JP4719835B2 - シリカ多孔体結晶の製造方法 - Google Patents
シリカ多孔体結晶の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4719835B2 JP4719835B2 JP2004265859A JP2004265859A JP4719835B2 JP 4719835 B2 JP4719835 B2 JP 4719835B2 JP 2004265859 A JP2004265859 A JP 2004265859A JP 2004265859 A JP2004265859 A JP 2004265859A JP 4719835 B2 JP4719835 B2 JP 4719835B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- porous silica
- bulk body
- container
- small container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B37/00—Compounds having molecular sieve properties but not having base-exchange properties
- C01B37/02—Crystalline silica-polymorphs, e.g. silicalites dealuminated aluminosilicate zeolites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
- C30B7/10—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions by application of pressure, e.g. hydrothermal processes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Silicates, Zeolites, And Molecular Sieves (AREA)
Description
(M1,M21/2)m[AlmSinO2(m+n)]・xH2O
(式中、M1はNa+,K+ 等の1価陽イオン、M2はCa++、Sr++等の2価陽イオンを示し、m≦nであり、xは不定である)
水熱反応によりシリカ多孔体結晶を合成する方法において、
水熱合成容器と、該水熱容器内の一部に配置される小容器と、シリカ多孔体結晶の骨格構成元素の一部または全部の供給源としてのシリカからなるバルク体であって、溶融処理、研磨処理または切削処理から選択される表面平滑化処理を施したものを準備し、
前記水熱合成容器内の一部に前記小容器を入れ、
前記水熱合成容器または前記小容器の底に接触せず、且つ、前記小容器内に少なくとも前記バルク体の一部が存在するように、前記バルク体を固定して珪素の高濃度領域を形成して水熱反応を行うことを特徴とする。
[実施例1]
内径12mm、高さ25mmのテフロン(登録商標)製小容器にバルク体として切断面が滑らかになる(鋭角の部分が存在しない)程度に溶融処理した溶融石英管切片(外径10mm、肉厚1mm、長さ25mm)1.5gを底につかないように固定したものを準備した。この小容器の底にシリカライト種結晶0.01gを入れた。
実施例1と同様の条件で、反応容器を8個セットして合成を行った。その結果、8個の反応容器全てにMFI型のゼオライト単結晶が形成した。
内径12mm、高さ25mmのテフロン(登録商標)製小容器にバルク体として切断したままで切断面を溶融処理していない溶融石英管切片(外径10mm、肉厚1mm、長さ25mm)1.5gを入れたもの(バルク体の一部が小容器底についている)を準備した。
テトラ−n−プロピルアンモニウムヒドロキシド25質量%水溶液 7.27gを蒸留水10.17gで希釈し、これに46%弗化水素酸1.08gを加えた溶液と、バルク体として切断面を溶融処理した溶融石英管切片(外径10mm、肉厚1mm、長さ25mm)1.5gを、耐圧反応容器内に充填し、熱風循環式恒温器中、200℃に240時間保持した。
比較例2と同様の条件で、反応容器を8個セットして合成を行った。その結果、8個の反応容器全てで、結晶が形成せず、石英管のみであった。
内径12mm、高さ25mmのテフロン(登録商標)製小容器にバルク体として切断したままで切断面を溶融処理していない溶融石英管切片(外径10mm、肉厚1mm、長さ25mm)1.5gを底につかないように固定したものを準備した。この小容器の底にシリカライト種結晶0.01gを入れた。
2 小容器
3 バルク体
4 種結晶
5 ストッパー
Claims (4)
- 水熱反応によりシリカ多孔体結晶を合成する方法において、
水熱合成容器と、該水熱容器内の一部に配置される小容器と、シリカ多孔体結晶の骨格構成元素の一部または全部の供給源としてのシリカからなるバルク体であって、溶融処理、研磨処理または切削処理から選択される表面平滑化処理を施したものを準備し、
前記水熱合成容器内の一部に前記小容器を入れ、
前記水熱合成容器または前記小容器の底に接触せず、且つ、前記小容器内に少なくとも前記バルク体の一部が存在するように、前記バルク体を固定して珪素の高濃度領域を形成して水熱反応を行うことを特徴とするシリカ多孔体結晶の製造方法。 - 前記シリカが、石英ガラスであることを特徴とする請求項1記載のシリカ多孔体結晶の製造方法。
- 珪素の高濃度領域にシリカ多孔体種結晶を存在させていることを特徴とする請求項1または2に記載のシリカ多孔体結晶の製造方法。
- 前記水熱合成容器内にフッ素イオンを存在させることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のシリカ多孔体結晶の製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004265859A JP4719835B2 (ja) | 2004-09-13 | 2004-09-13 | シリカ多孔体結晶の製造方法 |
KR1020077005776A KR100893165B1 (ko) | 2004-09-13 | 2005-09-12 | 실리카 다공체 결정의 제조방법 |
US11/662,059 US7763223B2 (en) | 2004-09-13 | 2005-09-12 | Method for manufacturing porous silica crystal |
EP05778555A EP2031102B1 (en) | 2004-09-13 | 2005-09-12 | METHOD FOR Manufacturing porous SILICA CRYSTAL |
CA2580391A CA2580391C (en) | 2004-09-13 | 2005-09-12 | Method for manufacturing porous silica crystal |
PCT/JP2005/016769 WO2006030741A1 (ja) | 2004-09-13 | 2005-09-12 | シリカ多孔体結晶の製造方法 |
CN2005800307752A CN101052753B (zh) | 2004-09-13 | 2005-09-12 | 二氧化硅多孔晶体的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004265859A JP4719835B2 (ja) | 2004-09-13 | 2004-09-13 | シリカ多孔体結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006076866A JP2006076866A (ja) | 2006-03-23 |
JP4719835B2 true JP4719835B2 (ja) | 2011-07-06 |
Family
ID=36059994
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004265859A Expired - Fee Related JP4719835B2 (ja) | 2004-09-13 | 2004-09-13 | シリカ多孔体結晶の製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7763223B2 (ja) |
EP (1) | EP2031102B1 (ja) |
JP (1) | JP4719835B2 (ja) |
KR (1) | KR100893165B1 (ja) |
CN (1) | CN101052753B (ja) |
CA (1) | CA2580391C (ja) |
WO (1) | WO2006030741A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105712356A (zh) * | 2016-01-12 | 2016-06-29 | 西南科技大学 | 一种快速高效功能化改性介孔材料的方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000034188A (ja) * | 1998-07-13 | 2000-02-02 | Japan Chemical Innovation Institute | ミクロ多孔体結晶の製造方法 |
JP2001002410A (ja) * | 1999-06-16 | 2001-01-09 | Japan Chemical Innovation Institute | 結晶性ミクロ多孔体の製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5599520A (en) * | 1994-11-03 | 1997-02-04 | Garces; Juan M. | Synthesis of crystalline porous solids in ammonia |
US6350312B1 (en) * | 1999-03-15 | 2002-02-26 | Memc Electronic Materials, Inc. | Strontium doping of molten silicon for use in crystal growing process |
CN1207447C (zh) * | 2002-07-17 | 2005-06-22 | 刘盛浦 | 光学级低腐蚀隧道密度石英晶体的生长工艺 |
-
2004
- 2004-09-13 JP JP2004265859A patent/JP4719835B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-09-12 US US11/662,059 patent/US7763223B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-12 WO PCT/JP2005/016769 patent/WO2006030741A1/ja active Application Filing
- 2005-09-12 EP EP05778555A patent/EP2031102B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-12 CA CA2580391A patent/CA2580391C/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-12 CN CN2005800307752A patent/CN101052753B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-12 KR KR1020077005776A patent/KR100893165B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000034188A (ja) * | 1998-07-13 | 2000-02-02 | Japan Chemical Innovation Institute | ミクロ多孔体結晶の製造方法 |
JP2001002410A (ja) * | 1999-06-16 | 2001-01-09 | Japan Chemical Innovation Institute | 結晶性ミクロ多孔体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7763223B2 (en) | 2010-07-27 |
KR20070067088A (ko) | 2007-06-27 |
KR100893165B1 (ko) | 2009-04-17 |
CA2580391C (en) | 2011-05-24 |
CA2580391A1 (en) | 2006-03-23 |
WO2006030741A1 (ja) | 2006-03-23 |
JP2006076866A (ja) | 2006-03-23 |
US20070248524A1 (en) | 2007-10-25 |
EP2031102A4 (en) | 2009-03-04 |
EP2031102B1 (en) | 2012-12-19 |
CN101052753B (zh) | 2012-01-04 |
EP2031102A1 (en) | 2009-03-04 |
CN101052753A (zh) | 2007-10-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2361812C2 (ru) | Синтез кристаллов zsm-48 с использованием гетероструктурных затравок, не являющихся zsm-48 | |
KR970704506A (ko) | 분자체 및 이의 제조 방법(molecular sieves and processes for their manufacture) | |
CN106573204A (zh) | 沸石膜、其制备方法及使用了该沸石膜的分离方法 | |
NL8320390A (nl) | Werkwijze en inrichting voor het verkrijgen van silicium uit kiezelfluorwaterstofzuur. | |
US20010012505A1 (en) | Mordenite zeolite membrane and method for producing the same | |
KR101607960B1 (ko) | 편향 방향성을 가지는 mfi 제올라이트의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 편향 방향성을 가지는 mfi 제올라이트 | |
US20040151648A1 (en) | Microporous Crystals And Synthesis Schemes | |
JP4719835B2 (ja) | シリカ多孔体結晶の製造方法 | |
JP2001114510A (ja) | アルコールの効果によるメソ多孔性アルミノケイ酸塩又は純粋シリカモレキュラーシーブの形態の制御 | |
JP2007084422A (ja) | 第13族金属窒化物結晶の製造方法、半導体デバイスの製造方法、およびこれらの製造方法に用いる溶液と融液 | |
Wu et al. | Advances in Chemical Synthesis of Nb-Containing Oxides | |
US11434140B2 (en) | Hierarchical zeolites and preparation method therefor | |
JP4569304B2 (ja) | 周期表第13族金属窒化物結晶の製造方法及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法。 | |
JP4806251B2 (ja) | 酸化触媒及びイオン伝導体並びにその製造方法 | |
JP2004277270A (ja) | メソポーラスシリカの製造方法 | |
JP2004250290A (ja) | ゼオライト配向膜の製造方法およびゼオライト配向膜、並びにその利用 | |
JP2021088482A (ja) | 結晶軸配向ゼオライト膜およびその製造方法 | |
JP3783051B2 (ja) | 結晶性ミクロ多孔体の製造方法 | |
JP2600106B2 (ja) | 表面が平滑なゼオライト構造の無機質結晶性多孔体膜の製造方法 | |
JPS5855315A (ja) | 窒化珪素粉末の製造方法 | |
KR102313138B1 (ko) | 실란합성을 위한 촉매 및 이의 제조방법 | |
JPH0632610A (ja) | A型またはフォージャサイト型ゼオライト膜の製造方法 | |
JPH06157025A (ja) | 膜状合成ゼオライトおよびその製造法 | |
JP3742869B2 (ja) | ミクロ多孔体結晶の製造方法 | |
JP2024504001A (ja) | 表面複製のためのオキシアニオンテンプレート |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070913 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101029 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101222 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110114 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110131 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140415 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4719835 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |