JP4691631B2 - サファイヤ基板 - Google Patents
サファイヤ基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4691631B2 JP4691631B2 JP33871699A JP33871699A JP4691631B2 JP 4691631 B2 JP4691631 B2 JP 4691631B2 JP 33871699 A JP33871699 A JP 33871699A JP 33871699 A JP33871699 A JP 33871699A JP 4691631 B2 JP4691631 B2 JP 4691631B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- sapphire substrate
- sapphire
- semiconductor
- plane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、サファイヤ基板に関し、特に、半導体をエピタキシャル成長させる際に用いるサファイヤ基板に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体をエピタキシャル成長させる基板として、様々なものが案出されている。例えば、サファイヤ(Al2O3)、スピネル、ニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジウム、シリコン(Si)、6H−SiC、ZnO、GaAs、等が挙げられる。このうち、青色発光素材として近年特に注目されているGaNに代表されるIII族窒化物半導体、もしくはGaAlNに代表される窒化ガリウム系化合物半導体を始めとする各種半導体を結晶成長させる基板として現在もっとも広く用いられている基板は、サファイヤ基板である。
【0003】
これは、III族窒化物半導体等の格子定数とサファイヤの格子定数が比較的近似し、耐高温性をも有しているためと、III族窒化物半導体をサファイヤ基板上でエピタキシャル成長させやすく、相性が良いのと、かつ、格子定数が近似している可能な基板の中ではもっとも価格が安価なためである。
【0004】
III族窒化物半導体等をエピタキシャル成長させる必要上、サファイヤ基板は研磨により鏡面かつ平滑に面出し(平坦出し)されている。精度良く面出しされたサファイヤ基板により、GaNに代表されるIII族窒化物半導体は、格子欠陥のない大きな単結晶を形成し、他の基板と比較して歩留りが高く、発光特性の良好な半導体素子等を得ることができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の技術では以下の問題点が多々あった。実際に平滑に研磨された基板を用いてIII族窒化物半導体等を結晶成長させると、良好に結晶成長する基板(すなわち、広範に渡って格子欠陥のない単結晶が成長する基板)と、きわめて品質が悪い状態で結晶成長してしまう基板(すなわち、格子欠陥の多い結晶または多結晶が成長してしまう基板)とが混在する現象が生じる。また同時に、良好に結晶成長する基板であっても、部分的に結晶成長の不良な箇所が生じる場合もある。
【0006】
使用される基板は、いずれも同一ロットで同一の製造条件で研磨等され、同一の平滑性が保証されているものであり、エピタキシャル成長させる条件も同一である。したがって、本来すべての基板に対して同等に半導体が結晶成長すると期待できるところ、前述のごとく、基板ごとにもしくは、基板の部位により結晶の良否が大きく異なっている。
【0007】
すなわち、従来の基板はどの基板に良好に結晶成長するかをあらかじめ知ることができないため、結晶不良をおこす基板が必ず混在し、全体として歩留りが低くなってしまうという問題点があった。また、同一基板内でも、結晶性のよい部位と、結晶性の悪い部位とがあるため、ダイシングなどで切り出した後の半導体の歩留りが低くなるという問題点があった。
【0008】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、GaN等のIII族窒化物半導体やGaAlN等の窒化ガリウム系化合物半導体を始めとする各種半導体を、良好にエピタキシャル成長させ歩留りの向上を図ることのできるサファイヤ基板を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項1にかかる発明は、半導体をエピタキシャル成長させる際に用いるサファイヤ基板であって、結晶成長面が基板のc軸からa軸とm軸の中間の方向に0.05°〜0.5°の傾斜角度を有し、且つサファイヤの(0001)面と(0006)面の距離に等しい高さのステップが形成されたことを特徴としている。a軸とm軸の中間の方向とは、ステップ面にキンクやレッジが存在するような方向を含む。
【0011】
また、請求項2にかかる発明は、請求項1に記載のサファイヤ基板において、エピタキシャル成長させる半導体を、III族窒化物半導体もしくは窒化ガリウム系化合物半導体としたものである。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、本発明のサファイヤ基板の概念図であり、図2は、サファイヤの結晶軸と結晶面とを表す概略図である。
【0016】
図に示したように、サファイヤ基板は六方最密構造を有し、そのc面((0001)面)をテラスとし、ステップを経て(0006)面がテラスとなり、以下同様の構造が周期的に連続している。ステップを形成する面はm面((10−16)面、(01−16)面もしくは(−1106)面)である。
【0017】
図3は、AFM(Atomic Force Microscope)により走査した本発明のサファイヤ基板の表面状態を表す出力図であり、図4は、そのうち一方向に走査した場合の表面の凹凸を表すチャート図である。まず、図3から明らかな様に、1μm2(=1000nm×1000nm)の面積で数nm程度の凹凸しかなく、サファイヤ基板表面は全体として非常に高精度な平滑性をもって研磨されていることが分かる。
【0018】
また、図4から明らかなように、本発明のサファイヤ基板は、m軸方向に階段状に緩やかな面(微斜面)を形成するように作成されたものであり、ステップはおよそ0.25nmで、これは、サファイヤの(0001)面と(0006)面の距離(およそ0.22nm)にほぼ等しい。すなわち、本発明のサファイヤ基板は、サファイヤ格子の一層を削り取るようにステップを形成し、面出しされたものであることがわかる。このときステップ間の距離(テラスのm軸方向への長さ)はおよそ20〜300nmの長さである。
【0019】
このように本発明のサファイヤ基板は、c軸からm軸方向に約0.15°〜0.3°傾いた微斜面を形成する様に面出ししたものである。(以降においてこの傾斜角を、オフ角度と称することとする)。また、本発明のサファイヤ基板は、ラングの表示を用いて、Al2O3(S)−[x(0001)×(01−16)](100≦x≦1000)と表すことができ、ここで、Al2O3は対象となる結晶基板の化学式を表し、(S)はステップ面を、また(0001)はテラスであるc面を、また(01−16)はm面をステップとするステップ面を、またxはステップの周期を表し、その間の原子数をそれぞれ表す。なお、ステップ面は3通りの表記方法があるが、ここでは、そのうち(01−16)面のみを表している。
【0020】
このサファイヤ基板を用いてGaNを積層させた結果を次に示す。図5は、本発明のサファイヤ基板を用いてMOCVD法により形成された窒化ガリウム系化合物半導体の発光強度を測定した実験結果を表す図である。図において横軸はオフ角度を、縦軸はPhoto Luminescence(PL)強度を表している。
【0021】
図中▲1▼で示したように、従来のジャスト基板、すなわち、従来のサファイヤ基板(多少のバラツキを含む0°の基板)よりも、m軸方向に0.5°程度までの微斜面が形成された本発明の基板を用いた半導体の方が、PL強度が明らかに向上している。一般に結晶性の良好なほどPL強度が大きいといえるので、従来の基板に比し、本発明のサファイヤ基板を用いると、良好なGaN結晶が形成されることが分かる。
【0022】
一方、従来のサファイヤ基板は、ジャスト基板と称され、十分に平滑に研磨されたものであっても、本発明のサファイヤ基板の様に、そのオフ角度の角度精度を0.05°程度の精度まで管理し、制御を行って研磨されたものではなかった。図6は、従来のサファイヤ基板のオフ角度の角度精度をサンプリング調査した結果を集計した分布図を表す図である。
【0023】
これは従来の方法で加工されたジャスト基板と称されているもので、同一ロットのものを20個サンプリングしてみたところ、オフ角が0〜±0.05°、±0.05°〜±0.10°、±0.10°〜±0.20°、±0.20°overまで様々なオフ角度を有した基板が、ランダムにほぼ同じ割合で混在していることが分かる。すなわち、従来のジャスト基板は、一定の精度で平滑な面出しを行い、オフ角=0°と称するものであっても、実際、それ以上の精度まで研磨によるオフ角を制御することができなかったため、様々なオフ角度のものを有していたと考えられる。
【0024】
この従来の基板をAFMで表面走査してみると、基板の各々は一定のオフ角度を持っているものでもなく、また、高低差も大きいことが分かった。すなわち、表面は、ある程度平滑に仕上げてあるといっても、本発明のサファイヤ基板に比して凹凸が多く、その山と谷の差が大きいものであることがわかった。
【0025】
このような従来の基板を用いてGaNをエピタキシャル成長させた結晶表面を同様に測定してみると、結晶表面は凸凹しており、結晶性が悪いことが確認できた。従来の基板では、表面の山もしくは谷の部分に局所的に結晶成長が集中するため、半導体が結晶欠陥・不良をおこしてしまっていると推定できる。これが従来の半導体の歩留りの悪さの原因であったと考えられる。また一方、従来、確率的に結晶成長が良好で歩留りのよかったものがあったのは、基板全体もしくは基板のある部位が偶然に適度な微斜面を形成していたためと考えられる。
【0026】
次に、本願発明者は、オフ角度が±0.05°という非常に高精度に面出しを行ったジャスト基板、すなわち、c面テラス領域が著しく広いサファイヤ基板を作成し、GaNをエピタキシャル成長させる実験を行った。するとGaNは局所的な結晶成長を行い、良好なGaN半導体を得ることができなかった。
【0027】
これは、あまりに平滑であると、結晶成長する核が存在しないため、一旦結晶成長が始まると、急激に結晶成長してしまう結果、格子欠陥の多い結晶や多結晶となるなどの結晶不良を生じてしまったと考えられる。
【0028】
そこで本願発明者は、オフ角を0.05°から順に細分化してある角度をつけた基板を用意して半導体を成長させたところ、前述の図5のごとく、PL強度の大きい、すなわち、結晶性の良好な半導体を得る条件を見い出すことに成功した。特に、オフ角が0.15°〜0.3°までの基板は、従来の基板(従来のジャスト基板)を用いた場合の2倍もの発光特性を有するものを得ることができた。なお、図示は省略するが、本発明の基板を用いてGaNを結晶成長させると、オフ角度が0.5°程度までは、GaN表面(結晶成長面)は極めて平滑であり、凸凹(結晶欠陥・不良)は生じなかった。
【0029】
以上の説明では、ステップはm面であったが、a面(例えば(1000)面)であっても同様の効果を奏することは言うまでもない。また、ステップ面には、キンクやレッジが存在していてもよい。したがって、a軸とm軸の中間方向に微斜面が形成されていてもよい。この場合は、キンクも周期的に現れる。また、半導体成長には、適宜バッファ層を設けてもよい。また、エピタキシャル成長に用いることのできる方法は、すべて使用することができ、例えばツーフローMOCVD法などを用いることもできる。
【0030】
さらに、オフ角度を保った平面出しは、一方向に研磨する方法でもよいが、研磨方法によっては、すり鉢状に面出ししてもよい。換言すれば、数mm×数mmのオーダーで面出しされていればよく、ウエハ全面が所定の方向に研磨されたものであることを要しない。
【0031】
【発明の効果】
以上説明したごとく、本発明のサファイヤ基板は、所定の方向に、所定の角度の傾斜をもって面出しされたものであるので、GaN等のIII族窒化物半導体やGaAlN等の窒化ガリウム系化合物半導体等を始めとする各種半導体を、良好にエピタキシャル成長させることが可能となる。
【0032】
すなわち、本発明のサファイヤ基板を用いて結晶成長させると、基板が所定の方向に所定のオフ角度をもって面出しされたものであるので、個々の基板自体の歩留りが向上し、かつ、ダイシング等によって分割された個々の半導体等の歩留りも当然向上する。また、その半導体も従来品のサファイヤ基板を用いた場合に比し、2倍程度の発光強度特性を有する良好なものが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のサファイヤ基板の概念図である。
【図2】本発明のサファイヤ基板の結晶軸と結晶面とを表す図である。
【図3】AFMにより走査した本発明のサファイヤ基板の表面状態を表す図である。
【図4】本発明のサファイヤ基板をm軸方向(m面に垂直な方向)にAFM走査した場合の表面の凹凸を表す図である。
【図5】本発明のサファイヤ基板を用いてMOCVD法により形成された窒化ガリウム系化合物半導体の発光強度を測定した実験結果を表す図である。
【図6】 従来のサファイヤ基板のオフ角度の角度精度をサンプリング調査した結果を表す図である。
Claims (2)
