JP4605996B2 - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
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【発明の属する技術分野】
この発明は、2つ以上の半導体チップを平面配置して一つのパッケージに搭載する半導体集積回路装置(MCP)に関するもので、特に、樹脂封止する時に発生するワイヤ流れやダイパッドの傾きにより、隣り合うワイヤ同士の接触や、ワイヤとチップコーナーエッヂとの接触を防止するための技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
2つ以上の半導体チップを平面配置して一つのパッケージに搭載し、半導体チップと半導体チップをワイヤリングする場合、片方の半導体チップ側にボール接合し、もう一方の半導体チップ側にステッチ接合を行う。この場合、各半導体チップの厚みが等しく、両接合点に高低差がないために、半導体チップをモールド樹脂で封止する際に、ワイヤとチップコーナーエッヂの接触が、問題となっていた。
【0003】
従来は、この問題を解決するためにボール接合側のワイヤループ高さを高く設定し、ワイヤとチップコーナーエッヂのクリアランス(隙間)を確保する手段がとられているが、ワイヤループの形成性(安定性)が悪くなる傾向があり、樹脂封止の際に、ワイヤ流れ(モールド成形の樹脂注入でワイヤの形状がくずれる欠陥)が大きくなり、隣り合うワイヤどうしの接触が問題となる。
【0004】
最近の半導体パッケージは、厚みが薄くなる傾向にあり、上述のような手段をとるとワイヤ露出等問題が生じてしまう。
【0005】
また、一般的な半導体チップは、パッドを半導体チップの外周部に配列しているが、パッドよりも外側に能動領域をもつ半導体チップも出てきており、このような半導体チップと半導体チップのワイヤリングになるとループ長も長くなり、ワイヤとチップコーナーエッヂの接触、隣り合うワイヤどうしの接触がより問題となる。
【0006】
なお、従来、特許文献1(特開昭62−134939号公報)において、混成集積回路を構成するベアチップ部品やベアチップICの電極が、ボンディング用ワイヤを介してマザーボードの導電パターンからなる電極に接続されている図(第1図)が示されており、そこでは厚みの異なるベアチップ部品とベアチップICとがワイヤ接続されている様子が示されているが、チップ間の厚みの具体的な記載、ボールボンド及びステッチボンドについての記載がない。
【0007】
また、従来、特許文献2(特開平4−294552号公報)において、ボンディングパッド部にステッチボンディングを行う際、突起電極を介して行うようにし、接合に十分な強度を得、衝撃荷重を小さくでき、ボンディングパッド周辺のペレットへのダメージを抑制できることが示されているが、半導体チップ厚みの差については開示されていない。
【0008】
更に、従来、特許文献3(特開2000−156453号公報)において、ワイヤボンディングしたワイヤの改修作業を容易にしたワイヤボンディング接続構造並びにワイヤの改修方法が示されている。そこでは、基板上に搭載された2つの半導体素子間のワイヤボンディング接続構造において、それぞれの半導体素子上に、電極を2n列以上の複数列に配列し、且つ配列方向に直交する方向で各列の電極の中心が重ならないようそれぞれ中心をずらして配列し、各電極列別に第1ボンド側と第2ボンド側と交互になるように分けてボンディングされている。
【0009】
【特許文献1】
特開昭62−134939号公報(第1図)
【特許文献2】
特開平4−294552号公報(発明の効果)
【特許文献3】
特開2000−156453号公報(請求項1、発明が解決しようとする課題)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
以上、従来の半導体チップの樹脂封止工程における技術的課題は、(1)隣り合うワイヤ同士の接触、(2)ワイヤとチップコーナーエッヂとの接触であり、これらの問題が生じる理由は、(a)ワイヤリング時に、ワイヤとチップコーナーエッヂとのクリアランスが少ないこと、(b)モールド樹脂等による封止の際に、ワイヤが流れて変形すること、(c)モールド樹脂等による封止の際に、ダイパッドが傾くこと、(d)ワイヤループ長が長くなること(ワイヤが安定しない、垂れる)である。
【0011】
この発明は、上記のような課題を解消するためになされたもので、ワイヤのショートの懸念を改善し、2つ以上の半導体チップを平面配置して一つのパッケージに容易に搭載できる半導体集積回路装置に適した製造方法を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
この発明による半導体集積回路装置の製造方法は、以下の工程を有している。
第1のパッドが設けられた第1の主面と第1の主面に隣接する第1の側面とを有しかつ厚みpを有する半導体チップAと、第2の主面と第2の主面に隣接する第2の側面とを有しかつ厚みpよりも小さい厚みqを有する半導体チップBとが、第1および第2の側面が互いに向き合うように配置される。ワイヤの先端にボールが形成される。ボールを第1のパッドに押し付けることで、ボールを介して第1のパッドにワイヤが接合される。第1のパッドに接合されたワイヤが、第2の主面にステッチ接合される。ステッチ接合の後に、半導体チップAおよびBがモールド樹脂により封止される。
【0013】
また、半導体チップB側のワイヤボンド接合をバンプ上ステッチ接合としたことを特徴とする。
【0014】
更に、半導体チップAと半導体チップBの厚みの差(p−q)が50μm以上あることが好ましい。
【0015】
また、半導体チップAと半導体チップBを接合するワイヤのループ形状を、第1屈曲点及び第2屈曲点をつけた台形形状とし、第1屈曲点と第2屈曲点間との間の長さを、ワイヤおよび半導体チップAの接合部分と、ワイヤおよび半導体チップBの接合部分との間の水平方向に沿った直線の長さの15%〜40%にすることを特徴とする。
【0016】
また、ワイヤおよび半導体チップAの接合部分と、ワイヤおよび半導体チップBの接合部分との間の水平方向に沿った直線の長さを0.8〜3mmとすることを特徴とする。
【0018】
また、半導体チップBのパッド位置を当該チップ端部から0.5mm以上中央方向に配置したことを特徴とする。
【0019】
更に、モールド樹脂として、エポキシ樹脂を主成分とし無機充填材が全体に対して70%以上含有していると共に、当該モールド樹脂の流動特性が、溶融粘度15.0Pa・S以下、スパイラルフローが100cm以上であるものを使用する。
【0020】
更に、モールド樹脂の注入方向に対して、半導体チップ間を結合するワイヤ方向が、上記樹脂注入方向と平行の場合を0度とした場合、0〜80度となるようにワイヤリングされていることを特徴とする。
【0021】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図1(a)及び(b)は、この発明の実施の形態1による半導体集積回路装置を示す内部平面図及び側面断面図である。
【0022】
図1は、2つの半導体チップ1(半導体チップA)及び半導体チップ2(半導体チップB)をダイパッド5上に平面配置して搭載している半導体集積回路装置を示している。ワイヤ3は半導体チップAと半導体チップBを結ぶ金線等の接続線であり、ワイヤ4は半導体チップA又はBとインナーリード7を結ぶ金線等の接続線である。また、パッド6はワイヤボンディングのために半導体チップA及びBに形成された電極である。そして、半導体チップA及びB、ダイパッド5、並びにワイヤ3及び4は、エポキシ樹脂等を主成分とした封止樹脂8によりモールド成形されている。
【0023】
また、図1(b)に示すように、半導体チップAの厚みをp、半導体チップBの厚みをq、半導体チップAと半導体チップB間の距離をw、ワイヤ3のループ高さ(ワイヤ3がえがく弧の最高点とボンディング面からの高さ)をx、ワイヤ3上の樹脂の厚みをy、半導体チップBにおけるチップエッヂとワイヤ間距離をzとする。
【0024】
本実施の形態では、ボール接合部側の半導体チップAの厚みpを、ステッチ接合部側の半導体チップBの厚みqより厚くしている。ここで、ボール接合とは、第1ボンド(2点以上に接続するワイヤボンディング作業で初めにボンディングを行う側)において、電気トーチ等によりワイヤ先端に形成されたボールをキャピラリで押し付けて接合するボンディングを意味し、ステッチ接合とは、第2ボンド以降に行われる接合で、キャピラリの周縁の一部分によりワイヤを圧接して行うボンディングを意味する。
【0025】
従来は、図2に示すように、ボール接合部側の半導体チップAの厚みpとステッチ接合部側の半導体チップBの厚みqが同一のため、ステッチ接合部側の半導体チップBにおけるチップエッヂとワイヤ間の距離が少なくなり(図示C)、ワイヤショートの懸念がある。これに対して、本実施の形態によれば、ボール接合部側の半導体チップAの厚みpをステッチ接合部側の半導体チップBの厚みqより厚くしているので、チップエッヂとワイヤ間の距離zが大きくなり、ワイヤとチップエッヂとのショートを回避することができる。
【0026】
また、本実施の形態において、半導体チップB側にバンプ上ステッチ接合技術を用いると、更に上述の効果が増す。図3において、(30)はバンプ上ステッチ接合技術、(31)は通常ワイヤボンディングのステッチ接合技術の各ステップを示す。通常のステッチ接合技術(31)では、上述したように、ステップ(31A)において、半導体チップAのパッド上に、電気トーチ等によりワイヤ先端に形成されたボールをキャピラリで押し付けてボール接合する。次に、ステップ(31B)において、半導体チップBのパッド上に、キャピラリの周縁の一部分によりワイヤ3を圧接してステッチ接合を行う。これに対して、バンプ上ステッチ技術(30)は、まずステップ(30A)において、半導体チップBのパッド上にワイヤ先端に形成されたボールをキャピラリで押し付けてバンプを形成した後、ワイヤを引きちぎる。そしてステップ(30B)において半導体チップAのパッド上にボール接合を行い、ステップ(30C)において半導体チップBのパッド上に形成されたバンプ上にワイヤ3を圧接してステッチ接合を行う。このように、半導体チップAとBの厚みに有意差(p−q>0)を持たせるのに加えて、半導体チップB側の接合をバンプ上ステッチ接合とすると、半導体チップBにおけるチップエッヂとワイヤ間の距離zがさらに大きくなり、ワイヤとチップエッヂとのショートを回避することができる。
【0027】
次に、半導体チップBのチップ厚みqを変化させ、樹脂モールド後の半導体チップBのチップエッヂ・ワイヤ間距離zの確認を行った。半導体チップAと半導体チップB間の距離wは1.0mmとし(ループ形状安定のためwは0.8mm以上が望ましい)、ループ高さxは250±30μmとし、ワイヤ上樹脂厚yはワイヤが露出しないよう40μm以下として、評価を行った。図4に示すように、半導体チップBのチップ厚みqを半導体チップAのチップ厚みpより薄くすることで、半導体チップBにおけるチップエッヂ・ワイヤ間距離zは大きくなり、良好な結果となった。なお、図4においてはチップ厚み(従って厚みの差p−qも)が100μm単位のものが示されているが、半導体チップAとBの厚みの差(p−q)が50μmあれば断面を測定した時に、十分に上述の効果を達成することが判明した。現在の製品において、半導体チップAとBの厚みの差(p−q)が0であってもエッジショートは起こっていないが、これはワイヤループの高さを高く(すなわちパッケージ厚みが大きくなる、ワイヤ流れが生じる)すること等によってショートを回避している。本実施の形態では、半導体チップAとBの厚みに有意差を持たせることで、ループ高さを低く設定してもショート回避のマージンが大きくなり、量産時のバラツキが生じても充分なマージンができる。
【0028】
図5は半導体チップBのチップエッヂ・ワイヤ間距離zの観察結果を表わす図であり、図5(a)において、チップエッヂが見えるまでパッケージを研磨して半導体チップBのチップエッヂ・ワイヤ間距離zを観察した写真及びデータが図5(b)又は図5(c)である。すなわち、図5(b)は半導体チップA及びBの厚みp,qがともに400μmの場合の、図5(c)は半導体チップAの厚みpが400μm、半導体チップBの厚みqが300μmの場合の、チップエッヂ・ワイヤ間距離の観察写真と、チップエッヂ・ワイヤ間距離z(μm)の平均値(Ave)、最大値(Max)、最小値(Min)、標準偏差(σ)を表わしている。なお、図5に示した評価は、チップ間距離wが約1.5mm、半導体チップB側のチップエッヂ・パッド間距離が約50μmのものである。
【0029】
以上のように、実施の形態1によれば、ボール接合部側の半導体チップAの厚みpをステッチ接合部側の半導体チップBの厚みqより厚くすることにより、ステッチ接合部側の半導体チップBのチップエッヂとワイヤ間の距離zが大きくなり、ワイヤとチップエッヂとのショートを回避することができる。
【0030】
実施の形態2.
実施の形態2は、所定の樹脂特性を有するモールド樹脂を使用することにより、ワイヤとチップエッヂとのショートを抑制しようとするものである。
【0031】
図6は、モールド樹脂の流動特性がワイヤ流れ曲率、ダイパッドシフトに及ぼす影響を調査した結果を示した図である。図6において、モールド樹脂の粘度が低くなること、スパイラルフロー(SF)長さが長くなることによってワイヤ流れ曲率、ダイパッドシフトが抑制されることが分かる。
【0032】
ここで、スパイラルフロー(SF)とは、射出成形での樹脂の流動性を評価する方法であり、スパイラル形状をしたフローテスト金型に、一定の条件下で樹脂を充填した時に樹脂が到達する長さをスパイラルフロー長さと呼ぶ。図6での測定条件は以下の通りである。
(1)測定装置
金型 :EMMI−1−66に規定
成形機 :トランスファー成形機
(2)測定試料(n=3)
試料を保存庫から取り出し、未開封のまま2時間室温下に放置後、開封して測定を行う。なお、開封後2時間以内に試験を完了する。
(3)測定条件
▲1▼試料量 :約15g(カル厚約3mmに設定)
▲2▼射出圧力 :6.9±0.5MPa
▲3▼成形時間 :120±5秒間
▲4▼プレヒート:なし
▲5▼温度水準 :175±2℃
(4)測定方法
規定の温度水準に達したことを確認後、試料を仕込み、速やかにプランジャーを降下させ10秒以内に加圧を開始する。規定時間終了後に金型を解体し、樹脂のフロー長さ(cm)を読み取る。
【0033】
また、ゲル化時間(GT)の測定条件は以下の通りである。
(2)測定試料(n=3)
試料を保存庫から取り出し、未開封のまま2時間室温下に放置後、開封して測定を行う。なお、開封後2時間以内に試験を完了する。
(3)測定条件
▲1▼試料量 :1.7cc
▲2▼温度水準 :175±0.5℃
(4)測定方法
指定の温度水準にコントロールされた熱板上に試料を置き、ステンレス製スパチュラーにてほぼ円形に広げ、同時にストップウォッチにて測定を開始する。試料が熱板の温度により溶け始めた時点から、ステンレス製スパチュラーにて試料の周囲を削り取り、熱板表面に残った試料の状態を観察し、ゲル化が開始された時点をもって終了する。
【0034】
また、図7はワイヤ近接とワイヤ流れを説明するための一般的な半導体装置の概略平面図であり、ワイヤ流れ曲率は、X(ワイヤ流れ方向の距離)/L(ワイヤ接合点の直線距離)×100(%)で表わされる。
【0035】
更に、図8はダイパッドシフトを説明するための一般的な半導体装置の概略平面図である。ダイパッドシフトはダイパッドのコーナー4点の平均位置とダイパッドの設計位置とのズレで表わされ、ダイパッド傾きはダイパッドのコーナー4点の相対位置ズレの最大値で表わされる。具体的には、図8(b)に示すようにダイパッドの所定のコーナー4点において、ダイパッド(チップ)が見える位置まで研磨する。そして、図8(c)に示すように、各断面でダイパッド(チップ)からパッケージ裏面までの距離を測定し、ダイパッドシフト(=コーナー4箇所の平均値−設計値)、ダイパッド傾き(=コーナー4箇所の最大値−コーナー4箇所の最小値)を計算する。
【0036】
本実施の形態の評価によれば、ワイヤショート回避のためには、モールド樹脂の組成が、エポキシ樹脂を主成分とし、無機充填材が全体に対して70%以上含有しており、その流動特性が、溶融粘度が15.0Pa・S以下、スパイラルフロー長さが100cm以上であることが望ましいことが判明した。
【0037】
実施の形態3.
実施の形態3では、半導体チップAと半導体チップBを結ぶワイヤ形状を変化させ、ワイヤ流れの評価を行った。
【0038】
図10はこの発明の実施の形態3によるワイヤループ形状を示す図である。図10において、半導体チップA側にワイヤボンディングのボールボンド接合を行い、第1屈曲点及び第2屈曲点をつけたワイヤループ形状にし、半導体チップB側にステッチボンド接合を行うことにより、台形形状のワイヤループを形成した。そして、第1屈曲点と第2屈曲点間の長さ(Topループ長と呼ぶ)を変化させることにより、またループ高さを変化させることにより、図9に示すようにワイヤ流れ曲率を求め、ワイヤ流れの評価を行った。
【0039】
本実施の形態によるワイヤ流れ評価の結果、第1屈曲点と第2屈曲点間の長さ(Topループ長)を、総ループ長の15%〜40%にすることで、ループが安定し、ワイヤ流れを抑制することが分かった。また、ループ高さは低い方がワイヤ流れを抑制する傾向があることも分かった。
【0040】
更に、図11に示すように、総ループ長が長くなることで、ワイヤが垂れたり、S字曲がりを発生するので、半導体チップAと半導体チップBを接合するワイヤの総ループ長が0.8〜3mmになるように、パッド配置又は半導体チップAとBの距離を設定することによって、ループの安定、ワイヤショート抑制に効果があることが分かった。
【0041】
実施の形態4.
上記実施の形態において、ボールボンド接合する側の半導体チップAの厚さpがステッチボンド接合する側の半導体チップBの厚さqより厚いため、半導体チップAのパッド位置がチップ中央にある場合、半導体チップAのチップエッヂとワイヤ3が接触してショートする危険性がある。
【0042】
そこで、本実施の形態では、図12に示すように、ワイヤループの総ループ長を一定にしたまま、半導体チップA上のループ長を変化させ、チップエッヂショートの可能性を評価した結果、半導体チップA上のループ長がワイヤ3の全ループ長の70%までは、ワイヤショートの発生はなく良好な結果を得た。なお、半導体チップAのパッド位置はチップ端から1.0mm以上内側に配置していることを条件とする。
【0043】
実施の形態5.
本実施の形態では、モールド樹脂注入方向に対して、半導体チップ間を結ぶワイヤの方向を変化させ評価した結果、図13に示すように、モールド樹脂注入方向に対して平行方向にワイヤを張るほどワイヤ流れを抑制でき、垂直方向(90度)で最もワイヤ流れが大きくなることが分かった。ワイヤショートは、垂直方向(90度)のサンプルで3/8発生した。
【0044】
評価の結果、ワイヤ流れ抑制するため、チップとチップを結ぶワイヤの方向はモールド注入方向に対して平行0度から80度になるようにすることが望ましいことが分かった。
【0045】
実施の形態6.
パッド位置がチップ中央にある半導体チップが半導体チップB側に搭載された場合、ワイヤが垂れて、当該ワイヤと半導体チップBのチップエッヂが接触してショートする可能性がある。そこで、本実施の形態では、ステッチボンド部側の半導体チップBのパッド位置をチップ端部から中央部まで変化させ、ワイヤショートの評価を行った。
【0046】
図14に示すように、半導体チップBのパッドをチップ端部から中央方向へ移動させるにつれてワイヤとチップエッヂ間距離が大きくなり、ワイヤが垂れることなく、チップエッヂとワイヤのショートの発生が起こらないことが分かった。特に、半導体チップBのパッドをチップ端部から0.5mm以上中央方向へ移動させると効果が上がった。
【0047】
このように、ワイヤショートを回避するためにステッチボンド部側の半導体チップBのパッド位置がチップ中央にある場合において、チップ端部から0.5mm以上中央方向に移動させることは、ワイヤショートを回避するのに有効な手段となることが分かった。
【0048】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、複数の半導体チップが搭載され、少なくとも2つの半導体チップA及びB間がワイヤボンド接合されると共に、モールド樹脂により封止成形されている半導体集積回路装置において、ボール接合部側の半導体チップAの厚みpをステッチ接合部側の半導体チップBの厚みqより厚くしているので、ステッチ接合部側の半導体チップBのチップエッヂとワイヤ間の距離zが大きくなり、ワイヤとチップエッヂとのショートを回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1による半導体集積回路装置を示す内部平面図及び側面断面図である。
【図2】 従来の半導体集積回路装置を示す側面断面図である。
【図3】 この発明の実施の形態1によるバップ上ステッチ接合技術(30)及び通常ワイヤボンディングのステッチ接合技術(31)を示す図である。
【図4】 この発明の実施の形態1による半導体チップの厚さの差によるチップエッヂ・ワイヤ間距離zを示す図である。
【図5】 この発明の実施の形態1による半導体チップBのチップエッヂ・ワイヤ間距離zの観察結果を表わす図である。
【図6】 この発明の実施の形態2によるモールド樹脂の流動特性がワイヤ流れ曲率、ダイパッドシフトに及ぼす影響を調査した結果を示す図である。
【図7】 ワイヤ近接とワイヤ流れを説明するための一般的な半導体装置の概略平面図である。
【図8】 ダイパッドシフトを説明するための一般的な半導体装置の概略平面図である。
【図9】 この発明の実施の形態3によるワイヤ流れの結果を示す図である。
【図10】 この発明の実施の形態3によるワイヤループ形状を示す図である。
【図11】 ワイヤの総ループ長がワイヤループに与える影響を説明するための図である。
【図12】 この発明の実施の形態4による半導体チップA上のループ長を変化させた場合のチップエッヂショートの可能性を示した図である。
【図13】 この発明の実施の形態5によるモールド樹脂注入方向とワイヤ流れの関係を示す図である。
【図14】 この発明の実施の形態6による半導体チップBのパッド位置をチップ端部から中央部に変化させたときのワイヤショートの評価を示す図である。
【符号の説明】
1 半導体チップA、2 半導体チップB、3 チップ間を結ぶワイヤ、4 チップとリード間を結ぶワイヤ、5 ダイパッド、6 パッド、7 インナーリード、8 封止樹脂。
Claims (9)
- 第1のパッドが設けられた第1の主面と上記第1の主面に隣接する第1の側面とを有しかつ厚みpを有する半導体チップAと、第2の主面と上記第2の主面に隣接する第2の側面とを有しかつ上記厚みpよりも小さい厚みqを有する半導体チップBとを、上記第1および第2の側面が互いに向き合うように配置する工程と、
ワイヤの先端にボールを形成する工程と、
上記ボールを上記第1のパッドに押し付けることで、上記ボールを介して上記第1のパッドに上記ワイヤを接合する工程と、
上記第1のパッドに接合された上記ワイヤを、上記第2の主面にステッチ接合する工程と、
上記ステッチ接合する工程の後に、上記半導体チップAおよびBをモールド樹脂により封止する工程とを備えた、半導体集積回路装置の製造方法。 - 上記第2の主面上に設けられた第2のパッド上にバンプを形成する工程をさらに備え、
上記ステッチ接合する工程は、上記ワイヤを上記第2の主面に上記バンプを介して接合することにより行なわれる、請求項1に記載の半導体集積回路装置の製造方法。 - 上記ステッチ接合する工程は、上記第2の主面上に設けられた第2のパッド上に上記ワイヤを接合することにより行なわれる、請求項1に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 上記第2のパッド位置を当該チップ端部から0.5mm以上中央方向に配置したことを特徴とする請求項2または請求項3に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 上記半導体チップAと上記半導体チップBの厚みの差(p−q)が50μm以上あることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 上記半導体チップAと上記半導体チップBを接合するワイヤのループ形状を、第1屈曲点及び第2屈曲点をつけた台形形状とし、第1屈曲点と第2屈曲点との間の長さを、上記ワイヤおよび上記半導体チップAの接合部分と、上記ワイヤおよび上記半導体チップBの接合部分との間の水平方向に沿った直線の長さの15%〜40%にすることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 上記ワイヤおよび上記半導体チップAの接合部分と、上記ワイヤおよび上記半導体チップBの接合部分との間の水平方向に沿った直線の長さを0.8〜3mmとすることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 上記モールド樹脂は、エポキシ樹脂を主成分とし無機充填材が全体に対して70%以上含有していると共に、当該モールド樹脂の流動特性が、溶融粘度15.0Pa・S以下、スパイラルフローが100cm以上であることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 上記モールド樹脂の注入方向に対して、半導体チップ間を結合するワイヤ方向が、上記樹脂注入方向と平行の場合を0度とした場合、0〜80度となるようにワイヤリングされていることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
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