JP4737552B2 - フルオロカーボン膜及びその形成方法 - Google Patents
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Description
但し、混合ガス中に含むことができる上記他のガスの量は、全部のガスの合計量に対する他のガスの割合で表した場合、好ましくは50モル%以下、より好ましくは20モル%以下、さらに好ましくは5モル%以下である。
本発明に係る空隙を備えたフルオロカーボン膜の製造方法は、主に2つのステップからなる。図1は、本発明の基本的なステップを示す図である。
相対的に揮発性の高い成分と相対的に揮発性の低い成分とから構成されるフルオロカーボン膜を形成する工程である。図2(a)は成膜直後(空隙形成前)の膜構造を模式的に示すもので、揮発性の高い成分10と揮発性の低い成分11とで構成されている様子を示している。
本発明における『第1のフッ化炭素ガス』の好ましい例は、炭素数4乃至5の含フッ素化合物、すなわち、分子内に4乃至5個の炭素原子を有すると共にその炭素原子と直接結合したフッ素原子を1個以上有する化合物である。
例えば、炭素数4乃至5のパーフルオロカーボン又は炭素数4乃至5のハイドロフルオロカーボンである。なお、パーフルオロカーボンには飽和パーフルオロカーボンと不飽和パーフルオロカーボンとがある。得られる膜の絶縁性能の観点等から総合評価すると、炭素数4乃至5のハイドロフルオロカーボンよりも炭素数4乃至5のパーフルオロカーボンの方が好ましく、炭素数5の不飽和パーフルオロカーボンがより好ましく、炭素数5の環状不飽和パーフルオロカーボンが最も好ましい。
(a)ヘキサフルオロシクロブテン、ヘキサフルオロ−(1−メチルシクロプロペン)、オクタフルオロシクロペンテン、オクタフルオロ−(1−メチルシクロブテン)及びオクタフルオロ−(1,2−ジメチルシクロプロペン)などの環状不飽和パーフルオロカーボン
(b)ヘキサフルオロ−2−ブチン、ヘキサフルオロ−1−ブチン、オクタフルオロ−1−ペンチン及びオクタフルオロ−2−ペンチン及びヘキサフルオロビニルアセチレンなどの分子内に3重結合を有する直鎖又は分岐の不飽和パーフルオロカーボン
(c)ヘキサフルオロ−1,3−ブタジエン、オクタフルオロ−1,3−ペンタジエン、オクタフルオロ−1,4−ペンタジエン及びオクタフルオロイソプレンなどの分子内に複数の二重結合を有する不飽和パーフルオロカーボン
(d)オクタフルオロ−1−ブテン及びオクタフルオロ−2−ブテンなどの分子内に単数の二重結合を有する直鎖又は分岐の不飽和パーフルオロカーボン
(e)2H−ヘプタフルオロ−2−ブテン、2H−ペンタフルオロ−1,3ブタジエン、1H−ペンタフルオロシクロブテン、3H−ペンタフルオロシクロブテン、2H−ノナフルオロ−2−ペンテン、3H−ノナフルオロ−2−ペンテン、1H−ヘプタフルオロシクロペンテン、3H−ヘプタフルオロシクロペンテン、1H,2H−テトラフルオロシクロブテン、1H,3H−テトラフルオロシクロブテン、1H,2H−ヘキサフルオロシクロペンテン、1H,3H−ヘキサフルオロシクロペンテン、1H,5H−ヘキサフルオロシクロペンテン
などの炭素数4乃至5のハイドロフルオロカーボン
などが挙げられるが、得られる膜の絶縁性の観点から、
(イ)ヘキサフルオロ−2−ブチン、ヘキサフルオロ−1−ブチン、ヘキサフルオロシクロブテン、ヘキサフルオロ−1,3−ブタジエン、ヘキサフルオロ−(1−メチルシクロプロペン)、オクタフルオロ−1−ブテン、オクタフルオロ−2−ブテン、オクタフルオロ−1−ペンチン、オクタフルオロ−2−ペンチン、オクタフルオロ−1,3−ペンタジエン、オクタフルオロ−1,4−ペンタジエン、オクタフルオロシクロペンテン、オクタフルオロイソプレン、ヘキサフルオロビニルアセチレン、オクタフルオロ−1−メチルシクロブテン又はオクタフルオロ−1,2−ジメチルシクロプロペン
が好ましく、
(ロ)オクタフルオロ−2−ペンチン、オクタフルオロ−1,3−ペンタジエン又はオクタフルオロシクロペンテン
がより好ましく、
(ハ)オクタフルオロ−2−ペンチン又はオクタフルオロシクロペンテン
がさらに好ましく、
(ニ)オクタフルオロシクロペンテン
が特に好ましい。
本発明における『第2のフッ化炭素ガス』の好ましい例は、炭素数6乃至12の含フッ素化合物、すなわち、分子内に6乃至12個の炭素原子を有すると共にその炭素原子と直接結合したフッ素原子を1個以上有する化合物である。
