JP4662448B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
すなわち、従来の装置は、温調ユニットとして電子冷熱ユニットを用いると、比較的高温領域(例えば50〜180℃)での温調が不可能である一方、ヒータを用いると比較的低温領域(例えば、20〜40℃)での温調精度が低くなるという問題がある。また、ヒータでは、温調の目標温度を低く設定した場合、自然冷却による温度低下に依存するので温調が完了するまでに長時間を要するという問題もある。換言すると、広い範囲にわたる温調を効率よく行うことができず、温調精度も低いという問題がある。
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板の処理を行う基板処理装置において、基板に処理を行うための処理部と、前記処理部に処理液を供給する配管と、前記配管に設けられたヒータと、前記ヒータに対して直列関係で前記配管に設けられた電子冷熱ユニットと、処理液の温度を測定する温度センサと、前記ヒータ及び前記電子冷熱ユニットを制御する制御部とを備え、前記制御部は、予め設定されている常温高温境界温度に対して、前記温度センサにより測定された温度が低い場合、前記電子冷熱ユニットによる常温温調を行い、予め設定されている常温高温境界温度に対して、前記温度センサにより測定された温度が高い場合、前記ヒータによる高温温調を行う第1温調モードを設定し、前記温度センサにより測定された温度と目標温度との差分が、予め設定されている第1規定値以上の場合、処理液を昇温するときには、前記ヒータ及び前記電子冷熱ユニットによる加熱温調を行う第2温調モードを設定し、前記第2温調モードに設定された後、前記温度センサにより測定された温度と目標温度との差分が、予め設定されている第2規定値以下になったか否かを判断し、前記第2温調モードに設定された後、前記温度センサにより測定された温度と目標温度との差分が、予め設定されている第2規定値以下になった場合には、前記第1温調モードを設定し、前記温度センサにより測定された温度と目標温度との差分が、予め決められた第2規定値以下でない場合には、前記第2温調モードを継続することを特徴とするものである。
図1は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
ETU21をPID制御で利用するための制御信号であり、PID値としてETU21用のものを用いる。これは、後述する常温温調において使用される。PID制御により、現在温度(PV)と目標温度(SV)との差分が小さい場合であっても、滑らかで、オフセットを自動修正し、外乱に対する応答が早い制御を行うことができる。
ヒータ23をPID制御で利用するための制御信号であり、PID値としてヒータ23用のものを用いる。これは、後述する高温温調及び加熱温調において使用される。PID制御により、上記1:ETU運転と同様の効果を奏する。
ETU21を加熱に用いる場合に、PID制御ではなく固定操作量で利用するための制御信号であり、例えば、固定操作量として50%を設定する。これは、後述する加熱温調において使用される。
ETU21を冷却で用いる場合に、PID制御ではなく固定操作量で利用するための制御信号であり、例えば、固定操作量として50%を設定する。これは、後述する冷却温調において使用される。
現在温度(PV)が常温高温境界温度(C)より低く、かつ現在温度(PV)と目標温度(SV)との差分が小さいので(|SV−PV|≦r+r2)、定常状態の温調モードから変わることがなく、ETU21による常温温調だけが行われる。
現在温度(PV)が常温高温境界温度(C)より高く、かつ現在温度(PV)と目標温度(SV)との差分が小さいので(|SV−PV|≦r+r2)、定常状態の温調モードから変わることがなく、ヒータ23による高温温調のみが行われる。
現在温度(PV)が常温高温境界温度(C)より低く、かつ現在温度(PV)と目標温度(SV)との差分が大きいので(|SV−PV|>r+r2)、定常状態の温調モードでETU21による常温温調を開始した後、過渡状態の温調モードに移行してETU21及びヒータ23による加熱温調を行う。そして、差分が小さくなった場合には(|SV−PV|≦r)、定常状態の温調モードに移行してETU21による常温温調を行う。
現在温度(PV)が常温高温境界温度(C)より高く、かつ現在温度(PV)と目標温度(SV)との差分が大きいので(|SV−PV|>r+r2)、定常状態の温調モードでヒータ23による高温温調を開始した後、過渡状態の温調モードに移行してETU21及びヒータ23による加熱温調を行う。その後、差分が小さくなった場合には(|SV−PV|≦r)、定常状態の温調モードに移行してヒータ23による高温温調を行う。
現在温度(PV)が常温高温境界温度(C)より低く、かつ現在温度(PV)と目標温度(SV)との差分が小さいので(|SV−PV|≦r+r2)、定常状態の温調モードでETU21による常温温調を開始した後、温調モードが変わることなくヒータ23による高温温調に移行する。
現在温度(PV)が常温高温境界温度(C)より低く、かつ現在温度(PV)と目標温度(SV)との差分が大きいので(|SV−PV|>r+r2)、定常状態の温調モードでETU21による常温温調を開始した後、過渡状態の温調モードに移行してETU21及びヒータ23による加熱温調を行う。そして、差分が小さくなった場合には(|SV−PV|≦r)、定常状態の温調モードに移行してヒータ23による高温温調を行う。
現在温度(PV)が常温高温境界温度(C)より低く、かつ現在温度(PV)と目標温度(SV)との差分が小さいので(|SV−PV|≦r+r2)、定常状態の温調モードから変わることがなく、ETU21による常温温調だけが行われる。
現在温度(PV)が常温高温境界温度(C)より高く、かつ現在温度(PV)と目標温度(SV)との差分が大きいので(|SV−PV|>r+r2)、定常状態の温調モードでヒータ23による高温温調を開始した後、過渡状態の温調モードに移行してETU21による冷却温調を行う。そして、前記差分が小さくなった場合には(|SV−PV|≦r)、定常状態の温調モードに移行してETU21による常温温調を行う。
現在温度(PV)が常温高温境界温度(C)より高く、かつ現在温度(PV)と目標温度(SV)との差分が大きいので(|SV−PV|>r+r2)、定常状態の温調モードでヒータ23による高温温調を開始した後、過渡状態の温調モードに移行してETU21による冷却温調を行う。その後、前記差分が小さくなった場合には(|SV−PV|≦r)、定常状態の温調モードに移行してヒータ23による高温温調を行う。
上述した昇温時におけるパターンPA3,PA4,PA6では、過渡状態の温調パターンである加熱温調から定常状態の温調パターンである高温温調または常温温調に移行して最終的に現在温度(PV)が目標温度(SV)に一致することになる。その過程では、目標温度(SV)−現在温度(PV)≦併用キャンセル温度(r)となった場合に、温調パターンを切り替えることが好ましい。過渡状態の温調パターンでは、2:ヒータ運転と、3:加熱操作量制限によって、ヒータ23のPID制御とETU21の固定操作量で昇温が行われるので、加熱のためのパワーを最大限に利用した昇温を行うことができる。
上述した降温時におけるパターンPB3では、過渡状態の温調パターンである冷却温調から定常状態の温調パターンである高温温調に移行して目標温度(SV)へと近づいてゆく。その過程では、一旦、目標温度(SV)−固定値(M)=冷却昇温切替温度(T1)を仮の目標値として降温し、冷却昇温切替温度(T1)に到達した後、目標値(SV)への昇温を開始することが好ましい。過渡状態の温調パターンでは、4:冷却操作量制限で固定操作量により冷却を行うので、PID制御による冷却(図5中に点線で示す軌跡)に比較して短時間で高温温調に移行させることができる。
3 … 内槽
5 … 外槽
7 … 保持機構
11 … 保持部材
12 … 温度センサ
PV … 現在温度
17 … 配管
21 … ETU
23 … ヒータ
39 … 制御部
41 … 温調制御部
43 … 温調器
45 … I/Fボックス
47 … ヒータ用制御器
49 … ETU用制御器
C … 常温高温境界温度
r … 併用キャンセル温度
r2 … 併用利用温度
M … 固定値
T1 … 冷却昇温切替温度
Claims (5)
- 基板の処理を行う基板処理装置において、
基板に処理を行うための処理部と、
前記処理部に処理液を供給する配管と、
前記配管に設けられたヒータと、
前記ヒータに対して直列関係で前記配管に設けられた電子冷熱ユニットと、
処理液の温度を測定する温度センサと、
前記ヒータ及び前記電子冷熱ユニットを制御する制御部とを備え、
前記制御部は、予め設定されている常温高温境界温度に対して、前記温度センサにより測定された温度が低い場合、前記電子冷熱ユニットによる常温温調を行い、予め設定されている常温高温境界温度に対して、前記温度センサにより測定された温度が高い場合、前記ヒータによる高温温調を行う第1温調モードを設定し、
前記温度センサにより測定された温度と目標温度との差分が、予め設定されている第1規定値以上の場合、処理液を昇温するときには、前記ヒータ及び前記電子冷熱ユニットによる加熱温調を行う第2温調モードを設定し、
前記第2温調モードに設定された後、前記温度センサにより測定された温度と目標温度との差分が、予め設定されている第2規定値以下になったか否かを判断し、
前記第2温調モードに設定された後、前記温度センサにより測定された温度と目標温度との差分が、予め設定されている第2規定値以下になった場合には、前記第1温調モードを設定し、
前記温度センサにより測定された温度と目標温度との差分が、予め決められた第2規定値以下でない場合には、前記第2温調モードを継続することを特徴とする基板処理装置。 - 基板の処理を行う基板処理装置において、
基板に処理を行うための処理部と、
前記処理部に処理液を供給する配管と、
前記配管に設けられたヒータと、
前記ヒータに対して直列関係で前記配管に設けられた電子冷熱ユニットと、
処理液の温度を測定する温度センサと、
前記ヒータ及び前記電子冷熱ユニットを制御する制御部とを備え、
前記制御部は、予め設定されている常温高温境界温度に対して、前記温度センサにより測定された温度が低い場合、前記電子冷熱ユニットによる常温温調を行い、予め設定されている常温高温境界温度に対して、前記温度センサにより測定された温度が高い場合、前記ヒータによる高温温調を行う第1温調モードを設定し、
前記温度センサにより測定された温度と目標温度との差分が、予め設定されている第1規定値以上の場合、処理液を降温するときには、前記電子冷熱ユニットによる冷却温調を行う第2温調モードを設定し、
前記第2温調モードに設定された後、前記温度センサにより測定された温度と目標温度との差分が、予め設定されている第2規定値以下になったか否かを判断し、
前記第2温調モードに設定された後、前記温度センサにより測定された温度と目標温度との差分が、予め設定されている第2規定値以下になった場合には、前記第1温調モードを設定し、
前記温度センサにより測定された温度と目標温度との差分が、予め決められた第2規定値以下でない場合には、前記第2温調モードを継続することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、前記常温温調の場合、前記電子冷熱ユニットをPID制御し、前記高温温調の場合、前記ヒータをPID制御することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、前記加熱温調の場合には前記ヒータをPID制御するとともに、前記電子冷熱ユニットを固定操作量で制御することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、前記冷却温調の場合には前記電子冷熱ユニットを固定操作量で制御することを特徴とする基板処理装置。
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