JP4621718B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
また、本発明の一態様によれば、パターニングすべき第1の膜上に少なくとも第2の膜を形成し、その上にラインとスペースの比率が1:1のパターンを有する第3の膜を形成した後、前記第3の膜をマスクとして前記第2の膜をテーパ加工してラインとスペースの比率が3:1のパターンを形成し、さらに、この第2の膜に形成されたパターンを前記パターニングすべき第1の膜まで転写する工程と、前記第3の膜を除去する工程と、前記第1の膜上に転写されたラインとスペースの比率が3:1のパターンを有する前記第2の膜の両側の幅それぞれ1/3分を選択的に除去する工程と、前記第1の膜の露出した表面のみを酸化する工程と、前記第2の膜を除去する工程と、前記第1の膜の表面が酸化されていない部分を異方性エッチングにより除去して、ライン幅がリソグラフィの解像限界以下であるパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
第1の実施の形態について説明する。図1(a)〜(j)は本実施形態に係る半導体装置の製造方法の工程を示す断面図である。なお、本実施形態および以下に示す実施形態においては、素子分離領域やゲート電極を加工する際のハードマスク、ダマシン構造の配線の溝形成などに使用することが可能なオルトケイ酸テトラエチル(以下、TEOSと略す)膜やシリコン窒化膜のラインアンドスペースパターン形成を行う際のハードマスクとなるアモルファスシリコン膜などのパターン形成を行う場合を説明するが、工程や材料を適宜使い分けることによって微細なパターン形成が必要な種々の膜に広く適用できることはいうまでもない。
次に、第2の実施の形態について説明する。図4(a)〜(j)は本実施形態に係る半導体装置の製造方法の工程を示す断面図である。
次に、第3の実施の形態について説明する。図5(a)〜(f)は本実施形態に係る半導体装置の製造方法の工程を示す断面図である。
次に、第4の実施の形態について説明する。図6(a)〜(h)は本実施形態に係る半導体装置の製造方法の工程を示す断面図である。
次に、第5の実施の形態について説明する。図7(a)〜(e)は本実施形態に係る半導体装置の製造方法の工程を示す断面図である。
次に、第6の実施の形態について説明する。図8(a)〜(j)は本実施形態に係る半導体装置の製造方法の工程を示す断面図である。
Claims (2)
- パターニングすべき第1の膜上に、ラインとスペースの比率が1:1のパターンを有する膜を形成した後、ラインとスペースの比率が3:1となるように前記膜の両側に側壁を形成して、ラインとスペースの比率が3:1のパターンを形成する工程と、
前記ラインとスペースの比率が3:1のパターンをマスクとして前記第1の膜を加工する工程と、
前記第1の膜の加工後、前記ラインとスペースの比率が3:1のパターン両側の幅それぞれ1/3分を選択的に除去する工程と、
前記加工された第1の膜を、前記両側が除去されたパターン直下を除いて改質する工程と、
前記両側が除去されたパターンを除去する工程と、
前記第1の膜の非改質部分を選択的に除去して、ライン幅がリソグラフィの解像限界以下であるパターンを形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - パターニングすべき第1の膜上に少なくとも第2の膜を形成し、その上にラインとスペースの比率が1:1のパターンを有する第3の膜を形成した後、前記第3の膜をマスクとして前記第2の膜をテーパ加工してラインとスペースの比率が3:1のパターンを形成し、さらに、この第2の膜に形成されたパターンを前記パターニングすべき第1の膜まで転写する工程と、
前記第3の膜を除去する工程と、
前記第1の膜上に転写されたラインとスペースの比率が3:1のパターンを有する前記第2の膜の両側の幅それぞれ1/3分を選択的に除去する工程と、
前記第1の膜の露出した表面のみを酸化する工程と、
前記第2の膜を除去する工程と、
前記第1の膜の表面が酸化されていない部分を異方性エッチングにより除去して、ライン幅がリソグラフィの解像限界以下であるパターンを形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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US9337197B1 (en) * | 2014-10-28 | 2016-05-10 | Globalfoundries Inc. | Semiconductor structure having FinFET ultra thin body and methods of fabrication thereof |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002280388A (ja) * | 2001-03-15 | 2002-09-27 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2004014652A (ja) * | 2002-06-04 | 2004-01-15 | Ricoh Co Ltd | 微細パターンの形成方法 |
JP2007005377A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法、制御プログラム、コンピュータ記憶媒体及びプラズマエッチング装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0472622A (ja) * | 1990-07-13 | 1992-03-06 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH08306698A (ja) * | 1995-05-10 | 1996-11-22 | Casio Comput Co Ltd | パターン形成方法 |
DE10142590A1 (de) * | 2001-08-31 | 2003-04-03 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Seitenwandverstärkung von Resiststrukturen und zur Herstellung von Strukturen mit reduzierter Strukturgröße |
US6867116B1 (en) * | 2003-11-10 | 2005-03-15 | Macronix International Co., Ltd. | Fabrication method of sub-resolution pitch for integrated circuits |
US7183205B2 (en) * | 2004-06-08 | 2007-02-27 | Macronix International Co., Ltd. | Method of pitch dimension shrinkage |
US7465525B2 (en) * | 2005-05-10 | 2008-12-16 | Lam Research Corporation | Reticle alignment and overlay for multiple reticle process |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002280388A (ja) * | 2001-03-15 | 2002-09-27 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2004014652A (ja) * | 2002-06-04 | 2004-01-15 | Ricoh Co Ltd | 微細パターンの形成方法 |
JP2007005377A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法、制御プログラム、コンピュータ記憶媒体及びプラズマエッチング装置 |
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