例えば、炭素数6乃至12のパーフルオロカーボン又は炭素数6乃至12のハイドロフルオロカーボンである。得られる膜の絶縁性能及び強度の観点から総合評価すると、炭素数6乃至12のハイドロフルオロカーボンよりも炭素数6乃至12のパーフルオロカーボンの方が好ましく、炭素数6乃至8の不飽和パーフルオロカーボンがより好ましく、炭素数6乃至8の環状不飽和パーフルオロカーボンが更に好ましく、炭素数6の環状不飽和パーフルオロカーボンが最も好ましい。
なお、上記環状不飽和パーフルオロカーボンとしては、芳香族パーフルオロカーボンが好適に用いられる。
(f)ヘキサフルオロベンゼン、オクタフルオロトルエン、デカフルオロ−o−キシレン、デカフルオロ−m−キシレン、デカフルオロ−p−キシレン、オクタフルオロスチレン、ノナフルオロ−1,3,5−トリメチルベンゼン、オクタフルオロナフタレン、などの芳香族パーフルオロカーボン
(g)ドデカフルオロ−1−ヘキセン、ドデカフルオロ−2−ヘキセン、ドデカフルオロ−3−ヘキセン、ウンデカフルオロ−1−ヘプテン、ウンデカフルオロ−2−ヘプテン及びウンデカフルオロ−3−ヘプテンなどの分子内に単数の二重結合を有する直鎖又は分岐の不飽和パーフルオロカーボン
(h)デカフルオロシクロヘキセン及びドデカフルオロシクロヘプテンなどの分子内に単数の二重結合を有する環状不飽和パーフルオロカーボン
(i)デカフルオロ−1,3−ヘキサジエン、デカフルオロ−1,4−ヘキサジエン、デカフルオロ−1,5−ヘキサジエン、デカフルオロ−2,4−ヘキサジエン、オクタフルオロシクロ−1,3−ヘキサジエン及びオクタフルオロシクロ−1,4−ヘキサジエンなどの分子内に複数の二重結合を有する不飽和パーフルオロカーボン
(j)デカフルオロ−2−ヘキシン及びデカフルオロ−3−ヘキシンなどの分子内に3重結合を有する直鎖又は分岐の不飽和パーフルオロカーボン
(k)ペンタフルオロベンゼン、テトラフルオロベンゼン、トリフルオロベンゼン、ベンゾトリフルオリド、ペンタフルオロトルエン、2,3,4,5,6−ペンタフルオロスチレン、1,3,ビス(トリフルオロメチル)ベンゼン、1,4−ビス(トリフルオロメチル)ベンゼン、テトラフルオロナフタレン
などの炭素数6乃至10のハイドロフルオロカーボン
などが挙げられるが、得られる膜の絶縁性能及び強度の関係から、
(ホ)ヘキサフルオロベンゼン、デカフルオロ−o−キシレン、デカフルオロ−m−キシレン、デカフルオロ−p−キシレン
が好ましく、
(ヘ)ヘキサフルオロベンゼン
が特に好ましい。
上記成膜工程の後、揮発性の高い成分を除去することにより、多数の微細な空隙が形成される。図2(b)は、揮発成分10が除去され、内部に多数の空隙Aが形成された様子を示している。
なお、従来、シリコン原子を含有する無機絶縁膜又は有機無機ハイブリッド膜に微細な空隙を形成した、いわゆる『ポーラスシリコン膜』と呼ばれるものが存在していたが、フルオロカーボン膜は元来機械的強度が弱いなどの理由からむしろ緻密性が高いものほど好ましいと考えられていたため、空隙を設けて多孔質化(ポーラス化)するという発想は当業者の常識を覆す逆転の発想であったと考えられる。
超臨界流体は物質に対する浸透性が高いために、堆積したアモルファスカーボン膜の分子レベルの微細な隙間に入り込むことができる。よって、超臨界流体を用いると、揮発成分のみを選択的に除去することができる。
はじめに、本発明に係るフルオロカーボン膜の製造方法の第1ステップであるフルオロカーボン膜形成工程について説明する。このステップは種々の実施形態の全てに共通するものである。
図3は、フルオロカーボン膜の堆積装置の一例を示すシステム図を示している。プラズマ励起化学気相成長装置(PE−CVD:Prasma Enhansed Chemical Vapor Deposition)30は、真空ポンプ31によりチャンバー内が排気される一方、原料ガスがチャンバー内部に導かれる。
このような液体のソース(原料)を用いる場合には、ボンベ、チャンバー側壁及びそれらをつなぐ配管を昇温手段35によって加熱することにより、原料を気化させる。
なお、昇温手段を付加する低蒸気圧系のラインに取り付けるマスフローコントローラ(MFC)36は耐熱仕様のものを用いる。蒸気圧の高いガスの場合、常温常圧で気体であるから特に昇温手段を付加する必要はない。
円筒状のチャンバー40の上部にコイル41が設けられ、マッチング回路42を介して高周波電源43に接続され、プラズマを発生させる。チャンバーの内部はバルブ44を介して接続される真空ポンプ45により常に排気され、所定の圧力に保たれる。
また、チャンバー内部にはガス供給口46が設けられ、ここから原料ガスが導入される。
フルオロカーボン膜を堆積する基板はヒータ(不図示)を内蔵した基板保持台(サセプター)47の上に設置される。
円筒状のチャンバー50の上部(又は周囲)に上部電極51が設けられ、マッチング回路52を介して高周波電源53に接続され、プラズマを発生させる。チャンバーの内部はバルブ54を介して接続される真空ポンプ55により常に排気され、所定の圧力に保たれる。
また、チャンバー内部にはシャワーノズルタイプのガス供給口56が設けられ、ここから原料ガスが導入される。
フルオロカーボン膜を堆積する基板はヒータ(不図示)を内蔵した基板保持台(サセプター)57の上に設置される。
−成膜工程−
原料ガスは、堆積物の揮発性が相対的に高いガス(例えば、C5F8、C4F6、C2F4など)と、堆積物の揮発性が相対的に低いガス(例えば、C6F6、C10F8、C12F10など)とを一定の割合で混合したガスを、反応室内に導入することが必要である。このように、揮発性に差があるすなわち蒸気圧の異なる少なくとも2種類のガスを用いることで、成膜後に空隙を形成することができる。
次に、オクタフルオロシクロペンテンとヘキサフルオロベンゼンとの混合ガスをチャンバー内に導入し、基板上にフルオロカーボン膜の堆積を開始する。
このように、解離度を考慮してプラズマ密度や反応室の圧力やガス流量などの諸条件を最適化すれば、堆積速度や揮発成分の比率、つまり空隙の含有率ひいては比誘電率を調整することが可能である。
但し、フルオロカーボン膜堆積時のチャンバー内圧力があまりに低いと成膜レートが低下して実用的ではなくなる。そのため、原料ガス(ここでは、オクタフルオロシクロペンテンとヘキサフルオロベンゼン)の導入量(流量)を大きくしてプラズマ滞在時間を短くすれば、成膜速度を維持した状態で成膜時の圧力をある程度低下させることが可能となり、結果として膜質の良いフルオロカーボン膜を得ることができる。
図6は、フルオロカーボン膜形成後の空隙形成工程を行うための超臨界流体洗浄装置の構成図である。
超臨界流体のボンベ61はバルブV11を介して高圧ポンプ62に接続され、さらに加熱器63を通り、高圧セル64に導かれる。高圧セルは肉厚が極めて厚い金属製の容器であり、内部に基板Sを設置するための空間65が設けられている。超臨界流体はこの空間65を満たした後、圧力制御バルブV12を通り排出管66より外部に放出される。また、温度制御装置67により高圧セル64及びチャンバーの周囲に設けられた加熱装置68の温度が制御される。
−成膜工程−
内径250mm、高さ450mmの反応チャンバーを備えた誘導結合プラズマ方式のPE−CVD反応器(高周波電源:13.56MHz)を用いて、表1の条件でチャンバー内に設置したシリコン基板にフルオロカーボン膜を堆積させた。
フルオロカーボン膜を堆積させる際のCVD原料ガスとしては、オクタフルオロシクロペンテン、ヘキサフルオロベンゼン及び、両者の混合物を用いた。
−空隙形成工程−
次いで、基板上に堆積したフルオロカーボン膜を、窒素雰囲気下、400℃で1時間の加熱処理を行い、揮発成分を選択的に除去することにより、フルオロカーボン膜に空隙を形成した。
得られたフルオロカーボン膜の、比誘電率κとCVD原料ガス組成との関係を図7(a)に示し、空隙率とCVD原料ガス組成との関係を図7(b)に示す。なお、フルオロカーボン膜の比誘電率κ及び空隙率は一般的な方法(例えば、Jpn.J.Appl.Phys.,Vol43,No.5A(2004),p.2697−2698に記載の方法)で求めた。
逆に、混合比率が80%より大きいと、揮発性ガス(オクタフルオロシクロペンテン)の割合が少なくなるため、空隙の数が少ないために比誘電率が大きくなったものと考えられる。
第1又は第2の実施形態などで説明した方法により、高周波回路用プリント基板の表面に本発明に係るフルオロカーボン膜を形成しておくことにより寄生容量を減らし、高周波特性を向上させることができる。
(第4の実施形態)
−ガス吸着材への応用−
本件発明に係るフルオロカーボン膜は、当初は半導体集積回路の層間絶縁膜として利用することを想定してなされたが、得られた低誘電率膜の多孔質構造を積極的に利用すれば、ガス吸着材としても有用であると考えられる。そこで、以下の実施形態ではこれらについて説明する。
また、他の応用例としては、多孔質或いは低誘電率であることを利用してガス吸着剤や高周波回路用プリント基板の表面被覆材料などに適用できるなど、層間絶縁膜以外の用途もある。
以上のように、本発明の産業上の利用可能性は極めて大きい。
11 揮発性の低い成分
30 プラズマ励起化学気相成長装置
33 第1のボンベ
34 第2のボンベ
35 昇温手段
36,38 マスフローコントローラ
40,50 チャンバー
41 コイル
42,52 マッチング回路
46,56 ガス供給口
61 超臨界流体のボンベ
62 高圧ポンプ
63 加熱器
64 高圧セル
65 空間
67 温度制御装置
81 空隙
82,92,94 フルオロカーボン膜
83 高周波用プリント基板
91 基板(基材)
93 糸
95a,95b 巻芯
S 基板
A 空隙
Claims (12)
- チャンバーの内部に設置した基板上に、第1のフッ化炭素ガスと第2のフッ化炭素ガスとを含む混合ガスを導入し前記基板上にフルオロカーボン膜を堆積する工程(SA1)と、前記フルオロカーボン膜に含まれる揮発成分を選択的に除去することにより前記フルオロカーボン膜に空隙を形成する工程(SA2)とを含むことを特徴とするフルオロカーボン膜の製造方法。
- チャンバーの内部に設置した基板上に、第1のフッ化炭素ガスと第2のフッ化炭素ガスとを含む混合ガスを導入し前記基板上にフルオロカーボン膜を堆積する工程(SA1)と、前記フルオロカーボン膜に含まれる揮発成分を選択的に除去することにより前記フルオロカーボン膜に空隙を形成する工程(SA2)とを含むことを特徴とするフルオロカーボン膜の製造方法であって、
前記第1のフッ化炭素ガスは炭素数4乃至5の含フッ素化合物であると共に、前記第2のフッ化炭素ガスは炭素数6乃至12の含フッ素化合物であることを特徴とするフルオロカーボン膜の製造方法。 - 前記第1のフッ化炭素ガスは、オクタフルオロシクロペンテンであることを特徴とする請求項2記載のフルオロカーボン膜の製造方法。
- 前記第2のフッ化炭素ガスは、ヘキサフルオロベンゼンであることを特徴とする請求項2記載のフルオロカーボン膜の製造方法。
- 前記空隙を形成する工程(SA2)は、超臨界流体により前記フルオロカーボン膜を洗浄する工程を含むことを特徴とする請求項1又は2記載のフルオロカーボン膜の製造方法。
- 前記空隙を形成する工程(SA2)は、前記フルオロカーボン膜を加熱する工程を含むことを特徴とする請求項1又は2記載のフルオロカーボン膜の製造方法。
- 前記チャンバーは内部でプラズマを発生させることができるプラズマ励起チャンバーであることを特徴とする請求項1又は2記載のフルオロカーボン膜の製造方法。
- 前記第1のフッ化炭素ガスは相対的に揮発性が高く、前記第2のフッ化炭素ガスは相対的に揮発性が低いことを特徴とする請求項1又は2記載のフルオロカーボン膜の製造方法。
- 請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載のフルオロカーボン膜の製造方法によって得られたフルオロカーボン膜であって、内部に微細な多数の空隙が設けられ、比誘電率が2以下の範囲にあることを特徴とするフルオロカーボン膜。
- 請求項9記載のフルオロカーボン膜からなる高周波回路用プリント基板用表面被覆材料。
- 請求項9記載のフルオロカーボン膜を含むガス吸着材。
- 請求項9記載のフルオロカーボン膜を、少なくとも一部に用いた電子装置。
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GB0703172D0 (en) * | 2007-02-19 | 2007-03-28 | Pa Knowledge Ltd | Printed circuit boards |
WO2009022718A1 (ja) * | 2007-08-16 | 2009-02-19 | National University Corporation Tohoku University | 層間絶縁膜および配線構造と、それらの製造方法 |
JP5226296B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2013-07-03 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2014103165A (ja) * | 2012-11-16 | 2014-06-05 | Tokyo Electron Ltd | 半導体素子の製造方法、および半導体素子の製造装置 |
KR102096952B1 (ko) * | 2016-05-26 | 2020-04-06 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
CN110678574B (zh) * | 2017-06-02 | 2021-08-17 | Agc株式会社 | 蒸镀用含氟醚组合物、以及带蒸镀膜的物品及其制造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1092804A (ja) * | 1996-09-19 | 1998-04-10 | Sony Corp | 多孔質誘電体膜の製造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3402972B2 (ja) * | 1996-11-14 | 2003-05-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
IL137014A0 (en) * | 1997-12-27 | 2001-06-14 | Tokyo Electron Ltd | Fluorine containing carbon film and method for depositing same |
JP4361625B2 (ja) * | 1998-10-05 | 2009-11-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3436221B2 (ja) * | 1999-03-15 | 2003-08-11 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6524963B1 (en) * | 1999-10-20 | 2003-02-25 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method to improve etching of organic-based, low dielectric constant materials |
US6440878B1 (en) * | 2000-04-03 | 2002-08-27 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method to enhance the adhesion of silicon nitride to low-k fluorinated amorphous carbon using a silicon carbide adhesion promoter layer |
JP2002355977A (ja) * | 2001-02-08 | 2002-12-10 | Canon Inc | 撥液部材、該撥液部材を用いたインクジェットヘッド、それらの製造方法及びインクの供給方法 |
US20040161946A1 (en) * | 2002-06-24 | 2004-08-19 | Hsin-Yi Tsai | Method for fluorocarbon film depositing |
US20040006249A1 (en) * | 2002-07-08 | 2004-01-08 | Showa Denko K.K., Nikon Corporation | Fluorination treatment apparatus, process for producing fluorination treated substance, and fluorination treated substance |
US7098149B2 (en) * | 2003-03-04 | 2006-08-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Mechanical enhancement of dense and porous organosilicate materials by UV exposure |
EP1655772B1 (en) * | 2003-08-15 | 2011-09-28 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device and gas for plasma cvd |
US7041608B2 (en) * | 2004-02-06 | 2006-05-09 | Eastman Kodak Company | Providing fluorocarbon layers on conductive electrodes in making electronic devices such as OLED devices |
US7132374B2 (en) * | 2004-08-17 | 2006-11-07 | Cecilia Y. Mak | Method for depositing porous films |
-
2004
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1092804A (ja) * | 1996-09-19 | 1998-04-10 | Sony Corp | 多孔質誘電体膜の製造方法 |
Also Published As
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