- 半導体をエピタキシャル成長させる際に用いるサファイヤ基板であって、前記基板の前記エピタキシャル成長させる結晶成長面が、前記基板のc軸から、a軸とm軸の中間の方向に0.15°〜0.3°の傾斜角度を有し、且つサファイヤの(0001)面と(0006)面の距離に等しい高さのステップが形成されたことを特徴とするサファイヤ基板。
- 前記半導体は、III族窒化物半導体もしくは窒化ガリウム系化合物半導体であることを特徴とする請求項1のいずれか一つに記載のサファイヤ基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33871699A JP4691631B2 (ja) | 1999-11-29 | 1999-11-29 | サファイヤ基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33871699A JP4691631B2 (ja) | 1999-11-29 | 1999-11-29 | サファイヤ基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001158691A JP2001158691A (ja) | 2001-06-12 |
JP4691631B2 true JP4691631B2 (ja) | 2011-06-01 |
Family
ID=18320796
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33871699A Expired - Fee Related JP4691631B2 (ja) | 1999-11-29 | 1999-11-29 | サファイヤ基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4691631B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002100839A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-04-05 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子および半導体レーザ |
JP4522013B2 (ja) * | 2001-03-29 | 2010-08-11 | 京セラ株式会社 | 単結晶サファイア基板の熱処理方法 |
JP4630970B2 (ja) * | 2003-04-17 | 2011-02-09 | 並木精密宝石株式会社 | サファイヤ基板及びその製造方法 |
JP4581490B2 (ja) * | 2004-05-31 | 2010-11-17 | 日立電線株式会社 | Iii−v族窒化物系半導体自立基板の製造方法、及びiii−v族窒化物系半導体の製造方法 |
DE102005021099A1 (de) | 2005-05-06 | 2006-12-07 | Universität Ulm | GaN-Schichten |
JP4687358B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2011-05-25 | 豊田合成株式会社 | 通信用発光素子及びそれを用いた光通信装置 |
EP2094439A2 (en) * | 2006-12-28 | 2009-09-02 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Sapphire substrates and methods of making same |
JP2010168280A (ja) * | 2010-03-08 | 2010-08-05 | Kyocera Corp | 単結晶サファイア基板 |
EP2747220B1 (en) | 2011-08-09 | 2016-11-30 | Soko Kagaku Co., Ltd | Nitride semiconductor ultraviolet light emitting element |
JP6927481B2 (ja) * | 2016-07-07 | 2021-09-01 | 国立大学法人京都大学 | Led素子 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1174562A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-03-16 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
JP2000082676A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-03-21 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体の結晶成長方法、発光素子およびその製造方法 |
JP2000156348A (ja) * | 1998-09-16 | 2000-06-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体基板及びそれを用いた窒化物半導体素子 |
JP2001144326A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-05-25 | Sharp Corp | 半導体発光素子、それを使用した表示装置および光学式情報再生装置、並びに半導体発光素子の製造方法 |
-
1999
- 1999-11-29 JP JP33871699A patent/JP4691631B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1174562A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-03-16 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
JP2000082676A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-03-21 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体の結晶成長方法、発光素子およびその製造方法 |
JP2000156348A (ja) * | 1998-09-16 | 2000-06-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体基板及びそれを用いた窒化物半導体素子 |
JP2001144326A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-05-25 | Sharp Corp | 半導体発光素子、それを使用した表示装置および光学式情報再生装置、並びに半導体発光素子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001158691A (ja) | 2001-06-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9318559B2 (en) | Method for producing group III nitride semiconductor and template substrate | |
US9039834B2 (en) | Non-polar gallium nitride thin films grown by metalorganic chemical vapor deposition | |
TWI453813B (zh) | 用於生長平坦半極性的氮化鎵之技術 | |
US7829207B2 (en) | Manufacture method for ZnO based compound semiconductor crystal and ZnO based compound semiconductor substrate | |
JP4581490B2 (ja) | Iii−v族窒化物系半導体自立基板の製造方法、及びiii−v族窒化物系半導体の製造方法 | |
JP5099763B2 (ja) | 基板製造方法およびiii族窒化物半導体結晶 | |
KR101251443B1 (ko) | 수소화물 기상 에피택시법에 의한 평면의, 전위 밀도가 감소된 m-면 질화갈륨의 성장 | |
US7276779B2 (en) | III-V group nitride system semiconductor substrate | |
US7253499B2 (en) | III-V group nitride system semiconductor self-standing substrate, method of making the same and III-V group nitride system semiconductor wafer | |
US20100206218A1 (en) | Method of making group III nitride-based compound semiconductor | |
TWI475598B (zh) | 厚iii-n層的磊晶成長製法和包括iii-n層之基體及其半導體元件 | |
JP2009501843A (ja) | 半極性窒化物薄膜の欠陥低減のための横方向成長方法 | |
WO2002023604A1 (fr) | Materiau de base semi-conducteur et procede de fabrication dudit materiau | |
JP4380294B2 (ja) | Iii−v族窒化物系半導体基板 | |
JP4691631B2 (ja) | サファイヤ基板 | |
JP2002255694A (ja) | 半導体用基板とその製造方法 | |
JP2002299253A (ja) | 半導体基板の製造方法及び半導体素子 | |
JPH07273048A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法、該化合物半導体の単結晶および単結晶基板の製造方法 | |
JP2007191321A (ja) | 窒化物基板の製造方法と窒化物基板及び窒化物系半導体デバイス | |
EP1460154A1 (en) | Group iii nitride semiconductor substrate and its manufacturing method | |
KR100941596B1 (ko) | 3-5족 화합물 반도체의 제조방법 및 반도체 소자 | |
JP3555657B2 (ja) | 低欠陥窒化物半導体基板及びその製造方法 | |
JP3567826B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法 | |
JP2002016001A (ja) | 低欠陥窒化物半導体の成長方法 | |
US20120094434A1 (en) | Enhanced spontaneous separation method for production of free-standing nitride thin films, substrates, and heterostructures |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061128 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070910 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090309 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090312 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090511 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090731 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090929 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100510 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100709 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101206 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101207 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110117 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110120 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140304 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4691631 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140304 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |