JP2005521243A - レーザを利用したダイレクトインプリントリソグラフィ - Google Patents
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Abstract
Description
本発明はインプリントリソグラフィ(imprint lithography)に関し、詳細には、レーザ放射によって基板表面上にモールド(mold)を直接インプリントする(imprinting)ことができる、レーザを利用したダイレクトインプリントリソグラフィ(LADI)に関する。このプロセス(process)は、固体(solid)基板上にナノスケールのフューチャ(feature)を直接インプリントするのに特に有用である。
基板上に微細なフューチャをパターン形成(patterning)する方法は、多くの電子デバイス、磁気デバイス、機械デバイス、および光デバイスならびに生物学的および化学的分析用デバイス(devices)の作製に、非常に重要である。そのような方法は、例えば超小型回路のフューチャおよび構成、ならびに、平面光導波路および関連する光デバイスの構造および動作フューチャ(operating features)を規定(define)するのに用いられる。
本発明によれば、固体基板の表面にフューチャを直接インプリントすることができる。詳細には、基板は、パターンをインプリントするモールディング表面を有するモールドを設ける工程と、モールディング表面を、インプリントを行う基板表面に隣接して、或は当接した状態で配設する工程と、基板表面に放射(radiation)で照射を行う工程であって、それによって、表面を軟化または液化させる、照射を行う工程とによって、所望パターンで直接インプリントされる。モールディング表面は、軟化または液化した表面に押し込まれ、基板に直接インプリントを行う。基板は、半導体、金属、またはポリマー等、多種多様な固体材料のうちの、いずれの1つであってもよい。好ましい実施形態において、基板はシリコンであり、レーザはUVレーザであり、モールドはUV放射を透過して、透過性の(transparent)モールドを通してシリコンのワークピース(workpiece)に照射を行うことができる。出願人らはこの方法を用いて、10ナノメートル以下の解像度で250ナノ秒以下の処理時間で、シリコンに大面積のパターンを直接インプリントした。本方法はまた、平坦なモールディング表面とともに用いて、基板を平坦化してもよい。
図面を参照して、図1は、レジストまたはポリマー材料を介在させることなく、レーザを援用して基板表面に所望パターンを直接インプリントすることに含まれる工程を示す概略ブロック図である。ブロックAにおいて示す第1の工程は、モールディング表面を有するモールドを設けて、所望パターンをインプリントすることである。
(1)線幅140、深さ110nm、および周期(period)300nmの格子、(2)モールド作製中の反応性イオンエッチング(reactive ion etching)におけるトレンチング効果(trenching effect)のために作成された幅10nmおよび深さ15nmの線、ならびに(3)長さおよび幅が数十ミクロンで深さが110nmの長方形、という3つのパターンを有するモールドを用いて、一連の実験を行った。3つのパターンはすべて、同じLADIプロセスにおいてシリコンに直接インプリントした。
Claims (28)
- 基板の表面にモールドパターンを直接インプリントする方法であって、
前記パターンをインプリントするモールディング表面を有するモールドを設ける工程と、
インプリントを行う前記基板表面に前記モールディング表面が隣接した状態で、前記モールドを前記基板の近くに配設する工程と、
前記基板表面に放射で照射を行ない、前記基板表面を軟化または液化させる工程と、
前記軟化または液化した基板表面に前記モールディング表面を押し込む工程と、
前記基板から前記モールディング表面を除去して、前記基板に前記モールディング表面の前記インプリントされたパターンを残す工程と、
を含む方法。 - 前記放射はレーザ放射である、請求項1に記載の基板の表面にモールドパターンを直接インプリントする方法。
- 前記レーザ放射は、1ナノメートル〜100マイクロメートルの範囲の波長である、請求項1に記載の基板の表面にモールドパターンを直接インプリントする方法。
- 前記放射はランプ放射である、請求項1に記載の基板の表面にモールドパターンを直接インプリントする方法。
- 前記ランプ放射は主として1ナノメートル〜50マイクロメートルの範囲である、請求項4に記載の基板の表面にモールドパターンを直接インプリントする方法。
- 前記照射はパルスで行なわれる、請求項1に記載の基板の表面にモールドパターンを直接インプリントする方法。
- 前記照射は、1ナノ秒〜10秒の範囲の継続時間でパルスで行なわれる、請求項6に記載の基板の表面にモールドパターンを直接インプリントする方法。
- 前記照射は、前記モールドが前記基板に押し付けられている間に繰り返しパルスで行なわれる、請求項6に記載の基板の表面にモールドパターンを直接インプリントする方法。
- 前記放射は、前記モールドまたは前記基板全体を実質的に加熱することなく、前記基板の表面層を加熱する、請求項1に記載の基板の表面にモールドパターンを直接インプリントする方法。
- 前記モールドは、前記放射を透過する材料を含む、請求項1に記載の基板の表面にモールドパターンを直接インプリントする方法。
- 前記モールドは溶融水晶を含む、請求項1に記載の基板の表面にモールドパターンを直接インプリントする方法。
- 前記モールディング表面は、最小寸法が200ナノメートルよりも小さいフューチャを少なくとも1つ有する、突起したおよび凹んだフューチャのパターンを備える、請求項1に記載の基板の表面にモールドパターンを直接インプリントする方法。
- 前記モールディング表面は、突起したフューチャの外側の部分から隣接する凹んだ領域の内側の部分までのモールド深さが250ナノメートルよりも小さい、突起したおよび凹んだフューチャのパターンを備える、請求項1に記載の基板の表面にモールドパターンを直接インプリントする方法。
- 前記基板表面は、紫外線レーザ放射で照射が行われる、請求項1に記載の基板の表面にモールドパターンを直接インプリントする方法。
- 前記モールディング表面は、機械プレスまたは流体圧力によって前記基板表面に押し込まれる、請求項1に記載の基板の表面にモールドパターンを直接インプリントする方法。
- 前記モールディング表面は平坦であって、それによって、前記基板の前記表面を平坦化する、請求項1に記載の基板の表面にモールドパターンを直接インプリントする方法。
- 前記モールドは紫外線放射を透過する材料で形成されており、前記基板はシリコンであり、前記基板は前記モールドを通して紫外線レーザ放射で照射が行われる、請求項1に記載の基板の表面にモールドパターンを直接インプリントする方法。
- 前記基板表面は半導体材料を含む、請求項1に記載の基板の表面にモールドパターンを直接インプリントする方法。
- 前記基板表面は金属または合金を含む、請求項1に記載の基板の表面にモールドパターンを直接インプリントする方法。
- 前記基板表面はポリマーを含む、請求項1に記載の基板の表面にモールドパターンを直接インプリントする方法。
- 前記基板表面はセラミックを含む、請求項1に記載の基板の表面にモールドパターンを直接インプリントする方法。
- 前記基板表面は、成型する複数の材料層を備える、請求項1に記載の基板の表面にモールドパターンを直接インプリントする方法。
- 前記放射は赤外線放射である、請求項1に記載の基板の表面にモールドパターンを直接インプリントする方法。
- 前記基板は、予めインプリントを行った層を備える、請求項1に記載の基板の表面にモールドパターンを直接インプリントする方法。
- 前記インプリントされたパターンの凹んだ領域を材料で満たす工程をさらに含む、請求項1に記載の基板の表面にモールドパターンを直接インプリントする方法。
- 同じ基板上の他の場所においてインプリントプロセスを繰り返す工程をさらに含む、請求項1に記載の基板の表面にモールドパターンを直接インプリントする方法。
- 前記基板は既存のパターンを備え、前記モールド上の前記パターンを前記基板上の前記既存のパターンに位置合わせする工程をさらに含む、請求項1に記載の基板の表面にモールドパターンを直接インプリントする方法。
- 前記基板にインプリントを行う前に、前記基板を平坦化する工程をさらに含む、請求項1に記載の基板の表面にモールドパターンを直接インプリントする方法。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007157962A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 型成形工具 |
JP2007187846A (ja) * | 2005-01-12 | 2007-07-26 | Canon Inc | 光学機器 |
JP2008188953A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Univ Of Electro-Communications | プラスチック製スタンパの製造方法、プラスチック製スタンパ、及び、プラスチック製基板の製造方法 |
EP2101216A2 (en) | 2008-03-12 | 2009-09-16 | Ricoh Company, Ltd. | Imprint method and mold |
JP2009545163A (ja) * | 2006-07-24 | 2009-12-17 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. | 接触リソグラフィのための位置合わせ |
JPWO2008032416A1 (ja) * | 2006-09-15 | 2010-01-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査型電子顕微鏡点収差計測アライメントチップ |
JP2013519542A (ja) * | 2010-02-15 | 2013-05-30 | ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 互いに略平行に位置付けられ得る2つの物体間の能動的ウェッジエラー補償のための方法および装置 |
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Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9678038B2 (en) | 2001-07-25 | 2017-06-13 | The Trustees Of Princeton University | Nanochannel arrays and their preparation and use for high throughput macromolecular analysis |
CA2454570C (en) | 2001-07-25 | 2016-12-20 | The Trustees Of Princeton University | Nanochannel arrays and their preparation and use for high throughput macromolecular analysis |
WO2003106693A2 (en) | 2002-01-01 | 2003-12-24 | Princeton University | Gradient structures interfacing microfluidics and nanofluidics, methods for fabrication and uses thereof |
US6926929B2 (en) | 2002-07-09 | 2005-08-09 | Molecular Imprints, Inc. | System and method for dispensing liquids |
US7019819B2 (en) | 2002-11-13 | 2006-03-28 | Molecular Imprints, Inc. | Chucking system for modulating shapes of substrates |
JP2006516065A (ja) * | 2002-08-01 | 2006-06-15 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | インプリント・リソグラフィの散乱計測アラインメント |
US7365103B2 (en) | 2002-12-12 | 2008-04-29 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Compositions for dark-field polymerization and method of using the same for imprint lithography processes |
US6951173B1 (en) | 2003-05-14 | 2005-10-04 | Molecular Imprints, Inc. | Assembly and method for transferring imprint lithography templates |
US7090716B2 (en) | 2003-10-02 | 2006-08-15 | Molecular Imprints, Inc. | Single phase fluid imprint lithography method |
US7261830B2 (en) | 2003-10-16 | 2007-08-28 | Molecular Imprints, Inc. | Applying imprinting material to substrates employing electromagnetic fields |
US7019835B2 (en) | 2004-02-19 | 2006-03-28 | Molecular Imprints, Inc. | Method and system to measure characteristics of a film disposed on a substrate |
US8025831B2 (en) * | 2004-05-24 | 2011-09-27 | Agency For Science, Technology And Research | Imprinting of supported and free-standing 3-D micro- or nano-structures |
US7105452B2 (en) | 2004-08-13 | 2006-09-12 | Molecular Imprints, Inc. | Method of planarizing a semiconductor substrate with an etching chemistry |
US7282550B2 (en) | 2004-08-16 | 2007-10-16 | Molecular Imprints, Inc. | Composition to provide a layer with uniform etch characteristics |
US7252777B2 (en) | 2004-09-21 | 2007-08-07 | Molecular Imprints, Inc. | Method of forming an in-situ recessed structure |
US7041604B2 (en) | 2004-09-21 | 2006-05-09 | Molecular Imprints, Inc. | Method of patterning surfaces while providing greater control of recess anisotropy |
US7241395B2 (en) | 2004-09-21 | 2007-07-10 | Molecular Imprints, Inc. | Reverse tone patterning on surfaces having planarity perturbations |
US7244386B2 (en) * | 2004-09-27 | 2007-07-17 | Molecular Imprints, Inc. | Method of compensating for a volumetric shrinkage of a material disposed upon a substrate to form a substantially planar structure therefrom |
WO2007046110A1 (en) * | 2005-10-19 | 2007-04-26 | Indian Institute Of Technology, Kanpur | A method and apparatus for the formation of patterns on surfaces and an assembly and alignment of the structure thereof |
WO2008121828A2 (en) | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Bionanomatrix, Inc. | Methods of macromolecular analysis using nanochannel arrays |
EP2201136B1 (en) | 2007-10-01 | 2017-12-06 | Nabsys 2.0 LLC | Nanopore sequencing by hybridization of probes to form ternary complexes and variable range alignment |
CN101889241B (zh) * | 2007-12-07 | 2012-03-21 | 塔工程有限公司 | 用于加热图案框架的设备 |
US8262879B2 (en) | 2008-09-03 | 2012-09-11 | Nabsys, Inc. | Devices and methods for determining the length of biopolymers and distances between probes bound thereto |
US9650668B2 (en) | 2008-09-03 | 2017-05-16 | Nabsys 2.0 Llc | Use of longitudinally displaced nanoscale electrodes for voltage sensing of biomolecules and other analytes in fluidic channels |
EP2342362B1 (en) | 2008-09-03 | 2017-03-01 | Nabsys 2.0 LLC | Use of longitudinally displaced nanoscale electrodes for voltage sensing of biomolecules and other analytes in fluidic channels |
US8715933B2 (en) | 2010-09-27 | 2014-05-06 | Nabsys, Inc. | Assay methods using nicking endonucleases |
WO2012067911A1 (en) | 2010-11-16 | 2012-05-24 | Nabsys, Inc. | Methods for sequencing a biomolecule by detecting relative positions of hybridized probes |
WO2012109574A2 (en) | 2011-02-11 | 2012-08-16 | Nabsys, Inc. | Assay methods using dna binding proteins |
GB2501681A (en) * | 2012-04-30 | 2013-11-06 | Ibm | Nanoimprint lithographic methods |
CN102759856A (zh) * | 2012-07-17 | 2012-10-31 | 西安交通大学 | 激光辅助辊压印制造机床用反射型长光栅工艺方法 |
US9914966B1 (en) | 2012-12-20 | 2018-03-13 | Nabsys 2.0 Llc | Apparatus and methods for analysis of biomolecules using high frequency alternating current excitation |
US10294516B2 (en) | 2013-01-18 | 2019-05-21 | Nabsys 2.0 Llc | Enhanced probe binding |
CN104199253A (zh) * | 2014-09-10 | 2014-12-10 | 苏州大学 | 阵列式微结构纳米压印方法及装置 |
EP3976528A4 (en) * | 2019-05-29 | 2023-06-14 | B.G. Negev Technologies and Applications Ltd., at Ben-Gurion University | METHOD OF PRINTING MICRO PATTERNS ON A CHALCOGENIDE GLASS SUBSTRATE |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0580530A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Hitachi Ltd | 薄膜パターン製造方法 |
US6309580B1 (en) * | 1995-11-15 | 2001-10-30 | Regents Of The University Of Minnesota | Release surfaces, particularly for use in nanoimprint lithography |
US5772905A (en) | 1995-11-15 | 1998-06-30 | Regents Of The University Of Minnesota | Nanoimprint lithography |
US6482742B1 (en) | 2000-07-18 | 2002-11-19 | Stephen Y. Chou | Fluid pressure imprint lithography |
WO1999064642A1 (en) | 1998-06-08 | 1999-12-16 | Borealis Technical Limited | Method for fabricating metal nanostructures |
US6190929B1 (en) * | 1999-07-23 | 2001-02-20 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming semiconductor devices and methods of forming field emission displays |
EP1072954A3 (en) * | 1999-07-28 | 2002-05-22 | Lucent Technologies Inc. | Lithographic process for device fabrication |
US6955767B2 (en) * | 2001-03-22 | 2005-10-18 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Scanning probe based lithographic alignment |
-
2003
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007187846A (ja) * | 2005-01-12 | 2007-07-26 | Canon Inc | 光学機器 |
JP2007157962A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 型成形工具 |
JP2009545163A (ja) * | 2006-07-24 | 2009-12-17 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. | 接触リソグラフィのための位置合わせ |
JPWO2008032416A1 (ja) * | 2006-09-15 | 2010-01-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査型電子顕微鏡点収差計測アライメントチップ |
JP4654299B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2011-03-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査型電子顕微鏡点収差計測アライメントチップ |
JP2008188953A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Univ Of Electro-Communications | プラスチック製スタンパの製造方法、プラスチック製スタンパ、及び、プラスチック製基板の製造方法 |
EP2101216A2 (en) | 2008-03-12 | 2009-09-16 | Ricoh Company, Ltd. | Imprint method and mold |
JP2013519542A (ja) * | 2010-02-15 | 2013-05-30 | ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 互いに略平行に位置付けられ得る2つの物体間の能動的ウェッジエラー補償のための方法および装置 |
JP2015511400A (ja) * | 2012-01-31 | 2015-04-16 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | 捕捉される気泡を低減するための表面張力制御方法 |
US10828666B2 (en) | 2012-01-31 | 2020-11-10 | Seagate Technology Llc | Method of surface tension control to reduce trapped gas bubbles |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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