JP4688139B2 - 固体酸含有組成物 - Google Patents
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[固体電解質組成物の調製]
表1に示す重量比で固体酸とバインダーを配合し、組成物を調製した。さらに固体酸とバインダーからなる樹脂固形分が6重量%になるように溶媒で希釈し、ボールミルで混錬した後、ワニスa〜hを調製、これらを後述の方法で評価した。
ナフタレンを濃硫酸(96%)に加え、数百℃で15時間加熱した後、過剰の濃硫酸を数百℃での減圧蒸留によって除去し、黒色粉末を得た。この黒色粉末を300mlの蒸留水で洗浄し、洗浄後の蒸留水中の硫酸が元素分析の検出限界以下になるまでこの操作を繰り返し、スルホン酸基導入無定形炭素を得た。
重油を濃硫酸(96%)に加え、数百℃で15時間加熱し硫酸ピッチを得た後、過剰の濃硫酸を数百℃での減圧蒸留によって除去し、黒色粉末を得た。この黒色粉末を300mlの蒸留水で洗浄し、洗浄後の蒸留水中の硫酸が元素分析の検出限界以下になるまでこの操作を繰り返し、スルホン酸基導入無定形炭素を得た。
シャーレの中にワニスa〜hを加え、125℃で乾燥させた。この時、場合によりガラスクロスを含有させ補強した。乾燥後の膜厚が100μmになるようにし、放冷して電解質層とした。次に、Pt触媒層が形成された炭素電極層(エレクトロケム社製)の接着面に5%Nafion溶液を垂らし乾燥させ、これを電解質層に加熱圧着してMEAを作製した。
機械物性:ワニスa〜hを用いて作製した各種MEAを手で折り曲げ、折れないものを○、折れるものを×とした。
σ(S/cm:プロトン伝導性)
=l(cm:膜厚)/{R(Ω:膜抵抗)×S(cm2:断面積)}
20gのナフタレンを300mlの濃硫酸(96%)に加え、250℃で15時間加熱した後、過剰の濃硫酸を250℃での減圧蒸留によって除去し、黒色粉末を得た。この黒色粉末を300mlの蒸留水で洗浄し、洗浄後の蒸留水中の硫酸が元素分析の検出限界以下になるまでこの操作を繰り返し、スルホン酸基導入無定形炭素を得た。
5gのコロネン(C24H12)を100mlの濃硫酸(96%)に加え、250℃で15時間加熱した後、過剰の濃硫酸を280℃での減圧蒸留によって除去し、黒色粉末を得た。この黒色粉末を300mlの蒸留水で洗浄し、洗浄後の蒸留水中の硫酸が元素分析の検出限界以下になるまでこの操作を繰り返し、スルホン酸基導入無定形炭素を得た。
10gの重油を300mlの濃硫酸(96%)に加え、250℃で15時間加熱した後、過剰の濃硫酸を250℃での減圧蒸留によって除去し、黒色粉末を得た。この黒色粉末を300mlの蒸留水で洗浄し、洗浄後の蒸留水中の硫酸が元素分析の検出限界以下になるまでこの操作を繰り返し、スルホン酸基導入無定形炭素を得た。
参考例1〜3で製造したスルホン酸残基導入無定形炭素の構造を、前述したX線解析装置を用いて解析した。この結果、参考例1〜3で製造したいずれのスルホン酸残基導入無定形炭素においても、X線回折パターンにはいかなる構造も確認することができず、これらの物質はアモルファスであることがわかった。
参考例で1〜3で製造したスルホン酸残基導入無定形炭素を酸素気流中下で燃焼させ、前述した元素分析計を用いて硫黄含有量を測定した。この結果、参考例1、2、3のスルホン酸残基導入無定形炭素の硫黄含有量は、それぞれ7.1atm%、1.5atm%、3.5atm%であり、いずれの物質にも多くのスルホン酸基が存在することが確認された。
参考例1〜3で製造したスルホン酸残基導入無定形炭素の大気中での分解温度を、昇温脱離法(日本ベル株式会社マルチタスクTPD)及び熱重量分析法(島津製作所DTG−60/60H)により測定した。この結果、参考例1、2、3のスルホン酸残基導入無定形炭素の分解温度は、それぞれ250℃、210℃、250℃であり、いずれの物質も熱的安定性が高いことが確認された。
参考例1〜3で製造したスルホン酸残基導入無定形炭素を150℃で1時間真空排気した後、その0.2gを触媒としてアルゴン雰囲気下の酢酸0.1molとエチルアルコール1.0molの混合溶液に添加し、70℃で6時間攪拌し、反応中に酸触媒反応によって生成する酢酸エチルの生成量をガスクロマトグラフで調べた。また、反応終了後、スルホン酸残基導入無定形炭素を回収し、洗浄後、同じ反応に再度触媒として用い、同様に酢酸エチルの生成量を調べた。なお、比較として同量のナフィオンを触媒として用いた場合の酢酸エチル生成量も調べた。
(1)ナフタレンからのスルホン酸基導入無定形炭素の製造
20gのナフタレンを300mLの96%濃硫酸に加え、この混合物に窒素ガスを30ml/minで吹き込みながら250℃で15時間加熱することによって黒色の液体が得られた。この液体を排気速度50L/min、到達圧力1×10−2torr以下の高真空ロータリーポンプで真空排気しながら250℃で5時間加熱することによって過剰の濃硫酸の除去と炭化の促進を行い、黒色粉末を得た。この黒色粉末を不活性気流中下180℃で12時間加熱した後、300mLの蒸留水で洗浄し、洗浄後の蒸留水中の硫酸が前述した閃光燃焼を用いた元素分析計による元素分析の検出限界以下になるまでこの操作を繰り返し、スルホン酸基導入無定形炭素を得た。得られたスルホン酸基導入無定形炭素の13C核磁気共鳴スペクトルを図5に示す。核磁気共鳴スペクトルは、前述した13C MAS核磁気共鳴スペクトルの測定法に従って測定した。図5に示すように、130ppm付近には縮合芳香族炭素6員環による化学シフトが現れ、140ppm付近にはスルホン酸基が結合した縮合芳香族炭素6員環による化学シフトが現れた。なお、図5中で、SSBと示したピークは、13C MAS核磁気共鳴スペクトルの測定で特徴的に観測されるスピニングサイドバンドであり、炭素種に由来するものではない。図6には前述したX線解析装置で測定した粉末X線回折パターンを示した。図6に示すように、炭素(002)面と(004)面の回折ピークが確認された。(002)面の回折ピークの半値幅(2θ)は11°であった。また、このスルホン酸基導入無定形炭素のスルホン酸密度は4.9mmol/gであった。
上記スルホン酸基導入無定形炭素の粉末を150℃で1時間真空排気した後、その0.2gを触媒としてアルゴン雰囲気下の酢酸0.1molとエチルアルコール1.0molの混合溶液に添加し、70℃で6時間攪拌し、反応中に酸触媒反応によって生成する酢酸エチルの生成速度をガスクロマトグラフで調べた。その結果を図7にA(原料:ナフタレン)として示した。比較のため、スルホン酸基導入無定形炭素の代わりに、0.2gの濃硫酸、ナフィオンを触媒として反応を行い、酢酸エチル生成速度を求めた。この結果を図7にR1(H2SO4)、R2(ナフィオンNR50)として示した。図7のAに示されるように、スルホン酸基導入無定形炭素の存在下では酢酸エチルの生成が著しく速く、この物質が強い固体酸触媒として機能していることがわかった。
(1)トルエンからのスルホン酸基導入無定形炭素の製造
5gのトルエンを100mLの96%硫酸に加え、この混合物に窒素ガスを30ml/minで吹き込みながら250℃で15時間加熱することによって黒色の液体が得られた。この液体を排気速度50L/min、到達圧力1×10−2torr以下の高真空ロータリーポンプで真空排気しながら250℃で5時間加熱することによって過剰の濃硫酸の除去と炭化の促進を行い、黒色粉末を得た。この黒色粉末を不活性気流中下180℃で12時間加熱した後、300mLの蒸留水で洗浄し、洗浄後の蒸留水中の硫酸が元素分析の検出限界以下になるまでこの操作を繰り返し、スルホン酸基導入無定形炭素を得た。得られたスルホン酸残基導入無定形炭素の13C核磁気共鳴スペクトルの130ppm付近には縮合芳香族炭素6員環による化学シフトが現れ、140ppm付近にはスルホン酸基が結合した縮合芳香族炭素6員環による化学シフトが現れた。得られたスルホン酸基導入無定形炭素粉末の粉末X線回折パターンでは炭素(002)面と(004)面の回折ピークが確認された。(002)面の回折ピークの半値幅(2θ)は8°であった。また、このスルホン酸残基導入無定形炭素のスルホン酸密度は4.2mmol/gであった。
上記スルホン酸基導入無定形炭素の粉末を150℃で1時間真空排気した後、その0.2gを触媒としてアルゴン雰囲気下の酢酸0.1molとエチルアルコール1.0molの混合溶液に添加し、70℃で6時間攪拌し、反応中に酸触媒反応によって生成する酢酸エチルの生成速度をガスクロマトグラフで調べた。その結果を図4にB(原料:トルエン)として示した。図7のBに示されるように、スルホン酸残基導入無定形炭素の存在下では酢酸エチルの生成が著しく速く、この物質が強い固体酸触媒として機能していることがわかった。
(1)グルコースからのスルホン酸基導入無定形炭素の製造
10gのD−グルコースを不活性ガス気流中、250℃で15時間加熱し、茶褐色の有機物粉末〔半値幅(2θ)が30°である(002)面の回折ピークが観察される。〕を得た。この粉末5gを200mLの96%硫酸に加え、これに窒素ガスを 30ml/minで吹き込みながら150℃で15時間加熱することによって黒色の固体を得た。この黒色固体を300mLの蒸留水で洗浄し、洗浄後の蒸留水中の硫酸が元素分析の検出限界以下になるまでこの操作を繰り返し、スルホン酸基導入無定形炭素を得た。得られたスルホン酸基導入無定形炭素粉末の13C核磁気共鳴スペクトルの130ppm付近には縮合芳香族炭素6員環による化学シフトが現れ、140ppmm付近にはスルホン酸基が結合した縮合芳香族炭素6員環による化学シフトが現れた。得られたスルホン酸基導入無定形炭素粉末の粉末X線回折パターンでは、炭素(002)面の回折ピークが確認された。(002)面の回折ピークの半値幅(2θ)は20°であった。また、このスルホン酸残基導入無定形炭素のスルホン酸密度は4.5mmol/gであった。
上記スルホン酸残基導入無定形炭素の粉末を150℃で1時間真空排気した後、その0.2gを触媒としてアルゴン雰囲気下の酢酸0.1molとエチルアルコール1.0molの混合溶液に添加し、70℃で6時間攪拌し、反応中に酸触媒反応によって生成する酢酸エチルの生成速度をガスクロマトグラフで調べた。その結果を図4のC(原料:グルコース)に示した。図7のCに示されるように、スルホン酸残基導入無定形炭素の存在下では酢酸エチルの生成が著しく速く、この物質が強い固体酸触媒として機能していることがわかった。
参考例4〜6で製造したスルホン酸残基導入無定形炭素の大気中での分解温度を、昇温脱離法(日本ベル株式会社マルチタスクTPD)及び熱重量分析法(島津製作所DTG−60/60H)により測定した。
参考例4〜6で製造したスルホン酸残基導入無定形炭素を150℃のオートクレーブ中で蒸留水と共に72時間加熱した後、ろ別した粉末を150℃で1時間真空排気し、次いで、その0.2gを触媒として参考例4〜6と同様に酢酸エチルの生成反応を行ったところ、各参考例で製造したいずれの物質も加熱処理していないものと同様の触媒作用を示した(図には示さない)。これらの結果は各参考例で製造した物質は化学的安定性が高く、150℃の水中においても酸強度が損なわれないことを示している。
Claims (17)
- 少なくとも、スルホン酸基が導入された無定形炭素及びバインダーを含み、スルホン酸基が導入された無定形炭素とバインダーの重量比が、スルホン酸基が導入された無定形炭素:バインダー=1:99〜99:1の範囲であり、スルホン酸基が導入された無定形炭素が、13C核磁気共鳴スペクトルにおいて縮合芳香族炭素6員環及びスルホン酸基が結合した縮合芳香族炭素6員環の化学シフトが検出され、粉末X線回折において半値幅(2θ)が5〜30°である炭素(002)面の回折ピークが少なくとも検出され、プロトン伝導性を示すことを特徴とする組成物。
- スルホン酸基が導入された無定形炭素のプロトン伝導度が、0.01〜0.2S/cm(温度80℃湿度100%条件下で交流インピーダンス法による)であることを特徴とする請求項1に記載の組成物。
- スルホン酸基が導入された無定形炭素の粉末X線回折において炭素(002)面の回折ピークのみが検出される請求項1又は2に記載の組成物。
- スルホン酸基が導入された無定形炭素のスルホン酸密度が、0.5〜8mmol/gである請求項1乃至3のいずれか一項に記載の組成物。
- スルホン酸基が導入された無定形炭素のスルホン酸密度が、1.6〜8mmol/gである請求項1乃至3のいずれか一項に記載の組成物。
- スルホン酸基が導入された無定形炭素のスルホン酸密度が、3〜8mmol/gである請求項1乃至3のいずれか一項に記載の組成物。
- バインダーが、水溶性ポリマーであることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の組成物。
- バインダーが、フッ素を含有することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の組成物。
- バインダーが、エンジニアリングプラスチック又はその変性体であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の組成物。
- バインダーが、ポリビニルアルコール又はその誘導体であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の組成物。
- バインダーが、スルホン酸基を含有することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の組成物。
- 請求項1乃至11のいずれか一項に記載の組成物を用いたことを特徴とする固体電解質膜。
- 請求項12に記載の固体電解質膜を用いたことを特徴とする膜電極接合体。
- 請求項12に記載の固体電解質膜を用いたことを特徴とする燃料電池。
- 有機化合物を濃硫酸又は発煙硫酸中で加熱処理し、スルホン酸基が導入された無定形炭素を製造し、これをバインダーと混合することを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一項に記載の組成物の製造方法。
- 不活性ガス又は乾燥空気気流中で、有機化合物を濃硫酸又は発煙硫酸中で加熱処理し、スルホン酸基が導入された無定形炭素を製造することを特徴とする請求項15に記載の組成物の製造方法。
- 有機化合物を濃硫酸又は発煙硫酸中で加熱処理した後、加熱処理物を真空加熱し、スルホン酸基が導入された無定形炭素を製造することを特徴とする請求項15又は16に記載の組成物の製造方法。
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