JP4643540B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体集積回路に用いるトレンチ型素子分離構造の製造方法およびトレンチ型素子分離構造に関する。

半導体集積回路において、動作時の素子間の電気的な干渉をなくし各素子を完全に独立して制御するために、素子間を素子分離するが、特にトレンチ型の素子分離構造は、トレンチ内部に絶縁物を充填する構造であり、バーズビークがほとんど発生しないため、半導体集積回路を微細化する上で不可欠な素子分離構造である。
図１３は、従来のトレンチ型の素子分離構造の形成方法の工程断面図であり、まず、図１３（ａ）に示すように、シリコン基板１上に、下敷酸化膜２、シリコン窒化膜３を順に積層形成した後、写真製版パターン（図示せず）をマスクに、シリコン窒化膜３、下敷酸化膜２を順次パターニングし、シリコン基板１に溝を形成する。
次に、図１３（ｂ）に示すように、熱酸化により溝の内壁に熱酸化膜１０を形成した後、ＣＶＤ法により、全面に埋込酸化膜１１を堆積する。
次に、図１３（ｃ）に示すように、シリコン窒化膜３をストッパとしたＣＭＰ法により窒化膜３上部に形成された埋込酸化膜１１を除去することにより溝内部にのみ埋込酸化膜１１を残す。
次に、図１３（ｄ）に示すように、熱リン酸によりシリコン窒化膜３を除去した後、ＣＶＤ法により全面にＣＶＤ酸化膜２０を堆積する。
次に、図１３（ｅ）に示すように、異方性エッチングを行うことにより、埋込酸化膜１１の側壁のみにＣＶＤ酸化膜２０’を残す。
最後に、図１３（ｆ）に示すように、下敷酸化膜２をフッ酸で除去することによりトレンチ型素子分離構造が完成する。

トレンチ型素子分離構造の製造方法においては、最終的に活性領域２３上に形成した下敷酸化膜２の除去が不可欠であるが、従来構造のトレンチ型素子分離構造では、ＣＶＤ酸化膜２０’がＣＶＤ法により形成された酸化膜でありフッ酸によるエッチング速度が熱酸化膜に比べて大きいため、図１３（ｆ）に示す下敷酸化膜２の除去工程において、ＣＶＤ酸化膜２０’もエッチングされ、溝内の埋込酸化膜１１の保護膜としての機能を果たせず、溝内の埋込酸化膜１１もエッジ部においてエッチングされ、溝内の埋込酸化膜のエッジ部分においてくぼみ２１が発生してしまう。
集積回路では、図１６に示すように、上記トレンチ型素子分離上にゲート電極２２を形成し、活性領域２３に形成したトランジスタを上記ゲート電極２２により制御する構造を採る場合があるが、かかる場合、上記くぼみ２１の存在によりゲート電極２２がトレンチのエッジ部分でなめらかな形状とならず、電界集中が発生し、トランジスタのしきい値電圧が低下する逆ナローチャネル効果の原因となる。特に、半導体素子の集積化が進み、活性領域２３の幅（トレンチとトレンチの間隔）が狭くなるほど、逆ナローチャネル効果の影響は顕著となり、トランジスタのしきい値電圧の制御が非常に困難となり、回路動作に悪影響を及ぼすこととなる。
そこで、本発明は、トレンチ型素子分離の埋込酸化膜のエッジ部において、くぼみの発生しないトレンチ型素子分離構造の製造方法を提供することを目的とする。

そこで、発明者らは鋭意研究の結果、シリコン基板に形成した溝内部の埋込酸化膜の周囲のみならず、シリコン基板上方に突出した埋込酸化膜の側面にもＣＶＤ膜より耐エッチング性の高い熱酸化膜を形成することにより、下敷酸化膜の除去工程における埋込酸化膜エッジ部でのくぼみの発生を防止し、トレンチ型素子分離上にゲート電極を形成したトランジスタの逆ナローチャネル効果を抑制できることを見出し、本発明を完成した。

即ち、本発明は、シリコン基板に形成された溝に、上記シリコン基板表面から上方に突出した埋込酸化膜が熱酸化膜を介して埋め込まれたトレンチ型素子分離構造の製造方法であって、上記シリコン基板上に下敷酸化膜を介して非単結晶シリコン膜を形成した後、該非単結晶シリコン膜が、上記シリコン基板の溝壁部と連続する側壁部を有するように、上記非単結晶シリコン膜の表面から上記シリコン基板内に至る溝を形成する溝形成工程と、上記溝壁部を含む上記溝内部の表面および上記非単結晶シリコン膜の上記側壁部に熱酸化膜を形成する熱酸化工程と、上記熱酸化された側壁部を除く上記非単結晶シリコン膜を除去する除去工程とを含み、上記埋込酸化膜の上記シリコン基板表面より上方に突出した側面にも上記熱酸化膜が形成されるように上記埋込酸化膜を形成することを特徴とするトレンチ型素子分離構造の製造方法である。
かかる方法では、埋込酸化膜の周囲が、溝内部のシリコン基板表面のみならずシリコン基板表面から上部に突出した部分の側面においても、ＣＶＤ酸化膜に比べて耐エッチング性の高い熱酸化膜で囲まれているため、下敷酸化膜のエッチング工程においてもかかる熱酸化膜はエッチングされにくい。
即ち、従来方法においてはシリコン基板表面より上部に突出した埋込酸化膜周囲に形成したＣＶＤ酸化膜が、上記下敷酸化膜のエッチング工程で同時にエッチングされることにより、溝内部の埋込酸化膜のエッジ部においてくぼみが発生していたが、本方法ではシリコン基板表面より上部に突出した埋込酸化膜側面にはＣＶＤ酸化膜に比べて耐エッチング性の高い熱酸化膜が形成されているため、上記下敷酸化膜のエッチング工程ではエッチングされにくく、埋込酸化膜の側面を保護し、埋込酸化膜のエッジ部におけるくぼみの発生を防止することが可能となる。
これにより、トレンチ型素子分離構造上にゲート電極を形成したトランジスタにおいては、分離溝内部の埋込酸化膜にくぼみが発生していないため、従来のような埋込酸化膜上に形成したゲート電極における電界集中の発生が防止でき、トランジスタの逆ナローチャネル効果を抑制することが可能となる。

また、本発明は、上記製造方法において、更に、上記熱酸化工程と上記除去工程との間に、上記溝内部および上記非単結晶シリコン膜上に上記埋込酸化膜を堆積する堆積工程と、上記非単結晶シリコン膜が露出するまで上記埋込酸化膜の上面から膜厚を減じる薄膜化工程とを含み、上記シリコン基板表面より上方に突出し、その突出した側壁にも上記熱酸化膜が設けられた上記埋込酸化膜を形成することを特徴とするトレンチ型素子分離構造の製造方法でもある。
特に、本製造方法では、従来方法のようにドライエッチングによる膜の除去工程を含まないため、基板における損傷の発生を防止することが可能となる。

また、本発明は、上記製造方法が、更に、上記溝の両側の上記非単結晶シリコン膜上に、シリコン窒化膜を形成する工程を含み、更に、上記薄膜化工程において、上記シリコン窒化膜をストッパとして上記埋込酸化膜の膜厚を減じ、上記溝内部にのみ上記埋込酸化膜を残した後に、上記シリコン窒化膜を除去する工程を含むことを特徴とするトレンチ型素子分離構造の製造方法でもある。
かかる製造方法では、下敷酸化膜のエッチング工程において、トレンチ内の埋込酸化膜のエッジ部におけるくぼみの発生を防止することができることに加えて、薄膜化工程においてシリコン酸化膜との選択比の大きいシリコン窒化膜をストッパに用いているために、基板表面からの埋込酸化膜の高さを精度良く制御することができ、埋込酸化膜の高さのばらつきを小さくすることが可能となる。

また、本発明は、上記製造方法において、更に、上記堆積工程と上記薄膜化工程との間に、上記非単結晶シリコン膜の上面より下方の所定の位置まで、上記埋込酸化膜および上記熱酸化膜を上部より除去する工程と、上記溝内部および上記非単結晶シリコン膜上に上層埋込酸化膜を堆積する工程とを含むことを特徴とするトレンチ型素子分離構造の製造方法でもある。
かかる製造方法では、下敷酸化膜のエッチング工程において、トレンチ内の埋込酸化膜のエッジ部におけるくぼみの発生を防止することができることに加えて、堆積工程において、埋込酸化膜中にシームが発生した場合、かかるシームが露出するまで埋込酸化膜を上部より除去し、かかるシームを埋めるように上層埋込酸化膜を堆積することにより、シームのない素子分離構造の形成が可能となる。
この結果、トレンチ型素子分離上に電極を形成した場合の、上記シームに起因する電極のショート等が防止され、集積回路の製造歩留まりの向上を図ることが可能となる。

また、本発明は、上記製造方法が、上記堆積工程と上記薄膜化工程との間に、上記非単結晶シリコン膜の上面と底面との間の所定の位置まで、上記埋込酸化膜および上記熱酸化膜を上部より除去し、上記非単結晶シリコン膜の少なくとも一部の側面および上面を露出させる工程と、上記非単結晶シリコン膜の上記露出した側面および上面を熱酸化することにより、上記埋込酸化膜の両側の熱酸化膜の先端部分を厚くする工程と、上記熱酸化膜の先端部分を厚くした後に、上層埋込酸化膜を全面に堆積する工程とを含むことを特徴とするトレンチ型素子分離構造の製造方法でもある。
かかる製造方法では、図４（ｅ）に示す側壁部のＡ部分の熱酸化膜を他の熱酸化膜より厚く形成することができ、下敷酸化膜のエッチング工程において、Ａ部分の熱酸化膜がエッチングされにくく、埋込酸化膜のエッジ部におけるくぼみの発生をより有効に防止することが可能である。
尚、Ａ部分の熱酸化膜の厚さは、他のトレンチ溝内部の熱酸化膜の膜厚を厚くすることなく、個別に厚く形成することができるため、本製造方法を用いた場合であっても、トレンチ溝内の熱酸化膜の膜厚は厚くならず、トレンチ溝幅が狭くなり、アスペクト比が高くなることによるシームの発生は起こらない。

また、本発明は、上記製造方法において、更に、上記薄膜化工程と上記除去工程との間に、上記非単結晶シリコン膜の上記露出した上面を熱酸化することにより、上記非単結晶シリコン膜の側壁部の熱酸化膜の上端部分を厚くする工程と、上記熱酸化膜の上端部分を厚くした後に、上記非単結晶シリコン膜の上面部の熱酸化膜を除去する工程とを含むことを特徴とするトレンチ型素子分離構造の製造方法でもある。
かかる製造方法では、図５（ｅ）に示すＢ部分の熱酸化膜を、他の熱酸化膜より厚く形成することができ、下敷酸化膜のエッチング工程においてＢ部分の熱酸化膜がエッチングされにくく、埋込酸化膜のエッジ部におけるくぼみの発生をより有効に防止することが可能である。

また、本発明は、上記製造方法において、更に、上記堆積工程と上記薄膜化工程との間に、上記非単結晶シリコン膜の上面と底面との間の所定の位置まで、上記埋込酸化膜および上記熱酸化膜を上部より除去し、上記非単結晶シリコン膜の側面と上面とを露出させる工程と、熱酸化用非単結晶シリコン膜を全面に堆積する工程と、上記熱酸化用非単結晶シリコン膜および上記非単結晶シリコン膜を熱酸化して熱酸化膜を形成する工程と、上層埋込酸化膜を全面に堆積する工程とを含むことを特徴とするトレンチ型素子分離構造の製造方法でもある。
かかる製造方法では、溝内の埋込酸化膜の側壁に加えて上部にもエッチング耐性の高い熱酸化膜が形成でき、即ち、溝内部の埋込酸化膜が、上面においても熱酸化膜により囲まれているため、下敷酸化膜のエッチング工程における埋込酸化膜のエッジ部でのくぼみの形成を完全に防止することが可能となる。
また、図６（ｆ）のＣ部分の熱酸化膜を、溝内の他の熱酸化膜より厚く形成できるため、従来、下敷酸化膜のエッチング工程で最もエッチングされやすかった部分の強化を図ることが可能となる。
また、埋込酸化膜中にシームが発生した場合、かかるシームが無くなる程度に埋込酸化膜を上部より除去した後に、熱酸化用非単結晶シリコン膜を全面に堆積することにより、シームのない素子分離構造の形成が可能となる。

また、本発明は、上記製造方法が、更に、上記熱酸化工程の前に、上記溝内部および上記非単結晶シリコン膜上に埋込酸化膜を堆積する堆積工程を含み、更に、上記熱酸化工程が、上記埋込酸化膜越しに熱酸化を行うことにより熱酸化膜を形成する工程であることを特徴とするトレンチ型素子分離構造の製造方法でもある。
かかる製造方法では、下敷酸化膜のエッチング工程において、トレンチ内の埋込酸化膜のエッジ部におけるくぼみの発生を防止することができることに加えて、埋込酸化膜の堆積後に熱酸化工程が行われるため、埋込酸化膜が熱酸化工程中に高温に保持され、いわゆる焼き締めされて、特に、図１７の４０に示す部分のように、埋込酸化膜の接合の弱い部分４０の接合を強化することが可能となる。
従って、図１７（ａ）〜（ｃ）に示すように、従来方法で発生していた埋込酸化膜中の凹部の形成を防止し、分離特性の良好な素子分離構造の形成が可能となる。

また、本発明は、上記製造方法において、更に、上記熱酸化工程と上記除去工程との間に、上記非単結晶シリコン膜が露出するまで上記埋込酸化膜の上面から膜厚を減じる薄膜化工程を含み、上記埋込酸化膜の上記シリコン基板表面より上方に突出した側面にも上記熱酸化膜が形成されるように上記埋込酸化膜を形成することを特徴とするトレンチ型素子分離構造の製造方法でもある。
特に、本製造方法では、従来方法のようにドライエッチングによる膜の除去工程を含まないため、基板における損傷の発生を防止することが可能となる。

また、本発明は、上記製造方法が、更に、上記溝の両側の上記非単結晶シリコン膜上にシリコン窒化膜を形成する工程を含み、更に、上記薄膜化工程において、上記シリコン窒化膜をストッパとして上記埋込酸化膜の膜厚を減じ、上記溝内部にのみ上記埋込酸化膜を残した後に、上記シリコン窒化膜を除去する工程を含むことを特徴とするトレンチ型素子分離構造の製造方法でもある。
かかる製造方法では、薄膜化工程においてシリコン酸化膜との選択比の大きいシリコン窒化膜をストッパに用いているために、基板表面からの埋込酸化膜の高さを精度良く制御することができ、埋込酸化膜の高さのばらつきを小さくすることが可能となる。

また、本発明は、上記製造方法が、更に、上記堆積工程と上記熱酸化工程との間に、上記非単結晶シリコン膜が露出するまで上記埋込酸化膜の上面から膜厚を減じる工程を含み、更に、上記熱酸化工程と上記除去工程との間に、上記非単結晶シリコン膜の上面部の熱酸化膜を除去する工程を含むことを特徴とするトレンチ型素子分離構造の製造方法でもある。
特に、かかる製造方法では、埋込酸化膜を介して酸化種が拡散する距離が短い非単結晶シリコン膜の側壁部の酸化速度が、溝底部等の酸化速度に比較して大きくなるため、側壁部に形成される熱酸化膜の膜厚を、溝底部に形成される熱酸化膜の膜厚より厚く形成することが可能となる。

また、本発明は、上記製造方法が、更に、上記溝の両側の上記非単結晶シリコン膜上にシリコン窒化膜を形成する工程を含み、更に、上記堆積工程と上記熱酸化工程との間に、上記シリコン窒化膜をストッパとして上記埋込酸化膜の膜厚を減じ、上記溝内部にのみ上記埋込酸化膜を残す工程を含み、更に、熱酸化を行った後に、上記シリコン窒化膜を除去する工程を含むことを特徴とするトレンチ型素子分離構造の製造方法でもある。
かかる方法でも、基板表面からの埋込酸化膜の高さを精度良く制御することができ、埋込酸化膜の高さのばらつきを小さくすることが可能となる。

上記熱酸化工程は、１０００℃以上で行う高温熱酸化工程であることが好ましい。
熱酸化工程を１０００℃以上で行うことにより、予め堆積された埋込酸化膜の焼き締めが可能となり、埋込酸化膜の接合の弱い部分の接合強化が可能となるからである。

上記製造方法は、更に、上記溝形成工程と上記熱酸化工程との間に、上記溝壁部を含む上記溝内部の表面および上記非単結晶シリコン膜の上記側壁部に別途熱酸化膜を形成する熱酸化工程を含むものであっても良い。
熱酸化膜を２度形成することにより、特に、重ねて形成される溝内部および非単結晶シリコン膜側壁部の熱酸化膜の膜厚を厚く形成することが可能となるからである。

上記非単結晶シリコン膜の上記側壁部に形成される熱酸化膜の膜厚は、下敷酸化膜の除去工程においてもエッチングされないために、３０〜１００ｎｍであることが好ましい。

上記非単結晶シリコン膜の上記側壁部に形成された熱酸化膜の膜厚は、上記溝内部の上記シリコン基板表面に形成された熱酸化膜の膜厚よりも厚く形成することが好ましい。

また、本発明は、シリコン基板に形成された溝に、上記シリコン基板表面より上方に突出した埋込酸化膜が熱酸化膜を介して埋め込まれたトレンチ型素子分離構造であって、上記シリコン基板表面より上方に突出した埋込酸化膜の、上記溝の溝壁に垂直方向の膜厚が、上記シリコン基板表面近傍において最も厚くなるように、上記熱酸化膜が上記シリコン基板表面近傍で漸次外方に張り出した張り出し部分を有することを特徴とするトレンチ型素子分離構造でもある。
かかるトレンチ型素子分離構造では、従来構造のように埋込酸化膜のエッジ部分にくぼみが形成されず、上部が平坦であり、更に、熱酸化膜が基板表面近傍で外方になめらかに張り出しているため、トレンチ型素子分離構造上にゲート電極を有するトランジスタを形成した場合に、ゲート電極形状が特に底面においてなめらかに形成できるため、従来構造で発生していた埋込酸化膜のエッジ上部のゲート電極における電界集中の発生が防止でき、トランジスタの逆ナローチャネル効果を抑制することが可能となる。

上記張り出し部分以外の上記熱酸化膜の上記膜厚は、上記シリコン基板表面よりも上部において、上記シリコン基板表面よりも下部の上記溝表面に形成された熱酸化膜の膜厚よりも厚いことが好ましい。

上記埋込酸化膜の上面は、更に、熱酸化膜に覆われていることが好ましい。

以上の説明から明らかなように、本発明にかかる方法では、シリコン基板表面から上方に突出した埋込酸化膜の周囲が、従来のようにＣＶＤ法で形成した酸化膜ではなく耐エッチング性の高い熱酸化膜で囲まれているため、下敷酸化膜のエッチング工程においても上記熱酸化膜はエッチングされにくく、突出した埋込酸化膜を有効に保護することができる。
この結果、かかるエッチング工程において従来発生していた埋込酸化膜のエッジ部におけるくぼみの発生を防止することが可能となる。
これにより、上記トレンチ型素子分離構造上にゲート電極を有するトランジスタを形成した場合、上記くぼみ上部に形成されることにより発生していたゲート電極による電界集中が防止でき、トランジスタの逆ナローチャネル効果を抑制することが可能となる。

特に、シリコン基板より上部に突出した埋込酸化膜側面の熱酸化膜を、溝内部に形成された熱酸化膜より厚くすることにより、上記下敷酸化膜エッチング工程における埋込酸化膜の保護効果をより大きくすることが可能となる。

また、埋込酸化膜上部にも熱酸化膜を形成することにより、上記埋込酸化膜のエッジ部におけるくぼみの発生を完全に防止することが可能である。

また、本発明により形成したトレンチ型素子分離構造では、シリコン基板表面近傍において、熱酸化膜が外方になめらかに張り出しているため、上記ゲート電極構造も底部形状がなめらかになり、これによってもゲート電極による電界集中を防止することが可能となる。

また、本発明にかかる方法では従来のように異方性エッチングを用いないため、活性領域でのダメージの発生を防止することが可能となる。

また、本発明にかかる方法を用いることにより、埋込酸化膜内にシームが発生した場合、これを埋め込むことにより、最終的にシーム発生のないトレンチ型素子分離構造の形成が可能となる。

更に、シリコン基板に形成した溝に埋込酸化膜を埋め込んだ後に、熱酸化により溝内壁に熱酸化膜を形成するため、上記埋込酸化膜が高温にさらされ、いわゆる焼き締めが起きる。
これにより、埋込酸化膜形成時のつなぎ目の結合力を高めることが可能となる。
特に、１０００℃以上の熱酸化工程を行うことが、結合力を高めるために有効である。

実施の形態１．
図１に、本発明の実施の形態１にかかるトレンチ型素子分離構造の製造工程断面図を示す。
まず、図１（ａ）に示すように、基板１上に、熱酸化によりシリコン酸化膜である下敷酸化膜２を５から３０ｎｍ程度、非単結晶シリコン膜として、ポリシリコン膜５を１００から３００ｎｍ程度、順次積層形成し、異方性エッチングにより、素子分離形成領域のポリシリコン膜５、下敷酸化膜２をエッチングし、更に基板１を１００から５００ｎｍ程度の深さエッチングすることにより基板内に溝１３を形成する。
これによって、ポリシリコン膜５が、シリコン基板１の溝壁部と連続する側壁部１２を有するように、ポリシリコン膜５の表面からシリコン基板１に至る溝１３を形成することが可能となる。
尚、非単結晶シリコン膜としては、ポリシリコン膜以外にアモルファスシリコン膜も使用することができる。
次に、図１（ｂ）に示すように、熱酸化により、溝内部にシリコン酸化膜１０を５から５０ｎｍ程度形成する。このとき上記ポリシリコン膜５の側壁部１２および上面も同時に酸化される。
かかる熱酸化工程においては、Ｏ_２やＨ_２Ｏのような酸化剤は酸化膜中を拡散しやすく、下敷酸化膜２中にも拡散するため、下敷酸化膜２近傍のシリコン１、５が更に酸化され、図１（ｂ）に示すような熱酸化膜１０の膜厚が、下敷酸化膜２との接続部近傍で、外部になめらかに厚くなるような構造となる。
次に、図１（ｃ）に示すように、ＣＶＤ法により全面にシリコン酸化膜である埋込酸化膜１１を堆積する。
次に、図１（ｄ）に示すように、ＣＭＰ法により、ポリシリコン膜５上部に形成された熱酸化膜１０、溝内の熱酸化膜１０、埋込酸化膜１１の一部、およびポリシリコン膜５の一部を上部から除去する。
次に、図１（ｅ）に示すように、ドライエッチング法により、ポリシリコン膜５を選択的に除去し、最後に図１（ｆ）に示すように、下敷酸化膜２をフッ酸によるウエットエッチングにより除去することにより、シリコン基板１の表面より上方に突出した埋込酸化膜１１の側面にも熱酸化膜が形成されたトレンチ型素子分離構造を形成する。

このように、本発明の実施の形態１にかかる方法では、図１（ｆ）に示す下敷酸化膜２のエッチング工程において、同時に埋込酸化膜１１、熱酸化膜１０も上部からエッチングされるが、埋込酸化膜１１の周囲は、従来のようにＣＶＤ法で形成した酸化膜２０ではなく耐エッチング性の高い熱酸化膜１０で囲まれているため、従来のように溝内の埋込酸化膜１１のエッジ部においてくぼみが発生しない。

図１１は、本発明の実施の形態１にかかる方法で作製したトレンチ型素子分離構造である。
かかる素子分離構造では、素子分離領域として作用する埋込酸化膜１１の上面は、半導体基板１の表面よりも高くなっており、溝内壁に熱酸化によって形成された酸化膜１０は、溝内部のみならず、基板より上部の埋込酸化膜１１の側壁にまで形成されており、埋込酸化膜１１には、従来構造のようなくぼみが発生していない。
更に、熱酸化膜１０は、シリコン基板表面近傍において、活性領域側２３（外方）へなめらかに延びている。
従って、かかるトレンチ型素子分離構造上にゲート電極を形成したトランジスタにおいては、図１６に示す従来構造のゲート電極２２構造で発生するような埋込酸化膜１１のエッジ上部のゲート電極における電界集中の発生が防止でき、トランジスタの逆ナローチャネル効果を抑制することが可能となる。

実施の形態２．
図２に、本発明の実施の形態２にかかるトレンチ型素子分離構造の製造工程断面図を示す。
まず、図２（ａ）に示すように、基板１上に、熱酸化法によりシリコン酸化膜からなる下敷酸化膜２を５から３０ｎｍ程度、ポリシリコン膜５を３０から１００ｎｍ程度、シリコン窒化膜３を１００から３００ｎｍ程度の膜厚で順次積層形成した後、異方性エッチングにより、素子分離形成領域のシリコン窒化膜３、ポリシリコン膜５、下敷酸化膜２を開口し、更に、基板１を１００から５００ｎｍ程度の深さにエッチングすることにより、基板内に溝１３を形成する。
次に、図２（ｂ）に示すように、熱酸化法により、溝内部に熱酸化膜１０を５から５０ｎｍ程度形成する。かかる工程では、ポリシリコン膜５の側壁部１２も酸化される。
次に、図２（ｃ）に示すように、ＣＶＤ法により全面にシリコン酸化膜１１を堆積する。
次に、図２（ｄ）に示すように、ＣＭＰ法によりシリコン窒化膜３上部に形成された酸化膜１１を除去する。
次に、図２（ｅ）に示すように、熱リン酸によりシリコン窒化膜３を除去し、続いて、ドライエッチング法によりポリシリコン膜５を除去する。
最後に、図２（ｆ）に示すように、シリコン酸化膜２をフッ酸によるウエットエッチングにより除去し、トレンチ型素子分離構造を形成する。

かかる製造方法では、上記実施の形態１に述べた効果に加えて、図２（ｄ）に示すＣＭＰ法におけるストッパとして、シリコン酸化膜との選択比の大きいシリコン窒化膜３を用いているために、基板表面から突出した埋込酸化膜の高さを精度良く制御することができ、素子間の埋込酸化膜の高さのばらつきを小さくすることが可能となる。

また、本実施の形態２にかかる方法を用いることにより、上記実施の形態１と同様に図１１に示す構造のトレンチ型素子分離構造の作製が可能となり、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。

実施の形態３．
図３に、本発明の実施の形態３にかかるトレンチ型素子分離構造の製造工程断面図を示す。
素子の微細化に伴いトレンチ溝の幅が狭くなった場合、図１４に示すような、シームの発生が問題となるが、本実施の形態３は、かかるシームの発生を防止するものである。
即ち、図１３の従来方法により埋込酸化膜１１を埋め込む場合、溝のアスペクト比が大きくなると埋め込みが不完全となり、図１４（ａ）に示すように、溝内部にシーム４０が発生する。図１４中、１は基板、２は熱酸化膜、５は窒化シリコン膜を示す。
図１４（ｂ）（ｃ）に示すように、かかるシーム４０が存在する構造では、シリコン酸化膜２をフッ酸で除去する際にシームがさらに拡大し、次工程で溝上部に形成される配線材料がシーム内に入り込み、ショートが発生しやすくなる。かかるシーム４０をなくしてトレンチ分離を形成するためには、エッチバックによりシーム位置まで埋込酸化膜１１を除去し、酸化膜を再度埋込むことが考えられるが、図１５（ａ）（ｂ）に示すように、通常のドライエッチングでは、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の選択比が小さく、図１５（ｂ）に示すようにシーム４０除去のためのエッチング工程においてシリコン窒化膜３も除去されるために、ＣＭＰ時にシリコン窒化膜３をストッパとして用いることができなくなる。
そこで、本実施の形態では、まず、溝１３の幅が狭いため、図３（ｃ）に示すように溝内にシーム４０が発生する。図３（ａ）（ｂ）の工程は、溝幅が狭くなっている以外は、実施の形態１と同様である。
次に、図３（ｄ）の工程で、シーム４０が発生した埋込酸化膜１１は、ドライエッチング等により、所定の位置、即ちシーム４０が露出するまで上部から除去される。
次に、図３（ｅ）に示すように、上層埋込酸化膜１２をＣＶＤ法により全面に堆積する。上層埋込酸化膜１２の埋め込み工程においては、埋込酸化膜１１を形成した場合に比べて溝のアスペクト比が小さくなっているためシームは発生しない。
続いて、図３（ｆ）〜（ｈ）に示すように、実施の形態１の工程（ｄ）〜（ｆ）と同様の工程を行うことにより、トレンチ型素子分離構造が完成する。
ここでは、埋込酸化膜１１を、シーム４０が半分程度除去されるまでエッチングしたが、第２の酸化膜１２の堆積時に埋込可能な範囲でシームを残しても、あるいは、埋込酸化膜１１のドライエッチング後に、フッ酸処理を行うことによりシーム開口部を広げて、第２の酸化膜堆積時のシームの埋め込み効率を向上させても良い。

本実施の形態３にかかる方法では、実施の形態１と同様の効果が得られることに加え、シームの発生が防止でき、トレンチ型素子分離上に電極を形成した場合の電極のショート等が低減でき、かかるトレンチ型素子分離を用いた集積回路の製造歩留まりの向上を図ることが可能となる。
尚、図３（ｄ）に示す埋込酸化膜１１、熱酸化膜１０のドライエッチング工程における埋込酸化膜１１、熱酸化膜１０とポリシリコン膜５のエッチング選択比は非常に大きいため、ポリシリコン膜１１はエッチングされることなく埋込酸化膜１１、熱酸化膜１０のみエッチングできるため、図３（ｆ）に示すＣＭＰ工程においてストッパとなるポリシリコン膜１２が、かかる工程で薄くなることはない。

また、本実施の形態３にかかる方法を用いることにより、図１１に示す上記実施の形態１と同様の構造のトレンチ型素子分離構造の作製が可能となり、同様の効果を得ることができる。

実施の形態４．
図４に、本発明の実施の形態４にかかるトレンチ型素子分離構造の製造工程断面図を示す。
図４（ａ）〜（ｄ）の工程は、シーム４０が無い点を除いて、実施の形態３に示す図３（ａ）〜（ｄ）の工程と同様であり、図４（ｄ）の工程では、ドライエッチングにより、ポリシリコン膜５の上面と底面との間の所定の位置まで、上記埋込酸化膜１１および上記熱酸化膜１０を上部より除去し、上記ポリシリコン膜５の少なくとも一部の側面および上面を露出させる。
続いて、図４（ｅ）に示すように、再度、ポリシリコン膜５の露出した側面および上面を熱酸化することにより、埋込酸化膜１１の両側の熱酸化膜１０の先端部分を厚くするように、ポリシリコン膜５の露出した側面および上面を酸化する。
かかるポリシリコン膜５の熱酸化工程において、トレンチ溝内では、酸化剤は埋込酸化膜１１内では殆ど拡散しないため、トレンチ溝内のシリコン基板１はほとんど酸化されない。一方、シリコン基板１の表面より上部では酸化剤が容易にポリシリコン膜５表面に到達するため、ポリシリコン膜５の側壁部１２が酸化され、特に、図４のＡ部分では、工程（ｂ）に加えて、更にポリシリコン５が再度酸化されるため、熱酸化膜の膜厚が、他の熱酸化膜に比較して厚くなる。
次に、図４（ｆ）に示すように、ＣＶＤ法を用いて、上層埋込酸化膜１２を全面に堆積する。
続いて行う図４（ｇ）〜（ｉ）の工程は、図１に示す実施の形態１の工程と同様であり、以上のように工程を行うことによりトレンチ型素子分離が作製される。
特に、本実施の形態では、上述のように図４のＡ部分の熱酸化膜の膜厚を厚く形成することが可能であるため、図４（ｉ）に示す下敷酸化膜２の除去工程において、上記実施の形態１〜３より更に埋込酸化膜１１の保護が強化される。
尚、本実施の形態では、溝内に埋め込まれたシリコン酸化膜１１において、シーム４０が発生した場合でも、実施の形態３の場合と同様に、第２の埋込酸化膜１２でシーム４０を埋め込むことが可能である。

このように、本実施の形態４にかかるトレンチ型素子分離の製造方法では、図４（ｅ）に示すＡ部分の熱酸化膜が他の熱酸化膜より厚くなり、工程（ｉ）に示す下敷酸化膜２のエッチング工程において更にエッチングされにくく、埋込酸化膜１１のエッジ部におけるくぼみの発生をより有効に防止することが可能である。
尚、かかるトレンチ溝周囲側壁（Ａ部分）の熱酸化膜１０の厚さは、トレンチ溝内部の熱酸化膜の膜厚を厚くすることなく、個別に厚く形成することができるため、本実施の形態にかかる方法を用いた場合であっても、トレンチ溝内の熱酸化膜１０の膜厚は厚くならず、トレンチ溝幅が狭くなることによるシーム４０の発生は起こらない。

実施の形態５．
図５に、本発明の実施の形態５にかかるトレンチ型素子分離構造の製造工程断面図を示す。
図５中、図５（ａ）〜（ｄ）は、実施の形態１の図１（ａ）〜（ｄ）の工程と同様である。
次に、図５（ｅ）に示すように、再度、ポリシリコン膜５の露出した上面を熱酸化することにより、ポリシリコン膜５の側壁部１３の熱酸化膜１０の上端部分を厚くする。
かかるポリシリコン膜５の酸化工程では、上記実施の形態４と同様に、トレンチ溝内部では、シリコン基板１は殆ど酸化されないが、シリコン基板１表面より上部では酸化剤が容易にポリシリコン膜５表面に到達するため、ポリシリコン膜５の上面および側壁部１２で酸化が進み、特に、図５（ｅ）のＢ部分では、工程（ｂ）に加えて、更にポリシリコン５が再度酸化されるため、酸化膜の膜厚が他の酸化膜部分に比較して厚くなる。
次に、図５（ｆ）に示すように、ドライエッチングによりポリシリコン膜５上部に形成された熱酸化膜１０、および溝内の熱酸化膜１０、埋込酸化膜１１の上部をエッチング除去する。
次に、図５（ｇ）に示すように、ドライエッチング法によりポリシリコン膜５を除去し、更に、図５（ｈ）に示すように、下敷酸化膜２をフッ酸によるウエットエッチングにより除去することにより、トレンチ型素子分離構造を作製する。

このように、本実施の形態５にかかるトレンチ型素子分離構造の製造方法では、図５（ｅ）に示すＢ部分の熱酸化膜が他の熱酸化膜より厚くなり、工程（ｈ）に示す下敷酸化膜２のエッチング工程において更にエッチングされにくく、埋込酸化膜１１のエッジ部におけるくぼみの発生をより有効に防止することが可能である。

また、本実施の形態５にかかる方法を用いることにより、上記実施の形態４と同様の構造のトレンチ型素子分離構造の作製が可能である。

実施の形態６．
図６に、本発明の実施の形態６にかかるトレンチ型素子分離構造の製造工程断面図を示す。
図６（ａ）〜（ｄ）までの工程は、上記実施の形態４、５と同様である。
続いて、図６（ｅ）に示すように、全面に熱酸化用非単結晶シリコン膜であるポリシリコン膜１２を堆積した後、図６（ｆ）に示すように、熱酸化法によりポリシリコン膜１２を酸化して、熱酸化膜１５を形成する。
ここで、埋込酸化膜１１中では酸化剤が殆ど拡散しないため、トレンチ溝内の熱酸化膜の膜厚はほとんど変化しない。これに対し、酸化されたポリシリコン膜１２中は酸化剤が移動しやすいため、ポリシリコン膜５の側壁部１３では熱酸化が進み、トレンチ溝内の酸化膜厚に比べて、図６（ｆ）のＣ部分の熱酸化膜の膜厚が厚くなる。
更に、埋込酸化膜１１の上面部には、ポリシリコン膜１２の酸化により熱酸化膜１５が形成される。
次に、図６（ｇ）に示すように、ＣＶＤ法により、上層埋込酸化膜１６を全面に堆積する。
次に、図６（ｈ）に示すように、ＣＭＰ法により、溝内部の埋込酸化膜１１上に形成した熱酸化膜１４が露出するまで（またはその直前まで）、上部より上層埋込酸化膜１６、熱酸化膜１５、ポリシリコン膜５の膜厚を減じる。
次に、図６（ｉ）に示すように、ドライエッチング法により、ポリシリコン膜５を除去した後、図６（ｊ）に示すように、下敷酸化膜２をフッ酸によるウエットエッチングにより除去することでトレンチ型素子分離構造が作製される。

このように、本実施の形態６にかかる方法では、埋込酸化膜１１の側壁のみならず上部にもウエットエッチング耐性の高い熱酸化膜１０が形成されているため、下敷酸化膜２の除去工程において、埋込酸化膜１１がエッチングされることはなく、埋込酸化膜１１のエッジ部におけるくぼみの発生を完全に防止することが可能となる。
これにより、トレンチ型素子分離上にゲート電極を形成した場合の、エッジ部分における電界集中を防止し、逆ナローチャネル効果を抑制することが可能となる。
また、図６（ｆ）のＣ部分の側壁部１３の熱酸化膜１０の厚さが、トレンチ溝内部の酸化膜の膜厚に関係なく厚く設定することができるため、Ｃ部分の熱酸化膜を厚く形成した場合であっても溝内部の熱酸化膜の膜厚は厚くならず、即ちトレンチ溝のアスペクト比が大きくなることを防止でき、シームの発生を抑制することが可能となる。
また、従来方法のように、異方性エッチングを行うことなく埋込酸化膜１１の側壁部１３の熱酸化膜を形成できるため、活性領域２３における異方性エッチングによるダメージの発生を防止することも可能となる。

図６（ｊ）は、本発明の実施の形態６にかかる方法で作製したトレンチ型素子分離構造である。
かかる素子分離構造では、素子分離領域として作用する埋込酸化膜１１の上面は、半導体基板１の表面より上方に突出しており、溝１２内壁に熱酸化によって形成された酸化膜１０は、溝１２内部のみならず、基板より上部の埋込酸化膜１１の側面にまで形成されており、埋込酸化膜１１には従来構造のようなくぼみは発生しない。
また、熱酸化膜１０は、シリコン基板表面近傍において、活性領域側２３（外方）へなめらかに延びており、基板１の表面より上部の熱酸化膜１０の溝１２側面に垂直方向の膜厚は、溝１２内部の熱酸化膜１０の膜厚より厚くなっている。
従って、かかるトレンチ型素子分離構造上にゲート電極を形成したトランジスタにおいては、従来のような埋込酸化膜１１のエッジ上部のゲート電極における電界集中の発生が防止でき、トランジスタの逆ナローチャネル効果を抑制することが可能となる。

実施の形態７．
図７に、本発明の実施の形態７にかかるトレンチ型素子分離構造の製造工程断面図を示す。
まず、図７（ａ）に示すように、シリコン基板１上に、熱酸化により下敷酸化膜２を５から３０ｎｍ程度、ポリシリコン膜５を１００から３００ｎｍ程度、順次形成し、続いて、異方性エッチングにより、素子分離形成領域のポリシリコン膜５、下敷酸化膜２を除去し、シリコン基板１を１００から５００ｎｍ程度の深さにエッチングし、シリコン基板内に溝１２を形成する。
次に、図７（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法により全面に埋込酸化膜１１を堆積する。
次に、図７（ｃ）に示すように、熱酸化法で上記埋込酸化膜１１越しに酸化剤を拡散させ、溝１２内部に熱酸化膜１０を５から５０ｎｍ程度形成する。この時、上記ポリシリコン膜５の側壁部１３および上面も酸化されるが、埋込酸化膜１１の表面に近い部分ほど、埋込酸化膜中の酸化剤の拡散が律速される度合が小さい（酸化剤が多く到達する）ため酸化され易く、ポリシリコン側壁部１３はシリコン溝内壁よりも多く酸化される。
従って、溝１２内壁部の熱酸化膜１０の膜厚を相対的に厚くしたい場合には、予め、埋込酸化膜１１の埋込工程前に、溝１２内壁の酸化工程を行うとともに、埋込まれた埋込酸化膜１１越しに行う酸化工程における酸化量を減らすとよい。
次に、図７（ｄ）に示すように、ＣＭＰ法により膜厚を減じ、ポリシリコン膜５の上部に形成された酸化膜、および溝内の熱酸化膜１０、埋込酸化膜１１の一部を除去する。
次に、図７（ｅ）に示すように、ドライエッチング法によりポリシリコン膜５を除去し、続いて図７（ｆ）に示すように、下敷酸化膜２をフッ酸によるウエットエッチングにより除去することで溝型素子分離を形成する。
溝１２上部の埋込酸化膜１１の側面では、熱酸化の際、下敷酸化膜２を酸化剤が拡散することにより熱酸化膜１０が厚く形成されており、下敷酸化膜２をウエットエッチングにより除去する時に、溝１２上部の埋込酸化膜１１の側面で酸化膜がなくなることを防止することができる。
特に、下敷酸化膜２の膜厚よりも溝１２上部の埋込酸化膜１１の側面の熱酸化膜１０の膜厚を大きくすれば、下敷酸化膜２を除去する際に、溝１２上部の埋込酸化膜１１の側面の熱酸化膜１０がなくなるのを、更に防止でき、上記埋込酸化膜１１のエッジ部における落ち込みを防止することが可能となる。

また、本実施の形態７にかかる方法を用いることによっても、図１１に示す構造のトレンチ型素子分離構造の作製が可能となる。
加えて、本実施の形態にかかる方法では、埋込酸化膜１１を、シリコン基板１に形成した溝に埋め込んだ後に、熱酸化により上記溝内壁に熱酸化膜１０を形成するため、埋込酸化膜１１が高温にさらされ、いわゆる焼き締めが起きる。
従って、図１７（ａ）に示す埋込酸化膜１１形成時のつなぎ目４０において、物理化学的な組織変化を起こし、上記つなぎ目４０の結合力を高めることができる。
これによって、従来の方法で埋込酸化膜１１のウエットエッチングによる除去時に発生していた、つなぎ目４０に沿った窪みの発生を抑制することができる（図１７（ｂ）（ｃ））。
この効果は、酸化膜が粘性流体となる１０００℃以上の温度を用いることで特に大きくなり、かかる温度ではつなぎ目４０を完全に縫合することが可能となる。
また、ＣＶＤ法により形成された埋込酸化膜１１のフッ酸によるウエットエッチングのエッチング速度が、上記熱酸化によるリフロー効果により低下し、埋込酸化膜１１のエッチングの制御性が向上し、埋込酸化膜１１の基板表面から上方への突出部分の高さのばらつきを小さくすることが可能となる。

実施の形態８．
図８に、本発明の実施の形態８にかかるトレンチ型素子分離構造の製造工程断面図を示す。
まず、図８（ａ）に示すように、シリコン基板１の上に、熱酸化により下敷酸化膜２を５から３０ｎｍ程度、ポリシリコン膜５を３０から１００ｎｍ程度、シリコン窒化膜３を１００から３００ｎｍ程度の膜厚で順に形成し、異方性エッチングにより、シリコン窒化膜３、ポリシリコン膜５、下敷酸化膜２を開口し、シリコン基板１を１００から５００ｎｍ程度の深さエッチングすることによりシリコン基板内に溝１２を形成する。
次に、図８（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法により全面に埋込酸化膜１１を堆積する。ここで、実施の形態７と同様に、埋込酸化膜１１形成前に、予め、溝部内壁を５から５０ｎｍ程度熱酸化することも可能である。
次に、図８（ｃ）に示すように、熱酸化法で、上記埋込酸化膜１１越しに酸化剤を拡散させて溝内部に埋込酸化膜１０を５から５０ｎｍ程度形成する。このとき前述のポリシリコン膜５の側壁部１３も熱酸化される。
次に、図８（ｄ）に示すように、ＣＭＰ法によりシリコン窒化膜３上部に形成された埋込酸化膜１１、および溝内の熱酸化膜１０、埋込酸化膜１１の一部を除去する。
次に、図８（ｅ）に示すように、熱リン酸によりシリコン窒化膜３を除去し、続いてドライエッチング法によりポリシリコン膜５を除去する。
最後に、図８（ｆ）に示すように、熱酸化膜２をフッ酸によるウエットエッチングにより除去することで、トレンチ型素子分離構造を形成する。

このように、本実施の形態８にかかる方法を用いることによっても、図１１に示す構造のトレンチ型素子分離構造の作製が可能となり、これにより、上記実施の形態７と同様の効果を得ることができる。
特に、本実施の形態では、ＣＭＰ法におけるストッパとしてシリコン窒化膜３を用いているために、上記実施の形態２と同様にシリコン基板１表面から上方の突出した埋込酸化膜１１の高さを精度良く制御することができ、ばらつきを小さくすることができる。
このように、ストッパにシリコン窒化膜３を用いた場合は、製造工程数は増加するが埋込酸化膜１１の高さのばらつきを小さくすることが可能となる。反面、シリコン窒化膜３は硬い材質であるため、酸化時の応力発生が問題となる。
しかし、この応力発生の問題は、ポリシリコン膜５の膜厚を３０ｎｍ程度以上として応力を緩和することにより十分回避することができる。また、ポリシリコン膜５の膜厚を１００ｎｍ程度以下にすることでアスペクト比が高くなりすぎることを抑制し、さらに酸化時のバーズビークの過剰な発生を防止することが可能となる。

実施の形態９．
図９に、本発明の実施の形態９にかかるトレンチ型素子分離構造の製造工程断面図を示す。
まず、図９（ａ）に示すように、シリコン基板１上に、熱酸化により下敷酸化膜２を５から３０ｎｍ程度、ポリシリコン膜５を１００から３００ｎｍ程度、順次形成し、異方性エッチングにより、素子分離形成領域のポリシリコン膜５、下敷酸化膜２を開口し、シリコン基板１を１００から５００ｎｍ程度の深さにエッチングすることにより、シリコン基板１内に溝１２を形成する。
次に、図９（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法により、全面に埋込酸化膜１１を堆積する。ここで、実施の形態７と同様に、埋込酸化膜１１形成前に、予め、溝部内壁を５から５０ｎｍ程度熱酸化することも可能である。
次に、図９（ｃ）に示すように、ＣＭＰ法によりポリシリコン膜５上部に堆積された埋込酸化膜１１、および溝内の埋込酸化膜１１の一部を除去する。
次に、図９（ｄ）に示すように、熱酸化法で埋込酸化膜１１越しに酸化剤を拡散させて溝内部に熱酸化膜１０を５から５０ｎｍ程度形成する。
かかる場合も、上述のように、予め溝１２内部を熱酸化しておき、かかる熱酸化膜と埋込酸化膜１１越しに形成する熱酸化膜を組み合わせて用いることにより、熱酸化膜１０の膜厚の分布を、ある程度制御することができる。
次に、図９（ｅ）に示すように、ポリシリコン膜５の上部に形成された熱酸化膜１０をフッ酸によるウエットエッチングにより除去した後、ドライエッチング法によりポリシリコン膜５を除去する。
次に、図９（ｆ）に示すように、下敷酸化膜２をフッ酸によるウエットエッチングにより除去することでトレンチ型素子分離構造を形成することができる。

このように、本実施の形態９にかかる方法を用いることによっても、図１１に示す構造のトレンチ型素子分離構造の作製が可能となり、上記実施の形態７と同様の効果を得ることができる。
また、本実施の形態にかかる方法では、上述のように溝部内壁の熱酸化膜の膜厚に比べて、ポリシリコン膜５の側壁部１３の酸化量をより大きくすることができ、下敷酸化膜２の除去工程において、より埋込酸化膜１１の側面を保護することが可能となり、埋込酸化膜１１のエッジ部分におけるくぼみの発生をより効果的に防止することが可能となる。

実施の形態１０．
図１０に、本発明の実施の形態１０にかかるトレンチ型素子分離構造の製造工程断面図を示す。
まず、図１０（ａ）に示すように、シリコン基板１の上に、熱酸化により熱酸化膜２を５から３０ｎｍ程度、ポリシリコン膜５を３０から１００ｎｍ程度、シリコン窒化膜３を１００から３００ｎｍ程度の膜厚で順に形成し、続いて、異方性エッチングにより、素子分離形成領域のシリコン窒化膜３、多結晶シリコン膜５、下敷酸化膜２を開口し、シリコン基板１を１００から５００ｎｍ程度の深さエッチングすることによりシリコン基板内に溝１２を形成する。
次に、図１０（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法により全面に埋込酸化膜１１を堆積する。ここで、実施の形態７と同様に、埋込酸化膜１１形成前に、予め、溝部内壁を５から５０ｎｍ程度熱酸化することも可能である。
次に、図１０（ｃ）に示すように、ＣＭＰ法によりシリコン窒化膜３をストッパに用いてシリコン窒化膜３上部に形成された埋込酸化膜１１および溝１２内の埋込酸化膜１１の一部を除去する。
次に、図１０（ｄ）に示すように、熱酸化法で、上記埋込酸化膜１１越しに酸化剤を拡散させることで溝内部に熱酸化膜１０を５から５０ｎｍ程度形成する。かかる工程においても、上述のように、予め埋込酸化膜１１形成前に形成した熱酸化膜と組み合わせて用いることにより、ポリシリコン膜５側壁の酸化量と溝部内壁の酸化量とをそれぞれ所望の値に制御することができる。
次に、図１０（ｅ）に示すように、熱リン酸によりシリコン窒化膜３を除去し、更に、ドライエッチング法によりポリシリコン膜５を除去する。
最後に、図１０（ｆ）に示すように、下敷酸化膜２をフッ酸によるウエットエッチングにより除去してトレンチ型素子分離構造を形成する。

このように、本実施の形態１０にかかる方法を用いることによっても、図１１に示す構造のトレンチ型素子分離構造の作製が可能となる。
また、ＣＭＰ法におけるストッパとしてシリコン窒化膜３を用いているために、シリコン基板１表面から上方に突出した埋込酸化膜１１の高さのばらつきを小さくすることができる。

実施の形態１１．
図１２に、本発明にかかるトレンチ型素子分離構造を利用して作製したＤＲＡＭメモリセルの断面図を示す。
かかるＤＲＡＭメモリセルの製造方法としては、まず、上記実施の形態１〜１０のいずれかの方法で、トレンチ型素子分離領域を形成する。
次に、ｐ型ウエル（図示せず）を形成した後、熱酸化法を用いてゲート酸化膜を１０ｎｍ程度、更に、ＣＶＤ法を用いてポリシリコン膜（ゲート電極材）を１００ｎｍ程度堆積する。
次に、写真製版により、所定の領域にレジストを形成し、これをマスクとしてポリシリコン膜を異方性エッチングによりパターニングし、ゲート電極３２を形成する。その後、レジストは除去される。
次に、トレンチ分離膜およびゲート電極３２をマスクとして、イオン注入法により、加速電圧５０ｋｅＶ、ドーズ量５×１０^１３／ｃｍ^２の注入条件でＡｓを注入し、ｎ型層３０（Ｓ／Ｄ領域）を形成する。
次に、ＣＶＤ法により、全面に１００ｎｍ程度の膜厚の酸化膜を堆積し、異方性エッチングすることにより、サイドウォール絶縁膜３１を形成する。
次に、層間絶縁膜３５として、ＣＶＤ法により、酸化膜を全面に７００ｎｍ程度堆積した後、ビットラインコンタクトホールを所定の位置に開口する。
次に、ビットライン配線材料として不純物を含有したポリシリコンを１００ｎｍ程度、更に、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）を１００ｎｍ程度、全面に順次堆積した後、パターニングにより所定の領域にのみ配線を形成することにより、ビットライン３３を形成する。
次に、層間絶縁膜３５として、再度、ＣＶＤ法により、全面に酸化膜を７００ｎｍ程度堆積した後、ストレージノードコンタクトホールを所定の位置に開口する。
次に、キャパシタ下部電極材料として不純物を含有したポリシリコンを８００ｎｍ程度、全面に堆積し、パターニングにより所定の領域にのみキャパシタ下部電極材料を配置することで、ストレージノード３４を形成する。
次に、キャパシタ誘電膜としてＣＶＤ法により、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）膜３６を７ｎｍ程度堆積する。
次に、キャパシタ上部電極として、ＣＶＤ法により、不純物を含有したポリシリコンを５０ｎｍ程度堆積し、セルプレートを形成し、パターニングにより所定の領域にのみポリシリコンを設け、キャパシタ上部電極３７を形成する。
以上の工程を行うことにより、図１２に示すＤＲＡＭメモリセルが完成する。

かかるＤＲＡＭメモリセルにおいては、集積化の要求からチャネル幅の狭いトランジスタが用いられるが、素子分離膜として本発明にかかるトレンチ型素子分離構造を用いることにより、チャネル幅の狭いトランジスタにおいても逆ナローチャネル効果を防止することが可能となる。
この結果、図１２に示すようなメモリセルを多数配置してなるＤＲＡＭデバイスにおいて、メモリセル毎のチャネル幅のばらつきがもたらす素子特性のばらつきが抑えられるため、デバイスの安定動作と高い歩留まりが達成される。
また、本発明にかかる製造方法を用いてシームの発生を抑えることにより、隣接するゲート電極間の短絡を防止することができる。

本発明の実施の形態１にかかるトレンチ型素子分離構造の製造工程断面図である。 本発明の実施の形態２にかかるトレンチ型素子分離構造の製造工程断面図である。 本発明の実施の形態３にかかるトレンチ型素子分離構造の製造工程断面図である。 本発明の実施の形態４にかかるトレンチ型素子分離構造の製造工程断面図である。 本発明の実施の形態５にかかるトレンチ型素子分離構造の製造工程断面図である。 本発明の実施の形態６にかかるトレンチ型素子分離構造の製造工程断面図である。 本発明の実施の形態７にかかるトレンチ型素子分離構造の製造工程断面図である。 本発明の実施の形態８にかかるトレンチ型素子分離構造の製造工程断面図である。 本発明の実施の形態９にかかるトレンチ型素子分離構造の製造工程断面図である。 本発明の実施の形態１０にかかるトレンチ型素子分離構造の製造工程断面図である。 本発明の実施の形態１により作製したトレンチ型素子分離構造の断面図である。 本発明の実施の形態１１にかかるトレンチ型素子分離構造を用いたＤＲＡＭ構造の断面図である。 従来のトレンチ型素子分離構造の製造工程断面図である。 従来のトレンチ型素子分離構造の製造工程断面図である。 従来のトレンチ型素子分離構造の製造工程断面図である。 従来のトレンチ型素子分離構造上にゲート電極を形成したトランジスタの断面構造図である。 従来のトレンチ型素子分離構造の製造工程断面図である。

符号の説明

１ シリコン基板、２ 下敷酸化膜、３ シリコン窒化膜、５ ポリシリコン膜、１０ 熱酸化膜、１１ 埋込酸化膜、１２ 溝、１３ 側壁部、１４ 熱酸化用ポリシリコン膜、１５ 熱酸化膜、１６ 上層埋込酸化膜、２０、２０’ ＣＶＤ酸化膜、２１ くぼみ、２２ ゲート電極、２３ 活性領域、４０ シーム。

Claims (7)

1. シリコン基板に形成された溝に、上記シリコン基板表面から上方に突出した埋込酸化膜が埋め込まれたトレンチ型素子分離構造を有する半導体装置の製造方法であって、
   上記シリコン基板上に下敷酸化膜を介して非単結晶シリコン膜を形成した後、上記非単結晶シリコン膜上に、シリコン窒化膜を形成する工程と、
   上記シリコン窒化膜と上記非単結晶シリコンとが、上記シリコン基板の溝壁部と連続する側壁部を有するように、上記シリコン窒化膜の表面から上記シリコン基板内に至る溝を形成する溝形成工程と、
   上記溝壁部を含む上記溝内部の表面および上記非単結晶シリコン膜の上記側壁部に、上記非単結晶シリコン膜と上記シリコン窒化膜の界面よりも上記下敷酸化膜と上記非単結晶シリコン膜の界面において、大きく外方に張り出した熱酸化膜を形成する第１の熱酸化工程と、
   上記溝内部および上記シリコン窒化膜上に上記埋込酸化膜を堆積する堆積工程と、
   上記シリコン窒化膜をストッパとして上記埋込酸化膜の膜厚を減じる薄膜化工程と、
   上記溝内部に上記埋込酸化膜を残した後に、上記シリコン窒化膜を除去する窒化膜除去工程と、
   上記熱酸化された側壁部を除く上記非単結晶シリコン膜を除去する工程と、
   上記下敷酸化膜を、上記埋込酸化膜の上記シリコン基板表面より上方に突出した部分の上面の高さが外方に向かって漸次減少しつつ張り出すように、かつ上記埋込酸化膜の上記シリコン基板表面より上方に突出した部分の上面側端部がシリコン基板表面より下にくぼまないようにウエットエッチングにより除去する工程と、
   上記シリコン基板表面に絶縁膜を形成する工程と、
   上記絶縁膜および上記埋込酸化膜上に導電膜を形成する工程と、
   上記導電膜をパターニングしてゲート電極を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 更に、上記堆積工程の後に、上記埋込酸化膜越しに、上記溝壁部を含む上記溝内部の表面および上記非単結晶シリコン膜の上記側壁部を熱酸化して、熱酸化膜を形成する第２の熱酸化工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 上記第２の熱酸化工程は、上記薄膜化工程と上記窒化膜除去工程との間に行うことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 上記第２の熱酸化工程が、１０００℃以上で行う高温熱酸化工程であることを特徴とする請求項２または３に記載の半導体装置の製造方法。
5. 上記非単結晶シリコン膜の上記側壁部に形成される熱酸化膜の膜厚が、上記下敷酸化膜の除去工程においてエッチングされない膜厚であることを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
6. 更に、上記堆積工程の後に、上記埋込酸化膜に焼き締め処理を行う工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
7. 上記焼き締め処理が、１０００℃以上の熱処理であることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。

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