JP4591851B2 - 半導体研磨スラリー中の金属の定量方法 - Google Patents
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Description
pH調整工程:半導体研磨スラリー10mLを、硝酸にてpH1以下とし、次いでアンモニアにて調節してpH3とpH8の二つを用意した。
キレート樹脂接触工程: 内径20mmのポリプロピレン製チューブにキレート樹脂〔三菱化学(株)製、「ダイヤイオンCR11」(商品名)〕を約10mmの高さに充填し、垂直に設置した。3N硝酸水溶液、純水を交互に流し洗浄し、アンモニアにて樹脂の再生を行った。上記半導体研磨スラリーのpH3調製液とpH8調製液それぞれを4mL/分で流した。
酸抽出工程:キレート樹脂接触工程を終わったキレート樹脂のそれぞれについて、水で充分洗浄した後、3N硝酸水溶液5mLを流した(2倍濃縮となる)。
金属定量工程:酸抽出工程における硝酸水溶液を捕集し、誘導結合プラズマ質量分析装置(ICP−MS)〔パーキン社製、「DRCII」(型番)〕で金属の定量を行った。ここで得られた金属を、半導体研磨スラリー中の溶解金属とし、結果を表1に示す。
実施例1と同じ半導体研磨スラリーを用い、フッ酸処理工程を行い、その処理液を用いて以降は実施例1と同様にして行った。
フッ酸処理工程:半導体研磨スラリー5mLを、フッ酸20mL、硝酸4mL、水20mLの混合溶液に加え、50〜100℃で3時間保持し、半導体研磨スラリー中の砥粒を溶解させ均一液体とした。ここで定量された金属は、半導体研磨スラリー中の全金属とし、結果を表1に示す。
実施例1と同じ半導体研磨スラリーを用い、同量の純水を混合し、この混合溶液10mLと、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)を10%含有するアンモニア水溶液20mLをフッ素樹脂製の遠心管に入れ、錯体水溶液を作成した。次いで、この溶液を遠心分離機にて半導体研磨スラリー中の砥粒を分離し溶液部を採取。有機成分を取り除くために、硝酸と過酸化水素水の混合水溶液を添加し蒸発乾固した。残った成分を硝酸溶液にて回収し、回収液中の金属量をICP−MSにて定量を行った。ここで得られた金属を、半導体研磨スラリー中の溶解金属とし、結果を表1に示す。
実施例1と同じ半導体研磨スラリーを用い、実施例2におけるフッ酸処理工程における均一液体を、実施例1の操作を行わず、上記のICP−MSにて金属の定量を行った。
高濃度のアルカリ金属が共存するため、分析装置の感度低下、分析時の質量干渉を抑えるために、希釈法を用いて定量を行った。ここで得られた金属を、半導体研磨スラリー中の全金属として、結果を表1に示す。
実施例1で用いたキレート樹脂の代りにキレ−ト繊維を用いた。
接触工程: 内径20mmのポリプロピレン製チューブにキレート繊維〔キレスト(株)製、「WI−10」(商品名)〕を約10mmの高さに充填し、垂直に設置した。
その他の条件は実施例1と同様に行った。その結果を表1に示す。
半導体研磨スラリー量を、実施例1、2に対しそれぞれ5倍量用いて行い(10倍濃縮となる)、鉛(Pb)を定量した。結果を表2に示す。
Claims (2)
- 半導体研磨スラリー中の溶解金属の定量において、
前記半導体研磨スラリーのpHを1以下とした後、pHを2〜9とするpH調整工程;
前記pH調整した半導体研磨スラリーをキレート機能を有する担体と接触させるキレート担体接触工程;
前記半導体研磨スラリーと接触させた後のキレート機能を有する担体に、酸水溶液を接触させる酸抽出工程;
前記酸抽出工程で得た酸抽出液中の金属を定量する金属定量工程;
を含んでなることを特徴とする半導体研磨スラリー中の金属の定量方法。 - 半導体研磨スラリー中の全金属の定量において、
半導体研磨スラリーにフッ酸を加えて50〜300℃にて処理するフッ酸処理工程;
前記半導体研磨スラリーのpHをpHを2〜9とするpH調整工程;
前記pH調整した半導体研磨スラリーをキレート機能を有する担体と接触させるキレート担体接触工程;
前記半導体研磨スラリーと接触させた後のキレート機能を有する担体に、酸水溶液を接触させる酸抽出工程;
前記酸抽出工程で得た酸抽出液中の金属を定量する金属定量工程;
を含んでなることを特徴とする半導体研磨スラリー中の金属の定量方法。
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