JP4715198B2 - レーザ駆動装置 - Google Patents

レーザ駆動装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4715198B2
JP4715198B2 JP2004375730A JP2004375730A JP4715198B2 JP 4715198 B2 JP4715198 B2 JP 4715198B2 JP 2004375730 A JP2004375730 A JP 2004375730A JP 2004375730 A JP2004375730 A JP 2004375730A JP 4715198 B2 JP4715198 B2 JP 4715198B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
output voltage
voltage
laser
voltage source
source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004375730A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006185997A (ja
Inventor
基 木村
康之 竹下
英隆 児玉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2004375730A priority Critical patent/JP4715198B2/ja
Priority to US11/299,788 priority patent/US7680166B2/en
Priority to TW094144270A priority patent/TWI305693B/zh
Priority to CNB2005101350588A priority patent/CN100524982C/zh
Priority to KR1020050128641A priority patent/KR101241259B1/ko
Publication of JP2006185997A publication Critical patent/JP2006185997A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4715198B2 publication Critical patent/JP4715198B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/06808Stabilisation of laser output parameters by monitoring the electrical laser parameters, e.g. voltage or current
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/125Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
    • G11B7/126Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
    • G11B7/1263Power control during transducing, e.g. by monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters

Description

本発明は、レーザを駆動するレーザ駆動装置及びレーザ駆動方法に関する。
ブルーレイディスクレコーダなどの光ディスク装置には、半導体レーザダイオードを光源とする光ピックアップが用いられており、この光ピックアップにおいて、半導体レーザダイオードはレーザ駆動装置によって駆動される。
半導体レーザダイオードの発光パワーの特性は、個体差、周辺温度、経年変化などにより変動する。図4は半導体レーザダイオードの発光パワーと順方向電圧の特性を示したグラフである。グラフ中太線で示した特性が、半導体レーザダイオードの周辺温度、経年変化等によって細線で示した特性に変動した様子を示している。これに半導体レーザダイオードの個体差が加わり、破線で示す発光パワーで光らせるために必要な電圧は変化してしまう。
図5は、このような特性変動に対応した従来のレーザ駆動装置の構成を示す図である。同図において、6は定電圧源、2は半導体レーザなどのレーザ光源である。7はレーザ駆動回路である。VLDは定電圧源6からレーザ光源2及びレーザ駆動回路7へ供給される一定電圧、ILDは同じく定電圧源6から供給される電流、Vopはレーザ光源2の端子間の電圧、VtcはAPC回路7内のレーザ駆動回路の動作電圧を示す。
ここに次式の関係が成り立つ。
VLD=Vop+Vtc (式1)
レーザ光源2を所望の発光パワーで発光させようとするとき、レーザ駆動回路7はVtc(Vop)及びILDを調整することでレーザ光源2へ供給されるエネルギー(Vop,ILD)を適切に制御する。
しかし、Vopはレーザ光源2の発光パワー、個体差,周辺温度,経年変化等で変動するので、VLDは規定された条件範囲内で最悪条件下でも不足することの無いよう予め余裕を持った電圧に設定する必要があった。このため、逆に通常の条件下ではVLDが過剰な電位となり、結果として Vtcが相対的に上昇し、レーザ駆動回路7で熱エネルギーとして不要な電力を消費する事になり、またこの発熱によってレーザー光源、及び周辺装置の信頼性の低下を招く問題を生じていた。
特許文献1には、レーザ動作電圧レベルを検出し、この検出結果に基づき、レーザ駆動部の消費電力が一定となるように、レーザ駆動部に供給する電源電圧レベルを制御することで、レーザ駆動部の発熱による周囲温度の上昇を抑制し、半導体レーザの電流−光量の特性(I−L特性)の周辺温度による変化を抑制する技術が公開されている。
