JP4729303B2 - リバースエンジニアリングに対する防御を有する集積回路 - Google Patents
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Description
半導体基板;
前記基板に注入された領域;
前記注入された領域につなげられた金属層であって、平面図では前記注入された領域に電気的に結合されているように見える金属層;および
前記注入された領域と前記金属層の間に設けられた誘電層であって、それにより前記注入された領域から前記金属層を絶縁する誘電層;
を有する偽装された回路構造であって、
前記平面図で見たとき、前記誘電層は、当該回路構造の特徴によって前記誘電層が少なくとも部分的に隠される寸法を有することを特徴とする偽装された回路構造である。
半導体基板;
前記基板内の活性領域;
前記活性領域につなげられた導電層であって、平面図では制御電圧の印加によって前記活性領域を通る電気伝導に寄与するため配置されているように見える導電層;
前記導電性層とつなげられた制御電極であって、平面図では前記導電性層と電気的に接続しているように見える制御電極;および
前記導電性層と前記制御電極の間に設けられた少なくとも1の誘電層であって、前記制御電極への制御電圧の印加に応じて前記活性領域を通る電気伝導の寄与から、前記導電性層を意図的に離している誘電層;
を有することを特徴とする偽装された回路構造である。
少なくとも1の導電性接触を活性領域と結び付けるステップ;および
妨害絶縁層を挿入することにより、前記少なくとも1の導電性接触と前記活性領域の間の電気的伝導を防止するステップ;
を有するリバースエンジニアリングを阻止する方法である。
基板内に設けられた活性領域;
前記活性領域の少なくとも一部を蔽うように設けられた絶縁性の非電気導電層;
前記活性領域の少なくとも一部を蔽うように設けられた前記絶縁性の非電気導電層の少なくとも一部を蔽うように設けられたポリシリコン層であって、前記絶縁性の非電気導電層は前記ポリシリコン層を前記活性領域から電気的に絶縁しているポリシリコン層;および
前記ポリシリコン層と電気的に共有化され、前記活性領域から電気的に分離されている金属層;
を有する擬似トランジスタであって、
前記絶縁性の非電気導電層、前記ポリシリコン層および前記金属層の各々は、平面図で見たとき、前記金属層が前記活性領域と電気的に共有化されているように見える寸法を有することを特徴とする擬似トランジスタである。
金属層;
第1のポリシリコン層;
少なくとも前記金属層と前記第1のポリシリコン層との間に設けられた第2のポリシリコン層;および
少なくとも前記第1のポリシリコン層と前記第2のポリシリコン層との間に設けられた絶縁性の非電気導電層;
を有する動作しない半導体ゲート接触である。
基板内に活性領域を注入するステップ;
前記活性領域の少なくとも一部を蔽う誘電層を設けるステップ;および
前記誘電層を蔽う金属層を設けるステップ;
を有する擬似トランジスタを製造する方法であって、
前記誘電層は前記活性領域と前記金属層との間の電気的な接続を妨げることを特徴とする擬似トランジスタを製造する方法である。
域を通る電気伝導に影響されることを防止する。
基板内に活性領域を注入するステップ;
前記活性領域に導電性層をつなげるステップ;
前記導電性層を蔽う誘電層を形成するステップ;および
前記活性領域とつなげられた制御電極を提供するステップ;
を有する、リバースエンジニアを混同させる方法であって、
前記誘電層は、前記導電性層への、前記制御電極への制御電圧の印加に応じて前記活性領域を通る電気伝導の寄与を妨げることを特徴とする、リバースエンジニアを混同させる方法である。
Claims (6)
- リバースエンジニアリングを阻止する回路構造であって、
半導体基板;
前記基板内の活性領域;
第1のポリシリコン層を有する導電層であって、前記活性領域と前記導電層の間にゲート酸化物層を導入することにより、前記活性領域に関連付けられた導電層;
前記導電層の上部に形成された金属プラグを有する制御電極;
前記導電層と前記制御電極の間に設けられた酸化層を有する少なくとも1つの誘電層であって、前記制御電極への制御電圧の印加に応じて前記活性領域を通る電気伝導の寄与から、前記導電層を意図的に離している少なくとも1つの誘電層;および
前記少なくとも一つの誘電層の上部に設置された第2のポリシリコン層であって、前記制御電極の金属プラグの底部に接する第2のポリシリコン層;
を有することを特徴とする回路構造。 - 前記半導体基板の通常表面と平行な方向における前記第2のポリシリコン層の断面は、プロセスの位置合わせ許容誤差の範囲内で、同方向における前記金属プラグの断面と同じ寸法であることを特徴とする請求項1に記載の回路構造。
- 前記活性領域は、「オフ」の導電状態に設定されたゲート領域であることを特徴とする請求項1または2に記載の回路構造。
- リバースエンジニアリングを阻止するための回路構造を製造する方法であって、
活性領域を設けるステップ;
前記活性領域との間にゲート酸化物層を介在させることにより、前記活性領域に対応する第1のポリシリコン層を設置するステップ;
前記第1のポリシリコン層の上部に、酸化層を含む妨害絶縁層を提供するステップ;
前記絶縁層の上部に、第2のポリシリコン層を設置するステップ;および
前記第2のポリシリコン層の上部に、金属プラグを有する少なくとも1つの導電性接触を形成するステップ;
を有し、これにより、
前記少なくとも1つの導電性接触と前記第1のポリシリコン層の間の電気的伝導が妨げられることを特徴とする方法。 - 前記第1のポリシリコン層と前記絶縁層の間に、第1のシリサイド層を形成するステップをさらに有することを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記絶縁層は、二酸化珪素であることを特徴とする請求項4に記載の方法。
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