JP4700119B2 - 原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法 - Google Patents
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ラッチング加工は探針としては被加工材質よりも硬いものを使用し、シリコンやBN膜の他、ダイヤモンドをコートしたものやダイヤモンド単結晶を接着したものなどが用いられている。
換に時間がかかりトータルのスループットを低下させていた。探針は磨耗するだけではなく、切削した物質が探針に付着し、これも加工精度の低下の原因になっていた(非特許文献3参照)。
ビームの加工はフォトマスクの欠陥修正等で断面はほぼ垂直で、形状も忠実な加工ができることが実証されている。
子間力顕微鏡ヘッド1はマニピュレータ2の先端に設置され、X-Y移動機構と傾斜・回転が
できるようになっている。試料ステージ4はX-Y移動機構と高さ調整機能と傾斜機能を持っている。更にこの真空対応の原子間力顕微鏡に集束イオンビーム鏡筒3とデポジション用
の原料ガスやアシストエッチング用のガスのガス導入系6と像観察用に二次電子検出器7が取りつけられている。原子間力顕微鏡探針先端観察時や加工時には原子間力顕微鏡ヘッドを集束イオンビームが探針先端に照射できる位置に移動し、マニピュレータ2の傾斜や回
転機能を利用して観察・加工を行う。集束イオンビームで試料5を加工するときには、試
料ステージ4を集束イオンビームが所望の場所に照射できる位置に移動し、イオンビーム
が垂直に入射されるように試料ステージ4を傾斜して使用する。原子間力顕微鏡で試料5を観察・加工するときには試料ステージ4を水平位置に戻し、原子間力顕微鏡の探針直下に
所望の場所に来るように試料ステージ4を移動する。
を除去し先鋭化した探針11を形成する。もしくはアシストガス供給系9からエッチング用
のアシストガスを供給しながら加工が必要な個所のみ集束イオンビーム8を選択照射して
ガスアシストエッチング機能で余分な個所を除去し先鋭化した探針11を形成する。または図2(b)に示すようにデポジションガス供給系12から原料ガスを供給しながら加工が必要な個所のみ集束イオンビーム8を選択照射してデポジション機能で針先に先鋭な形状をした
堆積膜13を形成する。図2(c)に示すように先鋭化した探針15先端に付着物がある場合には付着物14を集束イオンビーム8で認識し、付着物領域のみイオンビーム8を選択照射し物理スパッタもしくはアシストガス供給系9からエッチング用のアシストガスを供給してガス
アシストエッチング機能で除去する。
力顕微鏡探針先端にそのときに必要とされる形状16に作り上げ、所望の形状の探針を用いて加工することで所望の加工形状を実現する。または図3(b)に示すように集束イオンビーム8のデポジション機能で原子間力顕微鏡探針先端をそのときに必要とされる形状17に作
り上げ、所望の形状の探針を用いて加工することで所望の加工形状を実現する。
補正用の微小な穴18または突起19といったX方向やY方向の移動量が算出できる特徴的なパターンを形成し(図4(a))、その位置を記憶してから原子間力顕微鏡探針23による加工を開始する(図4(b))。加工途中でそのパターンを原子間力顕微鏡の観察モードで観察してその移動量からドリフトを算出し(図4(c))、加工領域22に対して試料21のドリフトの影響を補正して原子間力顕微鏡探針23による加工を再開する。加工の中断、特徴的なパターンのイメージング、ドリフト量の算出、加工領域のドリフト補正、加工の再開を繰り返して高精度な加工を行う。図4(d)に示すように加工終了後にマーカとして用いた微小な穴18はFIB-CVDにより堆積膜24で埋めることも可能で、微小な突起19も集束イオンビームのエッチン
グ機能で取り除くこともできる。
断面加工を行い、それ以外の領域は図5(b)に示すように原子間力顕微鏡探針23で加工すれば、垂直な断面を持った高精度な加工を行うことができる。この方法を応用して加工領域22の最外部のみ装置内に組み込んだ集束イオンビーム8で加工すれば、原子間力顕微鏡探
針23による物理的な除去加工特有の探針形状による最外部の加工形状の乱れをなくすことができる。
ャンリニアリティの優れた集束イオンビーム8のエッチングで加工領域22の忠実な罫書き線26を描き(図6(a))、作製した罫書き線26内のみを加工用の原子間力顕微鏡探針23で加工を行えば圧電素子の歪の影響を受けない高精度な加工を行うことができる(図6(b))。
ば、図8(b)に示すように原子間力顕微鏡探針23で加工するときに探針の側面を加工領域22に押しつけることになるため、加工開始時に探針先端にかかる力を緩和できるようになり、加工用探針の先端欠けを低減することができる。加工用探針の先端欠けの低減により、高精度な加工を維持するために行う探針交換頻度を減らすことができる。
を垂直入射させて標準となる形状28を作製する。集束イオンビーム装置は再現性良く加工できるので、一度精密に形状を測定しておけば、原子間力顕微鏡の探針形状の把握の標準形状として用いることができる。図9(b)に示すように観察用の原子間力顕微鏡探針23でこの標準形状28を測定して、標準形状28との差異から探針形状の影響を抽出する。図9(c)に示すように探針形状の影響分を補正することで、加工前の形状認識時や加工途中のモニター時に針先形状の影響を除いたより正確な形状観察を可能することでより高精度な加工を行うことができる。
2 4軸マニピュレータ
3 集束イオンビーム光学系
4 傾斜可能なXYZステージ
5 試料
6 ガス導入系
7 二次電子検出器
8 イオンビーム
9 エッチング用のアシストガス導入系
10 磨耗した探針
11 エッチングで先鋭化した探針
12 堆積膜原料ガス導入系
13 先鋭化した堆積膜探針
14 付着物
15 先鋭化した探針
16 エッチングで所望の形状に加工した探針
17 堆積膜で所望の形状に加工した探針
18 FIBエッチングで作製した微細な穴
19 FIB-CVDで作製した微細な突起
20 エッチングガスまたは堆積膜原料ガス導入系
21 試料
22 加工個所
23 AFM探針
24 穴埋めの堆積膜
25 AFM探針形状に依存した部分
26 罫書き線
27 AFM探針による削り粉
28 標準形状
29 電荷中和用のプラスイオンビームまたはマイナスイオンビーム
Claims (12)
- 試料ステージを傾斜することで試料に対して垂直にイオンビームを照射できる集束イオンビーム装置と、傾斜、回転機構を備えたマニピュレータ先端に設置された原子間力顕微鏡ヘッドとをチャンバー内に有し、水平位置にある前記試料ステージ上の試料を加工及び観察できる原子間力顕微鏡を用いて、イオンビームが試料に対して垂直に入射されるように試料ステージを傾斜して前記集束イオンビーム装置で試料にドリフト補正用の微小なパターンを形成し、試料ステージを水平位置に戻し、原子間力顕微鏡の探針直下に試料の加工所望位置が来るように試料ステージを移動させ試料加工途中に前記パターンを原子間力顕微鏡の観察モードで観察してその移動量からドリフトを算出し補正して試料を加工することを特徴とする原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
- 試料ステージを傾斜することで試料に対して垂直にイオンビームを照射できる集束イオンビーム装置と、傾斜、回転機構を備えたマニピュレータ先端に設置された原子間力顕微鏡ヘッドとをチャンバー内に有し、水平位置にある前記試料ステージ上の試料を加工及び観察できる原子間力顕微鏡を用いて、イオンビームが試料に対して垂直に入射されるように試料ステージを傾斜して原子間力顕微鏡加工だと探針形状のためその垂直加工が難しい部分のみを前記集束イオンビーム装置で垂直断面加工を行い、それ以外の領域は試料ステージを水平位置に戻し、原子間力顕微鏡の探針直下に試料の加工所望位置が来るように試料ステージを移動させ原子間力顕微鏡探針で加工することを特徴とする原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
- 試料ステージを傾斜することで試料に対して垂直にイオンビームを照射できる集束イオンビーム装置と、傾斜、回転機構を備えたマニピュレータ先端に設置された原子間力顕微鏡ヘッドとをチャンバー内に有し、水平位置にある前記試料ステージ上の試料を加工及び観察できる原子間力顕微鏡を用いて、イオンビームが試料に対して垂直に入射されるように試料ステージを傾斜して前記集束イオンビーム装置で試料の加工領域の罫書き線を描き、試料ステージを水平位置に戻し、原子間力顕微鏡の探針直下に試料の加工所望位置が来るように試料ステージを移動させ作製した罫書き線内を加工用の原子間力顕微鏡探針で加工することを特徴とする原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
- 試料ステージを傾斜することで試料に対して垂直にイオンビームを照射できる集束イオンビーム装置と、傾斜、回転機構を備えたマニピュレータ先端に設置された原子間力顕微鏡ヘッドとをチャンバー内に有し、水平位置にある前記試料ステージ上の試料を加工及び観察できる原子間力顕微鏡を用いて、原子間力顕微鏡探針を用いて加工したときに加工個所周辺に発生する削り粉を、前記イオンビームが前記試料に対し垂直に入射されるように前記試料ステージを傾斜し、前記集束イオンビーム装置で除去することを特徴とする原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
- 試料ステージを傾斜することで試料に対して垂直にイオンビームを照射できる集束イオンビーム装置と、傾斜、回転機構を備えたマニピュレータ先端に設置された原子間力顕微鏡ヘッドとをチャンバー内に有し、水平位置にある前記試料ステージ上の試料を加工及び観察できる原子間力顕微鏡を用いて、平坦な面を掘り込んで加工するときに、原子間力顕微鏡探針による加工の始点に当たる端を、加工用の探針が入るようにイオンビームが試料に対して垂直に入射されるように試料ステージを傾斜して前記集束イオンビーム装置であらかじめ削っておき、原子間力顕微鏡探針加工開始時に探針先端にかかる力を緩和し、加工用探針の先端欠けを低減することを特徴とする原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
- 試料ステージを傾斜することで試料に対して垂直にイオンビームを照射できる集束イオンビーム装置と、傾斜、回転機構を備えたマニピュレータ先端に設置された原子間力顕微鏡ヘッドとをチャンバー内に有し、水平位置にある前記試料ステージ上の試料を加工及び観察できる原子間力顕微鏡を用いて、イオンビームが試料に対して垂直に入射されるように試料ステージを傾斜して前記集束イオンビーム装置で標準となる形状を作製し、試料ステージを水平位置に戻し、原子間力顕微鏡の探針直下に試料の加工所望位置が来るように試料ステージを移動させ観察用の原子間力顕微鏡探針でこの標準形状を測定して、加工前の形状認識時や加工途中のモニター時に針先形状の影響を除いたより正確な形状観察を可能することでより高精度な加工を行うことを特徴とする原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
- 前記ドリフト補正用のマーカが集束イオンビームのエッチング機能で作製した微小な穴であることを特徴とする請求項1記載の原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
- 前記ドリフト補正用のマーカが集束イオンビームのデポジション機能で作製した微小な突起であることを特徴とする請求項1記載の原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
- 前記ドリフト補正用のマーカとして作製した微小な穴を加工終了後に集束イオンビームのFIB−CVD機能で埋めることを特徴とする請求項7記載の原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
- 前記ドリフト補正用のマーカとして作製した微小な突起を加工終了後に集束イオンビームのエッチング機能で取り除くことを特徴とする請求項8記載原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
- 前記集束イオンビームによる補助的な加工が物理スパッタであることを特徴とする請求項2から6のいずれかに記載の原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
- 前記集束イオンビームによる補助的な加工がアシストガスを用いた増速エッチングであることを特徴とする請求項2から6のいずれかに記載の原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009068503A JP4700119B2 (ja) | 2009-03-19 | 2009-03-19 | 原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009068503A JP4700119B2 (ja) | 2009-03-19 | 2009-03-19 | 原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003319361A Division JP2005081527A (ja) | 2003-09-11 | 2003-09-11 | 原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009148889A JP2009148889A (ja) | 2009-07-09 |
JP4700119B2 true JP4700119B2 (ja) | 2011-06-15 |
Family
ID=40918663
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009068503A Expired - Fee Related JP4700119B2 (ja) | 2009-03-19 | 2009-03-19 | 原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4700119B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103738912A (zh) * | 2013-12-27 | 2014-04-23 | 西南交通大学 | 基于摩擦化学诱导刻蚀的单晶硅表面无损伤纳米加工方法 |
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---|---|---|---|---|
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FR2955938B1 (fr) * | 2010-01-29 | 2012-08-03 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif electronique de pilotage et d'amplification pour une sonde locale piezoelectrique de mesure de force sous un faisceau de particules |
JP5943524B2 (ja) | 2011-05-31 | 2016-07-05 | カール ツァイス エスエムエス ゲーエムベーハー | 物体を検査するための装置及び方法 |
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DE102016223659B4 (de) | 2016-11-29 | 2021-09-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtungen zum Verlängern einer Zeitspanne bis zum Wechseln einer Messspitze eines Rastersondenmikroskops |
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-
2009
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Patent Citations (4)
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CN103738912B (zh) * | 2013-12-27 | 2016-02-03 | 西南交通大学 | 基于摩擦化学诱导刻蚀的单晶硅表面无损伤纳米加工方法 |
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JP2009148889A (ja) | 2009-07-09 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090325 |
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RD01 | Notification of change of attorney |
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|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091113 |
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RD01 | Notification of change of attorney |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110210 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140311 Year of fee payment: 3 |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140311 Year of fee payment: 3 |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |