JP4710121B2 - モノフルオロスルホラン - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機合成の反応溶媒、高分子化合物の重合反応溶媒、各種無機・有機物の抽出溶媒、塗料・インク等の希釈溶媒、半導体レジスト溶媒、農薬類の希釈溶媒、エネルギー貯蔵デバイス用電解質溶液の溶媒や添加剤として有用である。
【０００２】
【従来の技術】
スルホラン化合物は、沸点が高く、熱的な安定性が高い上、高い極性、誘電率特性をもつといった優れた特性を示すことから、これらの特性を必要とする用途、例えば有機合成に置ける反応中間体・反応溶媒や、有機物の抽出溶媒、高分子化合物の重合溶媒、塗料・インク等の希釈溶媒、半導体用レジスト剤における希釈溶媒、農薬・肥料その他農作物に与える有効成分の希釈溶媒、有害生物防除剤、Ｌｉ電池、電解コンデンサ、電気二重層キャパシタ等のエネルギー貯蔵デバイスの電解液溶媒・固体電解質や電極の組成物等、幅広い用途で用いられている。ファインケミカル分野の合成法・精製法における、改良・新法開発の進展、農薬・肥料分野における技術革新、電気電子機器分野における機器の小型化高密度化に伴った、半導体・エネルギーデバイスへの高機能化の要求等、現状用いられているスルホラン化合物に対して、性能向上・新たなる機能性の付与が求められつづけている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、スルホラン化合物は、数々の優れた特性をもつ反面、一般に融点が高く、電気化学的安定性が不十分などの問題も持ち合わせている。これらの問題の為、スルホラン化合物の利点をもってしても、利用に制限があるのが実情である。本発明は、これらの問題点を解決する為に、新規なスルホラン化合物を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
一般的に、フッ素原子は、ファン・デル・ワールス半径が水素のそれに近く、共有結合半径も比較的小さい為、有機化合物の炭素に結合した水素とフッ素の置換は、立体構造上は容易である。また、炭素−フッ素はフッ素の高い電気陰性度の為、結合電子が大きくフッ素側に引き寄せられている為、有機フッ素化合物は、フッ素を含まない有機化合物とは大きく異る特異な性質を示す。特に、炭素に結合する水素を一部フッ素と置換した有機フッ素化合物は、フッ素を含まない類似した有機化合物とに対して、沸点の上昇、粘度の低下、極性の上昇、親油性の上昇といった、本来は相反する性質を共に向上させる可能性があり、そのほかにも、電気的・化学的な耐酸化性の向上も期待できる。また、立体的に非対称と成るようにフッ素を導入することで、フッ素以外の置換基を水素と置換した場合と同様に、その立体構造や電子配置の非対称性から、融点の低下やさらなる粘度の低下も期待できる。
【０００５】
これら有機フッ素化合物の一般的な特性を考慮すると、スルホラン化合物にフッ素を導入することにより、粘度や融点の低下、耐酸化性向上による電気化学的安定性の向上といった問題点の解決が可能であると考えられる。
【０００６】
有機化合物の水素をフッ素置換する反応を行った場合、フッ素を複数個置換する化合物を主生成物とする条件を選択すると、水素が１個から主成分となる個数フッ素に置換された化合物まで、異る数のフッ素が置換された化合物が副生成物として生成し、収率、原料回収率共に低下するする。さらに、フッ素に置換された個数が近い化合物間では沸点等の物性が類似する。これらの理由により、分離精製が煩雑になる。これに対し、フッ素が１個のみ置換された化合物は、分解・重合等の反応が押さえられれば、分離生成は複数個と関された化合物と比較した場合容易であり、収率と回収率を向上できる。よって、フッ素の置換個数は１個であることが好ましい。
【０００７】
これらの理由から、モノフルオロスルホランは、非対称な構造を有する部分フッ素化有機化合物であり、フッ素の置換数も１個であることから、フルオロスルホランの中ではもっとも優れた特性を示すことが期待できる。
【０００８】
しかしながら、従来、このように優れた特性を有すると考えられるモノフルオロスルホランを製造する方法が無かった。
【０００９】
本発明者らは、鋭意検討した結果、上記の様にスルホラン化合物の問題を解決する可能性が容易に推定出来る上、精製法上も優れていながら、合成法が知られていなかった為に、得ることが出来なかったモノフルオロスルホランを合成する方法を見出し、本発明を完結するに至った。すなわち、本発明は各種用途に有用性を期待できる化合物、スルホランの２位又は３位の水素原子の一つをフッ素置換した２−フルオロスルホラン、３−フルオロスルホランに関する。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の、２−フルオロスルホラン、２−フルオロスルホランは、それぞれスルホラン骨格の二位又は三位に一個、フッ素が導入された構造である。
【００１１】
本発明の２−フルオロスルホラン、３−フルオロスルホランは、スルホランとフッ素ガスを接触させて反応し、これを得た。
スルホラン化合物に対するフッ素ガス（Ｆ2）の仕込みモル比は、通常０.０１〜１０が好ましいが、さらに好ましくは、０.１〜２である。
【００１２】
スルホランと接触させて反応させるフッ素ガスは極めて反応性が高く、反応の暴走を防止するために、フッ素ガスに対して不活性なガスで希釈したものを用いることが好ましい。このような不活性ガスとしては、窒素、ヘリウム、フッ化水素又は炭素数４以下のパーフルオロアルカンが用いられる。
不活性ガス中のフッ素ガスの濃度は、通常１％〜５０容量％、好ましくは５〜３０容量％である。濃度が低すぎると所定量のフッ素ガスの導入に長時間を要するので生産性が悪く、高過ぎると副反応反応制御が困難になる。
スルホランとフッ素ガスの反応は、液相のスルホラン中に希釈されたフッ素ガスを導入して行われるが、フッ素ガスに対し不活性な溶媒の存在下で反応を行っても良い。
【００１３】
フッ素ガスに対して不活性な溶媒としては、パーフルオロシクロブタン、パーフルオロヘキサン、パーフルオロオクタン、パーフルオロデカンなどのパーフルオロアルカンや潤滑誌32巻2号107頁に示されるようなパーフルオロポリエーテル油（例えば、ダイキン工業社製デムナム、オウシモント社製フォンブリン、デュポン社製クライトックスなど）、クロロトリフルオロエチレンオリゴマー油（例えば、ダイキン工業社製ダイフロイルなど）などのクロロフルオロアルカンを挙げることができる。不活性溶媒に対するスルホランの割合は、１０％〜９０％であるが、この割合が低過ぎると釜効率が低下し、高過ぎると希釈の効果が薄くなる。
【００１４】
反応温度については、−８０℃〜１００℃、好ましくは−３０℃〜８０℃の範囲である。反応圧力については、通常常圧で行われるが、場合により減圧または加圧条件下で行っても良い。反応時間は、溶媒の種類、反応温度等によって異なるが、通常は１〜５００時間である。また、この反応の際、反応により生成するフッ化水素を吸収するために、フッ化ナトリウムのような、フッ化物塩を反応系中に加えても良い。
【００１５】
また、スルホランを気化させて、フッ素ガスとの気相反応で実施することも可能である。この場合も、反応の暴走を防止するため、不活性ガスで希釈することが必須になる。反応温度としては、３０〜２５０℃で行うことができるが、５０〜１５０℃の範囲で行うことが好ましい。反応方式は回分式、半回分式、流通式いずれの方法でも可能であり、伝熱制御のし易いマイクロリアクターを使用することもできる。モノフルオロスルホランは、この反応条件を調節することにより、高収率、高選択率で得ることができる。
【００１６】
得られたモノスルホランは蒸留・分液等の操作により精製して用いることができるが、原料スルホランとの混合状態で用いても良い。
【００１７】
【実施例】
以下、実施例によって本発明中に記載のモノフルオロスルホランの製造法を具体的に記述するが、請求項記載の２位又は３位をフッ素置換した二種のモノフルオロスルホランはこの実施例にて製造された場合に限定される物ではない。
(実施例1)
液相へのガス仕込み口とガス排出口を設けた３００ｍｌのガラス容器に、スルホラン１００ｇを仕込み、フッ化ナトリウム５０ｇをけん濁させた。この中に、窒素ガスで２０ｖｏｌ％に希釈したフッ素ガスを０．５ｍｍｏｌ／ｍｉｎの速度にて導入し、反応温度４０℃、反応圧、大気圧に保持し、約２４時間反応させた。窒素下にてフッ化ナトリウムを濾別し、ＧＣ／ＭＳ分析とＮＭＲ分析の結果、モノフルオロ体が高い選択率で生成しており、スルホランの転化率は３０％、モノフルオロ置換体への選択率はほぼ１００％で、ジフルオロ体以上のフッ素置換体と思われる化合物は痕跡量、スルホラン骨格を有しない化合物は見つからなかった。生成物をさらに、詳細に分析した結果、モノフルオロ置換体は２、３−置換体の異性体混合物であり、各異性体の組成は２−置換体：３−置換体＝１：５であった。
【００１８】
圧力５ｍｍＨｇでの減圧蒸留により、原料であるスルホランの沸点１２０℃より低い温度で流出した成分をＧＣ分析したところ、モノフルオロスルホランを９０％以上含む液体であることを確認した。原料のスルホランの融点は２７℃であるが、この留分は２０℃でも固まらなかった。以下に示す表１に各種スペクトルをまとめた。
【００１９】
【表１】
【００２０】
【発明の効果】
本発明は、有機合成の反応溶媒、高分子化合物の重合反応溶媒、各種無機・有機物の抽出溶媒、塗料・インク等の希釈溶媒、半導体レジスト溶媒、農薬類の希釈溶媒、エネルギー貯蔵デバイス用電解質溶液の溶媒や添加剤として有用である。
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機合成の反応溶媒、高分子化合物の重合反応溶媒、各種無機・有機物の抽出溶媒、塗料・インク等の希釈溶媒、半導体レジスト溶媒、農薬類の希釈溶媒、エネルギー貯蔵デバイス用電解質溶液の溶媒や添加剤として有用である。
【０００２】
【従来の技術】
スルホラン化合物は、沸点が高く、熱的な安定性が高い上、高い極性、誘電率特性をもつといった優れた特性を示すことから、これらの特性を必要とする用途、例えば有機合成に置ける反応中間体・反応溶媒や、有機物の抽出溶媒、高分子化合物の重合溶媒、塗料・インク等の希釈溶媒、半導体用レジスト剤における希釈溶媒、農薬・肥料その他農作物に与える有効成分の希釈溶媒、有害生物防除剤、Ｌｉ電池、電解コンデンサ、電気二重層キャパシタ等のエネルギー貯蔵デバイスの電解液溶媒・固体電解質や電極の組成物等、幅広い用途で用いられている。ファインケミカル分野の合成法・精製法における、改良・新法開発の進展、農薬・肥料分野における技術革新、電気電子機器分野における機器の小型化高密度化に伴った、半導体・エネルギーデバイスへの高機能化の要求等、現状用いられているスルホラン化合物に対して、性能向上・新たなる機能性の付与が求められつづけている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、スルホラン化合物は、数々の優れた特性をもつ反面、一般に融点が高く、電気化学的安定性が不十分などの問題も持ち合わせている。これらの問題の為、スルホラン化合物の利点をもってしても、利用に制限があるのが実情である。本発明は、これらの問題点を解決する為に、新規なスルホラン化合物を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
一般的に、フッ素原子は、ファン・デル・ワールス半径が水素のそれに近く、共有結合半径も比較的小さい為、有機化合物の炭素に結合した水素とフッ素の置換は、立体構造上は容易である。また、炭素−フッ素はフッ素の高い電気陰性度の為、結合電子が大きくフッ素側に引き寄せられている為、有機フッ素化合物は、フッ素を含まない有機化合物とは大きく異る特異な性質を示す。特に、炭素に結合する水素を一部フッ素と置換した有機フッ素化合物は、フッ素を含まない類似した有機化合物とに対して、沸点の上昇、粘度の低下、極性の上昇、親油性の上昇といった、本来は相反する性質を共に向上させる可能性があり、そのほかにも、電気的・化学的な耐酸化性の向上も期待できる。また、立体的に非対称と成るようにフッ素を導入することで、フッ素以外の置換基を水素と置換した場合と同様に、その立体構造や電子配置の非対称性から、融点の低下やさらなる粘度の低下も期待できる。
【０００５】
これら有機フッ素化合物の一般的な特性を考慮すると、スルホラン化合物にフッ素を導入することにより、粘度や融点の低下、耐酸化性向上による電気化学的安定性の向上といった問題点の解決が可能であると考えられる。
【０００６】
有機化合物の水素をフッ素置換する反応を行った場合、フッ素を複数個置換する化合物を主生成物とする条件を選択すると、水素が１個から主成分となる個数フッ素に置換された化合物まで、異る数のフッ素が置換された化合物が副生成物として生成し、収率、原料回収率共に低下するする。さらに、フッ素に置換された個数が近い化合物間では沸点等の物性が類似する。これらの理由により、分離精製が煩雑になる。これに対し、フッ素が１個のみ置換された化合物は、分解・重合等の反応が押さえられれば、分離生成は複数個と関された化合物と比較した場合容易であり、収率と回収率を向上できる。よって、フッ素の置換個数は１個であることが好ましい。
【０００７】
これらの理由から、モノフルオロスルホランは、非対称な構造を有する部分フッ素化有機化合物であり、フッ素の置換数も１個であることから、フルオロスルホランの中ではもっとも優れた特性を示すことが期待できる。
【０００８】
しかしながら、従来、このように優れた特性を有すると考えられるモノフルオロスルホランを製造する方法が無かった。
【０００９】
本発明者らは、鋭意検討した結果、上記の様にスルホラン化合物の問題を解決する可能性が容易に推定出来る上、精製法上も優れていながら、合成法が知られていなかった為に、得ることが出来なかったモノフルオロスルホランを合成する方法を見出し、本発明を完結するに至った。すなわち、本発明は各種用途に有用性を期待できる化合物、スルホランの２位又は３位の水素原子の一つをフッ素置換した２−フルオロスルホラン、３−フルオロスルホランに関する。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の、２−フルオロスルホラン、２−フルオロスルホランは、それぞれスルホラン骨格の二位又は三位に一個、フッ素が導入された構造である。
【００１１】
本発明の２−フルオロスルホラン、３−フルオロスルホランは、スルホランとフッ素ガスを接触させて反応し、これを得た。
スルホラン化合物に対するフッ素ガス（Ｆ2）の仕込みモル比は、通常０.０１〜１０が好ましいが、さらに好ましくは、０.１〜２である。
【００１２】
スルホランと接触させて反応させるフッ素ガスは極めて反応性が高く、反応の暴走を防止するために、フッ素ガスに対して不活性なガスで希釈したものを用いることが好ましい。このような不活性ガスとしては、窒素、ヘリウム、フッ化水素又は炭素数４以下のパーフルオロアルカンが用いられる。
不活性ガス中のフッ素ガスの濃度は、通常１％〜５０容量％、好ましくは５〜３０容量％である。濃度が低すぎると所定量のフッ素ガスの導入に長時間を要するので生産性が悪く、高過ぎると副反応反応制御が困難になる。
スルホランとフッ素ガスの反応は、液相のスルホラン中に希釈されたフッ素ガスを導入して行われるが、フッ素ガスに対し不活性な溶媒の存在下で反応を行っても良い。
【００１３】
フッ素ガスに対して不活性な溶媒としては、パーフルオロシクロブタン、パーフルオロヘキサン、パーフルオロオクタン、パーフルオロデカンなどのパーフルオロアルカンや潤滑誌32巻2号107頁に示されるようなパーフルオロポリエーテル油（例えば、ダイキン工業社製デムナム、オウシモント社製フォンブリン、デュポン社製クライトックスなど）、クロロトリフルオロエチレンオリゴマー油（例えば、ダイキン工業社製ダイフロイルなど）などのクロロフルオロアルカンを挙げることができる。不活性溶媒に対するスルホランの割合は、１０％〜９０％であるが、この割合が低過ぎると釜効率が低下し、高過ぎると希釈の効果が薄くなる。
【００１４】
反応温度については、−８０℃〜１００℃、好ましくは−３０℃〜８０℃の範囲である。反応圧力については、通常常圧で行われるが、場合により減圧または加圧条件下で行っても良い。反応時間は、溶媒の種類、反応温度等によって異なるが、通常は１〜５００時間である。また、この反応の際、反応により生成するフッ化水素を吸収するために、フッ化ナトリウムのような、フッ化物塩を反応系中に加えても良い。
【００１５】
また、スルホランを気化させて、フッ素ガスとの気相反応で実施することも可能である。この場合も、反応の暴走を防止するため、不活性ガスで希釈することが必須になる。反応温度としては、３０〜２５０℃で行うことができるが、５０〜１５０℃の範囲で行うことが好ましい。反応方式は回分式、半回分式、流通式いずれの方法でも可能であり、伝熱制御のし易いマイクロリアクターを使用することもできる。モノフルオロスルホランは、この反応条件を調節することにより、高収率、高選択率で得ることができる。
【００１６】
得られたモノスルホランは蒸留・分液等の操作により精製して用いることができるが、原料スルホランとの混合状態で用いても良い。
【００１７】
【実施例】
以下、実施例によって本発明中に記載のモノフルオロスルホランの製造法を具体的に記述するが、請求項記載の２位又は３位をフッ素置換した二種のモノフルオロスルホランはこの実施例にて製造された場合に限定される物ではない。
(実施例1)
液相へのガス仕込み口とガス排出口を設けた３００ｍｌのガラス容器に、スルホラン１００ｇを仕込み、フッ化ナトリウム５０ｇをけん濁させた。この中に、窒素ガスで２０ｖｏｌ％に希釈したフッ素ガスを０．５ｍｍｏｌ／ｍｉｎの速度にて導入し、反応温度４０℃、反応圧、大気圧に保持し、約２４時間反応させた。窒素下にてフッ化ナトリウムを濾別し、ＧＣ／ＭＳ分析とＮＭＲ分析の結果、モノフルオロ体が高い選択率で生成しており、スルホランの転化率は３０％、モノフルオロ置換体への選択率はほぼ１００％で、ジフルオロ体以上のフッ素置換体と思われる化合物は痕跡量、スルホラン骨格を有しない化合物は見つからなかった。生成物をさらに、詳細に分析した結果、モノフルオロ置換体は２、３−置換体の異性体混合物であり、各異性体の組成は２−置換体：３−置換体＝１：５であった。
【００１８】
圧力５ｍｍＨｇでの減圧蒸留により、原料であるスルホランの沸点１２０℃より低い温度で流出した成分をＧＣ分析したところ、モノフルオロスルホランを９０％以上含む液体であることを確認した。原料のスルホランの融点は２７℃であるが、この留分は２０℃でも固まらなかった。以下に示す表１に各種スペクトルをまとめた。
【００１９】
【表１】
【発明の効果】
本発明は、有機合成の反応溶媒、高分子化合物の重合反応溶媒、各種無機・有機物の抽出溶媒、塗料・インク等の希釈溶媒、半導体レジスト溶媒、農薬類の希釈溶媒、エネルギー貯蔵デバイス用電解質溶液の溶媒や添加剤として有用である。
Claims (2)
- ２−フルオロスルホラン
- ３−フルオロスルホラン
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000346084A JP4710121B2 (ja) | 2000-11-14 | 2000-11-14 | モノフルオロスルホラン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000346084A JP4710121B2 (ja) | 2000-11-14 | 2000-11-14 | モノフルオロスルホラン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002155074A JP2002155074A (ja) | 2002-05-28 |
| JP4710121B2 true JP4710121B2 (ja) | 2011-06-29 |
Family
ID=18820007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000346084A Expired - Lifetime JP4710121B2 (ja) | 2000-11-14 | 2000-11-14 | モノフルオロスルホラン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4710121B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6838363B2 (ja) * | 2016-05-16 | 2021-03-03 | 宇部興産株式会社 | 非水電解液及びそれを用いた蓄電デバイス |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11219867A (ja) * | 1998-01-29 | 1999-08-10 | Asahi Glass Co Ltd | 電気二重層キャパシタ |
-
2000
- 2000-11-14 JP JP2000346084A patent/JP4710121B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11219867A (ja) * | 1998-01-29 | 1999-08-10 | Asahi Glass Co Ltd | 電気二重層キャパシタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002155074A (ja) | 2002-05-28 |
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