JP4686430B2 - 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置 - Google Patents
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4686430B2 JP4686430B2 JP2006266788A JP2006266788A JP4686430B2 JP 4686430 B2 JP4686430 B2 JP 4686430B2 JP 2006266788 A JP2006266788 A JP 2006266788A JP 2006266788 A JP2006266788 A JP 2006266788A JP 4686430 B2 JP4686430 B2 JP 4686430B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic
- film
- magnetoresistive
- magnetic layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 354
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 222
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 214
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 145
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 141
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 89
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 69
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 60
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 38
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 claims description 20
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 13
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 13
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 10
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims description 7
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 878
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 61
- 230000008859 change Effects 0.000 description 57
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 55
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 35
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 32
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 28
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 25
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 24
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 22
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 22
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- FQMNUIZEFUVPNU-UHFFFAOYSA-N cobalt iron Chemical compound [Fe].[Co].[Co] FQMNUIZEFUVPNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 20
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 17
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 17
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 17
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 16
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 16
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 14
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 14
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 14
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 13
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 12
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 12
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 12
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 12
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 12
- 238000011160 research Methods 0.000 description 11
- KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co].[Ni] Chemical compound [Fe].[Co].[Ni] KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 9
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 8
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 7
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- IGOJMROYPFZEOR-UHFFFAOYSA-N manganese platinum Chemical compound [Mn].[Pt] IGOJMROYPFZEOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 6
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- BIJOYKCOMBZXAE-UHFFFAOYSA-N chromium iron nickel Chemical compound [Cr].[Fe].[Ni] BIJOYKCOMBZXAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 4
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 4
- 208000000044 Amnesia Diseases 0.000 description 3
- 208000026139 Memory disease Diseases 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012237 artificial material Substances 0.000 description 3
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 3
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 3
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000006984 memory degeneration Effects 0.000 description 3
- 208000023060 memory loss Diseases 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002546 FeCo Inorganic materials 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005811 NiMnSb Inorganic materials 0.000 description 2
- QVYYOKWPCQYKEY-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co] Chemical compound [Fe].[Co] QVYYOKWPCQYKEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910001291 heusler alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 2
- SHMWNGFNWYELHA-UHFFFAOYSA-N iridium manganese Chemical compound [Mn].[Ir] SHMWNGFNWYELHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 2 O 3 Substances 0.000 description 1
- 230000005330 Barkhausen effect Effects 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018279 LaSrMnO Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001364096 Pachycephalidae Species 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVOSBSSLEDDREC-UHFFFAOYSA-N [Mn].[Rh].[Ru] Chemical compound [Mn].[Rh].[Ru] QVOSBSSLEDDREC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000002885 antiferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000005303 antiferromagnetism Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001566 austenite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000009508 confectionery Nutrition 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000005308 ferrimagnetism Effects 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- JRTYPQGPARWINR-UHFFFAOYSA-N palladium platinum Chemical compound [Pd].[Pt] JRTYPQGPARWINR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005478 sputtering type Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
- H01F10/193—Magnetic semiconductor compounds
- H01F10/1936—Half-metallic, e.g. epitaxial CrO2 or NiMnSb films
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3254—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
- H01F10/3259—Spin-exchange-coupled multilayers comprising at least a nanooxide layer [NOL], e.g. with a NOL spacer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3268—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
- H01F10/3272—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn by use of anti-parallel coupled [APC] ferromagnetic layers, e.g. artificial ferrimagnets [AFI], artificial [AAF] or synthetic [SAF] anti-ferromagnets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3286—Spin-exchange coupled multilayers having at least one layer with perpendicular magnetic anisotropy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/30—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE]
- H01F41/302—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE] for applying spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
- H01F41/325—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film applying a noble metal capping on a spin-exchange-coupled multilayer, e.g. spin filter deposition
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
しかも実際には、デバイスとして最も実現可能性の高いスピンバルブ膜構造においては、フリー層、ピン層とがそれぞれ一層、多くても二層しか有さない構造なので、MR変化率に寄与する膜厚、界面が人工格子多層膜の場合と比べて少ないため、MR変化率も実用的なMR変化率と比べて著しく小さい値となってしまい、現状では実用レベルとはかけ離れている。
また、前記第1あるいは第2の磁性層は、その層の中の前記薄膜層、前記磁性金属層及び前記非磁性金属層を介して磁気結合しているものとすることができる。 また、前記薄膜層と前記非磁性中間層との間の距離が3ナノメートル以下であるものとすることができる。
具体的には、極薄酸化物層TBの平均膜厚は、0.2ナノメートル乃至3ナノメートル程度であり、非磁性層NMの平均膜厚は、0.2ナノメートル乃至2ナノメートル程度であることが望ましい。は非磁性NMの膜厚は、その上下の磁性層の間の磁気結合の低下を防ぐためには、0.2ナノメートル乃至1ナノメートル程度であることがさらに望ましい。
この場合には、非磁性層NM、極薄酸化物層TBを介して上下ともに磁性層が存在するわけではないので、磁気的なカップリングは気にする必要はない。ただし、バンド変調効果という観点から、非磁性層NMおよび極薄酸化物層TBの好ましい膜厚範囲はこれまで提示してきたものと同様である。
のバンド構造が変化し、伝導に寄与する電子がアップまたはダウンの一方に大きくスピン分極することによって、MR変化率が向上する。
従来のきちんとした周期構造をもつ酸化物、窒化物、フッ化物を挿入した場合に対して、例えば、平均厚さが2ユニットセル以下、さらには平均厚さが1ユニットセル以下の酸化物、窒化物、フッ化物でも本発明による効果を得ることができる。
まず、本発明の第1の実施例として、以下の積層構造を有する磁気抵抗効果素子を作成した。
すなわち、本実施例は、図15(c)に例示したように、ピン層Pのスペーサ層Sとの界面近傍のみに極薄酸化物層TBを設けた構造を有する。
次に、本発明の第2の実施例として、極薄酸化物層TBの形成方法について具体例を挙げつつ説明する。
次に、本発明の第3の実施例として、CPP型の磁気抵抗効果素子の具体例を挙げて説明する。
次に、本発明の第4の実施例として、本発明の磁気抵抗効果素子を搭載した磁気再生装置について説明する。すなわち、図1乃至図34に関して説明した本発明の磁気抵抗効果素子あるいは磁気ヘッドは、例えば、記録再生一体型の磁気ヘッドアセンブリに組み込まれ、磁気記録再生装置に搭載することができる。
次に、本発明の第5の実施例として、本発明の磁気抵抗効果素子を搭載した磁気メモリについて説明する。すなわち、図1乃至図34に関して説明した本発明の磁気抵抗効果素子を用いて、例えば、メモリセルがマトリクス状に配置されたランダムアクセス磁気メモリ(magnetic random access memory)などの磁気メモリを実現できる。
また、磁気抵抗効果素子321の下方には、書き込み配線323が、配線322と略直交する方向に設けられている。これら書き込み配線322、323は、例えばアルミニウム(Al)、銅(Cu)、タングステン(W)、タンタル(Ta)あるいはこれらいずれかを含む合金により形成することができる。
AC 反強磁性結合層
P ピン層(磁化固着層)
S スペーサ層(非磁性中間層)
F フリー層(磁化自由層)
FM 強磁性層
HM ハード磁性層
NM 非磁性層
TB 極薄酸化物層(薄膜層)
TBR 反応部
TBM 未反応部
150 磁気記録再生装置
152 スピンドル
153 ヘッドスライダ
154 サスペンション
155 アクチュエータアーム
156 ボイスコイルモータ
157 スピンドル
160 磁気ヘッドアッセンブリ
164 リード線
200 磁気記録媒体ディスク
311 記憶素子部分
312 アドレス選択用トランジスタ部分
312 選択用トランジスタ部分
321 磁気抵抗効果素子
322 ビット線
322 配線
323 ワード線
323 配線
324 下部電極
326 ビア
328 配線
330 スイッチングトランジスタ
332 ゲート
332 ワード線
334 ビット線
334 ワード線
350 列デコーダ
351 行デコーダ
352 センスアンプ
360 デコーダ
Claims (21)
- 垂直通電型の磁気抵抗効果素子であって、
磁化方向が実質的に一方向に固着された第1の磁性層と、
磁化方向が外部磁界に応じて変化する第2の磁性層と、
前記第1及び第2の磁性層間に形成された金属からなる非磁性中間層と、
前記第1の磁性層中、前記第2の磁性層中、前記第1の磁性層と前記非磁性中間層との界面、または前記第2の磁性層と前記非磁性中間層との界面一様に形成された平均厚さ3ナノメートル以下の亜鉛(Zn)の酸化物からなる薄膜層とを備える磁気抵抗効果膜、及び
前記磁気抵抗効果膜の膜面に略垂直な方向のセンス電流を通電する、前記磁気抵抗効果膜に電気接続された一対の電極を備え、
前記センス電流を構成する伝導電子が前記薄膜層の近傍を通過するときに、アップスピン電子またはダウンスピン電子のうちのいずれか一方の電子が優先的に通過するスピンフィルタ作用を生ずることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 垂直通電型の磁気抵抗効果素子であって、
磁化方向が実質的に一方向に固着された第1の磁性層と、
磁化方向が外部磁界に応じて変化する第2の磁性層と、
前記第1及び第2の磁性層間に形成された金属からなる非磁性中間層と、
前記第1の磁性層中、前記第2の磁性層中、前記第1の磁性層と前記非磁性中間層との界面、または前記第2の磁性層と前記非磁性中間層との界面に形成された平均厚さ3ナノメートル以下の亜鉛(Zn)の酸化物からなる薄膜層とを備える磁気抵抗効果膜と、
前記磁気抵抗効果膜の膜面に略垂直な方向のセンス電流を通電する、前記磁気抵抗効果膜に電気接続された一対の電極と、
を備え、