特開2003−168232号公報
しかしながら、上記従来の技術では、レーザ駆動回路の消費電力を一定に保つ為に、光量(電流)が小さい場合には、電圧がレーザ駆動回路の必要電圧条件を満たしているとしても、更に電圧を上昇させることとなる。すなわち、レーザ駆動回路の消費電力を一定にできる効果を奏し得るものの、電圧がレーザ駆動回路が最低限必要な値に一定化されるものではないため、消費電力を増大させてしまう。したがって、非効率で、発熱が大きくレーザー、及び周辺装置の信頼性の低下を招くという問題は課題として残る。
本発明は、かかる事情を鑑みてなされたもので、レーザ駆動回路を最低限必要な一定の電圧で動作させることができ、消費電力を低減させることのできるレーザ駆動装置及びレーザ駆動方法を提供することを目的としている。
かかる課題を解決するため、本発明に係るレーザ駆動装置は、出力電圧を制御可能な可変出力電圧源と、前記可変出力電圧源に接続されたレーザ光源と、レーザ光源を駆動するレーザ駆動回路と、前記レーザ駆動回路の動作電圧を監視して、この動作電圧が目標値になるように前記可変出力電圧源の出力を制御する監視制御部とを具備することを特徴とする。
本発明では、レーザ駆動回路の動作電圧が目標値となるように可変出力電圧源の出力電圧を制御することによって、レーザ駆動回路をその動作を保証する最低限の一定電圧で動作させることができる。これにより、可変出力電圧源の出力電圧、レーザ光源の端子間電圧が適切な値に保たれ、レーザ駆動回路で熱エネルギーとして無駄に消費されていた電力を低減できる。
また、本発明のレーザ駆動装置において、レーザ駆動回路の動作電圧の目標値が動作状態毎に設けられ、監視制御部は、動作状態を切り替えるとき、レーザ駆動回路の動作電圧が切り替え前の動作状態に対応する目標値になるように求めた可変出力電圧源の出力電圧の設定値を、切り替え後の動作状態ごとに予め設定された変化見積り量で更新するように構成してもよい。
これにより、動作状態の切り替えによる可変出力電圧源の出力電圧の急激な変化に対応しつつ、レーザ駆動回路を各動作状態において最低限必要な一定の電圧で動作させることができる。
また、本発明の別の観点に基づくレーザ駆動方法は、出力電圧を制御可能な可変出力電圧源に接続されたレーザ光源を駆動するレーザ駆動方法であって、レーザ駆動回路の動作電圧を監視し、この監視した動作電圧が目標値になるように可変出力電圧源の出力を制御することを特徴とする。
本発明では、レーザ駆動回路の動作電圧が目標値となるように可変出力電圧源の出力電圧を制御することによって、レーザ駆動回路をその動作を保証する最低限の一定電圧で動作させることができる。これにより、可変出力電圧源の出力電圧、レーザの端子間電圧が適切な値に保たれ、レーザ駆動回路で熱エネルギーとして無駄に消費されていた電力を低減できる。
また、本発明のレーザ駆動方法においては、レーザ駆動回路の動作電圧の目標値が動作状態毎に設けられ、動作状態を切り替えるとき、レーザ駆動回路の動作電圧が切り替え前の動作状態に対応する目標値になるように求めた前記可変出力電圧源の出力電圧の設定値を、切り替え後の動作状態ごとに予め設定された変化見積り量で更新するようにしてもよい。
これにより、動作状態の切り替えによる可変出力電圧源の出力電圧の急激な変化に対応しつつ、レーザ駆動回路を各動作状態において最低限必要な一定の電圧で動作させることができる。
本発明のレーザ駆動装置及びレーザ駆動方法によれば、レーザ駆動回路を最低限必要な一定の電圧で動作させることができ、消費電力を低減させ、発熱による信頼性の低下を防ぐことができる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
図1は本発明の一実施形態に係るレーザ駆動装置の構成を示す図である。
同図に示すように、このレーザ駆動装置は、出力電圧を制御可能な可変出力電圧源1と、半導体レーザダイオードなどのレーザ光源2と、レーザ光源2を駆動するレーザ駆動回路3と、レーザ駆動回路3を制御する発光制御部4と、レーザ駆動回路3の動作電圧Vtcを監視して、これがレーザ駆動回路3の電圧目標である参照電圧Vrfとなるように可変出力電圧源1を制御する監視制御部5とを有している。また、図1において、VLDは可変出力電圧源1の出力電圧、ILDは可変出力電圧源1の出力電流、Vopはレーザ光源2の端子間電圧、Vtcはレーザ駆動回路3の動作電圧である。
上記の可変出力電圧源1は、定電圧源1a、基準電圧源1b、基準電圧源1bの基準電圧と監視制御部5からの制御入力に対応する電圧とを比較するコンパレータ1c、コンパレータ1cの比較結果に基づいて定電圧源1aの出力電圧を制御するPNP型トランジスタ1d、および抵抗器1e,1f,1gなどにより構成される。
上記のレーザ駆動回路3は、例えば、コレクタがレーザ光源2である半導体レーザダイオードのカソードに接続され、エミッタが接地され、ベースに発光制御部4の制御信号が接続されたトランジスタなどで構成される。
上記の発光制御部4は、たとえば、レーザ光源2の光量をフォトディテクターなどによって監視し、この光量が一定になるようにレーザ駆動回路3を制御してレーザ光源2の発光パワーを制御するAPC(Automatic Power Control)回路などで構成される。ただし、本発明において、レーザ駆動回路3はAPC回路を用いたものに限定されるものではない。
上記の監視制御部5は、レーザ駆動回路3の動作電圧Vtcのボトム値を保持するボトムホールド回路5aと、ボトムホールド回路5aに保持された動作電圧Vtcのボトム値をA/D変換するA/Dコンバータ5bと、A/Dコンバータ5bの出力からレーザ駆動回路3の動作電圧Vtcのデータを取得し、この動作電圧Vtcがその電圧目標である参照電圧Vrfとなるように可変出力電圧源1の出力電圧VLDの設定値を求めるCPU5cと、CPU5cで算出された設定値をD/A変換して可変出力電圧源1に制御入力として与えるD/Aコンバータ5dとを備えている。
次に、この実施形態のレーザ駆動装置の動作を説明する。
レーザ光源2が発光しているとき,レーザ光源2の端子間にはVopの電圧がかかっている。この電圧Vopはレーザ光源2の個体差、発光光量、周辺温度、経年変化などの様々な条件で変化するので、この電圧Vopの変化に伴ってレーザ駆動回路3の動作電圧Vtcも変化する。
監視制御部5のCPU5cは、このレーザ駆動回路3の動作電圧Vtcをボトムホールド回路5aおよびA/Dコンバータ5bを通じて入手し、動作電圧Vtcがその電圧目標である参照電圧Vrfとなるように可変出力電圧源1の出力電圧VLDの設定値を算出する。算出された設定値はD/Aコンバータ5dにてアナログ化されて可変出力電圧源1へ制御入力として与えられる。これにより、可変出力電圧源1のコンパレータ1cの非反転入力端子に上記の設定値に対応した制御電圧が加えられ、コンパレータ1cの反転入力端子に与えられた基準電圧源1bの基準電圧との差分がPNP型トランジスタ1dのベースに加えられることで、可変出力電圧源1の出力電圧VLDが制御される。
図2は、監視制御部5による出力電圧VLDの制御の流れを示すフローチャートである。CPU5cは、レーザ駆動回路3の動作電圧Vtcを取得すると、まず、この動作電圧Vtcと電圧目標である参照電圧Vrfと差Vdfを式2により算出する(ステップS201)。
Vdf=Vtc−Vrf (式2)
続いて、この差Vdfから出力電圧VLDの新たな設定値を式3により算出し、この出力電圧VLDの設定値を可変出力電圧源1に制御入力として与える(ステップS202)。
VLD(設定値)=VLD(前回の設定値)−Vdf (式3)
以上の動作は数秒毎に繰り返し実行される。
このように、レーザ駆動回路3の動作電圧Vtcを監視し、この動作電圧Vtcが電圧目標である参照電圧Vrfとなるように可変出力電圧源1の出力電圧VLDを制御することによって、レーザ駆動回路3をその動作を保証する最低限の一定電圧で動作させることができる。これにより、レーザ駆動回路3の動作電圧Vtcと式1の関係にある可変出力電圧源1の出力電圧VLDおよびレーザの端子間電圧Vopが適切な値に保たれ、レーザ駆動回路3で熱エネルギーとして無駄に消費されていた電力を低減できる。また、レーザ駆動回路3をその動作を保証する最低限の電圧で動作させ発熱を低減することで、レーザ駆動回路3、及びレーザ光源2等周辺部品の寿命が向上し、信頼性を高めることができる。
また、本実施形態のレーザ駆動装置は、レーザ駆動回路3の動作電圧Vtcを監視するので、レーザ光源2の端子間電圧Vopを監視して同様の制御を行う場合に比べ、次のような利点を奏し得る。
レーザ光源2の端子間電圧Vopを監視する方法によれば、VLDの絶対値を判定する手段と、Vop及びVLDからVtcを算出する手段、すなわち、CPU5cでの演算や差動電圧出力回路などが必要になるが、本実施形態はVtcを直接監視するので構成が簡素化することができる。
また、レーザ光源2の端子間電圧Vopは発光パワー、温度、経年変化(劣化)などによって変化するので、Vopを監視する方法では、そのレーザ光源2の端子間電圧Vopの変動範囲をモニターできる構成が必要となる。これに対して本実施形態のレーザ駆動装置は、レーザ光源2の端子間電圧Vop、可変出力電圧源1の出力電圧VLDが発光パワー、温度、経年変化(劣化)などによって変化しても、レーザ駆動回路3の動作電圧Vtcの目標値が一定であるため、監視対象となる電圧範囲が狭く、そのだけ構成がシンプルになる。
さらに、レーザ光源2の端子間電圧Vopを監視する方法では、可変出力電圧源1の出力電圧VLDの誤差やコネクタの接触抵抗の影響でVtcが変動するのに対し、レーザ駆動回路3の動作電圧Vtcを監視する方法はそれらの影響を受け難いので、精度の向上を見込める。
また、本実施形態では、レーザ駆動回路3の負荷側電圧であるVtcを直接監視し一定値に保つので,レーザ駆動回路3の諸特性、特に周波数特性の安定化に伴ってレーザのパルス発光特性を安定化させることができる。
なお、この実施形態では、監視制御部5内において、レーザ駆動回路3の動作電圧Vtcがその電圧目標である参照電圧Vrfとなるように可変出力電圧源1の出力電圧VLDの設定値を求める手段としてCPU5cを用いたが、同等の機能をアナログ回路で実現しても構わない。また、監視制御部5内において、レーザ駆動回路3の動作電圧Vtcの検出手段として組みまれたA/Dコンバータ5bは、シンプルなコンパレータにより構成することも可能である。
(他の実施形態)
次に、本発明の他の実施形態として、レーザ光源2の発光パワーの状態を複数有するレーザ駆動装置について説明する。この実施形態のレーザ駆動装置のハードウェアの構成は図1と同じであるため、説明は省略する。
光ディスクに対して記録と再生を行う光ディスク装置の光ピックアップに用いられるレーザ駆動装置では、レーザ光源2の発光パワーの状態が動作状態すなわち記録時と再生時とで異なる。すなわち、記録時と再生時の各動作状態ごとに、レーザ駆動回路3の動作電圧Vtc、レーザ光源2の端子間電圧Vopとして必要な設定値も2つの範囲をもっていることになる。
そこで監視制御部5は、動作状態が記録から再生、あるいは再生から記録に切り替わることの通知を上位のコントローラから受けた場合に、レーザ駆動回路3の電圧目標を基に求めた可変出力電圧源1の出力電圧VLDの設定値を、切り替わり後の動作状態に応じて予め設定された変化見積り量で更新し、可変出力電圧源1に制御入力として与える。
図3は、本実施形態の出力電圧VLDの制御の流れを示すフローチャートである。CPU5cは、次の発行パワーの状態が記録から再生、あるいは再生から記録に切り替わることの通知を上位のコントローラから受けとると、レーザ駆動回路3の動作電圧Vtcを取得し、この動作電圧Vtcと現動作状態での電圧目標である参照電圧Vrfと差Vdfを式2により算出する(ステップS301)。

続いて、この算出された差Vdfと、可変出力電圧源1の出力電圧VLDの前回の設定値、さらには切り替え後の動作状態に対して予め設定された変化見積り量ΔV(記録から再生への変化見積り量、再生から記録への変化見積り量)から、状態を切り替える際の出力電圧VLDの設定値を式4により算出し、この設定値を可変出力電圧源1に制御入力として与える(ステップS302)。
VLD(設定値)=VLD(前回の設定値)−Vdf+ΔV (式4)
これにより、記録と再生との間で動作状態を切り替える際の、可変出力電圧源1の出力電圧VLDの急激な変化に対応しつつ、レーザ駆動回路3を記録と再生の各々の状態で最低限必要な一定の電圧で動作させることができる。
なお、本発明は上記実施の形態に限定されることなく、その要旨を逸脱しない範囲において、具体的な構成、機能、作用、効果において、他の種々の形態によっても実施することができる。
本発明の一実施形態に係るレーザ駆動装置の構成を示す図である。 図1のレーザ駆動装置でのVLD制御の流れを示すフローチャートである。 他の実施形態のレーザ駆動装置でのVLD制御の流れを示すフローチャートである。 半導体レーザダイオードの発光パワーと順方向電圧の特性を示したグラフである。 従来のレーザ駆動装置の構成を示す図である。
符号の説明
1 可変出力電圧源
2 レーザ光源
3 レーザ駆動回路
4 発光制御部
5 監視制御部

