JP4271168B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
このため、読み出しサイクル1においてセンス時間Tsを長くすることで、他のメモリセルの閾値電圧が低い場合であっても、セル電流を大きくしてセンス感度を上げることができる。また、2回目の読み出しサイクルにおいては、セル電流の大きいものは既に検知が完了し、ある程度セル電流の小さいメモリセルのみが残されている筈であり、センス時間Tsを短くした場合であっても、共通ソース線CELSRCの電位は0Vに近い状態となり(接地電位からの浮き具合が小さい状態となり)、センス感度は高く保たれる。なお、図7では、図1のセンスアンプ回路2を例に取って説明したが、図5のセンスアンプ回路2にもこの第3の実施の形態が適用され得ることはいうまでもない。
その他、本発明において、次のような改変等が可能である。
(1)前記センスアンプ回路は、前記クランプ用トランジスタを介して前記ビット線に読み出し電流を供給するための電流源負荷と、前記電流源負荷と前記クランプ用トランジスタと間に配置されて読み出しデータによりオンオフが制御される転送回路と、前記電流源負荷と前記転送回路の接続ノードにゲートが接続されたセンス用トランジスタと、前記センス用トランジスタにより検出されたデータを保持するデータラッチとを有することを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
(2)前記クランプ用トランジスタはNMOSトランジスタであり、前記センス用トランジスタは、ソースがスイッチング素子を介して電源端子に接続され、ドレインが前記データラッチに接続されたPMOSトランジスタであり、前記電流源負荷は、各読み出しサイクルにおいてその開始時から一定時間オン駆動されて読み出し電流を供給する電流源PMOSトランジスタと、各読み出しサイクルを通して一定のゲート電圧が与えられて、前記電流源PMOSトランジスタをオフにしたデータセンス時に前記センスノードの電圧低下に応じて電流を供給する電流源NMOSトランジスタとを有することを特徴とする(1)記載の半導体記憶装置。
(3)第1の読み出しサイクルでの前記クランプ用NMOSトランジスタの制御電圧は、第2の読み出しサイクルでのそれより低く設定され、第1の読み出しサイクルで第1論理データが検出されると、第2の読み出しサイクルでは前記データラッチの保持データにより前記転送回路がオフ制御されることを特徴とする(2)記載の半導体記憶装置。
(4)各読み出しサイクルのデータセンスは、前記電流源PMOSトランジスタをオフにした後、前記スイッチング素子をオンにすることにより行われることを特徴とする(3)記載の半導体記憶装置。
(5)前記第1の読み出しサイクルの前に、前記電流源PMOSトランジスタ及びクランプ用NMOSトランジスタをオンにした状態でデータセンスを行う予備的読み出しが行われることを特徴とする(4)記載の半導体記憶装置。
(6) 第1の読み出しサイクルでの前記クランプ用NMOSトランジスタの制御電圧は、第2の読み出しサイクルでのそれより低く設定され、第1の読み出しサイクルで第1論理データが検出されると、第2の読み出しサイクルでは前記データラッチの保持データにより前記第4のスイッチング素子がオフ制御される
ことを特徴とする請求項3記載の半導体記憶装置。
(7)各読み出しサイクルにおいて、第1のスイッチング素子がオンの状態で前記センスノードの充電及び、前記クランプ用NMOSトランジスタ及びビット線を介した選択メモリセルへの電流供給が行われ、データセンスは、前記電流源負荷をオフ、第1のスイッチング素子をオフにした後、前記第2のスイッチング素子をオンにして行われる(6)記載の半導体記憶装置。
(8)前記クランプ用NMOSトランジスタと前記ビット線との間に、リセット信号と前記データラッチが保持するデータとに応じてビット線電圧をリセットするためのリセット回路が接続されている請求項3等記載の半導体記憶装置。
(9)前記メモリセルアレイは、NANDセルユニットを配列して構成され、各NANDセルユニットは、複数個直列接続され、制御ゲートが異なるワード線に接続された電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルと、その両端をそれぞれビット線及びソース線に接続する選択ゲートトランジスタとを有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
(10)接地電位の浮き具合を検知し、その検知結果に基づいて前記第1時間の長さを制御する制御回路を更に備えた請求項5に記載の半導体記憶装置。
(11)前記制御回路は、所定の電圧まで充電可能なキャパシタと、前記キャパシタと接地電位との間に接続され開始信号を受けて前記キャパシタの電荷を放電するための放電経路を形成する第3のスイッチング素子と、前記接地電位の浮き具合によって変化する定電流を発生させ前記放電経路にミラーする電流ミラー回路と、一端に電源電圧を供給され前記キャパシタの両端電圧が所定値以下となった場合に導通する第4のスイッチング素子と、前記第4のスイッチング素子の他端に接続され前記第4のスイッチング素子の導通/非導通の切り替わりによりラッチデータを切り替えるデータラッチとを備え、前記ラッチデータが切り替わるタイミングにより前記第1の長さを制御するように構成されたことを特徴とする(10)記載の半導体装置。
(12)第1及び第2の少なくとも2回の読み出しサイクルは、前記クランプ用トランジスタのゲートに与える制御電圧を異ならせて行われることを特徴とする請求項5記載の半導体記憶装置。
Claims (4)
- 第1論理データとそれよりセル電流が小さい第2論理データとを記憶するメモリセルが接続されたビット線を有するメモリセルアレイと、
前記メモリセルのデータを読み出すためのビット線と、
前記ビット線とセンスノードの間の電流経路に配置されてビット線電圧をクランプするクランプ用トランジスタと、
前記クランプ用トランジスタ及び前記ビット線を介して選択された前記メモリセルのデータを検出するセンスアンプ回路とを備え、
前記センスアンプ回路は、
前記クランプ用トランジスタのゲートに制御電圧を与えた状態で第1及び第2の少なくとも2回の読み出しサイクルで選択メモリセルのデータ読み出しを行うものであり、
前記第1の読み出しサイクルで第1論理データが検出された選択メモリセルに対して、前記第2の読み出しサイクルでは読み出し電流の供給をオフにする制御が行い、かつ
第1の読み出しサイクルでは、前記クランプ用トランジスタのゲートに第1の制御電圧を与える一方、第2の読み出しサイクルでは、前記クランプ用トランジスタのゲートに前記第1の制御電圧よりも大きい第2の制御電圧を与える
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記第1及び第2の読み出しサイクルを通して前記メモリセルアレイのワード線に一定の電圧が与えられる
ことを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。 - 前記センスアンプ回路は、
電源端子を一端に接続され前記センスノードを充電する第1のスイッチング素子と、
前記センスノードにゲートが接続され、ソースが第2のスイッチング素子を介して電源端子に接続されたセンス用PMOSトランジスタと、
前記センス用PMOSトランジスタのドレインに接続されたデータラッチと、
前記センスノードと前記クランプ用トランジスタとの間に接続されて、前記データラッチの保持データに応じてオンオフ制御される第3のスイッチング素子とを有する
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記第2のスイッチング素子は、
前記第1の読み出しサイクルの際には、前記第1のスイッチング素子による電流の供給の停止後第1時間経過後前記電源電圧の供給を開始し、
前記第2の読み出しサイクルの際には、前記第1のスイッチング素子による電流の供給の停止後第2時間経過後前記電源電圧の供給を開始し、
前記第1時間は前記第2時間よりも長い
ことを特徴とする請求項3記載の半導体記憶装置。
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