させる。この支持方法は、例えば、第2基板52の表面(第2接着層54側)を下にして、第2基板52の裏面を第2基板支持部12側にして、真空吸着または機械的に固定されることにより支持される。また、上記第2基板52には、例えば直径Φ=50mm(2インチ)から2m四方程度の基板が用いられる。なお、第2基板52は2mシリコン法よりも大きな基板を用いることも可能である。また上記第2基板52の表面には、第2接着層54が形成されている。この第2接着層54は、素子55が接着されている第1接着層53の接着力よりも上記素子55に対して大きな接着力を有する。また、上記第2基板52に形成される第2接着層54は、例えば未硬化樹脂層からなり、この未硬化樹脂層は、例えば、いわゆるタックに強いレジスト膜を、回転塗布法、印刷法、ラミネート法等の成膜方法により形成したものである。なお、「第1基板支持工程」S11と「第2基板支持工程」S12とはどちらを先に行ってもよい。
Next, the “second substrate supporting step” S12 is performed. In this step, the
次に、「アライメント工程」S13を行う。この工程では、上記第1基板51と上記第2基板52とを所定の距離を保って対向させる。具体的には、上記アライメント部45の測定に基づいて上記可動ステージ31を例えばx−y方向およびθ方向に移動させることにより、第1基板51と第2基板52直下の所定の位置に移動させる。さらに、上記可動ステージ31により例えばz方向に移動させることにより、第1基板51を第2基板52に対して所定の距離になるまで接近させる。例えば、第1基板51と第2基板52との間隔を、素子55の高さプラス100μm〜300μm程度まで近づける。
Next, an “alignment step” S13 is performed. In this step, the
次に、「基板間隔測定工程」S14を行う。この工程では、上記第1基板51と上記第2基板52との間隔を測定する。この測定位置は、同一直線上にならないような3箇所で行うことが好ましい。この測定は、測定部41によって測定位置が一直線上にならないように、例えば第1基板51の中心と正三角形の中心とを一致させて、その正三角形の頂点の位置における基板間の距離を測定する。言いかえれば、第1基板51の中心を中心とする円周上の等間隔の3点を測定点とする。また、上記測定においては、測定箇所1箇所に対して、その近傍(測定箇所そのものを含んでも良い)の複数箇所も測定し、それらの平均値をその箇所の値として扱っても良い。
Next, the “substrate interval measuring step” S14 is performed. In this step, the distance between the
次に、「基板間隔判定工程」S15を行う。この工程では、上記第1基板51と上記第2基板52との間隔が基準の範囲内か否かを判定する。
Next, a “substrate interval determining step” S15 is performed. In this step, it is determined whether or not the distance between the
上記「基板間隔判定工程」S15において上記第1基板51と上記第2基板52との間隔が基準の範囲内にない、すなわち「No」と判定された場合には、「基板間隔調整工程」S16を行う。この工程では、第1基板51と第2基板52との間隔が所定の範囲内になるように、上記可動ステージ31によって、もしくは上記あおり部21によって、第1基板51と第2基板52との間隔を調整する。そして、上記「基板間隔測定工程」S14に戻る。再度、基板間隔を測定することで、正確に所望の基板間隔とすることができる。なお、基板間隔の調整時間を短縮する場合には、「基板間隔調整工程」S16を行った後、上記「基板間隔測定工程」S14に戻らず、次工程の「基板平行出し工程」S2を行ってもよい。
If the interval between the
上記「基板間隔判定工程」S15において上記第1基板51と上記第2基板52との間隔が基準の範囲内にある、すなわち「Yes」と判定された場合には、「基板平行出し工程」S2を行う。
If the interval between the
この「基板平行出し工程」S2では、まず「基板間の平行測定工程」S21を行う。この工程では、第1基板51と第2基板52との間隔を測定する。この測定は、測定部41によって測定位置が一直線上にならないように、例えば第1基板51の中心と正三角形の中心とを一致させて、その正三角形の頂点の位置における基板間の距離を測定する。言いかえれば、第1基板51の中心を中心とする円周上の等間隔の3点を測定点とする。また、上記測定においては、測定箇所1箇所に対して、その近傍(測定箇所そのものを含んでも良い)の複数箇所も測定し、それらの平均値をその箇所の値として扱っても良い。
In the “substrate parallel alignment step” S2, first, “a parallel measurement step between substrates” S21 is performed. In this step, the distance between the
次に、「基板間の平行判定工程」S22を行う。この工程では、上記第1基板51と上記第2基板52とが平行となっているか、否かを判定する。その際、完全に平行であることが望ましいが、上記第1基板51と上記第2基板52との平行の度合いが許容の範囲内であれば平行とみなす。
Next, a “parallel determination step between substrates” S22 is performed. In this step, it is determined whether or not the
上記「基板間の平行判定工程」S22で上記第1基板51と上記第2基板52とが平行であるとすることができる範囲内にない、すなわち「No」と判定された場合には、「基板間の平行調整工程」S23を行う。この工程では、上記第1基板51と上記第2基板52とが平行になるように上記第1基板51と上記第2基板52との間隔を調整する。例えば、上記測定部41により測定された3箇所の測定値が全て同じ値、もしくは許容できる誤差範囲内になるように、あおり部21の3軸のアクチュエータ22にて基板間隔の調整を行う。
When it is determined that the
上記「基板間の平行測定工程」S21、「基板間の平行測定工程」S22および「基板間の平行調整工程」S23は、1サイクルを行うだけでもよいが、上記「基板間の平行測定工程」S22において上記第1基板51と上記第2基板52とが平行であると判定されるまで繰り返し行うことがより好ましい。また、基板間の平行出し時間を短縮する場合には、「基板間の平行調整工程」S23を行った後、上記「基板間の平行測定工程」S21に戻らず、次工程の「素子接着工程」S3を行ってもよい。
The “parallel measurement step between substrates” S21, “parallel measurement step between substrates” S22 and “parallel adjustment step between substrates” S23 may be performed only once, but the above “parallel measurement step between substrates”. It is more preferable to repeat the process until it is determined in S22 that the
上記「基板間の平行判定工程」S22で上記第1基板51と上記第2基板52とが平行であるとすることができる範囲内にある、すなわち「Yes」と判定された場合には、「素子接着工程」S3を行う。この工程では、上記第1基板51と上記第2基板52との平行を保持した状態で上記第1基板51と上記第2基板52とを接近させて第1基板51の第1接着層53に接着された素子55を第2基板52に形成された第2接着層54に接着させる。
When it is determined that the
具体的には、まず、「基板第1接近工程」S31を行う。この工程では、第1基板51と第2基板52との間隔が素子55の高さプラス20μm〜100μm程度となるように、第1基板51と第2基板52とを近づける。この動作は、アクチュエータ22によって行ってもよく、または可動ステージ31の微動ステージ33を用いて行ってもよい。
Specifically, first, the “first substrate approach step” S31 is performed. In this step, the
次いで、「精密アライメント工程」S32を行う。この工程では、アライメント部45によって、アライメントマークを確認しながら、x、y、θ方向の精密アライメントを行い、第1基板51に接着されている素子55を第2基板に接着しようとする正確な位置に移動させる。この精密アライメントは可動ステージ31の微動ステージ33を用いて行うことができる。この後、再度上記「基板間隔測定工程」S14〜「基板間隔調整工程」S16を行い、第1基板51と第2基板52との間隔が素子55の高さプラス20μm〜100μm程度となることを確実にしても良いが、通常は、上記「基板第2接近工程」S33を行ってよい。
Next, a “precision alignment step” S32 is performed. In this step, the
その後、「基板第2接近工程」S33を行う。この工程では、第1基板51上の素子55が第2基板52の第2接着層54に接触もしくはその一部が埋め込まれる(例えば、素子55の高さの半分程度まで埋め込まれる)まで、第1基板51を第2基板52側に上昇させる。このとき、第1基板51に形成された第1接着層53と第2基板52に形成された第2接着層54とは接触させない。
Thereafter, the “substrate second approach step” S33 is performed. In this step, until the
次に、「素子接着保持工程」S34を行う。この工程では、上記素子55を上記第2接着層54に接着させた状態を一定時間保持する。例えば、第2基板52側に形成された第2接着層54によって素子55が十分に接着されるまで保持する。ここでいう、十分に接着されるとは、第1基板51に形成された第1接着層53に素子55が接着されている接着力よりも第2基板52に形成された第2接着層54が接着される接着力が大きくなることをいう。これは、未硬化樹脂からなる接着層はある程度の時間が経過することにより硬化されるので、その未硬化樹脂層に接着されている物体に対する接着力は増加することを利用している。
Next, an “element adhesion holding step” S34 is performed. In this step, the state in which the
次に、「基板離間工程」S35を行う。この工程では、上記素子55を上記第2接着層54に接着させた状態で上記第1基板51と上記第2基板52とを素早く引き離して上記素子55から上記第1基板51を引き離す。各接着層の接着力にもよるが、例えば、0.1mm/s以上の速度で引き離す。これによって、第1基板51に接着されていた素子55は第2基板52に形成された第2接着層54に接着される。ここで、第1基板51に形成された第1接着層53の素子55に対する接着力は第2基板52に形成された第2接着層54の素子55に対する接着力よりも弱いことが必要である。例えば、第1基板51に形成される第1接着層53は、第1基板51を移動させた際に素子55が移動しない程度の接着力があれば十分である。第1基板51に形成された第1接着層53によって素子55が第1基板51に強固に接着される必要はない。
Next, a “substrate separation step” S35 is performed. In this step, the
上記素子転写方法は、第1基板51と第2基板52とを接近させた後に、第1基板51と第2基板52との間隔を測定した測定値に基づいて第1基板51と第2基板52とが平行となるように調整するため、第1基板51と第2基板52とを平行に配置させることが容易にできるようになる。また第1基板51と第2基板52との平行が保持された状態で、第1基板51に貼り付けられている素子を第2基板52側に平行に押し付けることが可能になる。その際、第1基板51と第2基板52とが平行になっているので、基板同士が接触することがない。このため、第2基板52を損傷することなく、第1基板51側の素子55を第2基板52側に押し付けることができるという利点がある。よって、素子55の転写技術における歩留りの向上が図れる。
In the element transfer method, after the
上記素子転写方法は繰り返し行うことができる。次に、素子転写方法を繰り返し行う方法を図5、図6のフローチャートによって説明する。 The element transfer method can be repeated. Next, a method of repeatedly performing the element transfer method will be described with reference to the flowcharts of FIGS.
図5に示すように、上記「基板接近工程」S1、上記「平行出し工程」S2および上記「素子接着工程」S3を順に行った後、「第1基板の交換工程」S4(S41)を行う。この工程では、素子転写に用いた第1基板51を、新しい素子55が接着された第1基板51に交換し、上記「基板接近工程」S1、上記「平行出し工程」S2および上記「素子接着工程」S3を順に行って、第2基板52の第2接着層54に先に接着した素子55(551)の接着領域とは異なる領域に新たな素子55(552)を接着する。
As shown in FIG. 5, after performing the “substrate approaching step” S1, the “paralleling step” S2 and the “element bonding step” S3 in order, the “first substrate replacing step” S4 (S41) is performed. . In this step, the
さらに、「第1基板の交換工程」S4(S41)および上記「基板接近工程」S1、上記「平行出し工程」S2、上記「素子接着工程」S3を繰り返し行うことで、第2基板52の広い範囲に素子55の転写を行うことができる。
Further, by repeating the “first substrate exchanging step” S4 (S41) and the “substrate approaching step” S1, the “paralleling step” S2, and the “element bonding step” S3, the
また、図6に示すように、上記「基板接近工程」S1、上記「平行出し工程」S2および上記「素子接着工程」S3を順に行った後、「第1基板の交換工程」S4(S42)を行う。この工程では、先に素子転写に用いた第1基板51に接着されていた素子の位置と異なる位置に新しい素子55(552)が接着された第1基板51に交換する。そして、この新たな第1基板51を用いて、上記「基板接近工程」S1、上記「平行出し工程」S2および上記「素子接着工程」S3を順に行う。これによって、第2基板52の第2接着層54に先に接着した素子55(551)の接着領域において、先に接着した素子55(551)の接着位置とは異なる位置に新たな素子55(552)を接着することができる。すなわち、種類の異なる素子を所定の領域に転写させることができる。
Further, as shown in FIG. 6, after performing the “substrate approaching step” S1, the “paralleling step” S2 and the “element bonding step” S3 in this order, the “first substrate replacing step” S4 (S42). I do. In this step, the
さらに、「第1基板の交換工程」S4(S42)および上記「基板接近工程」S1、上記「平行出し工程」S2、上記「素子接着工程」S3を繰り返し行うことで、第2基板52の所定の領域に複数種類の素子を転写することができる。
Further, the “first substrate replacement step” S4 (S42) and the “substrate approach step” S1, the “paralleling step” S2, and the “element bonding step” S3 are repeatedly performed, whereby the
次に、本発明の表示装置の製造方法について図7の製造工程図により説明する。図7では、第1基板に接着された発光素子を第2基板に形成された接着層に接着させて、複数の発光素子を配列実装する表示装置の製造方法を説明する。具体的には、赤色発光素子55R、緑色発光素子55G、青色発光素子55Bを搭載する表示装置の製造方法を説明する。
Next, the manufacturing method of the display device of the present invention will be described with reference to the manufacturing process diagram of FIG. FIG. 7 illustrates a method for manufacturing a display device in which a light emitting element bonded to a first substrate is bonded to an adhesive layer formed on a second substrate, and a plurality of light emitting elements are arranged and mounted. Specifically, a method for manufacturing a display device on which the red
図7(1)に示すように、第1基板51として、第1接着層53の所定の位置に赤色発光素子55Rが接着されている第1基板51を用いる。次いで、図7(2)に示すように、上記説明した本発明の素子転写方法によって、第1基板51側に接着されている赤色発光素子55Rを第2基板52に形成された第2接着層54に接着転写する。そして、図7(3)に示すように、前記図5によって説明したように、第2基板52の所定の領域全域に赤色発光素子55Rを接着転写させる。
As shown in FIG. 7A, the
次に、図7(4)に示すように、第1基板51として、第1接着層53の所定の位置に緑色発光素子55Gが接着されている第1基板51を用いる。次いで、図7(5)に示すように、上記説明した本発明の素子転写方法によって、第1基板51側に接着されている緑色発光素子55Gを第2基板52に形成された第2接着層54に接着転写する。その際、図7(6)に示すように、前記図6によって説明した方法によって、先に接着した赤色発光素子55Rの接着位置とは異なる所定の位置に新たな緑色発光素子55Gを接着する。そして、図8(7)に示すように、前記図5によって説明した方法によって、第2基板52の所定の領域全域に緑色発光素子55Gを接着転写させる。
Next, as shown in FIG. 7 (4), as the
次に、図8(8)に示すように、第1基板51として、第1接着層53の所定の位置に青色発光素子55Bが接着されている第1基板51を用いる。次いで、図8(9)に示すように、上記説明した本発明の素子転写方法によって、第1基板51側に接着されている青色発光素子55Bを第2基板52に形成された第2接着層54に接着転写する。その際、図7(6)に示すように、前記図6によって説明した方法によって、先に接着した赤色発光素子55Rおよび緑色発光素子55Gの接着位置とは異なる所定の位置に新たな青色発光素子55Bを接着する。そして、図8(7)に示すように、前記図5によって説明した方法によって、第2基板52の所定の領域全域に青色発光素子55Bを接着転写させる。
Next, as shown in FIG. 8 (8), as the
このようにして、表示装置に用いられる各色の発光素子(赤色発光素子55R、緑色発光素子55G、青色発光素子55Bを第1基板51から第2基板52に転写することができた。
In this manner, each color light emitting element (red
本発明の表示装置の製造方法は、第1基板51側の素子55を第2基板52側に転写する際に、第1基板51と第2基板52とが平行に保持されているので、基板同士が接触することがない。このため、第2基板52を損傷することなく、第1基板51側の素子55を第2基板52側に押し付けることができるという利点がある。よって、素子55の転写技術を用いて表示装置を製造する際の歩留りの向上が図れる。
In the manufacturing method of the display device of the present invention, the
1…素子転写装置、11…第1基板支持部、12…第2基板支持部、21…あおり部、31…可動ステージ、41…測定部
DESCRIPTION OF
Claims (14)
前記第1基板に対向するように配置される第2基板を支持する第2基板支持部と、
前記第1基板と前記第2基板とが平行になるように、前記第1基板支持部の位置調整を
行うあおり部と、
前記あおり部を支持して移動させる可動ステージと、
前記第1基板と前記第2基板との間隔を測定する測定部とを備え、
前記あおり部は、3角形の頂点に位置して各々前記第1基板支持部の昇降動作を行う3
個のアクチュエータを有すると共に、前記アクチュエータの可動部先端側に、互いに直交する回動軸および揺動軸を有し、前記回動軸および揺動軸により当該アクチュエータの昇降動作に伴う前記第1基板支持部の回動および揺動を許容して前記第1基板支持部の位置調整を行う
素子転写装置。 A first substrate support on which a first substrate is placed on the surface ;
A second substrate support part for supporting a second substrate disposed to face the first substrate;
A tilt portion for adjusting the position of the first substrate support portion so that the first substrate and the second substrate are parallel to each other;
A movable stage that supports and moves the tilt part;
A measuring unit for measuring a distance between the first substrate and the second substrate ;
The tilt portions are positioned at the apexes of the triangles, and each lifts and lowers the first substrate support portion 3
The first substrate having a plurality of actuators and having a rotating shaft and a swinging shaft orthogonal to each other on the distal end side of the movable portion of the actuator, and accompanying the lifting and lowering operation of the actuator by the rotating shaft and the swinging shaft An element transfer device that adjusts the position of the first substrate support portion while allowing the support portion to rotate and swing .
受ける球面軸受を有するHas a spherical bearing to receive
請求項1記載の素子転写装置。The element transfer apparatus according to claim 1.
請求項2記載の素子転写装置。The element transfer apparatus according to claim 2.
請求項1記載の素子転写装置。 An alignment unit is provided for aligning the first substrate with respect to the second substrate .
Element transfer device 請 Motomeko 1 wherein.
接着させる位置に上昇させる動作と、
前記接着層に前記素子を接着させた状態にして前記素子から前記第1基板を引き離す動
作とを行う
請求項1記載の素子転写装置。 The tilting portion raises the element bonded to the first substrate to a position where the element is bonded to the adhesive layer formed on the second substrate;
It intends rows and operation of separating the first substrate from the device in the state of being bonded to the element to the adhesive layer
Element transfer device 請 Motomeko 1 wherein.
請求項1記載の素子転写装置。 The movable stage that Do from those moving x, y, z, the swinging unit in the θ direction
Element transfer device 請 Motomeko 1 wherein.
前記第1基板に接着された素子を前記第2基板に形成された接着層に接着させる位置に
上昇させる動作と、
前記接着層に前記素子を接着させた状態にして前記素子から前記第1基板は引き離す動
作とを行う
請求項1記載の素子転写装置。 The movable stage is
An operation of raising the element bonded to the first substrate to a position where the element is bonded to an adhesive layer formed on the second substrate;
The first substrate from the device in the state of being bonded to the element to the adhesive layer intends rows and operation for separating
Element transfer device 請 Motomeko 1 wherein.
あって、
前記第1基板と前記第2基板とをそれぞれ第1基板支持部と第2基板支持部に支持させ、
接近させる基板接近工程と、
前記第1基板と前記第2基板との間隔を測定した測定値に基づいて前記第1基板と前記
第2基板とが平行となるように調整する平行出し工程と、
前記第1基板と前記第2基板との平行が保たれた状態で前記第1基板と前記第2基板と
を接近させて前記素子を前記接着層に接着させる素子接着工程とを備え、
前記平行出し工程において、前記第1基板支持部の昇降動作を行う3個のアクチュエー
タを有すると共に、前記アクチュエータの可動部先端側に設けられた互いに直交する回動軸および揺動軸を有するあおり部を用い、前記回動軸および揺動軸により、当該アクチュエータの昇降動作に伴う前記第1基板支持部の回動および揺動を許容して前記第1基板支持部の位置調整を行う
素子転写方法。 An element transfer method for bonding an element bonded to a first substrate to an adhesive layer formed on a second substrate,
The first substrate and the second substrate are supported by a first substrate support part and a second substrate support part, respectively.
A substrate approaching process to approach,
A parallelizing step of adjusting the first substrate and the second substrate to be parallel based on a measurement value obtained by measuring a distance between the first substrate and the second substrate;
An element adhering step of adhering the element to the adhesive layer by bringing the first substrate and the second substrate closer to each other while the first substrate and the second substrate are kept parallel ;
Three actuators for raising and lowering the first substrate support in the paralleling step
And a tilting portion provided on the distal end side of the movable portion of the actuator and having a rotation shaft and a swing shaft that are orthogonal to each other, and the actuator is moved up and down by the rotation shaft and the swing shaft. An element transfer method for adjusting the position of the first substrate support portion while allowing the first substrate support portion to rotate and swing .
前記第1基板と前記第2基板とを所定の距離を保って対向させるアライメント工程と、
前記第1基板と前記第2基板との間隔を測定する基板間隔測定工程と、
前記第1基板と前記第2基板との間隔が基準の範囲内か否かを判定する基板間隔判定工
程と、
前記第1基板と前記第2基板との間隔が所定の範囲内にない場合には、前記第1基板と
前記第2基板との間隔が基準の範囲内になるように前記第1基板と前記第2基板との間隔
を調整して、前記基板間隔測定工程に戻る基板間調整工程とを備えた
請求項8記載の素子転写方法。 The substrate approach step includes
An alignment step in which the first substrate and the second substrate are opposed to each other while maintaining a predetermined distance;
A substrate interval measuring step for measuring an interval between the first substrate and the second substrate;
A substrate interval determining step for determining whether or not an interval between the first substrate and the second substrate is within a reference range;
When the interval between the first substrate and the second substrate is not within a predetermined range, the first substrate and the second substrate are set such that the interval between the first substrate and the second substrate is within a reference range. by adjusting the distance between the second substrate, and a substrate gap adjusting step of returning to the substrate gap measuring step
請 Motomeko 8 device transferring method according.
前記第1基板と前記第2基板とを平行に調整する基板平行出し工程と、
前記第1基板と前記第2基板との間隔を測定する基板間の平行測定工程と、
前記第1基板と前記第2基板とが平行か否かを判定する基板間の平行判定工程と、
前記第1基板と前記第2基板とが平行と許容できる範囲内にない場合には、前記第1基
板と前記第2基板とが平行になるように前記第1基板と前記第2基板との間隔を調整して、前記基板間の平行測定工程に戻る基板間の平行調整工程とを備えた
請求項8記載の素子転写方法。 The paralleling step includes
A substrate paralleling step of adjusting the first substrate and the second substrate in parallel;
A parallel measurement step between the substrates for measuring the distance between the first substrate and the second substrate;
A parallel determination step between the substrates for determining whether or not the first substrate and the second substrate are parallel;
When the first substrate and the second substrate are not within the allowable range of being parallel, the first substrate and the second substrate are arranged so that the first substrate and the second substrate are parallel to each other. A parallel adjustment step between the substrates that adjusts the interval and returns to the parallel measurement step between the substrates .
請 Motomeko 8 device transferring method according.
前記素子を前記接着層に接着させた状態を保持する素子接着保持工程と、
前記素子を前記接着層に接着させた状態で前記第1基板と前記第2基板とを引き離して
前記素子から前記第1基板を引き離す基板離間工程とを備えた
請求項8記載の素子転写方法。 After the element bonding step,
An element bonding holding step for holding the element bonded to the adhesive layer;
A substrate separation step of separating the first substrate from the element by separating the first substrate and the second substrate in a state where the element is adhered to the adhesive layer .
請 Motomeko 8 device transferring method according.
前記第1基板を新たな素子が接着された第1基板に交換する工程を行い、
その後、前記基板接近工程と、前記平行出し工程と、前記素子接着工程とを行って、前 記新たな素子を前記第2基板の別の位置に接着させる
請求項8記載の素子転写方法。 After adhering the element bonded to the first substrate to the adhesive layer formed on the second substrate,
A step of replacing the first substrate with a first substrate to which a new element is bonded;
Then, it said substrate approaching step, the parallel out step, performed with the device bonding process, Ru to adhere the pre SL new element to a different position of the second substrate
請 Motomeko 8 device transferring method according.
前記第1基板を新たな素子が接着された第1基板に交換する工程を行い、
その後、前記基板接近工程と、前記平行出し工程と、前記素子接着工程とを行って、
前記新たな素子を前記第2基板の別の位置に接着させることを複数回繰り返す
請求項12記載の素子転写方法。 After adhering the element bonded to the first substrate to the adhesive layer formed on the second substrate,
A step of replacing the first substrate with a first substrate to which a new element is bonded;
Thereafter, the substrate approaching step, the paralleling step, and the element bonding step are performed,
To repeat a plurality of times to adhere the new element to a different position of the second substrate
請 Motomeko 12 device transferring method according.
第1基板に接着された素子を第2基板に形成された接着層に接着させる方法は、
前記第1基板と前記第2基板とをそれぞれ第1基板支持部と第2基板支持部に支持させ、
接近させる基板接近工程と、
前記第1基板と前記第2基板との間隔を測定した測定値に基づいて前記第1基板と前記
第2基板とが平行となるように調整する平行出し工程と、
前記第1基板と前記第2基板との平行が保たれた状態で前記第1基板と前記第2基板と
を接近させて前記素子を前記接着層に接着させる素子接着工程とを備え、
前記平行出し工程において、前記第1基板支持部の昇降動作を行う3個のアクチュエー
タを有すると共に、前記アクチュエータの可動部先端側に設けられた互いに直交する回動軸および揺動軸を有するあおり部を用い、前記回動軸および揺動軸により、当該アクチュエータの昇降動作に伴う前記第1基板支持部の回動および揺動を許容して前記第1基板支持部の位置調整を行う
表示装置の製造方法。 In a manufacturing method of a display device in which a light emitting element bonded to a first substrate is bonded to an adhesive layer formed on a second substrate, and a plurality of light emitting elements are arranged and mounted.
The method of adhering the element adhered to the first substrate to the adhesive layer formed on the second substrate is as follows:
The first substrate and the second substrate are supported by a first substrate support part and a second substrate support part, respectively.
A substrate approaching process to approach,
A parallelizing step of adjusting the first substrate and the second substrate to be parallel based on a measurement value obtained by measuring a distance between the first substrate and the second substrate;
An element adhesion step of adhering the element to the adhesive layer by bringing the first substrate and the second substrate closer to each other while the first substrate and the second substrate are kept parallel to each other ;
Three actuators for raising and lowering the first substrate support in the paralleling step
And a tilting portion having a rotation shaft and a swing shaft that are orthogonal to each other and provided on the distal end side of the movable portion of the actuator, and the actuator is moved up and down by the rotation shaft and the swing shaft. The position of the first substrate support portion is adjusted by allowing the first substrate support portion to rotate and swing.
Manufacturing method of the table shows the device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005147659A JP4715301B2 (en) | 2005-05-20 | 2005-05-20 | Element transfer device, element transfer method, and display device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005147659A JP4715301B2 (en) | 2005-05-20 | 2005-05-20 | Element transfer device, element transfer method, and display device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006324550A JP2006324550A (en) | 2006-11-30 |
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ID=37543989
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005147659A Active JP4715301B2 (en) | 2005-05-20 | 2005-05-20 | Element transfer device, element transfer method, and display device manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4715301B2 (en) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5914868B2 (en) * | 2013-05-22 | 2016-05-11 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Component mounting equipment |
CN104185384B (en) * | 2013-05-22 | 2017-07-25 | 松下知识产权经营株式会社 | The installation method and erecting device of installing component |
TWI601225B (en) * | 2013-10-07 | 2017-10-01 | 晶元光電股份有限公司 | Light-emitting diode assembly and manufacturing method thereof |
US10249525B2 (en) * | 2016-10-03 | 2019-04-02 | Applied Materials, Inc. | Dynamic leveling process heater lift |
KR102076904B1 (en) * | 2018-03-16 | 2020-02-12 | 한국광기술원 | Led transfer tool |
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-
2005
- 2005-05-20 JP JP2005147659A patent/JP4715301B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006324550A (en) | 2006-11-30 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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A521 | Written amendment |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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