Claims (1)

  1. 光ディスク装置の再生及び記録に用いられるレーザ駆動装置であって、
    定電圧源と、基準電圧源と、前記基準電圧源の基準電圧と制御入力に対応する電圧とを比較するコンパレータと、前記コンパレータの比較結果に基づいて前記定電圧源の出力電圧を制御する制御素子とを有し、前記出力電圧を制御可能な可変出力電圧源と、
    前記可変出力電圧源に接続されたレーザ光源と、
    前記レーザ光源を駆動するレーザ駆動回路と、
    前記レーザ駆動回路の動作電圧を監視して、この監視した動作電圧が目標値になるように前記可変出力電圧源に前記制御入力として与える監視制御部とを具備し、
    前記レーザ駆動回路の動作電圧の目標値が動作状態毎に設けられ、
    前記監視制御部は、次の発光パワーの状態が記録から再生、あるいは再生から記録に切り替わることの通知を上位のコントローラから受けると、前記レーザ駆動回路の動作電圧を取得し、この動作電圧と現動作状態での電圧目標である参照電圧と差を算出し、続いて、この算出された差と、前記可変出力電圧源の出力電圧の前回の設定値、さらには切り替え後の動作状態ごとに予め設定された変化見積り量から、状態を切り替える際の出力電圧の設定値を下記式より算出し、この設定値を前記可変出力電圧源に前記制御入力として与える
    VLD(設定値)=VLD(前回の設定値)−Vdf(算出された差)+ΔV(変化見積り量)
    レーザ駆動装置。
JP2004375730A 2004-12-27 2004-12-27 レーザ駆動装置 Expired - Fee Related JP4715198B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004375730A JP4715198B2 (ja) 2004-12-27 2004-12-27 レーザ駆動装置
US11/299,788 US7680166B2 (en) 2004-12-27 2005-12-13 Laser drive, optical disc apparatus, and laser-driving method
TW094144270A TWI305693B (en) 2004-12-27 2005-12-14 Laser drive, optical disc apparatus, and laser-driving method
CNB2005101350588A CN100524982C (zh) 2004-12-27 2005-12-23 激光器驱动器、光盘装置和激光器驱动方法
KR1020050128641A KR101241259B1 (ko) 2004-12-27 2005-12-23 레이저 구동장치, 광디스크 장치 및 레이저 구동 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004375730A JP4715198B2 (ja) 2004-12-27 2004-12-27 レーザ駆動装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006185997A JP2006185997A (ja) 2006-07-13
JP4715198B2 true JP4715198B2 (ja) 2011-07-06

Family

ID=36653211

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004375730A Expired - Fee Related JP4715198B2 (ja) 2004-12-27 2004-12-27 レーザ駆動装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7680166B2 (ja)
JP (1) JP4715198B2 (ja)
KR (1) KR101241259B1 (ja)
CN (1) CN100524982C (ja)
TW (1) TWI305693B (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002158395A (ja) * 2000-11-17 2002-05-31 Sony Corp 半導体レーザのレーザパワー制御方法及び制御装置並びに光磁気記録媒体の記録再生方法及び記録再生装置並びに光記録媒体の記録再生方法及び記録再生装置
JP2007294026A (ja) * 2006-04-26 2007-11-08 Hitachi-Lg Data Storage Inc 光ディスク装置及びその情報記録方法
JP4732243B2 (ja) * 2006-05-31 2011-07-27 パナソニック株式会社 レーザ駆動回路、光ピックアップおよび記録再生装置
JP2008276843A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Hitachi Ltd レーザー駆動方法及び光ディスク記録再生装置
JP4980784B2 (ja) * 2007-05-01 2012-07-18 旭化成エレクトロニクス株式会社 レーザ駆動装置及び駆動方法
JP2009176379A (ja) * 2008-01-28 2009-08-06 Toshiba Corp 光ディスク装置および発光素子の駆動方法
JP2010147105A (ja) * 2008-12-16 2010-07-01 Sony Disc & Digital Solutions Inc レーザ制御方法及びレーザ制御回路
JP5504764B2 (ja) 2009-09-02 2014-05-28 株式会社リコー レーザダイオード駆動装置
JP6011771B2 (ja) * 2012-03-30 2016-10-19 ソニー株式会社 レーザ駆動回路、レーザ駆動方法、プロジェクタ装置、及び、レーザ光を用いる装置
JP6303329B2 (ja) * 2013-08-21 2018-04-04 株式会社島津製作所 光デバイス駆動回路
JP6917566B2 (ja) 2018-04-27 2021-08-11 日亜化学工業株式会社 駆動回路及び処理装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11354893A (ja) * 1998-04-09 1999-12-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レ―ザ駆動装置及び駆動方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4689795A (en) * 1984-04-27 1987-08-25 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor laser controller
US5276697A (en) * 1992-11-04 1994-01-04 Eastman Kodak Company Laser diode automatic power control circuit with means of protection of the laser diode
JPH11213426A (ja) 1998-01-27 1999-08-06 Hitachi Ltd 光ディスク装置
KR100346701B1 (ko) * 1999-05-25 2002-08-01 삼성전자 주식회사 레이저 다이오드의 출력 제어 방법 및 이에 적합한 장치
JP2003168232A (ja) 2001-11-29 2003-06-13 Toshiba Corp 光ディスクドライブ及びレーザ光駆動電源電圧制御方法
US6922423B2 (en) * 2003-04-11 2005-07-26 Robert L. Thornton Control system for a semiconductor laser

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11354893A (ja) * 1998-04-09 1999-12-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レ―ザ駆動装置及び駆動方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7680166B2 (en) 2010-03-16
US20060153259A1 (en) 2006-07-13
JP2006185997A (ja) 2006-07-13
TWI305693B (en) 2009-01-21
CN100524982C (zh) 2009-08-05
KR20060074846A (ko) 2006-07-03
CN1832278A (zh) 2006-09-13
KR101241259B1 (ko) 2013-03-14
TW200642223A (en) 2006-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101241259B1 (ko) 레이저 구동장치, 광디스크 장치 및 레이저 구동 방법
JP2009200242A (ja) 光送信機および制御方法
US7760780B2 (en) Laser diode driving device and optical scanning device
JP3541407B2 (ja) 光ファイバーモジュールのld駆動回路
US20060164712A1 (en) Optical transmitter capable of prompt shutting down and recovering optical output thereof
US20060181327A1 (en) Operating current modifying device and method
JP3778119B2 (ja) 光ディスク記録用パワー制御装置及び方法
JP2002042364A (ja) レーザパワー制御装置及びレーザパワー制御方法
JP3810393B2 (ja) レーザダイオード駆動装置およびレーザダイオード駆動方法
JPH07273388A (ja) 光送信器
JP3743399B2 (ja) レーザダイオード制御装置、及び制御方法
US20090190620A1 (en) Optical disk device and method of controlling light emitting element
JP2005518621A (ja) ディスクドライブ内のレーザダイオードの温度の制御
JPH088478A (ja) Ld駆動電流制限回路
JP2000261090A (ja) レーザ駆動回路
KR101418054B1 (ko) 발열 온도의 예측 제어 기능을 가지는 냉각 장치 및 그 동작 방법
JP2011046064A (ja) 画像形成装置の光量制御装置の誤動作防止方法
JP2000022631A (ja) 光送信制御方法並びに回路
KR100754391B1 (ko) 온도 제어 장치를 갖는 발광소자
JP4980784B2 (ja) レーザ駆動装置及び駆動方法
JPS63289977A (ja) 半導体レ−ザ−劣化検出回路
EP4348779A1 (en) Control of laser sources
JP2002141606A (ja) 半導体レーザの駆動方法及びその装置
JPH08147746A (ja) 光学式情報記録再生装置
JPH1070329A (ja) レーザダイオード駆動装置

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20060424

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071114

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100706

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100713

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100901

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20101109

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110124

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20110202

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110301

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110314

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140408

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees