JP2000353489A - 微細加工装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】探針先端の付着物による影響をなくし、所望の
物理作用を加え所望の加工を行うことができ、あるいは
より正確に情報の記録を行うことのできる微細加工装置
を提供すること。 【解決手段】位置制御手段によって探針と媒体との相対
位置を制御し、物理作用印加手段によって前記媒体に対
し物理作用を印加し、該媒体の表面状態を変化させ、該
媒体に微細加工を施す微細加工装置であって、前記探針
先端に付着した付着物を除去する付着物除去機構を備
え、該付着物除去機構が少なくとも前記媒体表面に平行
な平面と前記媒体表面に垂直な平面とのなす角より小さ
い交角を構成する二つの面とその交線から形成されてな
る微細加工装置を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は走査型顕微鏡及びそ
れを応用し、プローブを走査してナノメートルスケール
で媒体に微細加工を施す微細加工装置に関し、特に、プ
ローブの探針先端に付着した付着物を除去して、より正
確な加工あるいはより正確な情報記録が可能な微細加工
装置の実現を図るものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、物質の表面を原子オーダーの分解
能で観察できる走査型トンネル顕微鏡（以下ＳＴＭとい
う）［Ｇ．Ｂｉｎｎｉｇ ｅｔ ａｌ．，Ｐｈｙｓｉｃ
ａｌＲｅｖｉｅｗ Ｌｅｔｔｅｒｓ 第４９巻５７頁
（１９８２）］が開発され、原子、分子レベルの実空間
観察が可能になってきた。走査型トンネル顕微鏡は、ト
ンネル電流を一定に保つように探針電極と試料の距離を
制御しながら走査し、その時の制御信号から試料表面の
電子雲の情報、試料の形状をサブナノメートルのオーダ
ーで観測することができる。また、物質の表面をやはり
高分解能で観察できる手段として原子間力顕微鏡（以下
ＡＦＭという）が開発されている。ＳＴＭあるいはＡＦ
Ｍ等、試料表面を探針を用いて２次元走査を行い、その
プローブと試料表面の相互作用から試料表面の物理情報
を観測する手段は一般に走査型プローブ顕微鏡（ＳＰ
Ｍ）といわれ、高分解能（原子レベルあるいはナノメー
トルスケール）の表面観察手段として注目されている。

【０００３】またＳＰＭの原理を応用すれば、十分に原
子オーダー、あるいはナノメートルスケールで物質表面
ヘアクセスすることがでる。例えば、原子レベル、ナノ
メートルスケールで表面を改質することにより原子レベ
ルの大きさの加工を行うことができる。このような加工
により、量子効果デバイス等従来にないデバイスを実現
することが可能である。またこの原子オーダーの加工を
あらかじめ用意された情報に従い行うことで、原子レベ
ルの大きさでの情報の記録を行うことが可能である。た
とえばあらかじめ用意された“１”と“０”の情報に基
づき“１”の部分で加工を行うようにすれば原子オーダ
あるいはナノメートルスケールでの記録ビットとして用
いることができる。このような情報記録に関しては例え
ば特開昭６３−１６１５５２号公報に開示されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、このように
ＳＰＭの技術を応用して微細な加工を行い、あるいは情
報の記録を行う際、付着物があるとこれが探針に付着
し、探針と媒体との間の距離が変化してしまい所望の物
理作用を印加することができなくなったり、あるいは正
しく情報を記録できない場合が生じる。そこで、本発明
は、上記した課題を解決し、探針先端の付着物による影
響をなくし、所望の物理作用を加え所望の加工を行うこ
とができ、あるいはより正確に情報の記録を行うことの
できる微細加工装置を提供することを目的とするもので
ある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を達
成するために、微細加工装置をつぎのように構成したこ
とを特徴とするものである。すなわち、本発明の微細加
工装置は、位置制御手段によって探針と媒体との相対位
置を制御し、物理作用印加手段によって前記媒体に対し
物理作用を印加し、該媒体の表面状態を変化させ、該媒
体に微細加工を施す微細加工装置であって、前記探針先
端に付着した付着物を除去する付着物除去機構を備え、
該付着物除去機構が少なくとも前記媒体表面に平行な平
面と前記媒体表面に垂直な平面とのなす角より小さい交
角を構成する二つの面とその交線から形成されてなるこ
とを特徴としている。また、本発明の微細加工装置は、
前記付着物除去機構が、前記交角を構成する面の組を２
組有し、かつ前記一つの組における交角を構成する二つ
の面による交線と、他方の組における交角を構成する二
つの面による交線とが、鋭角をなすようにした構成を備
えてなることを特徴としている。また、本発明の微細加
工装置は、前記物理作用印加手段が、あらかじめ用意さ
れた情報に基づき符号化を行う符号化手段を有し、該符
号化手段の出力に応じて前記加工媒体に物理作用を印加
する構成を備えていることを特徴としている。また、本
発明の微細加工装置は、前記付着物除去機構が、シリコ
ンによって構成されていることを特徴としている。

【０００６】

【発明の実施の形態】本発明は、上記構成によって、前
述した発明の課題を達成するものであるが、本発明の上
記構成において、加工媒体とは探針により物理作用を印
加するものである。プローブを用いた情報記録であれば
いわゆる情報記録媒体となる。また、探針は媒体に対し
て物理作用を印加するものである。ここで、物理作用と
は力、電場、磁場、光等も含む電磁場等によるものであ
る。また、この媒体と探針の位置を移動させる位置制御
手段は、媒体と探針先端の相対的な位置を媒体に水平な
方向（以下ＸＹ方向という）及び垂直な方向（以下Ｚ方
向という）に移動させるものであり、具体的には微動に
はピエゾ素子、粗動にはステッピングモータによる駆動
等が挙げられる。この手段により、探針先端の位置を相
互作用を検出したい位置に移動させる。本発明の付着物
除去機構の断面図を図１に、また上面図を図２に示す。
図においては １０１：探針 １０２：加工媒体表面に平行な表面 １０３：付着物除去機構 １０４：観察媒体表面水平方向の平面 １０５：付着部除去機構の一つの面 １０６：観察媒体表面垂直方向の平面 １０７：付着物除去機構の一つの面 １０８：面１０５と面１０７の交線 １０９：面１０７と面１０２の交線 を示している。

【０００７】つぎに、図３に本発明による探針先端付着
物の除去を行うときの図を示す。探針１０１と交線１０
８が接触あるいは近接した状態でこするようにして探針
１０１を矢印３０２の方向に動かすことにより探針に付
着した付着物３０１を除去する。なお、矢印３０２の方
向は、探針先端の接線方向すなわち、平面１０２に平行
な方向である。本発明では面１０５が加工媒体表面に平
行な平面１０２に平行あるいは図１に示した方向に傾斜
しているため交線１０８が探針先端と接触、あるいは近
接する。また面１０７が探針が平面１０６より図１に示
した方向に傾斜しているため、探針先端に付着した付着
物を有効に分離除去できる。この付着物は本来存在しな
いはずであるが、加工媒体表面からあるいは探針周囲の
雰囲気から偶発的に付着してしまったもので、これがあ
ると探針が媒体に対して所望の物理作用を印加すること
ができなくなる。なお本図では説明のため加工媒体表面
に平行な表面１０２上に付着物除去機構１０３を設置し
ているが本付着物除去機構は別途に設置してかまわな
い。

【０００８】以上において、物理作用印加手段は、観察
媒体表面と探針先端に物理作用を印加する手段である。
相互作用としては力、電場、磁場、光等も含む電磁場等
によるものである。電圧を印加する場合では電源であ
り、光を用いる場合には光源がこれにあたる。本発明で
はこの物理作用印加手段により発生した物理作用を探針
先端を介して加工媒体に印加し、加工媒体を原子レベル
あるいはナノメートルレベルで加工を行う。また、前記
付着物除去機構が前記交角を構成する面の組を２組有
し、かつ前記交角を構成する２つの交線が鋭角をなすこ
とにより、より効率的に探針先端付着物を除去すること
ができる。

【０００９】本発明による付着物除去機構の断面図を図
４に、上面図を図５に示す。図においては ４０１：観察媒体表面に平行な表面 ４０２：付着物除去機構Ａ ４０３：付着物除去機構Ｂ ４０４：観察媒体表面水平方向の平面 ４０５：観察媒体表面水平方向の平面 ４０６：付着部除去機構Ａの一つの構成面 ４０７：付着物除去機構Ｂの一つの構成面 ４０８：観察媒体表面垂直方向の平面 ４０９：観察媒体表面垂直方向の平面 ４１０：付着物除去機構Ａの一つの面 ４１１：付着物除去機構Ｂの一つの面 ４１２：面４０６と面４１０の交線 ４１３：面４０７と面４１１の交線 ５０１：交線４１２と交線４１３の交点 ５０２：交線４１２と交線４１３がなす角 を示している。なお、図５には探針１０１を示していな
い。

【００１０】本発明による付着物除去機構は図１及び図
２に示した付着物除去機構２つから構成されている。こ
こでは２つの付着物除去機構の一つ一つを付着物除去機
構Ａ、付着物除去機構Ｂと呼ぶこととする。付着物除去
機構Ａ及びＢは図４に示すように相対して配置され、付
着物除去機構Ａ及びＢの交線４１２及び交線４１３は一
点で交差する。交線４１２及び交線４１３のなす角５０
２が鋭角となっている。なお図１では説明のため加工媒
体表面に平行な表面１０２上に付着物除去機構１０３を
設置しているが本付着物除去機構は別途に設置してかま
わない。

【００１１】つぎに、本発明による探針先端の付着物の
除去について説明する。まず、探針１０１先端の位置を
交線４１２、交線４１３で結ばれる平面上に移動させ
る。次に探針１０１がこの平面上になるように保ったま
ま、探針を図６中の矢印６０１で示した方向に移動させ
る。この移動により探針先端が交点５０１を通過すると
き探針１０１先端の付着物が除去される。また、あらか
じめ用意された情報に基づき符号化を行う符号化手段を
有し、前記符号化手段の出力に応じて前記加工媒体に物
理作用を印加することにより、観察媒体に情報を記録す
ることができる。この場合、加工媒体は情報を記録する
記録媒体となる。例えば、“１”と“０”に対応して加
工を行いこれを記録ビットとすることが可能である。本
発明ではより探針先端の付着物を除去することが可能で
あり、ただしく物理作用を印加することが可能であり、
従来より正確に情報の記録を行うことが可能である。

【００１２】

【実施例】以下に、本発明の実施例について説明する。 ［実施例１］本発明における実施例１として、ＳＴＭを
改良した表面加工装置を図７を用いて説明する。本実施
例で示した表面観察装置は、 ７０２：探針 ７０３：探針付着物除去用シリコン構造 ７０４：シリコン基板 ７０５：電源 ７０６：電流検出回路 ７０７：Ｚ方向位置制御回路 ７０８：加工媒体ステージ ７０９：加工媒体ステージ駆動機構 ７１０：ＸＹ方向位置制御回路 ７１１：マイクロコンピュータ ７１２：真空チャンバ から構成されている。なお図には加工を行う加工媒体７
０１も記入してある。

【００１３】本実施例では加工媒体７０１はシリコン基
板であり、これに探針７０２を用いて電圧を印加するこ
とにより試料表面の原子を抜く加工を行う。探針７０２
はＰｔ−Ｉｒのワイヤーを電界研磨したものであり、従
来のＳＴＭで使用される探針と同様なものである。探針
先端付着物除去用シリコン構造７０３を図８に示す。ま
た、シリコン基板７０４はシリコン構造７０３を支持し
ており表面は加工媒体７０１表面と平行である。探針先
端付着物除去用シリコン構造７０３はシリコンを加工し
たもので図１及び図２に示した構造と同様な構造であ
る。

【００１４】図８において、８０１及び８０２はそれぞ
れ図１中の１０８及び１０９で示した交線に相当する角
である。電源７０５は探針７０２と試料７０１の間、探
針７０２と探針付着物除去用シリコン構造７０３の間、
及び探針７０２とシリコン基板７０４の間にＳＴＭ観察
用の電圧を印加する。電流検出回路７０６は探針７０２
に流れる電流を検出する。Ｚ方向位置制御回路７０７は
マイクロコンピュータ７１１からの制御信号と電流検出
回路７０６の信号から試料ステージ駆動機構７０９の図
示Ｚ方向の位置を制御する。試料ステージ７０８は観察
する試料体７０１及び探針先端付着物除去用シリコン構
造７０３及びシリコン基板７０４を保持固定するもので
試料ステージ駆動機構７０９により図示ＸＹ方向に移動
する。

【００１５】本実施例では、この駆動機構の粗動機構に
ステッピングモータをまた微動機構にピエゾ素子を用い
ている。ＸＹ方向位置制御回路７１０はマイクロコンピ
ュータ７１１からの信号に基づき試料ステージ駆動機構
７０９の図示ＸＹ方向の位置を制御する。マイクロコン
ピュータ７１１は本実施例のＡＦＭの全般の動きをつか
さどる。また真空チャンバ７１２は加工媒体７０１と探
針７０２を超高真空に保つものである。これは本実施例
ではシリコン表面の原子レベルの加工を行うため、吸着
物を除去するために設けられている。

【００１６】本実施例での動作は以下の通りである。ま
ず、マイクロコンピュータ７１１がＸＹ方向位置制御回
路７１０に制御信号を送り、探針７０２のＸＹ方向の位
置を観察を行いたい位置まで移動する。次に、マイクロ
コンピュータ７１１が電源７０５に指令し、試料７０１
と探針７０２の間に電圧を印加し、さらにＺ方向位置制
御回路７０７に指示して探針７０２を加工媒体７０１に
接近させる。このときマイクロコンピュータ７１１はＺ
方向の位置として、観察媒体７０１と探針７０２に流れ
る電流値として規定する。この状態でＺ方向の制御を停
止し探針７０２のＺ方向の移動を停止する。次に、探針
の電圧を上昇させ加工媒体７０１表面の原子を引き抜く
動作を行う。本実施例では上記の手順で加工媒体７０１
表面の加工を行い、さらに場所を変えて同様な手順で加
工を繰り返した。

【００１７】その後、以下に示す手順で探針先端につい
た付着物の除去を行った。まず、マイクロコンピュータ
７１１の指令により探針７０２を試料７０１表面から離
し、探針付着物除去用シリコン構造７０３付近に移動す
る。探針付着物除去用シリコン構造７０３と探針７０２
の間に電源７０５により電圧を印加しながら、探針７０
２と探針付着物除去用シリコン構造７０３の間に流れる
電流が一定になるように図示Ｚ方向の位置制御を保つ。
この状態で探針７０２先端が８０１で示した角を通過す
るように矢印８０４に示した方向に移動させる。この動
作により探針７０２先端に付着した付着物８０３が８０
１の角により除去される。本実施例では加工媒体７０１
を真空チャンバに入れる前に洗浄を行うが、それでも残
ってしまった残渣により探針先端に付着物が付着する場
合や、原子の引き抜きを続けて探針７０２に引きぬいた
原子が付着物として蓄積した場合等に対して、この影響
を排除することができる。

【００１８】［実施例２］本発明における実施例２につ
いて説明する。図１０は、本実施例２における従来のＡ
ＦＭを改良した情報記録装置を説明する図である。本実
施例に用いるＡＦＭは １００２：探針 １００３：カンチレバー １００４：レーザ １００５：２分割センサ １００６：たわみ量検出装置 １００７：Ｚ方向位置制御回路 １００８：記録媒体ステージ １００９：記録媒体ステージ駆動機構 １０１０：ＸＹ方向位置制御回路 １０１１：マイクロコンピュータ １０１２：電源 １０１３：シリコン基板 １０１４：付着物除去部 から構成されている。図には本実施例で用いた記録媒体
１００１も示してある。

【００１９】本実施例で用いた記録媒体１００１は、図
１１に示すようなものであり、シリコン基板上１１０１
にエピタキシャル成長した金（１１１）結晶１１０２上
にポリイミドＬＢ膜１１０３を約３ｎｍの膜厚で形成し
たものである。ポリイミドＬＢ膜１１０３は絶縁性であ
るが、電圧印加により導電性が上昇する。この導電性の
上昇した部分を記録ビット“１”として利用する。図１
１には、この記録ビットを１１０４で示した。探針１０
０２は四角すいの形状をした窒化シリコン、またこれを
支持するカンチレバー１００３も窒化シリコン製でこの
探針１００２及びカンチレバー１００３は通常のＡＦＭ
で用いられるものと同じである。カンチレバー１００３
の記録媒体１００１と反対側の面はＡｕでコートして光
の反射率を高めてある。本実施例で用いたカンチレバー
のバネ定数０．０５Ｎ／ｍであった。レーザ１００４は
半導体レーザで波長は６７０ｎｍのものを使用した。

【００２０】また、探針１００２はスパッタ法によりタ
ングステンがコートしてあり、探針１００２先端の導電
性を確保してある。２分割センサ１００５はフォトダイ
オードを２つ組み込み照射されたレーザの位置を決める
ものである。たわみ量検出装置１００６は２分割センサ
１００５からの信号に基づきカンチレバー１００３のた
わみ量を検出する。Ｚ方向の位置検出は、レーザ１００
４がカンチレバー１００３の記録媒体１００１と反対側
を照射し、レーザ光は２分割センサ１００５に導入され
る。２分割センサ１００５は２つのダイオードに入射さ
れる光の強度差からレーザ光の光路を検出するが、これ
はカンチレバー１００３のたわみ量に依存しており、こ
の２分割センサ１００５の出力からたわみ量検出装置１
００６がカンチレバー１００３のたわみ量を検出する。
この方式は一般に光てこ方式と呼ばれているものであ
る。Ｚ方向位置制御回路１００７はマイクロコンピュー
タ１０１１からの制御信号とたわみ量検出装置１００６
の信号から記録媒体ステージ駆動機構１００９の図示Ｚ
方向の位置を制御する。

【００２１】記録媒体ステージ１００８は、観察記録媒
体１００１を保持固定するもので記録媒体ステージ駆動
機構１００９により図示ＸＹＺ方向に移動する。本実施
例ではこの駆動機構の粗動機構にステッピングモータを
また微動機構にピエゾ素子を用いている。ＸＹ方向位置
制御回路１０１０はマイクロコンピュータ１０１１から
の信号に基づき記録媒体ステージ駆動機構１００９の図
示ＸＹ方向の位置を制御する。マイクロコンピュータ１
０１１は、本実施例のＡＦＭの全般の動きをつかさど
る。

【００２２】付着物除去部１０１４を図１２、図１３、
図１４に示す。なお図１４は図１３中のＢ及びＢ’で示
された部分の断面図である。付着物除去部１０１４は図
４、図５、図６に示した構造と同じであるが、上面がこ
の付着物除去部を支持するシリコン基板と平行になって
いる。４１２及び４１３で示す角がそれぞれ１２０１及
び１２０２に対応する。また５０１に示す場所が１３０
１に対応する。電源１０１２は探針１００２をコートし
ているタングステンと接続されており、マイクロコンピ
ュータ１０１１からの指令により探針１００２先端を通
じて記録媒体１００１に電圧を印加する。この電圧印加
により記録媒体１００１のポリイミドＬＢ膜１１０３に
電圧が印加され、局所的にＬＢ膜の導電性が上昇し記録
ビット１１０４となる。本実施例での動作は以下の通り
である。まず、マイクロコンピュータ１０１１がＸＹ方
向位置制御回路１０１０に制御信号を送り、探針１００
２のＸＹ方向の位置を観察を行いたい位置まで移動す
る。

【００２３】次にマイクロコンピュータ１０１１がＺ方
向位置制御回路１００７に指示して探針１００２を記録
媒体１００１に接触させる。次にマイクロコンピュータ
１０１１がＺ方向位置制御回路１００７に指示し、たわ
み量検出装置１００６からの信号が一定になるようにＺ
方向のフィードバックをかけ、この状態でマイクロコン
ピュータ１０１１がＸＹ方向位置制御回路１０１０に指
令して探針１００２が記録媒体１００１表面を走査させ
る。すなわちカンチレバー１００３のたわみ量が一定に
なるような状態、すなわち探針１００２先端と記録媒体
１００１の間に働く力が一定になる状態で探針１００２
が記録媒体１００１表面上を走査させる。このときマイ
クロコンピュータ１０１１はあらかじめ用意されたビッ
ト情報に基づき“１”に相当する場所では電源１０１２
に指令して記録媒体１００１に電圧を印加し、記録ビッ
ト１１０４を形成する。

【００２４】本実施例では、上記の手順で情報の記録を
行った。さらに場所を変えて同様な手順で観察を繰り返
した。その後、以下に示す手順で探針先端についた付着
物の除去を行った。まず、探針１００２先端を１２０
１、１２０２の間の間隙に位置するように移動させる。
次に探針１００２を１２０１、１２０２に接触させる。
この状態で探針１００２先端が１３０１で示した点を通
過するように矢印１４０１に示した方向に移動させる。
この動作により探針１００２先端に付着した付着物が１
３０１の角により除去される。また、探針１００２が点
１３０１を通過する以前に、１２０１と１２０２の間隙
が狭くなったところで、図示Ｚ方向に探針１００２を引
き上げることにより、探針１００２先端の付着物が１２
０１、１２０２に引っかかるようにして除去されるよう
にしてもよい。本実施例では探針先端の汚れが除去さ
れ、情報の記録をより正確に行うことができる。

【００２５】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、媒体表面に平行な平面と媒体表面に垂直な平面との
なす角より小さい交角を構成する二つの面とその交線か
ら形成された付着物除去機構によって、効率的に探針先
端の付着物を除去することが可能となり、探針先端の付
着物による影響をなくして、所望の物理作用を加え所望
の加工を行うことができ、あるいはより正確に情報の記
録を行うことのできる微細加工装置を実現することがで
きる。その際、２組の前記交角を構成する面の組によっ
て、一つの組における交角を構成する二つの面による交
線と、他方の組における交角を構成する二つの面による
交線とが、鋭角をなすように構成することで、より効率
的に探針先端の付着物を除去することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】付着物除去機構の断面図。

【図２】付着物除去機構の上面図。

【図３】付着物の除去を説明する図。

【図４】付着物除去機構の断面図。

【図５】付着物除去機構の上面図。

【図６】付着物除去機構を示す図５のＡ−Ａ’断面図。

【図７】実施例１の微細加工装置を示す図。

【図８】実施例１に示す微細加工装置の探針付着物除去
用シリコン構造の断面図。

【図９】実施例１に示す微細加工装置の探針付着物除去
用シリコン構造の上面図。

【図１０】実施例２の情報記録装置を示す図。

【図１１】実施例２における記録媒体の構造を示す図。

【図１２】実施例２における付着物除去部の断面図。

【図１３】実施例２における付着物除去部の上面図。

【図１４】付着物除去部を示す図１３のＢ−Ｂ’断面
図。

【符号の説明】

１０１：探針 １０２：加工媒体表面に平行な表面 １０３：付着物除去機構 １０４：観察媒体表面水平方向の平面 １０５：付着物除去機構の一つの面 １０６：観察媒体表面垂直方向の平面 １０７：付着物除去機構の一つの面 １０８：面１０５と面１０７の交線 １０９：面１０７と面１０２の交線 ３０１：付着物 ３０２：矢印 ４０１：観察媒体表面に平行な表面 ４０２：付着物除去機構Ａ ４０３：付着物除去機構Ｂ： ４０４：観察媒体表面水平方向の平面 ４０５：観察媒体表面水平方向の平面 ４０６：付着部除去機構Ａの一つの構成面 ４０７：付着物除去機構Ｂの一つの構成面 ４０８：観察媒体表面垂直方向の平面 ４０９：観察媒体表面垂直方向の平面 ４１０：付着物除去機構Ａの一つの面 ４１１：付着物除去機構Ｂの一つの面 ４１２：面４０６と面４１０の交線 ４１３：面４０７と面４１１の交線 ５０１：交線４１２と交線４１３の交点 ５０２：交線４１２と交線４１３がなす角 ７０１：加工媒体 ７０２：探針 ７０３：探針付着物除去用シリコン構造 ７０４：シリコン基板 ７０５：電源 ７０６：電流検出回路 ７０７：Ｚ方向位置制御回路 ７０８：加工媒体ステージ ７０９：加工媒体ステージ駆動機構 ７１０：ＸＹ方向位置制御回路 ７１１：マイクロコンピュータ ７１２：真空チャンバ ８０１，８０２：角 ８０３：付着物 ８０４：矢印 １００１：記録媒体 １００２：探針 １００３：カンチレバー １００４：レーザ １００５：２分割センサ １００６：たわみ量検出装置 １００７：Ｚ方向位置制御回路 １００８：記録媒体ステージ １００９：記録媒体ステージ駆動機構 １０１０：ＸＹ方向位置制御回路 １０１１：マイクロコンピュータ １０１２：電源 １０１３：シリコン基板 １０１４：付着物除去部 １１０１：シリコン基板 １１０２：エビタキシャル成長した金（１１１）結晶 １１０３：ポリイミドＬＢ膜 １１０４：記録ピット

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】位置制御手段によって探針と媒体との相対
   位置を制御し、物理作用印加手段によって前記媒体に対
   し物理作用を印加し、該媒体の表面状態を変化させ、該
   媒体に微細加工を施す微細加工装置であって、 前記探針先端に付着した付着物を除去する付着物除去機
   構を備え、該付着物除去機構が少なくとも前記媒体表面
   に平行な平面と前記媒体表面に垂直な平面とのなす角よ
   り小さい交角を構成する二つの面とその交線から形成さ
   れてなることを特徴とする微細加工装置。
2. 【請求項２】前記付着物除去機構が、前記交角を構成す
   る面の組を２組有し、かつ前記一つの組における交角を
   構成する二つの面による交線と、他方の組における交角
   を構成する二つの面による交線とが、鋭角をなすように
   した構成を備えてなることを特徴とする請求項１に記載
   の微細加工装置。
3. 【請求項３】前記物理作用印加手段が、あらかじめ用意
   された情報に基づき符号化を行う符号化手段を有し、該
   符号化手段の出力に応じて前記加工媒体に物理作用を印
   加する構成を備えていることを特徴とする請求項１また
   は請求項２に記載の微細加工装置。
4. 【請求項４】前記付着物除去機構が、シリコンによって
   構成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれ
   か１項に記載の微細加工装置。