JP4754587B2 - Mtf測定方法及びmtf測定装置 - Google Patents
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Description
また、MTF測定において走査される所定の画素範囲が、エッジの傾斜角に対応付けられ、画素配置の一つの方向を主走査方向とし該主走査方向に直交する方向を副走査方向とした際に、所定の画素範囲における主走査方向の画素範囲が、傾斜エッジが副走査方向に略1画素分だけ変位するのに要する主走査方向の画素の変位数となる画素範囲であって、欠陥画素の主走査方向に沿って両側に隣接する正常画素の画素値を用いて欠陥画素の画素値を補正し、MTF測定の際に、欠陥画素が補正された画素範囲において、撮像素子の画素配置の主走査方向に対する走査の基本となるサンプリング数が、傾斜エッジが副走査方向に略1画素分だけ変位するのに要する主走査方向の画素の変位数となるように、主走査方向のサンプリング数を求め、次いで、主走査方向に対してはサンリング数をもって1ライン分の走査とするようにして撮像素子に撮影された画像を画素毎にスキャンし、1ライン分のスキャンが終わったら副走査方向に1画素ずつスキャン位置をずらして主走査方向のスキャンを繰り返し、各スキャン位置の画素値を取得することによって、エッジのステップ応答を求め、次いで、ステップ応答を微分することによってインパルス応答を求めて、インパルス応答をフーリエ変換することによってMTFを測定するように構成されているので、MTFの測定に関連つけて適性に欠陥画素を補正できて、精度良く披検レンズのMTF特性を測定できる。
LW(x)=2*PW(x)−PW(x−1)−PW(x+1)・・・(式1)
ExW=(XminW*|LmaxW|+XmaxW*|LminW|)/(|LmaxW|+|LminW|)・・・(式2)
Claims (6)
- 光学像を撮像素子に導くための被検レンズと、
エッジ模様が形成されたチャートと、
複数の光電変換素子が並設されて、前記被検レンズを介して導かれた前記チャート像を光電変換して画像信号を出力する前記撮像素子と、を用い、
前記撮像素子から出力する前記画像信号に基づいて、前記エッジ模様を含む所定の画素範囲を走査し、前記披検レンズの性能を評価するための指標となるMTF(Modulation Transfer Function)を測定するMTF測定方法であって、
前記所定の画素範囲における欠陥画素を検出する画素欠陥検出ステップと、
前記撮像素子に結像された前記エッジ模様のエッジの、前記撮像素子の画素配置方向に対する傾斜角を検出するエッジ傾斜角検出ステップと、
前記欠陥画素の画素値を補正する欠陥画素補正ステップと、
前記欠陥画素補正ステップで補正された画素値を用いて前記MTFを演算するMTF演算ステップと、
を備え、
前記MTF演算ステップにおいて走査される前記所定の画素範囲が、前記エッジの傾斜角に対応付けられ、前記画素配置の一つの方向を主走査方向とし該主走査方向に直交する方向を副走査方向とした際に、前記所定の画素範囲における主走査方向の画素範囲が、前記傾斜エッジが前記副走査方向に略1画素分だけ変位するのに要する前記主走査方向の画素の変位数となる画素範囲であって、
前記欠陥画素補正ステップが、
前記欠陥画素の主走査方向に沿って両側に隣接する正常画素の画素値を用いて、前記欠陥画素の画素値を補正し、
前記MTF演算ステップが、
前記欠陥画素補正ステップで補正された画素範囲において、前記撮像素子の画素配置の主走査方向に対する走査の基本となるサンプリング数が、前記傾斜エッジが前記副走査方向に略1画素分だけ変位するのに要する前記主走査方向の画素の変位数となるように、前記主走査方向のサンプリング数を求め、
次いで、前記主走査方向に対しては前記サンリング数をもって1ライン分の走査とするようにして前記撮像素子に撮影された画像を画素毎にスキャンし、1ライン分のスキャンが終わったら副走査方向に1画素ずつスキャン位置をずらして主走査方向のスキャンを繰り返し、各スキャン位置の画素値を取得することによって、前記エッジのステップ応答を求め、
次いで、前記ステップ応答を微分することによってインパルス応答を求めて、該インパルス応答をフーリエ変換することによって前記MTFを演算する、
ことを特徴とするMTF測定方法。 - 前記エッジ模様のエッジが、前記主走査方向の画素配列における少なくとも3つ以上の画素を横断するように形成され、
前記欠陥画素補正ステップにおいて、前記欠陥画素の前記主走査方向に沿って両側に隣接する正常画素を用い、この両側の正常画素の画素値の平均値を前記欠陥画素の画素値にして補正する、
ことを特徴とする請求項1に記載のMTF測定方法。 - 前記画素欠陥検出ステップによって前記主走査方向に沿って欠陥画素が連続して検出された際に、該連続する欠陥画素の補正を不可とする補正可否判定ステップを備えている、
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のMTF測定方法。 - 光学像を撮像素子に導くための被検レンズと、
エッジ模様が形成されたチャートと、
複数の光電変換素子が並設されて、前記被検レンズを介して導かれた前記チャート像を光電変換して画像信号を出力する前記撮像素子と、を備え、
前記撮像素子から出力する前記画像信号に基づいて、前記エッジ模様を含む所定の画素範囲を走査し、前記披検レンズの性能を評価するための指標となるMTF(Modulation Transfer Function)を測定するMTF測定装置であって、
前記所定の画素範囲における欠陥画素を検出する画素欠陥検出手段と、
前記撮像素子に結像された前記エッジ模様のエッジの、前記撮像素子の画素配置方向に対する傾斜角を検出するエッジ傾斜角検出手段と、
前記欠陥画素の画素値を補正する欠陥画素補正手段と、
前記欠陥画素補正手段で補正された画素値を用いて前記MTFを測定するMTF測定手段と、
を備え、
前記MTF測定手段において走査される前記所定の画素範囲が、前記エッジの傾斜角に対応付けられ、前記画素配置の一つの方向を主走査方向とし該主走査方向に直交する方向を副走査方向とした際に、前記所定の画素範囲における主走査方向の画素範囲が、前記傾斜エッジが前記副走査方向に略1画素分だけ変位するのに要する前記主走査方向の画素の変位数となる画素範囲であって、
前記欠陥画素補正手段が、
前記欠陥画素の主走査方向に沿って両側に隣接する正常画素の画素値を用いて、前記欠陥画素の画素値を補正し、
前記MTF測定手段が、
前記欠陥画素補正手段で補正された画素範囲において、前記撮像素子の画素配置の主走査方向に対する走査の基本となるサンプリング数が、前記傾斜エッジが前記副走査方向に略1画素分だけ変位するのに要する前記主走査方向の画素の変位数となるように、前記主走査方向のサンプリング数を求め、
次いで、前記主走査方向に対しては前記サンリング数をもって1ライン分の走査とするようにして前記撮像素子に撮影された画像を画素毎にスキャンし、1ライン分のスキャンが終わったら副走査方向に1画素ずつスキャン位置をずらして主走査方向のスキャンを繰り返し、各スキャン位置の画素値を取得することによって、前記エッジのステップ応答を求め、
次いで、前記ステップ応答を微分することによってインパルス応答を求めて、該インパルス応答をフーリエ変換することによって前記MTFを測定する、
ように構成されていることを特徴とするMTF測定装置。 - 前記エッジ模様のエッジが、前記主走査方向の画素配列における少なくとも3つ以上の画素を横断するように形成され、
前記欠陥画素補正手段が、前記欠陥画素の前記主走査方向に沿って両側に隣接する正常画素を用い、この両側の正常画素の画素値の平均値を前記欠陥画素の画素値にして補正するように構成されている、
ことを特徴とする請求項4に記載のMTF測定装置。 - 前記画素欠陥検出手段によって前記主走査方向に沿って欠陥画素が連続して検出された際に、該連続する欠陥画素の補正を不可とする補正可否判定手段を備えている、
ことを特徴とする請求項4又は請求項5に記載のMTF測定装置。
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