JP4654299B2 - 走査型電子顕微鏡点収差計測アライメントチップ - Google Patents

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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4825891B2 (ja) 2009-03-31 2011-11-30 株式会社東芝 半導体装置の製造方法およびテンプレート
US20200388462A1 (en) * 2017-12-05 2020-12-10 Asml Netherlands B.V. Systems and methods for tuning and calibrating charged particle beam apparatus

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06181155A (ja) * 1991-06-28 1994-06-28 Digital Equip Corp <Dec> 実際の半導体ウェーハ工程のトポグラフィーに合わせた位置合せ測定システムの直接的校正のための構造および方法
JPH10176974A (ja) * 1996-12-19 1998-06-30 Nikon Corp 投影光学系の収差測定方法
JP2000156189A (ja) * 1998-07-09 2000-06-06 Nikon Corp 電子ビ―ム装置および電子ビ―ムの軸ずれ検出方法
JP2001091214A (ja) * 1999-09-24 2001-04-06 Toshiba Corp パターン測定方法
JP2003123677A (ja) * 2001-10-15 2003-04-25 Pioneer Electronic Corp 電子ビーム装置及び電子ビーム調整方法
JP2003133214A (ja) * 2001-10-26 2003-05-09 Sony Corp マスクパターン補正方法および半導体装置の製造方法
JP2004006643A (ja) * 2002-01-31 2004-01-08 Hewlett Packard Co <Hp> スペーサ技術を用いるナノサイズインプリント用スタンプ
JP2004504718A (ja) * 2000-07-18 2004-02-12 ナノネックス　コーポレーション 流体圧力インプリント・リソグラフィ
JP2004071587A (ja) * 2002-08-01 2004-03-04 Hitachi Ltd スタンパとスタンパを用いたパターン転写方法及び転写パターンによる構造体の形成方法
JP2005521243A (ja) * 2002-03-15 2005-07-14 プリンストン ユニヴァーシティ レーザを利用したダイレクトインプリントリソグラフィ
JP2005527974A (ja) * 2002-05-24 2005-09-15 ワイ． チョウ，スティーヴン， 界誘導圧力インプリント・リソグラフィの方法および装置
JP2006153871A (ja) * 2000-11-17 2006-06-15 Ebara Corp 基板検査方法、基板検査装置及び電子線装置
JP2006159899A (ja) * 2004-11-10 2006-06-22 Toray Ind Inc パターン形成方法、およびパターン形成用シート

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5772905A (en) * 1995-11-15 1998-06-30 Regents Of The University Of Minnesota Nanoimprint lithography
WO2002040980A1 (fr) * 2000-11-17 2002-05-23 Ebara Corporation Procede et instrument d'inspection de tranches, et appareil a faisceau electronique

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06181155A (ja) * 1991-06-28 1994-06-28 Digital Equip Corp <Dec> 実際の半導体ウェーハ工程のトポグラフィーに合わせた位置合せ測定システムの直接的校正のための構造および方法
JPH10176974A (ja) * 1996-12-19 1998-06-30 Nikon Corp 投影光学系の収差測定方法
JP2000156189A (ja) * 1998-07-09 2000-06-06 Nikon Corp 電子ビ―ム装置および電子ビ―ムの軸ずれ検出方法
JP2001091214A (ja) * 1999-09-24 2001-04-06 Toshiba Corp パターン測定方法
JP2004504718A (ja) * 2000-07-18 2004-02-12 ナノネックス　コーポレーション 流体圧力インプリント・リソグラフィ
JP2006153871A (ja) * 2000-11-17 2006-06-15 Ebara Corp 基板検査方法、基板検査装置及び電子線装置
JP2003123677A (ja) * 2001-10-15 2003-04-25 Pioneer Electronic Corp 電子ビーム装置及び電子ビーム調整方法
JP2003133214A (ja) * 2001-10-26 2003-05-09 Sony Corp マスクパターン補正方法および半導体装置の製造方法
JP2004006643A (ja) * 2002-01-31 2004-01-08 Hewlett Packard Co <Hp> スペーサ技術を用いるナノサイズインプリント用スタンプ
JP2005521243A (ja) * 2002-03-15 2005-07-14 プリンストン ユニヴァーシティ レーザを利用したダイレクトインプリントリソグラフィ
JP2005527974A (ja) * 2002-05-24 2005-09-15 ワイ． チョウ，スティーヴン， 界誘導圧力インプリント・リソグラフィの方法および装置
JP2004071587A (ja) * 2002-08-01 2004-03-04 Hitachi Ltd スタンパとスタンパを用いたパターン転写方法及び転写パターンによる構造体の形成方法
JP2006159899A (ja) * 2004-11-10 2006-06-22 Toray Ind Inc パターン形成方法、およびパターン形成用シート

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