JP4571501B2 - 多層膜付き基板の製造方法 - Google Patents
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Description
ところで、高屈折率膜をDCスパッタリング法で成膜する場合は、導電性を有する金属質ターゲットを用い、酸素を含む雰囲気でスパッタリングする、いわゆる反応性スパッタリングによるのが現状である。しかし、この方法で得られる薄膜の成膜速度は極めて遅く、生産性が悪く、コストが高くなるという問題があった。
また、本発明の多層膜付き基板の製造方法は、前記金属酸化物MOXの金属MがTi、ZrおよびHfからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属の場合には、Xが1<X<2であることが好ましい。
また、本発明の多層膜付き基板の製造方法は、前記金属酸化物MOXの金属MがMoおよび/またはWの場合には、Xが2<X<3であることが好ましい。
また、本発明の多層膜付き基板の製造方法は、前記金属酸化物膜と酸化ケイ素膜とを10回以上繰返し積層してなることが好ましい。
また、本発明の多層膜付き基板の製造方法は、前記基板の厚さが0.5〜2mmであり、かつ前記多層膜を成膜した後の基板の反りが−100〜+100μmであることが好ましい。
本発明の多層膜付き基板の製造方法は、前記金属酸化物膜の1層の膜厚が10nm〜10μmであり、前記酸化ケイ素膜の1層の膜厚が10nm〜10μmであることが好ましい。
本発明の多層膜付き基板の製造方法は、前記多層膜全体の厚さが20〜5000nmであり、かつ前記基板の成膜前後の反りの差の絶対値が25μm以下であることが好ましい。
本発明の多層膜付き基板の製造方法は、前記基板の成膜前後の反りの差の単位μmの絶対値を単位μmの膜厚で割った値が10以下であることが好ましい。
学量論的組成より酸素が不足している金属酸化物MOX(ただし、MはTi、Nb、Ta、Mo、W、ZrおよびHfからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属を示す)であり、2種以上の金属Mを含んでいてもよい。
MがNbおよび/またはTaの場合には、Xが2<X<2.5であるのが好ましい。これは、Xが2.5の場合は、Nbおよび/またはTaが完全に酸化している状態なので、ターゲット材は電気絶縁性であり、DCスパッタリングができないためである。また、Xが2以下では、NbOXおよび/またはTaOXが化学的に不安定であり、ターゲット材としては好ましくない。NbOXを用いた場合には、高い成膜速度を実現でき、TaOXを用いた場合には、高い耐食性と高い耐擦傷性を有する膜を成膜できる。
前記と同様な理由から、本発明のターゲット材のMOXのMがMoおよび/またはWである場合には、Xが2<X<3であるのが好ましい。
また本発明のターゲット材のMOXのMがTi、ZrおよびHfからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属である場合には、Xが1<X<2であるのが好ましい。
Nb2O5粉末を非酸化雰囲気でホットプレス(高温高圧プレス)して焼結することにより、化学量論的組成より酸素が不足している(酸素が欠損した)NbOX(ただし、2<X<2.5)を製造する。Nb2O5粉末の粒径は0.05〜40μmが適当である。ホットプレスの雰囲気は非酸化性雰囲気とすることが重要であり、ターゲット材の酸素含有量の調整が容易なことから、アルゴンや窒素が好ましい。また、水素を添加することもできる。ホットプレスの条件は、特に制限されないが、温度は800〜1400℃が好ましく、圧力は4.90×106〜9.80×106Paが好ましい。
NbOX焼結体の密度は4.0〜4.6g/cm3程度、比抵抗は1〜10Ωcm程度である。
また、TiOX焼結体の密度は3.8〜4.2g/cm3程度、比抵抗は0.1〜0.6Ωcm程度である。
また、基板の面積(多層膜を形成する面の面積)は、その大きさが大きくなるに従い基板の反りは大きくなるため、基板の反りを許容範囲内にする必要性から、非通信用途、光通信用途ともに0.01〜900cm2、特に1〜900cm2、さらには4〜900cm2であることが好ましい。
図3は、本発明における多層膜付き基板の断面模式図であり、基板10の上に金属酸化
物膜20、酸化ケイ素膜30が積層され、多層膜40を形成している。
例えば、化学量論的組成より少しだけ酸素不足状態になっている金属酸化物をターゲット材に用いて、アルゴン雰囲気中またはアルゴンと少量の酸素との混合雰囲気中で、圧力を0.15〜1.5Pa程度としてDCスパッタリングすると、基板上に均一な透明膜、すなわち酸素不足が解消された金属酸化物膜を高速で成膜することができる。金属ターゲットを用いる場合には、酸素分圧の変化によって、成膜速度や放電電流・電圧の不連続な変化であるヒステリシス現象が生じるが、該金属酸化物をターゲット材に用いた場合には、このようなヒステリシス現象は生じず、成膜時の成膜速度の制御が比較的容易であり、しかも、供給する酸素ガス量を必要最低限、あるいはそれに近い量まで少なくすることができる。
酸素が不足している金属酸化物ターゲットから成膜される金属酸化物膜は、通常の金属ターゲットから成膜される金属酸化物膜と比較して屈折率などの光学特性は同等にもかかわらず、応力が緩和された膜となっている。この理由は明らかではないが、成膜中の膜の成長過程が異なるためと推測される。
かくして得られた金属酸化物膜の多層膜付き基板は、各種用途に使用される。具体的には、ダイクロイックミラー、紫外線カットフィルタや赤外線カットフィルタ等の非通信用途や、バンドパスフィルタやゲインフラットニングフィルタ等の光通信用途が挙げられる。
(NbOX焼結体)
市販の高純度Nb2O5粉末を、カーボン製のホットプレス用金型に充填し、アルゴン雰囲気中で、1300℃に3時間保持した後、圧力9.8MPaでホットプレスを行い、焼結体を得た。焼結体の密度および比抵抗を測定した。
次に、焼結体をメノウ乳鉢で粉砕し、空気中で1100℃に加熱し、加熱前後の焼結体の質量を測定した。この加熱により、先の焼結により酸素が不足した状態のNbOXから完全に酸化された焼結体Nb2O5に変化したものと推定して、その質量増加分から、焼結体の酸素含有量を計算し、酸素不足を確認した。
焼結体の密度は4.5g/cm3、比抵抗は8.9Ωcmおよび酸素含有量はNbOXのXとして2.498であった。
(TiOX焼結体)
製造例1の高純度Nb2O5粉末の代わりに、市販の高純度TiO2粉末を用いる以外は、製造例1と同様の方法・条件で焼結体を得て、焼結体の密度、比抵抗を測定した。
次に、製造例1と同様の方法・条件で加熱し、加熱前後の焼結体の質量を測定し、その質量増加分から、焼結体の酸素含有量を計算し, 酸素不足を確認した。
焼結体の密度は3.90g/cm3、比抵抗は0.35Ωcmおよび酸素含有量はTiOXのXとして1.980であった。
(参考例1〜6)
製造例1により製造されたNbOX焼結体を、200mm×70mm、厚さ5mmの直方体に研削加工し、ターゲット材を製造した。このターゲット材を、銅製のパッキングプレートにメタルボンドで接着し、マグネトロンDCスパッタリング装置に取り付けた。1.1mm厚で縦5cm×横5cmのガラス基板および0.525mm厚で直径10cmのシリコン基板のそれぞれに、投入電力をDC0.75kW、背圧を1×10−3Pa、スパッタリング圧力を0.6Paとし、雰囲気中の酸素ガスとアルゴンガスとの総量に対する酸素ガスの割合を表1に示すように調整してスパッタリングを行い、表1に示す膜厚のNb2O5膜の成膜を行った。スパッタリング中の放電は極めて安定しており、DCスパッタリングでも安定して成膜することができた。
成膜後、膜厚を触針式の膜厚測定装置を用いて測定した。
成膜前の反り、成膜後の反りおよび膜の応力は、Tencor Instruments社のFLXTHIN FILM S STRESS MEASUREMENT SYSTEMであるFleXus F2320を使用して、セットするシリコン基板の向きを統一させてセットし、成膜前および成膜後の直径10cmのシリコン基板の反り(曲率半径)を測定することにより求めた。なお、基板の反りδは、図2に記載された方法で求めた。
σ=(1/R2−1/R1)Eh2/{6t(1−ν)}
ここで、σ:膜の応力、R1:成膜前の基板の曲率半径、R2:成膜後の基板の曲率半径、E:基板Sのヤング率、h:基板Sの厚さ、t:膜厚、ν:基板Sのポアソン比である。なお、曲率半径R1およびR2は、図2に記載のRを意味するが、次式によって計算される。
R1≒r2/2δ1、 R2≒r2/2δ2
ここで、r:基板Sの半径、δ1およびδ2は成膜前および成膜後の基板の反りである。
ガラス基板上の膜の屈折率を、J.A.Woollam Co.,Inc.の分光エリプソメータWVASE32で測定した。なお、膜は透明で膜の光吸収はなかった。
表1に、膜厚、成膜速度、膜の応力、波長550nmにおける膜の屈折率を示し、表1−2に、成膜前の反り、成膜後の反り、成膜前後の反りの差および成膜前後の反りの差の絶対値を膜厚で割った値を示した。
参考例1のNbOXターゲット材の代わりに、市販のNb金属をターゲット材に用い、雰囲気中の酸素ガスとアルゴンガスとの総量に対する酸素ガスの割合を表1に示すように調整する以外は参考例1と同様に、スパッタリングを行い、Nb2O5膜の成膜を行った。スパッタリング中の放電は極めて安定しており、DCスパッタリングでも安定して成膜することができた。Nb2O5膜の特性を参考例1と同様に測定し、その結果を表1および表1−2に示した。
製造例2により製造されたTiOX焼結体を、200mm×70mm、厚さ5mmの直方体に研削加工し、ターゲット材を製造した。このターゲット材を、銅製のパッキングプレートにメタルボンドで接着し、マグネトロンDCスパッタリング装置に取り付けた。1.1mm厚で縦5cm×横5cm のガラス基板および0.525mm厚で直径10cmのシリコン基板のそれぞれに、投入電力をDC0.75kW、背圧を1×10−3Pa、スパッタリング圧力を0.6Paとし、雰囲気中の酸素ガスとアルゴンガスとの総量に対する酸素ガスの割合を表1に示すように調整してスパッタリングを行い、表1に示す膜厚のTiO2膜の成膜を行った。スパッタリング中の放電は極めて安定しており、DCスパッタリングでも安定して成膜することができた。TiO2膜の特性を参考例1と同様に測定し、その結果を表1および表1−2に示した。
参考例12のTiOXターゲット材の代わりに、市販のTi金属をターゲット材に用い、雰囲気中の酸素ガスとアルゴンガスとの総量に対する酸素ガスの割合を表1に示すように調整する以外は参考例12と同様に、スパッタリングを行い、TiO2膜の成膜を行った。スパッタリング中の放電は極めて安定しており、DCスパッタリングでも安定して成膜することができた。TiO2膜の特性を参考例1と同様に測定し、その結果を表1および表1−2 に示した。
参考例1のNbOXターゲット材の代わりに、市販のSi(Bドーブ)をターゲット材に用い、雰囲気中の酸素ガスとアルゴンガスとの総量に対する酸素ガスの割合を表1に示すように調整する以外は参考例1と同様に、スパッタリングを行い、SiO2膜の成膜を行った。SiO2膜の特性を参考例1と同様に測定し、その結果を表1および表1−2に示した。
またTiOXターゲット材を用いた場合には、Ti金属をターゲット材に用いた場合に比べ、応力が緩和されたTiO2膜が高速度で成膜できることが明らかである。
(実施例1)
参考例1に用いたNbOXターゲット材を、参考例1と同様に、マグネトロンDCスパッタリング装置に取り付けた。1.1mm厚で縦5cm×横5cm のガラス基板および0.525mm厚で直径10cmのシリコン基板のそれぞれに、投入電力をDC0.75kW、背圧を1×10−3Pa、スパッタリング圧力を0.6Paとし、雰囲気中の酸素ガスとアルゴンガスとの総量に対する酸素ガスの割合を表2に示すように調整してスパッタリングを行い、膜厚200nmのNb2O5膜の成膜を行った。
次に、同じマグネトロンDCスパッタリング装置を用い、市販のSi(Bドーブ)をターゲット材に用い、雰囲気中の酸素ガスとアルゴンガスとの総量に対する酸素ガスの割合を表2に示すように調整する以外はNbOXターゲット材のスパッタリング条件と同じ条件でスパッタリングを行い、基板上のNb2O5膜の上に膜厚240nm のSiO2膜を成膜して多層膜(2層)付きの基板を得た。多層膜の特性を参考例1と同様に測定し、その結果を表2および表2−2に示した。
実施例1において、Nb2O5膜およびSiO2膜の成膜のためのスパッタリングを5回または10回繰返してNb2O5膜とSiO2膜を積層する以外は、実施例1と同様にスパッタリングを行い、多層膜(10層または20層)付き基板を得た。多層膜の特性を参考例1と同様に測定し、その結果を表2および表2−2に示した。
参考例12に用いたTiOXターゲット材を、実施例1と同様に、マグネトロンDCスパッタリング装置に取り付けた。1.1mm厚で縦5cm×横5cm のガラス基板および0.525mm厚で直径10cmのシリコン基板のそれぞれに、投入電力をDC0.75kW、背圧を1×10−3Pa、スパッタリング圧力を0.6Paとし、雰囲気中の酸素ガスとアルゴンガスとの総量に対する酸素ガスの割合を表2に示すように調整してスパッタリングを行い、膜厚200nmのTiO2膜の成膜を行った。
次に、同じマグネトロンDCスパッタリング装置を用い、市販のSi(Bドーブ)をターゲット材に用い、雰囲気中の酸素ガスとアルゴンガスとの総量に対する酸素ガスの割合を表2に示すように調整する以外はTiOXターゲット材のスパッタリング条件と同じ条件でスパッタリングを行い、基板上のTiO2膜の上に膜厚240nmのSiO2膜を成膜して多層膜(2層)付きの基板を得た。多層膜の特性を参考例1と同様に測定し、その結果を表2および表2−2に示した。
実施例4において、TiO2膜とSiO2膜との成膜のためのスパッタリングを5回繰返す以外は、実施例4と同様にスパッタリングを行い、多層膜(10層)付き基板を得た。多層膜の特性を参考例1と同様に測定し、その結果を表2および表2−2に示した。
実施例1のNbOXターゲット材の代わりに、市販のNb金属をターゲット材に用い、雰囲気中の酸素ガスとアルゴンガスとの総量に対する酸素ガスの割合を表2に示すように調整する以外は実施例1と同様に、スパッタリングを行い、膜厚200nmのNb2O5膜の成膜を行った。
次に、同じマグネトロンDCスパッタリング装置を用い、市販のSi(Bドーブ)をターゲット材に用い、雰囲気中の酸素ガスとアルゴンガスとの総量に対する酸素ガスの割合を表2に示すように調整する以外はNb金属ターゲット材のスパッタリング条件と同じ条件でスパッタリングを行い、基板上のNb2O5膜の上に膜厚240nmのSiO2膜を成膜して多層膜(2層)付きの基板を得た。多層膜の特性を参考例1と同様に測定し、その結果を表2および表2−2に示した。
比較例1において、Nb2O5膜とSiO2膜との成膜のためのスパッタリングを5回繰返して積層する以外は、比較例1と同様にスパッタリングを行い、多層膜(10層)付き基板を得た。多層膜の特性を参考例1と同様に測定し、その結果を表2および表2−2に示した。
実施例4のTiOXターゲット材の代わりに、市販のTi金属をターゲット材に用い、雰囲気中の酸素ガスとアルゴンガスとの総量に対する酸素ガスの割合を表2に示すように調整する以外は実施例4と同様に、スパッタリングを行い、膜厚200nmのTiO2膜の成膜を行った。
次に、同じマグネトロンDCスパッタリング装置を用い、市販のSi(Bドーブ)をターゲット材に用い、雰囲気中の酸素ガスとアルゴンガスとの総量に対する酸素ガスの割合を表2に示すように調整する以外はTi金属ターゲット材のスパッタリング条件と同じ条件でスパッタリングを行い、基板上のTiO2膜の上に膜厚240nmのSiO2膜を成膜して多層膜(2層)付きの基板を得た。多層膜の特性を参考例1と同様に測定し、その結果を表2および表2−2に示した。
比較例3において、TiO2膜とSiO2膜との成膜のためのスパッタリングを5回繰返して積層する以外は、比較例3と同様にスパッタリングを行い、多層膜(10層)付き基板を得た。多層膜の特性を参考例1と同様に測定し、その結果を表2および表2−2に示した。
またTiOXターゲット材を用いた場合にも、Ti金属をターゲット材に用いた場合に比べ、応力が緩和されたTiO2膜とSiO2膜との多層膜が成膜できることが明らかである。
(実施例6)
シリコン基板の厚さを0.525mm厚から0.2mm厚へ変更する以外は、実施例5と同様にスパッタリングを行い、多層膜(10層)付き基板を得る。このときの成膜前後の反りの差の絶対値は、8.34μmである。
シリコン基板の厚さを0.525mm厚から0.2mm厚へ変更する以外は、比較例4と同様にスパッタリングを行い、多層膜(10層)付き基板を得る。このときの成膜前後の反りの差の絶対値は、163.03μmである。
(実施例7)
参考例1に用いたNbOXターゲット材を、参考例1と同様に、マグネトロンACスパッタリング装置に取り付ける。1.1mm厚の縦5cm×横5cmのガラス基板および0.525mm厚で直径10cmのシリコン基板のそれぞれに、投入電力をAC0.7kW、背圧を1×10−3Pa、スパッタリング圧力を0.6Paとし、雰囲気中の酸素ガスとアルゴンガスとの総量に対する酸素ガスの割合を表3に示すように調整してスパッタリングを行い、膜厚200nmのNb2O5膜の成膜を行う。
次に、同じマグネトロンACスパッタリング装置を用い、市販のSi(Bドーブ)をターゲット材に用い、雰囲気中の酸素ガスとアルゴンガスとの総量に対する酸素ガスの割合を表3に示すように調整する以外はNbOXターゲット材のスパッタリング条件と同じ条件でスパッタリングを行い、基板上のNb2O5膜の上に膜厚240nmのSiO2膜の成膜を行う。
さらに、Nb2O5膜とSiO2膜との成膜のためのスパッタリングを4回繰返して積層し、多層膜(10層)付きの基板を得る。多層膜の特性を参考例1と同様に測定し、その結果を表3−1および表3−2に示す。
S’:実際の基板
R:曲率半径
r:基板の半径
δ:基板の反り
10:基板
20:金属酸化物膜
30:酸化ケイ素膜
40:多層膜
50:中間膜
Claims (14)
- ガラス、樹脂フィルムまたはシリコンの基板上に、少なくとも金属酸化物膜と酸化ケイ素膜とが1回以上交互に積層してなる多層膜全体の厚さが20nm〜2000μmの多層膜付き基板の製造方法であって、
該金属酸化物膜の少なくとも一層が化学量論的組成より酸素が不足している金属酸化物MOx (ただし、MはTi、Nb、Ta、Mo、W、ZrおよびHfからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属を示す)をターゲット材に用いてスパッタリングを行って、酸素不足が解消された金属酸化物膜を成膜し、該多層膜の応力が−100MPa〜+100MPaであることを特徴とする多層膜付き基板の製造方法。 - 前記金属酸化物MOX の金属MがNbおよび/またはTaの場合には、Xが2<X<2.5である請求項1に記載の多層膜付き基板の製造方法。
- 前記金属酸化物MOX の金属MがTi、ZrおよびHfからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属の場合には、Xが1<X<2である請求項1に記載の多層膜付き基板の製造方法。
- 前記金属酸化物MOX の金属MがMoおよび/またはWの場合には、Xが2<X<3である請求項1に記載の多層膜付き基板の製造方法。
- 前記多層膜の応力が−60MPa〜+60MPaである請求項1〜4のいずれかに記載の多層膜付き基板の製造方法。
- 前記金属酸化物膜と酸化ケイ素膜とを10回以上繰返し積層してなる請求項1〜5のいずれかに記載の多層膜付き基板の製造方法。
- 前記基板の厚さが0.05〜0.4mmであり、かつ前記多層膜を成膜した後の基板の反りが−20〜+20μmである請求項1〜6のいずれかに記載の多層膜付き基板の製造方法。
- 前記基板の厚さが0.5〜2mmであり、かつ前記多層膜を成膜した後の基板の反りが−100〜+100μmである請求項1〜6のいずれかに記載の多層膜付き基板の製造方法。
- 前記多層膜を形成する面積が0.01〜900cm2である請求項1〜8のいずれかに記載の多層膜付き基板の製造方法。
- 前記多層膜を形成する面積が1〜900cm2である請求項9に記載の多層膜付き基板の製造方法。
- 前記金属酸化物膜の1層の膜厚が10nm〜10μmであり、前記酸化ケイ素膜の1層の膜厚が10nm〜10μmである請求項1〜10のいずれかに記載の多層膜付き基板の製造方法。
- 前記多層膜全体の厚さが20〜5000nmであり、かつ前記基板の成膜前後の反りの差の絶対値が25μm以下である請求項1〜11のいずれかに記載の多層膜付き基板の製造方法。
- 前記基板の成膜前後の反りの差の単位μmの絶対値を単位μmの膜厚で割った値が10以下である請求項1〜12のいずれかに記載の多層膜付き基板の製造方法。
- 前記多層膜付き基板が、ダイクロイックミラー、紫外線カットフィルタ、赤外線カットフィルタ、ハンドパスフィルタ又はゲインフラットニングフィルタである請求項1〜13のいずれかに記載の多層膜付き基板の製造方法。
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ATE445246T1 (de) * | 2005-08-08 | 2009-10-15 | Univ Colorado Regents | Verfahren zur optimierung ultrakurzer pulse in multipass-laserverstärkern unter selektiver verwendung eines spektralfilters |
US20080100915A1 (en) * | 2006-10-27 | 2008-05-01 | Kuohua Wu | Removal of oxidation layer from metal substrate and deposition of titanium adhesion layer on metal substrate |
CN101210312B (zh) * | 2006-12-28 | 2010-05-19 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 平衡薄膜应力的薄膜制作方法 |
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JP4813570B2 (ja) * | 2008-04-03 | 2011-11-09 | ケイアイザャイマックス カンパニー リミテッド | 金属印刷回路基板の原板及び原板の製造方法 |
JP2009253275A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-29 | Xi Max Co Ltd | セラミック印刷回路基板の原板及び原板の製造方法 |
KR100885664B1 (ko) * | 2008-04-03 | 2009-02-25 | 주식회사 케이아이자이맥스 | 고속/고밀도 마그네트론 스퍼터링 법을 이용한 후막제조방법 |
GB2462604B (en) * | 2008-08-11 | 2011-08-10 | Toshiba Res Europ Ltd | Thin film structure and method for fabricating a thin film structure |
CN102537852A (zh) * | 2009-05-13 | 2012-07-04 | 李欣洋 | 一种使用光学玻璃滤光片的led光源 |
WO2011068388A2 (ko) * | 2009-12-03 | 2011-06-09 | (주)Lg화학 | 베리어 필름 및 이를 포함하는 전자 장치 |
WO2011077738A1 (ja) * | 2009-12-25 | 2011-06-30 | 株式会社アルバック | インサート成形用装飾フィルム、インサート成形品及びインサート成形用装飾フィルムの製造方法 |
JP5643984B2 (ja) * | 2010-07-02 | 2014-12-24 | 北川工業株式会社 | 透明導電フィルム及びその製造方法並びにタッチパネル |
JP5830660B2 (ja) * | 2011-05-30 | 2015-12-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | スパッタリング方法 |
TW201408810A (zh) * | 2012-07-12 | 2014-03-01 | Applied Materials Inc | 用於沉積貧氧金屬膜的方法 |
DE102012112742A1 (de) * | 2012-10-23 | 2014-04-24 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Hoch absorbierendes Schichtsystem, Verfahren zur Herstellung des Schichtsystems und dafür geeignetes Sputtertarget |
CN104003346B (zh) * | 2013-02-25 | 2019-05-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种薄膜结构、压力传感器及电子装置 |
KR20160003140A (ko) * | 2013-05-09 | 2016-01-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 광학 소자, 투영 광학계, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
WO2015131223A1 (en) * | 2014-03-07 | 2015-09-11 | University Of South Australia | Decorative coatings for plastic substrates |
JP6512217B2 (ja) | 2014-03-12 | 2019-05-15 | コニカミノルタ株式会社 | 光学フィルター及び撮像装置 |
CN104032279B (zh) * | 2014-05-14 | 2016-06-01 | 杭州电子科技大学 | 一种二氧化硅薄膜的制备方法 |
US10593524B2 (en) * | 2014-10-06 | 2020-03-17 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Niobium oxide sintered compact, sputtering target formed from said sintered compact, and method of producing niobium oxide sintered compact |
CN106630674B (zh) * | 2016-10-09 | 2019-05-24 | 陕西科技大学 | 一种具有自洁功能、抗紫外线的隔音玻璃及其制备方法 |
JP2022031999A (ja) * | 2018-12-27 | 2022-02-24 | コニカミノルタ株式会社 | 誘電体多層膜、その製造方法及びそれを具備した画像表示装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02259602A (ja) * | 1988-11-14 | 1990-10-22 | General Electric Co <Ge> | 酸化タンタル―シリカ干渉フィルター,それを用いた基板,干渉フィルター及び電気ランプ |
JPH03233501A (ja) * | 1990-02-09 | 1991-10-17 | Copal Co Ltd | 光学多層膜フイルタ素子及びその製造方法 |
WO1997008359A1 (fr) * | 1995-08-23 | 1997-03-06 | Asahi Glass Company Ltd. | Cible, son procede de production et procede de formation d'une couche tres refringente |
US5646781A (en) * | 1995-05-15 | 1997-07-08 | Omega Optical, Inc. | Optical filters for forming enhanced images |
JP2002525698A (ja) * | 1998-09-25 | 2002-08-13 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 多層光学素子 |
JP2002277629A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-25 | Hitachi Metals Ltd | 多層膜光学フィルター用ガラス基板、多層膜光学フィルターおよびその製造方法 |
WO2002075376A1 (fr) * | 2001-03-19 | 2002-09-26 | Nippon Sheet Glass Co.,Ltd. | Film dielectrique a indice de refraction eleve et procede de preparation correspondant |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5241417A (en) * | 1990-02-09 | 1993-08-31 | Copal Company Limited | Multi-layered optical filter film and production method thereof |
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02259602A (ja) * | 1988-11-14 | 1990-10-22 | General Electric Co <Ge> | 酸化タンタル―シリカ干渉フィルター,それを用いた基板,干渉フィルター及び電気ランプ |
JPH03233501A (ja) * | 1990-02-09 | 1991-10-17 | Copal Co Ltd | 光学多層膜フイルタ素子及びその製造方法 |
US5646781A (en) * | 1995-05-15 | 1997-07-08 | Omega Optical, Inc. | Optical filters for forming enhanced images |
WO1997008359A1 (fr) * | 1995-08-23 | 1997-03-06 | Asahi Glass Company Ltd. | Cible, son procede de production et procede de formation d'une couche tres refringente |
US6193856B1 (en) * | 1995-08-23 | 2001-02-27 | Asahi Glass Company Ltd. | Target and process for its production, and method for forming a film having a highly refractive index |
US20020027817A1 (en) * | 1995-08-23 | 2002-03-07 | Asahi Glass Company Ltd. | Target and process for its production, and method for forming a film having a high refractive index |
JP2002525698A (ja) * | 1998-09-25 | 2002-08-13 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 多層光学素子 |
JP2002277629A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-25 | Hitachi Metals Ltd | 多層膜光学フィルター用ガラス基板、多層膜光学フィルターおよびその製造方法 |
WO2002075376A1 (fr) * | 2001-03-19 | 2002-09-26 | Nippon Sheet Glass Co.,Ltd. | Film dielectrique a indice de refraction eleve et procede de preparation correspondant |
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