前記センス電流を構成する伝導電子が前記薄膜層の近傍を通過するときに、アップスピン電子またはダウンスピン電子のうちのいずれか一方の電子が優先的に通過するスピンフィルタ作用を生ずることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 垂直通電型の磁気抵抗効果素子であって、
磁化方向が実質的に一方向に固着された第1の磁性層と、
磁化方向が外部磁界に応じて変化する第2の磁性層と、
前記第1及び第2の磁性層間に形成された金属からなる非磁性中間層と、
前記第1の磁性層中、前記第2の磁性層中、前記第1の磁性層と前記非磁性中間層との界面、または前記第2の磁性層と前記非磁性中間層との界面に形成された平均厚さ3ナノメートル以下の亜鉛(Zn)の酸化物からなる薄膜層とを備える磁気抵抗効果膜と、
前記磁気抵抗効果膜の膜面に略垂直な方向のセンス電流を通電する、前記磁気抵抗効果膜に電気接続された一対の電極と、
を備え、
前記センス電流を構成する伝導電子のアップスピン電子のフェルミ速度とダウンスピン電子のフェルミ速度とが、前記薄膜層に接した前記磁性層中において異なることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 垂直通電型の磁気抵抗効果素子であって、
磁化方向が実質的に一方向に固着された第1の磁性層と、
磁化方向が外部磁界に応じて変化する第2の磁性層と、
前記第1及び第2の磁性層間に形成された金属からなる非磁性中間層と、
前記第1の磁性層中、前記第2の磁性層中、前記第1の磁性層と前記非磁性中間層との界面、または前記第2の磁性層と前記非磁性中間層との界面に一様に形成された平均厚さが1原子層以上3原子層以下の亜鉛(Zn)の酸化物からなる薄膜層とを備える磁気抵抗効果膜、及び
前記磁気抵抗効果膜の膜面に略垂直な方向のセンス電流を通電する、前記磁気抵抗効果膜に電気接続された一対の電極を備え、
前記センス電流を構成する伝導電子が前記薄膜層の近傍を通過するときに、アップスピン電子またはダウンスピン電子のうちのいずれか一方の電子が優先的に通過するスピンフィルタ作用を生ずることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 垂直通電型の磁気抵抗効果素子であって、
磁化方向が実質的に一方向に固着された第1の磁性層と、
磁化方向が外部磁界に応じて変化する第2の磁性層と、
前記第1及び第2の磁性層間に形成された金属からなる非磁性中間層と、
前記第1の磁性層中、前記第2の磁性層中、前記第1の磁性層と前記非磁性中間層との界面、または前記第2の磁性層と前記非磁性中間層との界面に一様に形成された平均厚さが2ユニットセル以下の亜鉛(Zn)の酸化物からなる薄膜層とを備える磁気抵抗効果膜、及び
前記磁気抵抗効果膜の膜面に略垂直な方向のセンス電流を通電する、前記磁気抵抗効果膜に電気接続された一対の電極を備え、
前記センス電流を構成する伝導電子が前記薄膜層の近傍を通過するときに、アップスピン電子またはダウンスピン電子のうちのいずれか一方の電子が優先的に通過するスピンフィルタ作用を生ずることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 垂直通電型の磁気抵抗効果素子であって、
磁化方向が実質的に一方向に固着された第1の磁性層と、
磁化方向が外部磁界に応じて変化する第2の磁性層と、
前記第1及び第2の磁性層間に形成された金属からなる非磁性中間層と、
前記第1の磁性層中、前記第2の磁性層中、前記第1の磁性層と前記非磁性中間層との界面、または前記第2の磁性層と前記非磁性中間層との界面に一様に形成された平均厚さ3ナノメートル以下の亜鉛(Zn)の酸化物からなる薄膜層とを備える磁気抵抗効果膜と、
前記磁気抵抗効果膜の膜面に略垂直な方向のセンス電流を通電する、前記磁気抵抗効果膜に電気接続された一対の電極と、
を備え、
前記薄膜層は、少なくとも2層以上設けられ、
前記センス電流を構成する伝導電子が前記薄膜層の近傍を通過するときに、アップスピン電子またはダウンスピン電子のうちのいずれか一方の電子が優先的に通過するスピンフィルタ作用を生ずることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 垂直通電型の磁気抵抗効果素子であって、
磁化方向が実質的に一方向に固着された第1の磁性層と、
磁化方向が外部磁界に応じて変化する第2の磁性層と、
前記第1及び第2の磁性層間に形成された金属からなる非磁性中間層と、
前記第1の磁性層中、前記第2の磁性層中、前記第1の磁性層と前記非磁性中間層との界面、または前記第2の磁性層と前記非磁性中間層との界面に形成された平均厚さ3ナノメートル以下の亜鉛(Zn)の酸化物からなる薄膜層とを備える磁気抵抗効果膜と、
前記磁気抵抗効果膜の膜面に略垂直な方向のセンス電流を通電する、前記磁気抵抗効果膜に電気接続された一対の電極と、
を備え、
前記第1及び第2の磁性層の少なくともいずれかは、fcc型の結晶構造を有する材料からなり、その膜面が(111)面に略平行な方位に配向してなり、且つその配向分散角度が5度以下であり、
前記センス電流を構成する伝導電子が前記薄膜層の近傍を通過するときに、アップスピン電子またはダウンスピン電子のうちのいずれか一方の電子が優先的に通過するスピンフィルタ作用を生ずることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 垂直通電型の磁気抵抗効果素子であって、
磁化方向が実質的に一方向に固着された第1の磁性層と、
磁化方向が外部磁界に応じて変化する第2の磁性層と、
前記第1及び第2の磁性層間に形成された金属からなる非磁性中間層と、
前記第1の磁性層中、前記第2の磁性層中、前記第1の磁性層と前記非磁性中間層との界面、または前記第2の磁性層と前記非磁性中間層との界面に形成された平均厚さ3ナノメートル以下の亜鉛(Zn)の酸化物からなる薄膜層とを備える磁気抵抗効果膜と、
前記磁気抵抗効果膜の膜面に対して略垂直な方向にセンス電流を通電するために前記磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極と、
を備え、
前記第1及び第2の磁性層の少なくともいずれかは、bcc型の結晶構造を有する材料からなり、その膜面が(110)面に略平行な方位に配向してなり、且つその配向分散角度が5度以下であり、
前記センス電流を構成する伝導電子が前記薄膜層の近傍を通過するときに、アップスピン電子またはダウンスピン電子のうちのいずれか一方の電子が優先的に通過するスピンフィルタ作用を生ずることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 前記薄膜層が2層以上設けられたことを特徴とする請求項1〜5及び7〜8のいずれか1つに記載の磁気抵抗効果素子。
