JP4635068B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
図1は、従来のABL型のセンスアンプの要部を示す回路図である。このセンスアンプは、例えばNAND型フラッシュメモリの読み出し回路として使用され、メモリセルアレイのビット線に接続される。
図4は、第1の実施形態に係るABL型のセンスアンプの構成を示す回路図である。このセンスアンプが図1に示した参考例と異なるのは、従来1つであったセンスノードが、本実施形態では第1のセンスノードSENと第2のセンスノードSEN2の2つに分けられ、両センスノードSEN,SEN2の間に電荷転送用のトランジスタT11が設けられている点である。
図7は、本発明の第2の実施の形態に係るセンスアンプの回路図である。図4と同一部分は同一符号を付して詳しい説明は省略する。
Claims (4)
- ビット線につながる複数のメモリセルと、
前記ビット線に接続されて選択されたメモリセルに前記ビット線を介して流れるセル電流の大小を検知することにより前記メモリセルに記憶されたデータの値を判定するセンスアンプと
を有し、
前記センスアンプは、
第1及び第2センスノードを介して前記ビット線に電流を供給するプリチャージ用の第1のトランジスタと、
前記第1及び第2のセンスノードの間に介挿された電荷転送用の第2のトランジスタと、
前記第1及び第2のセンスノードを介さずに前記ビット線に電流を供給する電流継続供給用の第3のトランジスタと、
前記第1のセンスノードに接続されて前記第1のセンスノードの電圧を弁別する第4のトランジスタと、
前記第4のトランジスタの弁別結果としての出力を保持するデータラッチと
を有し、
センス動作を第1〜第3の期間で実行し、
第1の期間では、前記第1及び第2のトランジスタをオン状態にして前記第1及び第2のセンスノード並びに前記ビット線をプリチャージし、
第2の期間では、前記第1及び第2のトランジスタをオフ状態にして前記第2のセンスノードから前記ビット線への電荷転送を行った後、前記第2のトランジスタのゲートに所定のセンス電圧を与えて前記第1のセンスノードから前記第2のセンスノードへの選択的な電荷転送を行い、
第3の期間では、前記第3のトランジスタをオン状態として前記ビット線への電流供給を継続すると共に前記第4のトランジスタの出力を前記データラッチにラッチする
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記センス電圧は、前記選択されたメモリセルがオンセルであるときに前記第2のセンスノードから前記ビット線への電荷転送後に収束する第1の電圧と、前記選択されたメモリセルがオフセルであるときに前記第2のセンスノードから前記ビット線への電荷の転送後に収束する第2の電圧の中間電圧に設定されていることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記第3のトランジスタの前記ビット線側の端子と前記第2のセンスノードの間に接続され、前記第2のセンスノードの電圧が前記第2の電圧近傍まで低下したときにオフ状態となる第5のトランジスタを備える
ことを特徴とする請求項2記載の半導体記憶装置。 - 前記第2のセンスノードに接続されたセンスキャパシタを更に含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の半導体記憶装置。
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