JP4732168B2 - 炭酸ガス吸収体及びその製造方法 - Google Patents
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Description
主として数平均分子量が2000以上200000以下である易被カルボニル化樹脂及びテトラフルオロボレート又はヘキサフルオロホスフェートのリチウム塩又は第4級アンモニウム塩であるカルボニル化触媒からなる二次電池又は蓄電池用炭酸ガス吸収体である。そして、本発明のもう一つの発明は、易被カルボニル化樹脂を有機溶媒に溶解した易被カルボニル化樹脂溶液に、テトラフルオロボレート又はヘキサフルオロホスフェートのリチウム塩又は第4級アンモニウム塩であるカルボニル化触媒を分散させ、溶解し、次いで有機溶媒を除去することを特徴とする炭酸ガス吸収体の製造方法である。
攪拌器、温度計及び蒸留塔を装着した内容積100ミリリットル(mL)の三ツ口フラスコにポリグリシジルビニルエーテル(数平均分子量3000)2gを取り、テトラヒドロフラン30gを添加して40℃で溶解した。得られた溶液に、トリオクチルメチルアンモニウムクロリド0.2gを加え、30℃で攪拌し均一に分散させた(ポリグリシジルビニルエーテル中のエポキシ基1モルに対し0.02モル)。系内を7Torr(0.93kPa)まで減圧し、テトラヒドロフランを蒸発除去した。テトラヒドロフランの蒸発が観測されなくなった後、さらに40℃、7Torrで5時間乾燥して、炭酸ガス吸収体を得た。
ポリグリシジルビニルエーテルに代えてポリグリシジルアクリレート(数平均分子量4200)を使用する以外は実施例1と同様にして炭酸ガス吸収体を得た。得られた炭酸ガス吸収体について実施例1と同様にして炭酸ガスの吸収を調べたところ、ポリグリシジルアクリレートが有するエポキシ官能基の31%がカルボニル化されていた。これにより実施例2で得た炭酸ガス吸収体は炭酸ガスを吸収したことがわかる。
トリオクチルメチルアンモニウムクロリドに代えてテトラブチルアンモニウムブロミドを使用する以外は実施例2と同様にして炭酸ガス吸収体を得た。得られた炭酸ガス吸収体について実施例1と同様にして炭酸ガスの吸収を調べたところ、ポリグリシジルアクリレートが有するエポキシ官能基の34%がカルボニル化されていた。これにより実施例3で得た炭酸ガス吸収体は炭酸ガスを吸収したことがわかる。
トリオクチルメチルアンモニウムクロリドに代えてテトラブチルアンモニウムテトラフルオロボレートを使用する以外は実施例2と同様にして炭酸ガス吸収体を得た。得られた炭酸ガス吸収体について実施例1と同様にして炭酸ガスの吸収を調べたところ、ポリグリシジルアクリレートが有するエポキシ官能基の32%がカルボニル化されていた。これにより実施例4で得た炭酸ガス吸収体は炭酸ガスを吸収したことがわかる。
トリオクチルメチルアンモニウムクロリドに代えてテトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェートを使用する以外は実施例2と同様にして炭酸ガス吸収体を得た。得られた炭酸ガス吸収体について実施例1と同様にして炭酸ガスの吸収を調べたところ、ポリグリシジルアクリレートが有するエポキシ官能基の26%がカルボニル化されていた。これにより実施例5で得た炭酸ガス吸収体は炭酸ガスを吸収したことがわかる。
トリオクチルメチルアンモニウムクロリドに代えて臭化リチウムを使用する以外は実施例2と同様にして炭酸ガス吸収体を得た。得られた炭酸ガス吸収体について実施例1と同様にして炭酸ガスの吸収を調べたところ、ポリグリシジルアクリレートが有するエポキシ官能基の41%がカルボニル化されていた。これにより実施例6で得た炭酸ガス吸収体は炭酸ガスを吸収したことがわかる。
トリオクチルメチルアンモニウムクロリドに代えてリチウムテトラフルオロボレートを使用する以外は実施例1と同様にして炭酸ガス吸収体を得た。得られた炭酸ガス吸収体について実施例1と同様にして炭酸ガスの吸収を調べたところ、ポリグリシジルビニルエーテルが有するエポキシ官能基の33%がカルボニル化されていた。これにより実施例7で得た炭酸ガス吸収体は炭酸ガスを吸収したことがわかる。
トリオクチルメチルアンモニウムクロリドに代えてリチウムヘキサフルオロホスフェートを使用する以外は実施例1と同様にして炭酸ガス吸収体を得た。得られた炭酸ガス吸収体について実施例1と同様にして炭酸ガスの吸収を調べたところ、ポリグリシジルビニルエーテルが有するエポキシ官能基の27%がカルボニル化されていた。これにより実施例8で得た炭酸ガス吸収体は炭酸ガスを吸収したことがわかる。
ポリグリシジルエーテルに代えてポリエポキシ化シスポリイソプレン(数平均分子量10000)を使用する以外は実施例1と同様にして炭酸ガス吸収体を得た。得られた炭酸ガス吸収体について実施例1と同様にして炭酸ガスの吸収を調べたところ、ポリエポキシ化ポリイソプレンが有するエポキシ官能基の19%がカルボニル化されていた。これにより実施例9で得た炭酸ガス吸収体は炭酸ガスを吸収したことがわかる。
ポリグリシジルエーテルに代えてポリグリシジルメタアクリレート(数平均分子量40000)を使用し、トリオクチルメチルアンモニウムクロリドに代えてリチウムヘキサフルオロホスフェートを使用する以外は実施例1と同様にして炭酸ガス吸収体を得た。得られた炭酸ガス吸収体について実施例1と同様にして炭酸ガスの吸収を調べたところ、ポリグリシジルメタアクリレートが有するエポキシ官能基の21%がカルボニル化されていた。これにより実施例10で得た炭酸ガス吸収体は炭酸ガスを吸収したことがわかる。
Claims (4)
- 主として数平均分子量が2000以上200000以下である易被カルボニル化樹脂及びテトラフルオロボレート又はヘキサフルオロホスフェートのリチウム塩又は第4級アンモニウム塩であるカルボニル化触媒からなる二次電池又は蓄電池用炭酸ガス吸収体。
- 該易被カルボニル化樹脂がポリグリシジルアクリレート、ポリグリシジルメタアクリレート又はポリグリシジルビニルエーテルである請求項1に記載の炭酸ガス吸収体。
- 請求項1又は2に記載の炭酸ガス吸収体の製造方法であって、易被カルボニル化樹脂を有機溶媒に溶解した易被カルボニル化樹脂溶液に、テトラフルオロボレート又はヘキサフルオロホスフェートのリチウム塩又は第4級アンモニウム塩であるカルボニル化触媒を分散させ、溶解し、次いで有機溶媒を除去することを特徴とする炭酸ガス吸収体の製造方法。
- 請求項1又は2に記載の炭酸ガス吸収体を用いた二次電池又は蓄電池。
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