- 隣接する前記薄膜層の間隔が、0.2ナノメータ以上3ナノメータ以下であることを特徴とする請求項6または9に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記第1及び第2の磁性層の少なくともいずれかは、fcc型の結晶構造を有する材料からなり、その膜面が(111)面に略平行な方位に配向してなり、且つその配向分散角度が5度以下であることを特徴とする請求項1〜6及び8〜10のいずれか1つに記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記第1及び第2の磁性層の少なくともいずれかは、bcc型の結晶構造を有する材料からなり、その膜面が(110)面に略平行な方位に配向してなり、且つその配向分散角度が5度以下であることを特徴とする請求項1〜7及び9〜11のいずれか1つに記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記薄膜層を膜中に含みまたはそれに隣接する前記磁性層は、鉄(Fe)、コバルト(Co)及びニッケル(Ni)の少なくともいずれかを含む強磁性体からなることを特徴とする請求項1〜12のいずれか1つに記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記第1の磁性層あるいは前記第2の磁性層の層の中に形成された、前記薄膜層と隣接する平均厚さ2ナノメートル以下の非磁性金属層を備えることを特徴とする請求項1〜13のいずれか1つに記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記第1の磁性層と前記非磁性中間層との界面、及び前記第2の磁性層と前記非磁性中間層との界面の少なくともいずれかに形成され、前記薄膜層と、前記薄膜層と隣接する前記第1または第2の磁性層と、の間に平均厚さ2ナノメートル以下の非磁性金属層を備えることを特徴とする請求項1〜13のいずれか1つに記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記第1の磁性層及び前記第2の磁性層の層の中に形成された、前記薄膜層と隣接する磁性金属層と、前記磁性金属層と隣接する平均厚さ2ナノメートル以下の非磁性金属層と、を備えることを特徴とする請求項1〜13のいずれか1つに記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記第1の磁性層と前記非磁性中間層との界面、及び前記第2の磁性層と前記非磁性中間層との界面の少なくともいずれかに形成され、前記薄膜層と、前記薄膜層と隣接する前記第1または第2の磁性層との間に、前記薄膜層に隣接する磁性金属層と、前記磁性層に隣接する平均厚さ2ナノメートル以下の非磁性金属層を、備えることを特徴とする請求項1〜13のいずれか1つに記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記第1あるいは第2の磁性層は、その層の中の前記薄膜層、前記磁性金属層及び前記非磁性金属層を介して磁気結合していることを特徴とする請求項16記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記薄膜層と前記非磁性中間層との間の距離が3ナノメートル以下であることを特徴とする、請求項1〜17のいずれか1つに記載の磁気抵抗効果素子。
- 請求項1〜19のいずれか1つに記載の磁気抵抗効果素子を備えたことを特徴とする磁気ヘッド。
- 請求項20記載の磁気ヘッドを備え、磁気記録媒体に磁気的に記録された情報の読み取りを可能としたことを特徴とする磁気再生装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006266788A JP4686430B2 (ja) | 2002-03-28 | 2006-09-29 | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002092998 | 2002-03-28 | ||
JP2002092998 | 2002-03-28 | ||
JP2006266788A JP4686430B2 (ja) | 2002-03-28 | 2006-09-29 | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002263251A Division JP4382333B2 (ja) | 2002-03-28 | 2002-09-09 | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007059927A JP2007059927A (ja) | 2007-03-08 |
JP4686430B2 true JP4686430B2 (ja) | 2011-05-25 |
Family
ID=37923070
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006266788A Expired - Fee Related JP4686430B2 (ja) | 2002-03-28 | 2006-09-29 | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4686430B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5238783B2 (ja) * | 2010-09-28 | 2013-07-17 | 株式会社東芝 | 発振素子 |
JP2013016557A (ja) | 2011-06-30 | 2013-01-24 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
TW201440271A (zh) * | 2013-03-07 | 2014-10-16 | Tokyo Electron Ltd | 平坦化方法、基板處理系統、mram製造方法及mram元件 |
JP6375719B2 (ja) * | 2014-06-24 | 2018-08-22 | 富士電機株式会社 | 磁性薄膜および磁性薄膜を含む応用デバイス |
EP3176843B1 (en) | 2014-08-01 | 2019-10-16 | National Institute for Materials Science | Magnetoresistive element, magnetic head using magnetoresistive element, and magnetic playback device |
US10593868B2 (en) * | 2017-02-27 | 2020-03-17 | Tdk Corporation | Spin current magnetization rotating element, magnetoresistive effect element and magnetic memory |
WO2018159138A1 (ja) * | 2017-03-03 | 2018-09-07 | Tdk株式会社 | 磁気抵抗効果素子 |
US10559749B2 (en) * | 2017-03-03 | 2020-02-11 | Tdk Corporation | Magnetoresistive effect element |
CN107937735A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-04-20 | 山西大学 | 一种电磁感应加热高效镁还原罐 |
CN112635649A (zh) * | 2019-10-08 | 2021-04-09 | 上海磁宇信息科技有限公司 | 磁性隧道结结构及磁性随机存储器 |
CN112652703A (zh) * | 2019-10-10 | 2021-04-13 | 上海磁宇信息科技有限公司 | 磁性隧道结结构及其磁性存储器 |
CN112736191A (zh) * | 2019-10-14 | 2021-04-30 | 上海磁宇信息科技有限公司 | 具有对称结构的磁性隧道结结构及磁性随机存储器 |
CN112864306A (zh) * | 2019-11-12 | 2021-05-28 | 上海磁宇信息科技有限公司 | 具对称双势垒层的磁性隧道结结构及磁性随机存储器 |
WO2022070378A1 (ja) * | 2020-10-01 | 2022-04-07 | Tdk株式会社 | 磁壁移動素子および磁気アレイ |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11354859A (ja) * | 1998-06-05 | 1999-12-24 | Read Rite Smi Kk | 磁気抵抗素子と磁気ヘッド |
JP2001237471A (ja) * | 1999-03-02 | 2001-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気抵抗効果素子とその製造方法、磁気抵抗効果型ヘッド、磁気記録装置、磁気抵抗効果メモリ素子 |
JP2002150512A (ja) * | 2000-11-08 | 2002-05-24 | Sony Corp | 磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
JP2004006589A (ja) * | 2002-03-28 | 2004-01-08 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置 |
-
2006
- 2006-09-29 JP JP2006266788A patent/JP4686430B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11354859A (ja) * | 1998-06-05 | 1999-12-24 | Read Rite Smi Kk | 磁気抵抗素子と磁気ヘッド |
JP2001237471A (ja) * | 1999-03-02 | 2001-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気抵抗効果素子とその製造方法、磁気抵抗効果型ヘッド、磁気記録装置、磁気抵抗効果メモリ素子 |
JP2002150512A (ja) * | 2000-11-08 | 2002-05-24 | Sony Corp | 磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
JP2004006589A (ja) * | 2002-03-28 | 2004-01-08 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007059927A (ja) | 2007-03-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4382333B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置 | |
JP4686430B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置 | |
JP5150284B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子およびその製造方法 | |
JP4975335B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子,磁気ヘッド,および磁気記録再生装置 | |
JP4594679B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録再生装置、および磁気メモリ | |
JP4786331B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子の製造方法 | |
JP5095076B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
JP5361201B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子の製造方法 | |
JP5739685B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置 | |
US7742262B2 (en) | Magnetoresistive element, magnetic head, magnetic recording apparatus, and magnetic memory | |
JP2008252008A (ja) | 磁気抵抗効果素子、およびその製造方法 | |
JP2007299880A (ja) | 磁気抵抗効果素子,および磁気抵抗効果素子の製造方法 | |
JP2006332340A (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録再生装置、および磁気メモリ | |
JP2010080789A (ja) | 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置 | |
JP2012174737A (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置 | |
JP5460375B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子の製造方法 | |
JP2009283499A (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記録再生装置および磁気メモリ | |
JP5814898B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、およびその製造方法 | |
JP6054479B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録再生装置、磁気メモリ、磁界センサ | |
JP5649677B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置 | |
JP4945606B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子,および磁気抵抗効果素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100305 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110119 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110214 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4686430 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |