JP4597272B2 - 基板のバッチ熱処理のための装置及びその方法 - Google Patents
基板のバッチ熱処理のための装置及びその方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4597272B2 JP4597272B2 JP52589996A JP52589996A JP4597272B2 JP 4597272 B2 JP4597272 B2 JP 4597272B2 JP 52589996 A JP52589996 A JP 52589996A JP 52589996 A JP52589996 A JP 52589996A JP 4597272 B2 JP4597272 B2 JP 4597272B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- planar
- stack
- chamber
- substrate holding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0209—Pretreatment of the material to be coated by heating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/12—Substrate holders or susceptors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
1.発明の分野
本発明は平面基板の熱処理装置に関し、特に、バッチ処理の装置及びその方法に関する。
2.先行技術
米国特許第4,597,736号、同第5,252,807号及び同第5,060,354号は、ウェハの熱処理について開示している。米国特許第4,715,921号及び同第4,951,601号においては、マルチ・チャンバウェハシステムについて開示している。また、米国特許第4,381,965号は、エレベータ型多重電極機構について開示しており、更に、米国特許第4,715,812号、同第4,770,630号、同第3,935,646号、同第4,490,111号及び同第4,721,462号においては、様々な加熱アセンブリを開示している。
発明の概要
本発明の1つの実施例によれば、複数の平面基板を加熱する装置が提供されている。その装置は、チャンバ、ヒータ及びエレベータから構成され、そのヒータはチャンバ内に配置される。エレベータは少なくとも部分的にチャンバ内に配置され、基板保持スタック(stack)及び基板保持スタックを移動させる手段を有する。
本願発明の1つの方法によれば、平面基板を加熱する方法が提供されている。その方法は、複数の基板を同時に加熱するように構築された基板加熱装置を供給するステップから構成されており、その装置は、所定の間隔を置いてスタックされた構成で基板保持を可能とする基板ホルダを有する。そして、前記装置及び前記基板ホルダ中に隣接する基板が非常に近接する位置に基板を挿入し、隣接した基板からの熱伝導が、挿入された基板に生じる温度の上昇率を増加させるという点を鑑み、前記装置のヒータと前記隣接した基板の両方から、前記挿入された基板に熱を伝える。
【図面の簡単な説明】
本発明の上述した点及び他の特徴は、以下の記述において添付の図面と共に説明される。
図1は、本発明の特徴を含む装置の断面側面図である。
図2は、図1において示された装置の線2−2における断面上面図である。
図3は、図1において示された基板及び基板ホルダの線3−3における拡大した部分的断面図である。
図4は、4つの異なる基礎温度に対して、1枚のウェハが、図1に示された装置内に挿入される時の温度と時間の応答を示すグラフである。
図5は、図1に示された装置において使用される制御システムのダイヤグラムである。
図6は、先行技術における公知の設計断面図である。
図6Aは、図5に示された領域Aの拡大図である。
好適な実施例の詳細な説明
図1において、本発明の特徴を含む装置10の部分的な断面側面図が示されている。本発明は図面に示された実施例について説明されるが、本発明が様々に異なるタイプ及び種々の置き換え可能な実施例において実現可能である。更に、適当な大きさ、形状、または構成要素のタイプ、または材料を使用することもできる。
装置10は、半導体ウェハまたはフラットパネルディスプレイのような複数の平面基板に対して有用な熱処理装置である。装置10は通例、米国特許第4,715,921号及び同第4,951,601号(これらの内容の全ては本明細書に包含される)において開示されているような基板のためのマルチ・チャンバ処理システムとしての使用を意図している。しかしながら、装置10は、基板処理システムの適当なタイプとして使用可能である。
装置10は、全体として、チャンバ12、エレベータ14及び加熱システム16から構成される。装置10は、1つのスロットバルブアセンブリ(slot valve assembly)20によって基板移送台18に接続されて示されている。チャンバ12は、水冷却され、スロットバルブアセンブリ20における入口22を有するのが好ましい。水冷却されたバッフル(baffle)24及びクライオポンプ(cryopump)26は、チャンバ12に接続される。
また、図2を参照すると、加熱システム16は加熱要素28を含む。加熱要素28は、チャンバ12内に配置され、エレベータ14の一部を取り囲む。更に放射シールド30が加熱要素28の後部に配置される。ここで、数種の適当なタイプの加熱要素が使用できる。他の実施例において、加熱システムの別のタイプもまた使用可能である。
エレベータ14は、全体として、複数の基板Sを保持する基板保持スタック32及びエレベータ駆動部34からなっている。駆動部34は主として、チャンバ12の外側に配置される。更に具体的には、駆動部34は、チャンバ12の底に連結される。ここで、適当なタイプのエレベータ駆動装置が使用できる。2つのドライブアーム36(1つのみが図示されている)は、駆動部34からチャンバ12中へと伸展する。さらに図3を参照すると、基板保持スタック32は、実際には、間隔を置いて配置された2つのラック(rack)38、39から構成される。各ラック38、39はドライブアーム36のうちの1つの先端に取り付けられる。更にラック38、39は、互いに左右対称に且つ互いに使用可能に向き合っている。また、各ラック38、39はスペーサ42によって隔てられた複数の基板支持棚(ledge)40を有する。本実施例において、基板Sはディスク状の半導体ウェハである。基板支持棚40は、スタックされた構成中の基板Sを個々に支持するために適切な大きさ、形状であり、間隔を置いて配置される。さらに具体的には、内側に突出した基板支持棚40は、基板のエッジまたは周囲の一部の上に基板Sを支持するように適合される。スペーサ42は、適当に選択でき、スタック32中の基板間の間隔を空ける種々のタイプを提供できる。好適な実施例において、スタック32は、約6mmの中心線間隔で隣接してスタックされた基板を保持するように構成される。しかしながら、他の間隔として、約6mmから20mmの間も使用できる。ここで使用される、“スタック”及び“スタックされた”の用語は、隣接する基板間、または基板と隣接のヒートシンク(heat sink)との間のギャップのみが存在して並置配列されていることを意味する。そのような“スタック”及び“スタックされた”構成は、図3において示されており、かかる構成には隣接した基板S間には小さな支持棚40のみが配置されている。また、保持スタック32を提供する形状または構成は前述した構成及び形状に限られず、他の構成及び形状を用いても良い。エレベータ14は、矢印Bによって示されるように、チャンバ12内の基板Sを垂直に移動させるドライブアーム36を駆動させることによって、スタック32を垂直に移動できる。このことは、スタック32中の垂直方向位置において、スタック32から基板Sのいずれか1つを取り除くために、または基板をスタック中に挿入するために、台18における基板移送機構(図示しない)が入口22を介して通過することを可能としている。
装置10は、同時に複数の基板をバッチ加熱することを念頭に置いている。よって、加熱された基板は、システムの処理チャンバ内へ供給され得る。このようにして、基板が素早く加熱される。ゆえに、装置10が設置された基板処理システムは先行技術である単一の基板ヒータを伴ったシステムよりも迅速な処理が可能であり、多重の単一基板ヒータを必要とせず、1つの装置10を必要とするのみである。本願発明の特徴の1つは、バッチ装置10の使用を介して実行されるということである。先行技術の単一ヒータにおいては、実際に基板に伝わる熱の全てがヒータから直接もたらされる。しかしながら、本願発明によれば、チャンバ12に供給された基板はヒートシンクとしてもふるまう。冷えた基板がチャンバ12中に挿入される時、スタック32中にすでにある基板は新たに挿入された基板にそれらの熱のいくらかを伝える。こうして、新たに挿入された基板は、加熱システムと、スタック中のすでに加熱された基板との両方によって加熱される。このことは、新たに挿入された基板の加熱率を増加させる。スタック32は、基板間(基板支持棚40の比較的小さな領域を除く)の何もない空間を挟んで上下互いに基板Sを保持する。よって、熱は、比較的容易に大きな障害なく、隣接した基板から伝わることができる。スタック32中のすでに加熱された基板は、隣接した基板間の多大な熱伝導障害なく、基板が十分近接してスタックされた位置のために、新たに挿入された基板に対するヒートシンクとして機能できる。スタック32中の基板同士の隣接した配置は、基板から基板への熱伝導を援助する。また、熱を蓄積するヒートシンクを追加してもよく、これによってチャンバ12内において新たに挿入された冷えた基板へ熱を伝達することが出来る。また、ラック38、39はヒートシンクとしても作用する。
さらに図4を参照すると、4つの異なる装置基本温度(600℃、500℃、400℃、300℃)において、装置10中の基板のスタック中への冷えた基板(25℃)の導入に対する4つの異なる応答グラフが示されている。600℃の装置基本温度において、冷えた基板W5のスタックへの導入により、スタック中の他の基板W4、W3、W2、W1は一時的な温度降下を生じる。他の基板よりも挿入された冷えた基板W5に近い位置の基板は、より温度降下が大きい。しかしながら、挿入された冷えた基板以外の基板の温度降下は、50℃以下である。一方、挿入された基板W5は、他の基板W4−W1からの熱伝導のために迅速に加熱され、約8分で装置の基本温度に達する。500℃、400℃及び300℃の他の装置基本温度に対する応答は、その装置基本温度が高いほど、挿入された冷えた基板がその温度により速く近づくことを示している。いずれにしても、バッチ加熱装置の使用は、加熱装置16とスタック32内のすでに加熱された基板W4−W1との両方からの熱伝導の故に、新たに挿入された冷えた基板の加熱を促進させる。
更に図5を参照すると、装置10を伴って使用される制御システム50のある型のブロック図が示されている。その装置は、コントローラ52、メモリ54、温度センサ58、エレベータ位置センサ60、ヒータ28、及びヒータコントロール61を含む。コントローラ52は、マイクロプロセッサであるのが好ましい。コントローラ52は、基板処理システムコントロールに接続されているように示されているが、それを含めて1つのコントローラとしてもよい。温度センサ58は、チャンバ12内に配置される。温度センサの適切な数は、スタック32中において、各基板支持位置に対して一つとすることができる。メモリ54は、図4において示されるような、挿入された冷えたウェハから基板保持位置の温度、時間及び位置の所定のデータに対応するアルゴリズムを元にプログラムされる。コントローラ52は、タイマ56、温度センサ58、及び、スタック32への挿入及びスタック32からのウェハの取り除きを制御するためのエレベータ位置センサ60からの情報と共にこの所定のデータを使用できる。メモリ54は、個々のウェハがスタック32中にあり、ウェハが挿入されるスタック内の位置に挿入される時に記録するのに使用できる。好ましくは、コントローラ52は、熱いウェハのみを取り除く適当な位置への移動を、及び、スタック中の隣接した熱いまたはかなり熱いウェハの位置においてのみの新たな冷えたウェハの挿入を、エレベータドライブ34にもたらす。この制御の型は、新たに挿入された冷えたウェハが、そのウェハへの最も迅速な熱伝導率を促進するようにスタック中に適切に配置されることを保証し、適切に加熱されたウェハのみがスタック32から取り除かれることを保証するのに使用できる。また、他の実施例において、制御システムの適切な型が提供可能である。
図6及び6Aを参照すると、公知の先行技術に類似のシステムが示されている。この先行技術の構図において、装置70はチャンバ72、及び、基板ホルダ、ヒータ及び移動機構を結合させた機構74を含む。チャンバ72は、基板をチャンバ72中に挿入し、また、基板をチャンバ72から取り除く、基板移送機構(図示しない)のための入口76を有している。結合された機構74は、エレベータドライブ78、ドライブアーム80、及び加熱要素84を含む。エレベータドライブ78は、チャンバ12内においてドライブアーム80を上下垂直方向に移動させるように適合される。加熱要素84は、ドライブアーム80に動かないように接続される。上面上における各加熱要素84は、基板ホルダまたは基板支持86である。基板Sは、加熱要素84から固定された距離で支持86の先端上に支持される。結合機構74は、入口76を通して基板Sを挿入及び取り除くためのチャンバ72内での加熱要素84及び支持86の上下垂直方向への移動が行えるように適合される。
図1乃至5に示された発明に対して、スタック中の隣接した基板、または十分近い位置にある基板は、図6中の各基板に対する個々の隔てられたヒータ84が供給可能な同じ熱性能を十分に供給する。しかしながら、本願発明のスタックされた構成は、各基板に対して個々の隔てられたヒータより費用がかからない。さらに、スタックされた構成は、別の方法において必要とされる場合と比較して、より小さく、より短いエレベータの使用を可能にする。スタックされた構成は、約50ポンド(約22.7kg)の最大引き上げ量を必要とする。各基板に対する個々の隔てられたヒータは、約500ポンド(約226.8kg)の重荷を引き上げられるような大きさのエレベータを必要とする。明らかに、50ポンドを引き上げるために設計されたエレベータは、500ポンドを引き上げるために設計されたエレベータより費用がかからない。先行技術の装置70における大きさの抑制は、その機構74の基板の受容力を約7つに制限する。装置10は、約20または30の基板のような、さらに多い数を保持できる。よって、装置10は、良い熱性能(基板が迅速に加熱される)及び、大きな基板受容力を提供し、尚かつ、先行技術の設計に関連した全体の大きさを増加させる必要はない。
上述した説明が本発明の例示であることを理解すべきである。様々な置き換えや修正が、本発明の特質からはずれることなく、当業者によって考案可能である。従って、本発明は、かかる請求の範囲内に収まるそのような全ての置き換え、修正及び変更を包含するように意図されている。
Claims (18)
- 複数の平面基板を加熱する装置であって、
平面基板を低温から高温へ加熱するチャンバと、
前記チャンバ内に配置されたヒータと、
前記チャンバ内に一部が配置されて、基板保持スタックと前記基板保持スタックを移動せしめる移動手段とを含むエレベータと、
前記エレベータの動きを制御するコントローラを含む制御システムと、を含み、
前記基板保持スタックは、複数の平面基板をスタック構成に保持して、前記平面基板の隣接した平面基板間においては間隙のみを有して当該隣接する平面基板同士は互いに直接向かい合って熱を直接伝え、
前記制御システムは、新たに挿入される冷えた平面基板がその平面基板への最も迅速な熱伝導率を促進するように前記基板保持スタック中に適切に配置されることを保証し、適切に加熱された平面基板のみが前記基板保持スタックから取り除かれることを保証し、
前記コントローラは、前記チャンバの外に前記基板保持スタックを移動させることなく、前記新たに挿入される冷えた平面基板を前記基板保持スタック内にすでに存在している少なくとも1つの熱い平面基板に隣接した所定の位置に配置するように前記エレベータの動きを制御することにより、熱が前記ヒータと前記基板保持スタック内の隣接した平面基板との両方から当該新たに挿入された冷えた平面基板に伝えられることを特徴とする装置。 - 前記ヒータは前記チャンバ内において前記エレベータの少なくとも3つの側部に配置される加熱要素を含むことを特徴とする請求項1記載の装置。
- 前記エレベータはチャンバ外に配置されたエレベータドライブを含むことを特徴とする請求項1記載の装置。
- 前記基板保持スタックは2つの対向する基板ラックを有することを特徴とする請求項1記載の装置。
- 各基板ラックは、平面基板の周辺部分が配置されるように内側に突出した基板支持棚のスタックを有することを特徴とする請求項4記載の装置。
- 前記基板保持スタックは6mmの中心線間隔で隣接してスタックされた平面基板を保持することを特徴とする請求項1記載の装置。
- 前記エレベータの動きを制御する前記コントローラは、所定の温度に加熱された平面基板のみを前記基板保持スタックから取り出すことを特徴とする請求項1記載の装置。
- 熱処理装置を備えて平面基板の挿入及び取出を制御するシステムであって、
平面基板を低温から高温へ加熱するチャンバと、
前記チャンバ内に配置されたヒータと、
前記チャンバ内に一部が配置されて、基板保持スタックと前記基板保持スタックを移動せしめる移動手段とを含むエレベータと、
前記エレベータの動きを制御するコントローラを含む制御システムと、を含み、
前記基板保持スタックは、複数の平面基板をスタック構成に保持して、前記平面基板の隣接した平面基板間においては間隙のみを有して当該隣接する平面基板同士は互いに直接向かい合って熱を直接伝え、
前記制御システムは、新たに挿入される冷えた平面基板がその平面基板への最も迅速な熱伝導率を促進するように前記基板保持スタック中に適切に配置されることを保証し、適切に加熱された平面基板のみが前記基板保持スタックから取り除かれることを保証し、
前記コントローラは、前記チャンバの外に前記基板保持スタックを移動させることなく、前記新たに挿入される冷えた平面基板を前記基板保持スタック内にすでに存在している少なくとも1つの熱い平面基板に隣接した所定の位置に配置するように前記エレベータの動きを制御することにより、熱が前記ヒータと前記基板保持スタック内の隣接した平面基板との両方から当該新たに挿入された冷えた平面基板に伝えられることを特徴とするシステム。 - 前記コントローラに接続されるエレベータ位置センサを更に含むことを特徴とする請求項8記載のシステム。
- 前記コントローラに接続される温度センサを更に含むことを特徴とする請求項8記載のシステム。
- 前記熱処理装置内の温度、前記熱処理装置内の平面基板の保持時間、及び前記基板保持スタック中に続いて挿入された冷えた平面基板に隣接した前記熱い平面基板の位置に基づいて、当該熱処理装置内の平面基板を前記熱処理装置から取り除くかどうかを決定する手段を更に含むことを特徴とする請求項8記載のシステム。
- 平面基板を加熱する方法であって、
複数の平面基板を同時に加熱することができる熱処理装置を準備するステップを含み、
前記熱処理装置は、平面基板を低温から高温へ加熱するチャンバと、前記チャンバ内に配置されたヒータと、前記チャンバ内に一部が配置されて、基板保持スタックと前記基板保持スタックを移動せしめる移動手段とを含むエレベータと、前記エレベータの動きを制御するコントローラを含む制御システムと、を含み、
前記基板保持スタックは、複数の平面基板をスタック構成に保持して、前記平面基板の隣接した平面基板間においては間隙のみを有して当該隣接する平面基板同士は互いに直接向かい合って熱を直接伝えることができ、
前記方法はさらに、
前記チャンバの外に前記基板保持スタックを移動させることなく、前記新たに挿入される冷えた平面基板が前記基板保持スタック内にすでに存在している少なくとも1つの熱い平面基板に隣接した所定の位置に配置されるように前記冷えた平面基板を前記基板保持スタックに挿入するステップと、
前記挿入された平面基板に、前記ヒータ及び当該隣接した平面基板の両方から熱を伝えるステップと、を含み、
前記制御システムは、新たに挿入される冷えた平面基板がその平面基板への最も迅速な熱伝導率を促進するように前記基板保持スタック中に適切に配置されることを保証し、適切に加熱された平面基板のみが前記基板保持スタックから取り除かれることを保証することを特徴とする平面基板を加熱する方法。 - 前記冷えた平面基板を挿入するステップの前に、前記基板保持スタックを垂直方向に移動させるステップを更に含むことを特徴とする請求項12記載の方法。
- 前記基板保持スタックが垂直方向に移動された後に、前記基板保持スタック及び前記熱処理装置から平面基板を取り除くステップを更に含むことを特徴とする請求項13記載の方法。
- 前記冷えた平面基板を挿入するステップは、相対的に6mmから20mmの隣接した平面基板の中心線距離で前記冷えた平面基板を配置することを含む請求項12記載の方法。
- 基板移送機構を有する移送台と、
前記移送台に接続された処理チャンバと、
前記移送台に接続された熱処理装置と、を有する基板処理システムであって、
前記熱処理装置が、
平面基板を低温から高温へ加熱する加熱チャンバと、
前記加熱チャンバ内に配置されたヒータと、
前記加熱チャンバ内に一部が配置されて、基板保持スタックと前記基板保持スタックを移動せしめる移動手段とを含むエレベータと、
前記エレベータの動きを制御するコントローラを含む制御システムと、を含み、
前記基板保持スタックは、複数の平面基板をスタック構成に保持して、前記平面基板の隣接した平面基板間においては間隙のみを有して当該隣接する平面基板同士は互いに直接向かい合って熱を直接伝え、
前記制御システムは、新たに挿入される冷えた平面基板がその平面基板への最も迅速な熱伝導率を促進するように前記基板保持スタック中に適切に配置されることを保証し、適切に加熱された平面基板のみが前記基板保持スタックから取り除かれることを保証し、
前記コントローラは、前記加熱チャンバの外に前記基板保持スタックを移動させることなく、前記新たに挿入される冷えた平面基板を前記基板保持スタック内にすでに存在している少なくとも1つの熱い平面基板に隣接した所定の位置に配置するように前記エレベータの動きを制御することにより、熱が前記ヒータと前記基板保持スタック内の隣接した平面基板との両方から当該新たに挿入された冷えた平面基板に伝えられることを特徴とする基板処理システム。 - 基板処理システム内の平面基板を処理する方法であって、
熱処理装置に接続された移送台の移送機構によって前記熱処理装置のチャンバ中に個々に平面基板を移送するステップを含み、
前記熱処理装置は
平面基板を低温から高温へ加熱するチャンバと、
前記チャンバ内に配置されたヒータと、
前記チャンバ内に一部が配置されて、基板保持スタックと前記基板保持スタックを移動せしめる移動手段とを含むエレベータと、
前記エレベータの動きを制御するコントローラを含む制御システムと、を含み、
前記基板保持スタックは、複数の平面基板をスタック構成に保持して、前記平面基板の隣接した平面基板間においては間隙のみを有して当該隣接する平面基板同士は互いに直接向かい合って熱を直接伝え、
前記制御システムは、新たに挿入される冷えた平面基板がその平面基板への最も迅速な熱伝導率を促進するように前記基板保持スタック中に適切に配置されることを保証し、適切に加熱された平面基板のみが前記基板保持スタックから取り除かれることを保証し、
前記方法はさらに、
前記チャンバの外に前記基板保持スタックを移動させることなく、前記新たに挿入される冷えた平面基板が前記基板保持スタック内にすでに存在している少なくとも1つの熱い平面基板に隣接した所定の位置に配置されるように前記エレベータの動きを前記コントローラによって制御するステップと、
前記ヒータと前記基板保持スタック内の隣接した平面基板との両方から当該新たに挿入された冷えた平面基板に熱を伝えるステップと、
を含むことを特徴とする基板処理システム内の平面基板を処理する方法。 - 前記移送機構によって、前記基板保持スタックから前記チャンバの外に個々の平面基板を搬出して当該平面基板を単一の処理チャンバへ移送するステップを更に含むことを特徴とする請求項17記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/449,809 US6193506B1 (en) | 1995-05-24 | 1995-05-24 | Apparatus and method for batch thermal conditioning of substrates |
US08/449,809 | 1995-05-24 | ||
PCT/US1996/005546 WO1996037744A1 (en) | 1995-05-24 | 1996-04-23 | Apparatus and method for batch thermal conditioning of substrates |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11506531A JPH11506531A (ja) | 1999-06-08 |
JP4597272B2 true JP4597272B2 (ja) | 2010-12-15 |
Family
ID=23785579
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP52589996A Expired - Lifetime JP4597272B2 (ja) | 1995-05-24 | 1996-04-23 | 基板のバッチ熱処理のための装置及びその方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6193506B1 (ja) |
JP (1) | JP4597272B2 (ja) |
AU (1) | AU5563096A (ja) |
WO (1) | WO1996037744A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7374644B2 (en) * | 2000-02-17 | 2008-05-20 | Applied Materials, Inc. | Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing |
US20040020789A1 (en) * | 2000-02-17 | 2004-02-05 | Applied Materials, Inc. | Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing |
US20080156657A1 (en) * | 2000-02-17 | 2008-07-03 | Butterfield Paul D | Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing |
EP1174910A3 (en) * | 2000-07-20 | 2010-01-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for dechucking a substrate |
US6528435B1 (en) * | 2000-08-25 | 2003-03-04 | Wafermasters, Inc. | Plasma processing |
DE10112731A1 (de) * | 2001-03-14 | 2002-10-02 | Schott Glas | Beschichtung von Substraten |
US6528767B2 (en) * | 2001-05-22 | 2003-03-04 | Applied Materials, Inc. | Pre-heating and load lock pedestal material for high temperature CVD liquid crystal and flat panel display applications |
JP2003148872A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-05-21 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | オーブンシステム |
JP3662893B2 (ja) * | 2002-04-23 | 2005-06-22 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 熱処理装置 |
US20040096636A1 (en) * | 2002-11-18 | 2004-05-20 | Applied Materials, Inc. | Lifting glass substrate without center lift pins |
US6917755B2 (en) * | 2003-02-27 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Substrate support |
US20040226513A1 (en) * | 2003-05-12 | 2004-11-18 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform heating of large area substrates |
JP3802889B2 (ja) * | 2003-07-01 | 2006-07-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及びその校正方法 |
JP4391479B2 (ja) * | 2003-11-06 | 2009-12-24 | シャープ株式会社 | 基板搬送用トレイ |
US8033245B2 (en) * | 2004-02-12 | 2011-10-11 | Applied Materials, Inc. | Substrate support bushing |
US20060005770A1 (en) * | 2004-07-09 | 2006-01-12 | Robin Tiner | Independently moving substrate supports |
JP6175432B2 (ja) * | 2012-05-28 | 2017-08-02 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、温度計測システム、処理装置の温度計測方法、搬送装置及び記録媒体 |
WO2017052958A1 (en) * | 2015-09-22 | 2017-03-30 | Applied Materials, Inc. | Large area dual substrate processing system |
JP6802128B2 (ja) * | 2017-08-28 | 2020-12-16 | エスペック株式会社 | 熱処理装置 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3272350A (en) | 1964-09-25 | 1966-09-13 | Westinghouse Electric Corp | Method and apparatus for semiconductor wafer handling |
US3935646A (en) | 1974-11-15 | 1976-02-03 | Millipore Corporation | Gel electrophoresis slide drying |
US4381965A (en) * | 1982-01-06 | 1983-05-03 | Drytek, Inc. | Multi-planar electrode plasma etching |
US4490111A (en) | 1982-09-23 | 1984-12-25 | California Linear Circuits, Inc. | Apparatus for making stacked high voltage rectifiers |
US4610628A (en) * | 1983-12-28 | 1986-09-09 | Denkoh Co., Ltd. | Vertical furnace for heat-treating semiconductor |
US4597736A (en) | 1985-05-03 | 1986-07-01 | Yield Engineering Systems, Inc. | Method and apparatus for heating semiconductor wafers |
DE3516490A1 (de) | 1985-05-08 | 1986-11-13 | Elektroschmelzwerk Kempten GmbH, 8000 München | Brennhilfsmittel |
US4715921A (en) | 1986-10-24 | 1987-12-29 | General Signal Corporation | Quad processor |
JPS63153388A (ja) * | 1986-08-23 | 1988-06-25 | 東レ株式会社 | 熱処理炉 |
US4721462A (en) | 1986-10-21 | 1988-01-26 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Active hold-down for heat treating |
US4951601A (en) | 1986-12-19 | 1990-08-28 | Applied Materials, Inc. | Multi-chamber integrated process system |
ATE208961T1 (de) | 1988-05-24 | 2001-11-15 | Unaxis Balzers Ag | Vakuumanlage |
US5046909A (en) | 1989-06-29 | 1991-09-10 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for handling semiconductor wafers |
US5044752A (en) * | 1989-06-30 | 1991-09-03 | General Signal Corporation | Apparatus and process for positioning wafers in receiving devices |
FR2656599B1 (fr) | 1989-12-29 | 1992-03-27 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de rangement d'objets plats dans une cassette avec rayonnages intermediaires. |
JP2808826B2 (ja) | 1990-05-25 | 1998-10-08 | 松下電器産業株式会社 | 基板の移し換え装置 |
US5060354A (en) | 1990-07-02 | 1991-10-29 | George Chizinsky | Heated plate rapid thermal processor |
US5252807A (en) | 1990-07-02 | 1993-10-12 | George Chizinsky | Heated plate rapid thermal processor |
JP3204699B2 (ja) * | 1990-11-30 | 2001-09-04 | 株式会社東芝 | 熱処理装置 |
JP3108459B2 (ja) * | 1991-02-26 | 2000-11-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
US5249960A (en) * | 1991-06-14 | 1993-10-05 | Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha | Forced cooling apparatus for heat treatment apparatus |
JP3234617B2 (ja) * | 1991-12-16 | 2001-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置用基板支持具 |
US5404894A (en) | 1992-05-20 | 1995-04-11 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Conveyor apparatus |
ES2090893T3 (es) | 1993-01-28 | 1996-10-16 | Applied Materials Inc | Aparato de tratamiento en vacio que tiene una capacidad de produccion mejorada. |
-
1995
- 1995-05-24 US US08/449,809 patent/US6193506B1/en not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-04-23 WO PCT/US1996/005546 patent/WO1996037744A1/en active Application Filing
- 1996-04-23 JP JP52589996A patent/JP4597272B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-23 AU AU55630/96A patent/AU5563096A/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU5563096A (en) | 1996-12-11 |
WO1996037744A1 (en) | 1996-11-28 |
US6193506B1 (en) | 2001-02-27 |
JPH11506531A (ja) | 1999-06-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4597272B2 (ja) | 基板のバッチ熱処理のための装置及びその方法 | |
US7410355B2 (en) | Method for the heat treatment of substrates | |
US5324920A (en) | Heat treatment apparatus | |
US6780251B2 (en) | Substrate processing apparatus and method for fabricating semiconductor device | |
EP0832407B1 (en) | Passive gas substrate thermal conditioning apparatus and method | |
KR101096342B1 (ko) | 유리-세라믹 패널 및 박막 리본 히터를 갖춘 기판 가열 장치 | |
US6062852A (en) | Substrate heat-treating apparatus | |
JP2704309B2 (ja) | 基板処理装置及び基板の熱処理方法 | |
US20010009255A1 (en) | System and method for rapid thermal processing | |
KR970071993A (ko) | 기판 온도 제어방법, 기판 열처리장치 및 기판 지지장치 | |
US7022627B2 (en) | Method for the heat treatment of substrates | |
TW373233B (en) | Furnace sidewall temperature control system | |
KR101713196B1 (ko) | 인라인 열처리 장치 | |
US20090211742A1 (en) | Cooling plates and semiconductor apparatus thereof | |
JP4099664B2 (ja) | 基板熱処理方法、基板擦傷発生防止方法、及び基板ホルダー設計方法 | |
JP7473147B2 (ja) | 加熱装置および加熱方法 | |
JPH09306921A (ja) | 熱処理方法および装置 | |
KR101374752B1 (ko) | 기판 온도 측정 및 제어 시스템을 구비한 기판 열처리 챔버, 장치 및 방법 | |
JP3266844B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP3688098B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6994424B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 | |
JP3266843B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JPH05235156A (ja) | 縦型炉用ボート | |
JPH05287367A (ja) | ハードディスク用基板の焼鈍装置 | |
JP2003347183A (ja) | 基板温度処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061121 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20070219 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20070409 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070521 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071030 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080218 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080306 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20080515 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090807 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090819 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091117 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100412 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100420 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100712 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100922 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131001 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |