JP4748190B2 - 駆動トランジスタ制御回路 - Google Patents
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Description
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、より簡単な構成でスイッチングノイズの発生を抑制できる駆動トランジスタ制御回路を提供することにある。
したがって、主駆動トランジスタのターンオン時には小サイズでオン抵抗が高い副駆動トランジスタが先行してオンになり、最初は負荷に僅かな電流が流れた後に主駆動トランジスタがオンする。この過程では、主駆動トランジスタのみでスイッチングを行う場合に比較して、電流が変化する度合いが小さくなる。一方、主駆動トランジスタのターンオフ時には主駆動トランジスタがオフしてから副駆動トランジスタがオフするので、副駆動トランジスタを並列に接続することでターンオフ時の電流変化が増大することも回避できる。これらの作用によりスイッチングノイズの発生を抑制することが可能となる。
一方、主駆動トランジスタのオフ制御指令が与えられると、第2制御トランジスタがオンすることで主駆動トランジスタが最初にオフになり、副駆動トランジスタの制御端子には、オフ電位が第3抵抗素子及び第2抵抗素子を介して伝達される。したがって、それらの時定数分だけ遅れて副駆動トランジスタがオフするようになる。
以下、本発明の第1実施例について図1を参照して説明する。電源+Bとグランドとの間には、負荷1と例えばLD(Laterally Defused)MOSで構成されるNチャネルFET2(主駆動トランジスタ)との直列回路が接続されている。FET2は、パワーMOSFETであり、サイズ(ゲート幅,ゲート長等)が大きなトランジスタとして構成されている。そして、FET2に対して並列にNチャネルMOSFET3(副駆動トランジスタ)が接続されているが、このFET3は、FET2に比較してサイズが小さくオン抵抗が高いトランジスタとなるように構成されている。
尚、以上の構成において、負荷1及びFET2を除いたものが駆動トランジスタ制御回路13を構成しており、駆動トランジスタ制御回路13よりFET3を除いたものが導通制御回路14(導通制御手段)を構成している。
<FET2のターンオン時の動作>
制御指令INがロウレベルを示すと、FET2のオン制御指令となる。この場合、FET8がオフ,FET10がオンになり、FET5のゲート電位が電圧+Bより低下してFET5がオンする。すると、FET3のゲートには、電圧+Bが抵抗素子4を介して印加されるので、抵抗素子4の抵抗値R1とFET3のゲート容量との時定数に応じてゲート電位が緩やかに上昇し、FET3が最初にオンする。それにより負荷2には、高オン抵抗のFET3を介して電流が僅かに通電される。
制御指令INがハイレベルを示すと、FET2のオフ制御指令となる。この場合、FET8がオン,FET10がオフになり、FET5がオフ,FET8がオンする。すると、FET3のゲートは、抵抗素子7を介してグランドに接続されるので、抵抗素子7の抵抗値R3とFET2のゲート容量との時定数に応じてゲート電位が緩やかに下降し、FET2が最初にオフする。
図2は本発明の第2実施例を示すものであり、第1実施例と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分について説明する。第2実施例は、第1実施例の駆動トランジスタ制御回路13を4組用いることで、4つのFET2によりHブリッジ回路を構成し、負荷1に対する通電方向を制御可能とする構成を示す。但し、図2では、それらのうち片側の2つ:駆動トランジスタ制御回路13H,13Lだけ図示しており、FET2HのソースとFET2Lのドレインとが負荷1の一方の端子に共通に接続されている。
上記第2実施例のように構成すれば、負荷1の両側に構成される駆動トランジスタ制御回路13H,13Lにおいて、FET2H,2Lを排他的に、互いに逆となるようにオンさせれば、負荷1に対する通電を双方向に変化させることができ、その場合のスイッチングノイズの発生を抑制できる。
FET2,3を、PチャネルMOSFETとしても良い。また、LDMOS以外のFETでも良いし、FETに限ることなく電圧制御型のトランジスタであれば良く、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)を用いても良い。
各制御用トランジスタについても、Nチャネル,Pチャネルを適宜置き換えても良く、また、これらに関してはバイポーラトランジスタで構成しても良い。
第2実施例の構成をHブリッジ回路とせずとも、図2に示すように駆動トランジスタ制御回路13H,13Lのみを負荷1に接続し、FET2Hのみをオンして負荷1にソース電流を供給し、FET2Lのみをオンして負荷1よりシンク電流を引き出すような駆動回路を構成しても良い。
Claims (2)
- 電源とグランドとの間に、負荷と直列に接続される電圧制御型駆動トランジスタのオンオフを制御する駆動トランジスタ制御回路において、
前記駆動トランジスタを主駆動トランジスタとした場合、前記主駆動トランジスタに並列に接続される当該トランジスタよりも小サイズの副駆動トランジスタと、
前記主駆動トランジスタをオンさせる場合は前記副駆動トランジスタを先にオンさせ、前記主駆動トランジスタをオフさせる場合は前記副駆動トランジスタを後にオフにさせるように制御する導通制御手段とを備え、
前記導通制御手段は、
前記主駆動トランジスタのオン制御指令が与えられると、それに伴い前記副駆動トランジスタ及び前記主駆動トランジスタの制御端子にこれらのトランジスタをオンするための電位を付与する第1制御トランジスタと、
前記主駆動トランジスタのオフ制御指令が与えられると、それに伴い前記主駆動トランジスタ及び前記副駆動トランジスタの制御端子に当該トランジスタをオフするための電位を付与する第2制御トランジスタと、
前記第1制御トランジスタと前記副駆動トランジスタの制御端子との間に接続される第1抵抗素子と、
前記副駆動トランジスタの制御端子と前記主駆動トランジスタの制御端子との間に接続される第2抵抗素子と、
前記主駆動トランジスタの制御端子と前記第2制御トランジスタの前記副駆動トランジスタをオフするための電位を付与する出力端子との間に接続される第3抵抗素子とを備えることを特徴とする駆動トランジスタ制御回路。 - 前記導通制御手段は、前記主駆動トランジスタの制御指令に応じて前記第2制御トランジスタと排他的にオンオフ制御され、前記オン制御指令に応じて前記第1制御トランジスタの制御端子に、当該トランジスタをオンするための電位を付与する第3制御トランジスタを備えることを特徴とする請求項1記載の駆動トランジスタ制御回路。
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