JP4654299B2 - 走査型電子顕微鏡点収差計測アライメントチップ - Google Patents
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Description
電子線を用いたパターン形成は、i線,エキシマレーザー等の光源を用いたパターン形成における一括露光方法とは異なり、マスクパターンを描画していく方法をとるため、描画するパターンが多ければ多いほど露光(描画)時間がかかり、パターン形成に時間がかかることが欠点とされている。そのため、256メガビット,1ギガビット,4ギガビットと、集積度が飛躍的に高まるにつれ、その分パターン形成時間も飛躍的に長くなることになり、スループットが著しく劣ることが懸念される。そこで、電子線描画装置の高速化のために、各種形状のマスクを組み合わせそれらに一括して電子ビームを照射して複雑な形状の電子ビームを形成する一括図形照射法の開発が進められている。しかし、パターンの微細化が進められる一方で、電子線描画装置を大型化せざるを得ないほか、マスク位置をより高精度に制御する機構が必要になるなど、装置コストが高くなるという欠点があった。
走査型電子顕微鏡においても、この微細加工技術を点収差計測のためのアライメントチップ作製において使用しており、スティグマ調整用試料として、特に高精度観察用操作型顕微鏡には常設されている。しかし、この点収差計測用のパターンを作製するリソグラフィ技術は限界に近づきつつあり、新規なパターン形成法が必要になってきた。
これに対し、微細なパターン形成を低コストで実施するための技術が米国特許第5,772,905号等に開示されている。これは、基板上に形成したいパターンと同じパターンの凹凸を有する金型を、被転写基板表面に形成されたレジスト膜層に対して型押しすることで所定のパターンを転写するものである。特に、特開2004−71587号公報に記載のナノインプリント技術によれば、シリコンウエハを金型として用い、25ナノメートル以下の微細構造を転写により形成可能であるとしている。
また、特許文献2では、金型の転写パターン構造として、多段の凹凸を形成する技術が開示されている。しかしながら、本発明者らが多段構造を有する金型を用いて転写実験を行ったところ、点収差補正計測に適した凹凸の側壁面の垂直性を得ることが困難であり、特殊な金型構造が必要であることがわかった。
本発明は、上述の課題を解決するものであり、走査型電子顕微鏡の点収差補正計測用のアライメントチップにおいて、低コストで簡便に作製が可能であり、点収差補正計測に適した新規なアライメントパターンを有するアライメントチップを提供することを目的とする。
また、本発明は、アライメントチップのアライメントパターンを高精度で、かつ低コストで作製する点収差補正計測アライメントチップのパターン形成用金型およびアライメントチップの製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、表面に凹凸パターンを有する走査型電子顕微鏡の点収差計測用のアライメントチップにおいて、前記凹凸パターンが円形あるいは多角形の閉ループ(同心円管あるいは多角形管形状)を構成する凸部又は凹部を有するアライメントチップを特徴とする。
また、表面に形成された凹凸パターンを被転写体に押し付けることで被転写体に前記凹凸パターンを転写するためのパターン形成用金型であって、前記凹凸パターンが円形あるいは多角形の閉ループを構成する凸部又は凹部を有する点収差計測アライメントパターン形成用金型を特徴とする。
また、走査型電子顕微鏡の点収差計測用のアライメントチップの製造方法であって、表面に円形あるいは多角形の閉ループを構成する凹凸パターンを有する金型を被転写基板に押し付ける工程と、前記被転写基板から金型を剥離して、前記被転写基板の表面に前記凹凸パターンを転写する工程とを有することを特徴とする。
本発明によれば、円管状もしくは多角形管状の凸部を設けたアライメントチップとすることで、この円管状もしくは多角形管状を構成する凹凸の壁面に電子線を照射することにより、点収差を補正することが可能となる。またこの円管状もしくは多角形管状の凸部は、その直径寸法を調整して、異なる直径の複数個の凸部をナノインプリントにより作製することが可能であるため、異なる倍率での電子顕微鏡使用時における点収差補正に対応することが可能となる。
本発明によれば、低コストで簡便に作製が可能であり、点収差補正計測に適した新規なアライメントパターンを有するアライメントチップを提供することができる。また、アライメントチップのアライメントパターンを高精度で、かつ低コストで作製する点収差補正計測アライメントチップのパターン形成用金型およびアライメントチップの製造方法を提供することができる。
第2図は、金型の凹部円管直径部を裁断面とした金型の断面図である。
第3図は、異なる直径を有する円管群を有する被転写構造体によるアライメントチップの形状を示す一例である。
第4図は、異なる径を有する多角形管群を有する被転写構造体によるアライメントチップの形状を示す一例である。
第5図は、ナノインプリントにおけるパターンのループ内面積に対するパターン壁面への樹脂充填率の変化を示すグラフである。
第6図は、ナノインプリントにおけるパターンのループ高さに対する点収差計測完了までの測定回数を示すグラフである。
本実施形態に係るナノインプリントパターン形成用金型(以下、金型と略記する)は、被転写構造体にナノレベルのパターンを転写するためのものであり、被転写構造体にナノレベルのパターンを転写するためのパターン形成部を有している。このパターン形成部は点対称の構造を有し、電子線を用いたスティグマ調整と呼ばれる点収差補正ができる形状を有する凸部を形成するための複数の凹部微細構造を有する。点収差補正は予め電子顕微鏡内のコンピューターに組み込まれた点収差補正プログラムに従い、全方位における収差ずれを検出して電子線照射角をフィードバック制御するものである。そのための微細パターンはひとつの点対称な輪郭となる側壁を有する形状であればよい。例えば、内周直径50nm,外周直径70nmの円管が高さ100nmで被転写体表面に形成された凸部である場合、スティグマ調整と呼ばれる点収差補正はこの円管における内周及び外周側面に照射した電子線が反射して形成される像の輝度最大点が、内周及び外周の半径差で示される壁面厚さである10nmに対して、偏差が20%を超えた領域すなわち2nmで反射電子線が検出された場合に、電子線照射レンズを制御して電子線の方向制御を実施する。この際に、同心円あるいは多角形の閉ループを構成する凹凸パターンを有する金型により、アライメントチップを形成することで、上記に示した側壁を有する形状が形成されるため、走査型電子顕微鏡において点収差補正が迅速に実施できる。また、このような側壁を有する円管は200nmピッチで格子状に複数配置されることにより、ナノインプリントによる転写が一部欠損した場合でも補償され、精度を保った点収差補正が可能となる。この被転写構造体を形成する金型は、その凹凸パターンが被転写構造体の凹凸を反転させたものとなるので、円管または多角形管が凹部の穴を形成する形状を有する。この金型に前記したパターン形成のための凹部を形成する方法は、目的とする形成部が形成できるものであれば特に限定されるものではないが、例えば、フォトリソグラフィや電子線描画法,ナノインプリントによるレプリカ作製等、所望する加工精度に応じて適宜選択することができる。なお、パターン形成部が形成された金型の最表面には、被転写基板の転写パターン形成層との分離を容易にするための離型材層を設けてもよい。この離型材層としては、フッ素化合物,フッ素混合物などの耐熱性樹脂であることが好ましい。
本発明によれば、走査型電子顕微鏡の点収差補正を短時間で実施できる。また、測定倍率が異なる顕微鏡使用に際して、直径の異なる直径を有するアライメントチップを用いることで、観察倍率におけるスティグマ調整が可能となる。さらに、ナノインプリントにより、当該アライメントチップを作製することにより、点収差補正計測部品のコストを著しく削減できる。すなわち、予め、直径の異なる同心円管もしくは多角形管を形成する金型により、走査型電子顕微鏡の点収差補正の高精度・高効率化が可能となる。
以下、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明する。
ここで、前記被転写基板の基板本体は、目的とする部材を形成できるものであれば特に限定されるものではなく、所定の強度を有するものであればよい。具体的には、シリコン,各種金属材料,ガラス,セラミック,プラスチックなどが好ましく適用される。
前記被転写基板の転写パターン形成層は、目的とする部材を形成できるものであれば特に限定されるものではなく、所望する加工精度に応じて選択される。具体的には、ポリエチレン,ポリプロピレン,ポリビニルアルコール,ポリ塩化ビニリデン,ポリエチレンテレフタレート,ポリ塩化ビニール,ポリスチレン,ABS樹脂,AS樹脂,アクリル樹脂,ポリアミド,ポリアセタール,ポリブチレンテレフタレートガラス強化ポリエチレンテレフタレート,ポリカーボネート,変性ポリフェニレンエーテル,ポリフェニレンスルフィド,ポリエーテルエーテルケトン,液晶性ポリマー,フッ素樹脂,ポリアレート,ポリスルホン,ポリエーテルスルホン,ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド,熱可塑性ポリイミド等の熱可塑性樹脂や、フェノール樹脂,メラミン樹脂,ユリア樹脂,エポキシ樹脂,不飽和ポリエステル樹脂,アルキド樹脂,シリコーン樹脂,ジアリルフタレート樹脂,ポリアミドビスマレイミド,ポリビスアミドトリアゾール等の熱硬化性樹脂、及びこれらを2種以上ブレンドした材料を用いることが可能である。これらの樹脂としては、走査型電子顕微鏡内でガスが発生しない樹脂や、走査型電子顕微鏡内における電子線照射分解反応を抑制した樹脂とすることが好ましい。なお、この転写パターン形成層は、樹脂に限定されるものではなく、無機ガラス,低融点金属などを用いることもできる。
Claims (8)
- 表面に凹凸パターンを有する走査型電子顕微鏡の点収差計測用のアライメントチップにおいて、前記凹凸パターンが円形あるいは多角形の閉ループを構成する凸部又は凹部を有することを特徴とするアライメントチップ。
- 請求項1に記載のアライメントチップにおいて、前記円形あるいは前記多角形の閉ループを構成する凸部又は凹部が少なくとも2つ以上形成されていることを特徴とするアライメントチップ。
- 請求項2に記載のアライメントチップにおいて、直径が異なる前記閉ループを有することを特徴とするアライメントチップ。
- 請求項1に記載のアライメントチップにおいて、前記閉ループを構成する凸部又は凹部の面積が100nm2から10000nm2であることを特徴とするアライメントチップ。
- 請求項1に記載のアライメントチップにおいて、前記閉ループを構成する凸部又は凹部と周辺の平坦部との段差が100nmから1000nmであることを特徴とするアライメントチップ。
- 走査型電子顕微鏡の点収差計測用のアライメントチップの製造方法であって、
表面に円形あるいは多角形の閉ループを構成する凹凸パターンを有する金型を被転写基板に押し付ける工程と、
前記被転写基板から金型を剥離して、前記被転写基板の表面に前記凹凸パターンを転写する工程と、
を有することを特徴とするアライメントチップの製造方法。 - 前記被転写基板が、所定の加熱によりガラス転移点に到達することで軟化する熱可塑性の樹脂から構成され、あるいは、シリコン基板と所定の温度の加熱作用により軟化する熱可塑性の樹脂より構成された転写パターン形成層とから構成されていることを特徴とする請求項6に記載のアライメントチップの製造方法。
- 前記樹脂部が1μm以上の厚さを有することを特徴とする請求項7に記載のアライメントチップの製造方法。
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US20200388462A1 (en) * | 2017-12-05 | 2020-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Systems and methods for tuning and calibrating charged particle beam apparatus |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06181155A (ja) * | 1991-06-28 | 1994-06-28 | Digital Equip Corp <Dec> | 実際の半導体ウェーハ工程のトポグラフィーに合わせた位置合せ測定システムの直接的校正のための構造および方法 |
JPH10176974A (ja) * | 1996-12-19 | 1998-06-30 | Nikon Corp | 投影光学系の収差測定方法 |
JP2000156189A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-06-06 | Nikon Corp | 電子ビ―ム装置および電子ビ―ムの軸ずれ検出方法 |
JP2001091214A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Toshiba Corp | パターン測定方法 |
JP2003123677A (ja) * | 2001-10-15 | 2003-04-25 | Pioneer Electronic Corp | 電子ビーム装置及び電子ビーム調整方法 |
JP2003133214A (ja) * | 2001-10-26 | 2003-05-09 | Sony Corp | マスクパターン補正方法および半導体装置の製造方法 |
JP2004006643A (ja) * | 2002-01-31 | 2004-01-08 | Hewlett Packard Co <Hp> | スペーサ技術を用いるナノサイズインプリント用スタンプ |
JP2004504718A (ja) * | 2000-07-18 | 2004-02-12 | ナノネックス コーポレーション | 流体圧力インプリント・リソグラフィ |
JP2004071587A (ja) * | 2002-08-01 | 2004-03-04 | Hitachi Ltd | スタンパとスタンパを用いたパターン転写方法及び転写パターンによる構造体の形成方法 |
JP2005521243A (ja) * | 2002-03-15 | 2005-07-14 | プリンストン ユニヴァーシティ | レーザを利用したダイレクトインプリントリソグラフィ |
JP2005527974A (ja) * | 2002-05-24 | 2005-09-15 | ワイ. チョウ,スティーヴン, | 界誘導圧力インプリント・リソグラフィの方法および装置 |
JP2006153871A (ja) * | 2000-11-17 | 2006-06-15 | Ebara Corp | 基板検査方法、基板検査装置及び電子線装置 |
JP2006159899A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-22 | Toray Ind Inc | パターン形成方法、およびパターン形成用シート |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5772905A (en) * | 1995-11-15 | 1998-06-30 | Regents Of The University Of Minnesota | Nanoimprint lithography |
US7109483B2 (en) * | 2000-11-17 | 2006-09-19 | Ebara Corporation | Method for inspecting substrate, substrate inspecting system and electron beam apparatus |
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Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06181155A (ja) * | 1991-06-28 | 1994-06-28 | Digital Equip Corp <Dec> | 実際の半導体ウェーハ工程のトポグラフィーに合わせた位置合せ測定システムの直接的校正のための構造および方法 |
JPH10176974A (ja) * | 1996-12-19 | 1998-06-30 | Nikon Corp | 投影光学系の収差測定方法 |
JP2000156189A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-06-06 | Nikon Corp | 電子ビ―ム装置および電子ビ―ムの軸ずれ検出方法 |
JP2001091214A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Toshiba Corp | パターン測定方法 |
JP2004504718A (ja) * | 2000-07-18 | 2004-02-12 | ナノネックス コーポレーション | 流体圧力インプリント・リソグラフィ |
JP2006153871A (ja) * | 2000-11-17 | 2006-06-15 | Ebara Corp | 基板検査方法、基板検査装置及び電子線装置 |
JP2003123677A (ja) * | 2001-10-15 | 2003-04-25 | Pioneer Electronic Corp | 電子ビーム装置及び電子ビーム調整方法 |
JP2003133214A (ja) * | 2001-10-26 | 2003-05-09 | Sony Corp | マスクパターン補正方法および半導体装置の製造方法 |
JP2004006643A (ja) * | 2002-01-31 | 2004-01-08 | Hewlett Packard Co <Hp> | スペーサ技術を用いるナノサイズインプリント用スタンプ |
JP2005521243A (ja) * | 2002-03-15 | 2005-07-14 | プリンストン ユニヴァーシティ | レーザを利用したダイレクトインプリントリソグラフィ |
JP2005527974A (ja) * | 2002-05-24 | 2005-09-15 | ワイ. チョウ,スティーヴン, | 界誘導圧力インプリント・リソグラフィの方法および装置 |
JP2004071587A (ja) * | 2002-08-01 | 2004-03-04 | Hitachi Ltd | スタンパとスタンパを用いたパターン転写方法及び転写パターンによる構造体の形成方法 |
JP2006159899A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-22 | Toray Ind Inc | パターン形成方法、およびパターン形成用シート |
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