JP2005081527A - 原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 集束イオンビーム装置を原子間力顕微鏡を応用した微細加工装置内に組み込み、集束イオンビーム8のエッチングまたはデポジションの微細加工能力を用いて、加工用の原子間力顕微鏡探針11の加工や付着物の除去、ドリフト用のマーカの形成、垂直断面加工、加工個所の罫書き線作製、加工始点での応力集中回避のための溝掘りを行って、原子間力顕微鏡を応用した微細加工装置単体で持っていた欠点を補い、加工品質や加工精度を向上させる。
【選択図】 図1
Description
三宅正二郎, NEW DIAMOND, 18, 13(2002) D. Brinkley, R. White, R. Bozak, T. Liang, and G. Liu, Proc. of SPIE 4754, 900(2002) M. W. Xu, T. Hantschel, and W. Vandervorst, Appl. Phys. Lett. 81, 177(2002) 斎藤伸裕, 電子材料 2003年1月号, p.104 安武正敏, 皆籐孝, 第63回秋季応用物理学会講演予稿集, N0.2, 25a-ZQ-7, p.590, 2002
2 4軸マニピュレータ
3 集束イオンビーム光学系
4 傾斜可能なXYZステージ
5 試料
6 ガス導入系
7 二次電子検出器
8 イオンビーム
9 エッチング用のアシストガス導入系
10 磨耗した探針
11 エッチングで先鋭化した探針
12 堆積膜原料ガス導入系
13 先鋭化した堆積膜探針
14 付着物
15 先鋭化した探針
16 エッチングで所望の形状に加工した探針
17 堆積膜で所望の形状に加工した探針
18 FIBエッチングで作製した微細な穴
19 FIB-CVDで作製した微細な突起
20 エッチングガスまたは堆積膜原料ガス導入系
21 試料
22 加工個所
23 AFM探針
24 穴埋めの堆積膜
25 AFM探針形状に依存した部分
26 罫書き線
27 AFM探針による削り粉
28 標準形状
29 電荷中和用のプラスイオンビームまたはマイナスイオンビーム
Claims (23)
- 原子間力顕微鏡の探針を用いた加工の途中で、装置内に組み込んだ集束イオンビーム装置で前記加工用の原子間力顕微鏡探針先端を観察し、該先端が丸まっている場合には探針先端に追加工を行い先鋭化し、該先鋭化した探針で加工することを特徴とする原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
- 原子間力顕微鏡の探針を用いた加工の途中で、装置内に組み込んだ集束イオンビーム装置で加工用の原子間力顕微鏡探針先端を観察し、該先端に付着物がある場合には該付着物を集束イオンビームで除去し、該付着物を除去した探針で加工することを特徴とする原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
- 装置内に組み込んだ集束イオンビーム装置で、加工用の原子間力顕微鏡探針先端を加工途中で所望の形状に加工し、該加工した探針で加工することを特徴とする原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
- 装置内に組み込んだ集束イオンビーム装置で、ドリフト補正用の微小なパターンを形成し、加工途中でそのパターンを原子間力顕微鏡の観察モードで観察してその移動量からドリフトを算出し補正して加工することを特徴とする原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
- 装置内に組み込んだ集束イオンビーム装置で、原子間力顕微鏡加工だと探針形状のためその垂直加工が難しい部分のみ垂直断面加工を行い、それ以外の領域は原子間力顕微鏡探針で加工することを特徴とする原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
- 装置内に組み込んだ集束イオンビーム装置で加工領域の罫書き線を描き、作製した罫書き線内を加工用の原子間力顕微鏡探針で加工することを特徴とする原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
- 原子間力顕微鏡探針を用いて加工したときに加工個所周辺に発生する削り粉を、装置内に組み込んだ集束イオンビームで除去することを特徴とする原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
- 平坦な面を掘り込んで加工するときに、原子間力顕微鏡探針による加工の始点に当たる端を、装置内に組み込んだ集束イオンビーム装置で加工用の探針が入るようにあらかじめ削っておき、原子間力顕微鏡探針加工開始時に探針先端にかかる力を緩和し、加工用探針の先端欠けを低減することを特徴とする原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
- 装置内に組み込んだ集束イオンビーム装置で標準となる形状を作製し、観察用の原子間力顕微鏡探針でこの標準形状を測定して、加工前の形状認識時や加工途中のモニター時に針先形状の影響を除いたより正確な形状観察を可能することでより高精度な加工を行うことを特徴とする原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
- 前記加工用の探針先端加工が物理スパッタによるエッチングであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
- 前記加工用の探針先端加工がアシストガスを用いた増速エッチングであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
- 前記加工用の探針先端加工がFIB-CVDによるデポジションであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
- 前記加工用の探針先端加工をFIB-CVDによるデポジションとそれに引き続く集束イオンビームのエッチングで行うことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
- 請求項11記載の原子間力顕微を応用した鏡微細加工装置においてダイヤモンド探針加工の増速エッチングのアシストガスとして水を使用することを特徴とす原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
- 前記所望の形の探針を形成するためのデポジション原料ガスとしてW(CO)6を使用することを特徴とする請求項12記載の原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
- 前記所望の形の探針を形成するためのデポジション原料ガスとしてフェナントレンを使用することを特徴とする請求項12記載の原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
- 前記ドリフト補正用のマーカが集束イオンビームのエッチング機能で作製した微小な穴であることを特徴とする請求項4記載の原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
- 前記ドリフト補正用のマーカが集束イオンビームのデポジション機能で作製した微小な突起であることを特徴とする請求項4記載の原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
- 前記ドリフト補正用のマーカとして作製した微小な穴を加工終了後に集束イオンビームのFIB-CVD機能で埋めることを特徴とする請求項17記載の原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
- 前記ドリフト補正用のマーカとして作製した微小な突起を加工終了後に集束イオンビームのエッチング機能で取り除くことを特徴とする請求項18記載原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
- 前記集束イオンビームによる補助的な加工が物理スパッタであることを特徴とする請求項5から9のいずれかに記載の原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
- 前記集束イオンビームによる補助的な加工がアシストガスを用いた増速エッチングであることを特徴とする請求項5から9のいずれかに記載の原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
- 原子間力顕微鏡微探針による加工中に生じるチャージアップを装置に組み込んだ集束イオンビーム装置のプラスイオンまたはマイナスイオンで中和することを特徴とする原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法。
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Cited By (8)
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JP2007041406A (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Sii Nanotechnology Inc | 原子間力顕微鏡微細加工装置を用いたマスク余剰欠陥除去方法 |
JP2008130390A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電ビーム装置、及びそのクリーニング方法 |
JP2008145242A (ja) * | 2006-12-08 | 2008-06-26 | Sii Nanotechnology Inc | 原子間力顕微鏡の加工用ダイヤモンド探針の観察方法及び加工方法 |
JP2008173728A (ja) * | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Sii Nanotechnology Inc | 原子間力顕微鏡微細加工装置及び原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法 |
JP2010002231A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Sii Nanotechnology Inc | 高さ制御性に優れた原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法 |
JP2010066219A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Seiko I Techno Research Co Ltd | 試料作製方法および試料作製装置 |
JP2014204074A (ja) * | 2013-04-09 | 2014-10-27 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリントリソグラフィ用マスクの製造方法 |
CN115849299A (zh) * | 2023-03-03 | 2023-03-28 | 长鑫存储技术有限公司 | 纳米探针的修复方法 |
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007041406A (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Sii Nanotechnology Inc | 原子間力顕微鏡微細加工装置を用いたマスク余剰欠陥除去方法 |
JP4723945B2 (ja) * | 2005-08-04 | 2011-07-13 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 原子間力顕微鏡微細加工装置を用いたマスク余剰欠陥除去方法 |
JP2008130390A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電ビーム装置、及びそのクリーニング方法 |
JP2008145242A (ja) * | 2006-12-08 | 2008-06-26 | Sii Nanotechnology Inc | 原子間力顕微鏡の加工用ダイヤモンド探針の観察方法及び加工方法 |
JP2008173728A (ja) * | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Sii Nanotechnology Inc | 原子間力顕微鏡微細加工装置及び原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法 |
JP2010002231A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Sii Nanotechnology Inc | 高さ制御性に優れた原子間力顕微鏡を用いた微細加工方法 |
JP2010066219A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Seiko I Techno Research Co Ltd | 試料作製方法および試料作製装置 |
JP2014204074A (ja) * | 2013-04-09 | 2014-10-27 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリントリソグラフィ用マスクの製造方法 |
CN115849299A (zh) * | 2023-03-03 | 2023-03-28 | 长鑫存储技术有限公司 | 纳米探针的修复方法 |
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