JP4813570B2 - 金属印刷回路基板の原板及び原板の製造方法 - Google Patents
金属印刷回路基板の原板及び原板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4813570B2 JP4813570B2 JP2009000848A JP2009000848A JP4813570B2 JP 4813570 B2 JP4813570 B2 JP 4813570B2 JP 2009000848 A JP2009000848 A JP 2009000848A JP 2009000848 A JP2009000848 A JP 2009000848A JP 4813570 B2 JP4813570 B2 JP 4813570B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- circuit board
- printed circuit
- metal
- original plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 89
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 89
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 89
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 48
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 37
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 31
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 30
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 26
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 22
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 75
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 14
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 11
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000975 Carbon steel Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010962 carbon steel Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- FXNGWBDIVIGISM-UHFFFAOYSA-N methylidynechromium Chemical compound [Cr]#[C] FXNGWBDIVIGISM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/388—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a metallic or inorganic thin film adhesion layer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0302—Properties and characteristics in general
- H05K2201/0317—Thin film conductor layer; Thin film passive component
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0335—Layered conductors or foils
- H05K2201/0338—Layered conductor, e.g. layered metal substrate, layered finish layer or layered thin film adhesion layer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
- H05K3/16—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation by cathodic sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
- H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
- H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Description
本発明は、金属印刷回路基板の原板及びその製造方法に関し、詳細には、金属基板上に物理気相蒸着のためのスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方法により絶縁層及び厚膜の高密度電気伝導層を形成し、優れた放熱特性及び電気的な特性を有する金属印刷回路基板の原板及び原板の製造方法に関する。
最近の電子機器は、集積化及び小型化の流れに適合するよう製造されている。電子機器の小型化に伴う様々な問題の１つは、内部品において発生する熱の効果的な発散である。小型化及び集積化された電子機器内では、多くのエネルギーが熱として消費され、このような熱は、再度内部電子部品の劣化を起こすことで、誤動作及び寿命の短縮などの問題を引き起こす恐れがある。
電子機器内で発生する熱を排出するために、従来から幅広く採用される方法として、ファン（ｆａｎ）を利用した機器内の強制対流方法、熱源にヒートシンク（ｈｅａｔ ｓｉｎｋ）を取り付けて熱の発散を極大化する方法などが一般的であり、その中でも最近発表されている金属印刷回路基板は、電気的な熱の発生が多い高電圧電力の電子分野、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）照明及びＬＣＤバックライト（ＬＣＤ Ｂａｃｋ Ｌｉｇｈｔ Ｕｎｉｔ）などの分野を始めとして注目を浴びている。
従来の一般的な金属印刷回路基板における原板の製造方法として、金属基板に湿式メッキを介して銅膜を形成する湿式メッキ法、及び金属基板と銅箔との間に接着層を挿入した後に積層する積層法がある。主に積層法が従来の金属印刷回路基板の製造に採用されている。
図１は、従来の湿式メッキによって基板の表面に形成された厚膜の構造を示す断面図であり、図２は、湿式メッキによって厚膜を形成する過程を説明するフローチャートである。
図１の印刷回路基板の原板は、メッキ処理する対象となる基板１１と、高分子樹脂で備えられて基板１１の上面に均一した膜を形成し、連続的な界面を形成する接着層１３と、該接着層１３の上面に表面処理される銅膜１５とから構成される。
図２を参照すると、湿式メッキによる原板の製造は、メッキ処理する基板１１を備えるＳ２０１ステップと、備えられた基板１１の表面に接着層１３を形成するＳ２０３ステップと、接着層１３上に湿式メッキ法により銅膜１５を形成するＳ２０５ステップとから構成される。
ところが、かかる湿式メッキは、膜の残留応力の制御が難しいことから銅膜の厚さに制限がある。したがって、数百μｍの厚膜を形成しようとする場合、残留応力による接着性の低下により膜が剥離される現象が現れる。また、メッキ厚膜は、その密度が低いだけでなく、低いメッキ率による長時間の工程及びこれによる複雑な工程、毒性のある電解液の使用による環境汚染といった問題があった。
図３は、従来の積層法により製造される金属印刷回路基板の原板を示す分解斜視図である。積層法の場合、原板は、金属基板（Ｂａｓｅ Ｌａｙｅｒ）３１と、該金属基板３１の表面に塗布された樹脂（ｒｅｓｉｎ）である接着層（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌａｙｅｒ）３３と、該接着層３３により基板３１に接着された銅薄板（Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｌａｙｅｒ）３５から構成される。接着層３３は、接着機能と共に放熱及び絶縁機能を有する。
積層法は、別途に製造された銅薄板を基板に接着させるための厚い接着層３３が求められ、別途に製造された銅板そのものを接着することから、銅薄板の厚さも制限される。
その他にも銅膜の形成のみを考慮すると、半導体の製造工程上のスパッタリングを用いて銅薄膜を蒸着する方法が考慮される。しかし、従来に知らされたスパッタリング方法は、半導体の集積程度に使われる数ｎｍ程度の薄膜に過ぎず、印刷回路基板のための数十μｍないし数百μｍの厚膜は不可能であるとみなされている。これは、形成される膜の応力を制御するにあたって限界があるからである。
本発明の目的は、金属基板上に物理気相蒸着のためのスパッタリング方法により絶縁層及び厚膜の高密度の電気伝導層を形成し、優れた放熱特性及び電気的な特性を有する金属印刷回路基板の原板及び原板の製造方法を提供することにある。
前述した目的を達成するために、印刷回路基板の裏面に放熱のための金属基板が形成された金属印刷回路基板における原板の製造方法であって、金属基板を備えるステップと、前記金属基板上に物理気相蒸着のためのスパッタリング方法により絶縁層を形成するステップと、前記絶縁層上にスパッタリング方法により伝導性金属からなり、圧縮残留応力を有する第１薄膜を蒸着するステップと、前記第１薄膜上にスパッタリング方法により伝導性金属からなり、引張残留応力を有する第２薄膜を蒸着するステップと、前記第１薄膜及び第２薄膜を蒸着するステップを繰り返し、全体の残留応力が予め設定された範囲内で制御された厚膜の電気伝導層を蒸着するステップと、を含む。
ここで、前記絶縁層が、熱の伝達特性及び電気的な絶縁特性に優れた低誘電率の物質である酸化物、窒化物、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ：Ｄｉａｍｏｎｄ−Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）、高分子樹脂、または炭化物の中から選択された少なくとも１つの物質の単一膜または多層膜から形成され、前記基板及び電気伝導層と化学的に結合することが好ましい。
また、前記第１薄膜が、−１０ＧＰａないし−０．０００１ＧＰａの圧縮応力の範囲内で形成され、前記第２薄膜が、０．０００１ＧＰａないし１０ＧＰａの引張応力の範囲内で形成されることが好ましい。
この場合、前記第１薄膜を蒸着するステップは、前記第１薄膜が前記圧縮応力の範囲を有するよう、スパッタリングのためのプラズマを直流電源を用いて生成することができる。このため、前記プラズマによりスパッタリングされた粒子のエネルギーが、５ｅＶ以下になるよう前記直流電源が制御されることが好ましい。
また、前記第２薄膜を蒸着するステップは、前記第２薄膜が前記引張応力の範囲を有するよう、スパッタリングのためのプラズマを直流パルス電源または交流電源を用いて生成することができる。このため、前記プラズマによりスパッタリングされた粒子のエネルギーが、５ｅＶ以上、１００ｅＶ以下になるよう、前記直流パルス電源または交流電源が制御されることが好ましい。
実施形態に応じて、前記第１薄膜及び第２薄膜が、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、またはニッケルクロム（ＮｉＣｒ）の中から選択されたいずれか１つであるか、その合金であることが好ましい。
他の実施形態に応じて、本発明の製造方法は、前記絶縁層上に第２薄膜を先に蒸着し、第２薄膜に第１薄膜を蒸着する順で繰り返し蒸着して電気伝導層を形成することもできる。
本発明の更なる実施形態に係る金属印刷回路基板の原板は、金属基板と、該金属基板上に物理気相蒸着された絶縁層と、該絶縁層上に物理気相蒸着された電気伝導層と、を備える。ここで、該電気伝導層が、物理気相蒸着されて圧縮残留応力を有する伝導性金属の第１薄膜と、物理気相蒸着されて引張残留応力を有する伝導性金属の第２薄膜とが交番に繰り返して蒸着されることによって形成され得る。
本発明の金属印刷回路基板における原板の製造方法は、電気伝導層を厚膜に形成するにあたって、その残留応力を容認できる範囲内で制御することができる。これを介して、高密度の絶縁層及び電気伝導層の製造が可能となる。
したがって、絶縁層は、樹脂で形成された従来の接着層とは異なって蒸着により形成されることから、その接着力が極めて優秀で、かつ高密度の絶縁層による良好な放熱特性を有する。
電気伝導層においても従来のメッキ法と比べられないレベルの高密度で形成され、良好な放熱特性と共に優れた電気伝導性を有することで、従来の積層法とは異なって厚い接着層を必要としない。
スパッタリングによる絶縁層及び電気伝導層の形成は、対面的な金属印刷回路基板の原板製造を可能にする。
したがって、絶縁層は、樹脂で形成された従来の接着層とは異なって蒸着により形成されることから、その接着力が極めて優秀で、かつ高密度の絶縁層による良好な放熱特性を有する。
電気伝導層においても従来のメッキ法と比べられないレベルの高密度で形成され、良好な放熱特性と共に優れた電気伝導性を有することで、従来の積層法とは異なって厚い接着層を必要としない。
スパッタリングによる絶縁層及び電気伝導層の形成は、対面的な金属印刷回路基板の原板製造を可能にする。
以下、図面を参照して本発明を更に詳説する。
図４は、本発明の方法に基づいて製造される金属印刷回路基板における原板の断面図である。
同図を参照すると、本発明により製造される金属印刷回路基板の原板４００は、金属基板４１０と、該金属基板４１０の表面に形成された絶縁層４３０と、該絶縁層４３０の上面に形成された電気伝導層４５０とを備える。電気伝導層４５０は、第１薄膜４５１及び第２薄膜４５３を備え、原板の製造工程が完了した後、上面に実装される電気、電子、または機械素子間の電気的な接続のための導線として加工される。第１薄膜４５１及び第２薄膜４５３は、少なくとも１回以上、交番に繰り返して蒸着されることによって電気伝導層４５０が形成される。
また、本発明に係る金属印刷回路基板の原板は、金属基板４１０の裏面に第２絶縁層及び第２電気伝導層を形成することによって、両面の印刷回路基板の原板としても製造され得る。
図４は、本発明の方法に基づいて製造される金属印刷回路基板における原板の断面図である。
同図を参照すると、本発明により製造される金属印刷回路基板の原板４００は、金属基板４１０と、該金属基板４１０の表面に形成された絶縁層４３０と、該絶縁層４３０の上面に形成された電気伝導層４５０とを備える。電気伝導層４５０は、第１薄膜４５１及び第２薄膜４５３を備え、原板の製造工程が完了した後、上面に実装される電気、電子、または機械素子間の電気的な接続のための導線として加工される。第１薄膜４５１及び第２薄膜４５３は、少なくとも１回以上、交番に繰り返して蒸着されることによって電気伝導層４５０が形成される。
また、本発明に係る金属印刷回路基板の原板は、金属基板４１０の裏面に第２絶縁層及び第２電気伝導層を形成することによって、両面の印刷回路基板の原板としても製造され得る。
図５は、図４の金属印刷回路基板における原板の製造方法を説明するために提供される製造工程図であって、以下は図５を参照して本発明の金属印刷回路基板における原板の製造方法を説明する。
＜基板の準備、Ｓ５０１ステップ＞
本発明の原板４００の製造のために、金属素材の基板４１０が備えられる。金属基板４１０の材料は、放熱特性に優れた金属材料であればいずれのものも可能であるが、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、及び銅（Ｃｕ）の中から選択された少なくとも１つの金属またはその合金、またはステンレス、炭素鋼などが好ましい。このような金属基板４１０は耐久性及び放熱特性に優れ、印刷回路基板に実装された機械、電気または電子素子で発生する熱の排出に優れる性能を有する。
本発明の原板４００の製造のために、金属素材の基板４１０が備えられる。金属基板４１０の材料は、放熱特性に優れた金属材料であればいずれのものも可能であるが、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、及び銅（Ｃｕ）の中から選択された少なくとも１つの金属またはその合金、またはステンレス、炭素鋼などが好ましい。このような金属基板４１０は耐久性及び放熱特性に優れ、印刷回路基板に実装された機械、電気または電子素子で発生する熱の排出に優れる性能を有する。
＜絶縁層の形成、Ｓ５０３ステップ＞
絶縁層４３０は、本発明の物理気相蒸着（ＰＶＤ：Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）のためにスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方法によって金属基板４１０上に形成される。絶縁層４３０は、電気伝導層４５０と金属基板４１０との間の電気的な絶縁と共に、電気伝導層４５０で発生する熱を金属基板４１０に伝達する役割を果たす。
絶縁層４３０は、本発明の物理気相蒸着（ＰＶＤ：Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）のためにスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方法によって金属基板４１０上に形成される。絶縁層４３０は、電気伝導層４５０と金属基板４１０との間の電気的な絶縁と共に、電気伝導層４５０で発生する熱を金属基板４１０に伝達する役割を果たす。
スパッタリング方法による絶縁層４３０は、熱の伝達特性と電気的な絶縁特性に優れた低誘電率の物質から形成され、金属基板４１０及び電気伝導層４５０の種類とその化学的な特性に応じて、酸化物、窒化物、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ：Ｄｉａｍｏｎｄ−Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）、または炭化物などの様々な物質が使用され得る。
ここで、酸化物は、シリコン系の酸化物（ＳｉＯx）、チタニウム系の酸化物（ＴｉＯx）、アルミニウム系の酸化物（ＡｌxＯy）、またはクロム系の酸化物（ＣｒＯx）に該当し、窒化物は、シリコン系の窒化物（ＳｉxＮy）、チタニウム系の窒化物（ＴｉxＮy）、アルミニウム系の窒化物（ＡｌＮ）、またはホウ素系の窒化物（ＢＮ）に該当され得る。炭化物は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、炭化チタニウム（ＴｉＣ）、または炭化クロム（ＣｒＣ）に該当され得る。
必要に応じて、絶縁層４３０は、同じ物質または相異なる物質の多層膜として形成され得る。相異なる物質の多層膜として形成する場合は、金属基板４１０及び電気伝導層４５０両方のすべてに優れた化学的な結合を有する 絶縁層４３０の物質がない場合、金属基板４１０との結合性が良い物質と、電気伝導層４５０との結合性が良好な物質の多層膜を形成する。
絶縁層４３０の厚さは、所定の耐電圧特性を有し得るよう考慮されることが好ましく、略１ｎｍ〜５０μｍの厚さが好ましい。
絶縁層４３０を形成するためのスパッタリング方法は、後述する電気伝導層４５０の形成のためのスパッタリング方法について対応される方式で適用することができる。絶縁層４３０が多層膜として形成される場合、電気伝導層４５０の蒸着方法と同じ応力制御が求められる。
＜電気伝導層の形成、Ｓ５０５ステップ＞
電気伝導層４５０は、所定の伝導性導電体の金属をスパッタリング方法に基づいて絶縁層４３０に蒸着することによって形成され得る。
電気伝導層４５０の素材は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、またはニッケルクロム（ＮｉＣｒ）の中から選択されたいずれか１つであるか、その合金であるが、これに限定せず伝導性金属のいずれも可能である。更に、前記金属の中でも銅（Ｃｕ）をターゲット（ｔａｒｇｅｔ）にして使用した銅（Ｃｕ）の厚膜として形成されることが好ましい。言い換えれば、第１薄膜４５１及び第２薄膜４５３は伝導性金属から形成され、第１薄膜４５１と第２薄膜４５３とが同じ物質（例えば、銅）で形成されることが好ましい。
電気伝導層４５０は、所定の伝導性導電体の金属をスパッタリング方法に基づいて絶縁層４３０に蒸着することによって形成され得る。
電気伝導層４５０の素材は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、またはニッケルクロム（ＮｉＣｒ）の中から選択されたいずれか１つであるか、その合金であるが、これに限定せず伝導性金属のいずれも可能である。更に、前記金属の中でも銅（Ｃｕ）をターゲット（ｔａｒｇｅｔ）にして使用した銅（Ｃｕ）の厚膜として形成されることが好ましい。言い換えれば、第１薄膜４５１及び第２薄膜４５３は伝導性金属から形成され、第１薄膜４５１と第２薄膜４５３とが同じ物質（例えば、銅）で形成されることが好ましい。
電気伝導層４５０は、略５μｍ〜５００μｍの厚さの厚膜で形成されることが好ましく、このような厚さの厚膜形成は、１ｎｍないし１０μｍの厚さの第１薄膜４５１及び第２薄膜４５３を交番に繰り返して蒸着することにより、電気伝導層４５０または原板４００全体の残留応力を容認できる範囲の分だけ相殺させることで可能にする。これを介して、本発明は、従来の厚膜形成に係る応力問題を解消することができる。
第１薄膜４５１及び第２薄膜４５３は、物理気相蒸着のためのスパッタリング方法により形成され、マグネトロンのスパッタリング方法が好ましい。
一般に、スパッタリングは、半導体集積回路の製造工程において薄膜コーティングのために幅広く採用される方法である。
一般に、スパッタリングは、半導体集積回路の製造工程において薄膜コーティングのために幅広く採用される方法である。
以下、図６を参照して本発明の絶縁層及び電気伝導層の形成方法について説明する。同図は、本発明の製造工程で使用され得るスパッタの構造を簡略に示す図面であって、真空のためのポンプ装置、チャンバ内に充填する不活性ガスの吸／排気手段、冷却のための冷却手段、その他の部分は図示せず、かつその説明も省略する。
同図を参照すると、スパッタ６００は、チャンバ６１０に備えられた第１蒸着源６３０及び第２蒸着源６５０を備える。第１蒸着源６３０は、第１薄膜４５１のための第１ターゲット６３１、該第１ターゲット６３１に直流電源を供給するための直流電源装置６３３、及びマグネトロン６３５を備える。第２蒸着源６５０は、第２薄膜４５３のための第２ターゲット６５１、該第２ターゲット６５１に直流パルス（ＤＣ ｐｕｌｓｅ）を供給するための直流パルス電源装置６５３、及びマグネトロン６５５を備える。スパッタ６００は、第１蒸着源６３０及び第２蒸着源６５０を複数備えることができ、蒸着源の全体が１つの同じチャンバ６１０内に備えられ得る。また、各蒸着源ごとに別個のチャンバに分離された形を有することもできる。チャンバ６１０内部は、プラズマを生成する不活性気体、例えば、アルゴン（Ａｒ）などが充填される。
第２蒸着源６５０は、直流パルス電源装置６５３の代わりに交流電源装置を備え、第２ターゲット６５１に交流電源を供給することができる。ただし、以下では直流パルス電源装置６５３が備えられた場合について主に説明する。
マグネトロン６３５、６５５は、チャンバ６１０内で生成されるプラズマをターゲット６３１、６５１の近い領域に拘束するための磁界を形成する。前述したように、第１ターゲット６３１及び第２ターゲット６５１は、同じ物質、例えば、銅で形成することが好ましい。
マグネトロン６３５、６５５は、チャンバ６１０内で生成されるプラズマをターゲット６３１、６５１の近い領域に拘束するための磁界を形成する。前述したように、第１ターゲット６３１及び第２ターゲット６５１は、同じ物質、例えば、銅で形成することが好ましい。
化学的に不活性ガスであるアルゴン（Ａｒ）がチャンバ６１０内に流入し、直流電源装置６３３と直流パルス電源装置６５３とが順次に第１ターゲット６３１及び第２ターゲット６５１に電源を供給しつつ、スパッタリングによる蒸着が行なわれる。
直流電源装置６３３が動作すると、チャンバ６１０内のアルゴンがプラズマ化する。このプラズマは、マグネトロン６３５による磁界によって第１ターゲット６３１の近い領域に拘束される。正帯電されたアルゴンイオンは、負帯電された第１ターゲット６３１により引き寄せられて衝突し、その衝撃によって第１ターゲットの粒子が第１ターゲット６３１からスパッタリングされる。第１ターゲット６３１からスパッタリングされた粒子は、金属基板４１０の絶縁層４３０に蒸着されることによって、第１ターゲット物質の膜である第１薄膜４５１が形成される。この場合、スパッタリング工程上のチャンバ６１０の圧力は、約１ｍＴｏｒｒ〜１０ｍＴｏｒｒであることが好ましい。
同じ圧力の条件で、金属基板４１０が所定の速度で移動することに関わって、第２蒸着源６５０が動作し、同じ方法で第２薄膜４５３が第１薄膜４５１上に蒸着される。
直流電源により動作する第１蒸着源６３０によって、第１ターゲット６３１からスパッタリングされた粒子が蒸着して形成される第１薄膜４５１は、圧縮残留の応力の特性を有する。
直流電源により形成されるプラズマは、直流パルスまたは交流電源によるプラズマよりも相対的に低いエネルギー及び小さなイオン線束（ｆｌｕｘ）を有することから、第１ターゲット６３１からスパッタリングされた粒子も低い運動エネルギー及び線速を有することになる。かかる低いエネルギー粒子が絶縁層４３０に蒸着されると、圧縮残留応力を有する第１薄膜４５１が形成される。圧縮応力は、略−１０ＧＰａないし−０．０００１ＧＰａ（ギガパスカル）の範囲内で制御され得る。このために、直流プラズマによりスパッタリングされた粒子のエネルギーＥが５ｅＶ未満になるよう、直流電源装置の直流電源を制御することが好ましい。
直流パルス電源により動作する第２蒸着源６５０によって、第２ターゲット６５１からスパーリングされた粒子が蒸着して形成される第２薄膜４５３は、引張残留応力の特性を有する。
直流パルス電源により形成されるプラズマは、直流プラズマに比べて相対的に高いエネルギー及び大きいイオン線速を有することから、第２ターゲット６５１からスパッタリングされた粒子も高いエネルギー及び線速を有することになる。かかる粒子が第１薄膜４５１に蒸着され、引張残留応力を有する第２薄膜４５３が形成される。第２薄膜４５３が有する引張応力は、略０．０００１ＧＰａないし１０ＧＰａの範囲内で制御され得る。このために、直流パルス（または交流）プラズマによりスパッタリングされた粒子のエネルギーＥが、次の数式１を満足するよう、直流パルス（または交流）電源装置の直流パルス（または交流）電源を制御することが好ましい。
［数式１］５ｅＶ≦Ｅ≦１００ｅＶ
直流パルス電源の制御は、その電圧のサイズ、デューティサイクル（ｄｕｔｙ ｃｙｃｌｅ）、周波数のいずれか１つを制御する。
直流パルス電源の制御は、その電圧のサイズ、デューティサイクル（ｄｕｔｙ ｃｙｃｌｅ）、周波数のいずれか１つを制御する。
図７は、相異なるデューティサイクルを有する直流パルス電圧でスパッタリングされた粒子を撮影した写真であって、直流パルス電圧のデューティサイクル（Ｐｕｌｓｅ ｄｕｔｙ Ｃｙｃｌｅ）が３０％の状態で発生したスパッタリングされた粒子の線速が、デューティサイクルが５０％の状態で発生した粒子の線速よりも大きいことが分かる。結局、デューティサイクルが１００％になる直流電源よりも直流パルス電圧でスパッタリングされた粒子の線速がはるかに大きいことが分かる。同様に、図８は、相異なるデューティサイクル（ｄｕｔｙ ｃｙｃｌｅ）を有する直流パルス電圧でスパッタリングされた粒子のエネルギー（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）を測定したグラフであって、直流電源よりも直流パルス電圧でスパッタリングされた粒子のエネルギーがはるかに大きいことが分かる。したがって、互いに対比して相殺される第１薄膜４５１の圧縮残留応力値及び第２薄膜４５３の引張残留応力値、またはその応力値のための直流電源装置６３３、及び直流パルス電源装置６５３の制御変数は実験的に求められ得る。
第１薄膜４５１の圧縮残留応力は、第２薄膜４５３の引張残留応力により全体または一部が相殺される。このような第１薄膜４５１及び第２薄膜４５３は、その応力が互いに相殺されるよう交番に繰り返して形成されることによって、その応力が全体的に制御される厚膜の電気伝導層４５０が形成される。図９は、本発明の方法に基づいて製造された金属印刷回路基板における原板の断面写真であって、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）の絶縁層上に１５０μｍ厚さの高密度の伝導層厚膜が蒸着されていることが分かる。
第１薄膜４５１及び第２薄膜４５３による電気伝導層４５０の残留応力は、次の数式２の通りである。
第１薄膜４５１及び第２薄膜４５３による電気伝導層４５０の残留応力は、次の数式２の通りである。
［数式２］
σ=n(Sc+St)
ここで、σは電気伝導層４５０の総残留応力であり、Ｓcは第１薄膜４５１の圧縮応力であり、Ｓtは第２薄膜４５３の引張応力である。そして、ｎは第１薄膜及び第２薄膜の対の数である。図４における原板４００は、ｎが４の場合であって、第１薄膜４５１及び第２薄膜４５３が４回繰り返して蒸着されることが分かる。同じ厚さの電気伝導層４５０であっても、第１薄膜４５１及び第２薄膜４５３そのものの厚さ、または全体の電気伝導層４５０の厚さに応じて、ｎは異なり得る。Ｓc及びＳtにおいても同じ値でない場合もあり得る。
電気伝導層４５０全体の応力σは厚膜の特性に応じて異なり、完全に相殺されて０になることもあり得る。
σ=n(Sc+St)
ここで、σは電気伝導層４５０の総残留応力であり、Ｓcは第１薄膜４５１の圧縮応力であり、Ｓtは第２薄膜４５３の引張応力である。そして、ｎは第１薄膜及び第２薄膜の対の数である。図４における原板４００は、ｎが４の場合であって、第１薄膜４５１及び第２薄膜４５３が４回繰り返して蒸着されることが分かる。同じ厚さの電気伝導層４５０であっても、第１薄膜４５１及び第２薄膜４５３そのものの厚さ、または全体の電気伝導層４５０の厚さに応じて、ｎは異なり得る。Ｓc及びＳtにおいても同じ値でない場合もあり得る。
電気伝導層４５０全体の応力σは厚膜の特性に応じて異なり、完全に相殺されて０になることもあり得る。
図６のスパッタリング装置は、２つの蒸着源を配置した一例であって、必ずこれに限定されるのではない。例えば、チャンバ６１０には複数の蒸着源が配置され、全体の蒸着源が同時に動作することができる。このとき、チャンバ６１０には複数の基板が配置され、所定の速度で移動しつつ、複数の蒸着源により同時に蒸着過程が進行されることもあり得る。
実施形態によって、絶縁層４３０に引張残留応力を有する第２薄膜４５３が先に蒸着され、その上に圧縮残留応力を有する第１薄膜４５１が蒸着されるという順で厚膜が形成されることもあり得る。
絶縁層４３０も電気伝導層４５０の形成と同じ方法により行なわれる。ただし、絶縁層４３０を形成する前の金属基板４１０が使用され、ターゲットの物質が異なる。
スパッタリングによる膜は高密度で形成されるため、電気伝導層４５０は、優れた電気的な特性及び熱の伝達特性を有する。また、スパッタリングによる電気伝導層４５０の形成は高速で対面的な膜を形成することによって、ＬＣＤバックライト回路などに使用され得る対面的な金属印刷回路基板の製造にも適する。
本発明により製造された原板４００上に、最終的に形成される印刷回路のパターンは、写真工程（ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈ）、エッチング工程などの半導体製造工程によって第１薄膜４５１及び第２薄膜４５３に形成され得る。したがって、第１薄膜４５１及び第２薄膜４５３のうち、電気的な導線またはパッドを形成しない部分は除去され、図１０に示すように電気導線のパターンが形成された金属印刷回路基板が形成されるのである。
上述した本発明の好ましい実施の形態は、例示の目的のために開示されたものであり、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形、及び変更が可能であり、このような置換、変更などは、特許請求の範囲に属するものである。
４００ 金属印刷回路基板の原板
４１０ 金属基板
４３０ 絶縁層
４５０ 電気伝導層
４５１ 第１薄膜
４５３ 第２薄膜
６００ スパッタ
６１０ チャンバ
６３０ 第１蒸着源
６３１ 第１ターゲット
６３３ 直流電源装置
６３５ マグネトロン
６５０ 第２蒸着源
６５１ 第２ターゲット
６５３ 直流パルス電源装置 (または交流電源装置)
６５５ マグネトロン
４１０ 金属基板
４３０ 絶縁層
４５０ 電気伝導層
４５１ 第１薄膜
４５３ 第２薄膜
６００ スパッタ
６１０ チャンバ
６３０ 第１蒸着源
６３１ 第１ターゲット
６３３ 直流電源装置
６３５ マグネトロン
６５０ 第２蒸着源
６５１ 第２ターゲット
６５３ 直流パルス電源装置 (または交流電源装置)
６５５ マグネトロン
Claims (13)
- 印刷回路基板の裏面に放熱のための金属基板が形成された金属印刷回路基板における原板の製造方法であって、
金属基板を備えるステップと、
前記金属基板上に物理気相蒸着のためのスパッタリング方法により絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層上にスパッタリング方法により伝導性金属からなり、圧縮残留応力を有する第１薄膜を蒸着するステップと、
前記第１薄膜上にスパッタリング方法により伝導性金属からなり、引張残留応力を有する第２薄膜を蒸着するステップと、
前記第１薄膜及び第２薄膜を蒸着するステップを繰り返し、全体の残留応力が予め設定された範囲内で制御された厚膜の電気伝導層を蒸着するステップと、
を含むことを特徴とする金属印刷回路基板における原板の製造方法。 - 印刷回路基板の裏面に放熱のための金属基板が形成された金属印刷回路基板における原板の製造方法であって、
金属基板を備えるステップと、
前記金属基板上に物理気相蒸着のためのスパッタリング方法により絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層上にスパッタリング方法により伝導性金属からなり、引張残留応力を有する第２薄膜を蒸着するステップと、
前記第２薄膜上にスパッタリング方法により伝導性金属からなり、圧縮残留応力を有する第１薄膜を蒸着するステップと、
前記第２薄膜及び第１薄膜を蒸着するステップを繰り返し、全体の残留応力が予め設定された範囲内で制御された厚膜の電気伝導層を蒸着するステップと、
を含むことを特徴とする金属印刷回路基板における原板の製造方法。 - 前記絶縁層が、熱の伝達特性及び電気的な絶縁特性に優れた低誘電率の物質である酸化物、窒化物、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ：Ｄｉａｍｏｎｄ−Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）、または炭化物の中から選択された少なくとも１つの物質の単一膜または多層膜から形成され、前記基板及び電気伝導層と化学的に結合することを特徴とする請求項１または２に記載の金属印刷回路基板における原板の製造方法。
- 前記第１薄膜及び第２薄膜が、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、またはニッケルクロム（ＮｉＣｒ）の中から選択されたいずれか１つであるか、その合金であることを特徴とする請求項１または２に記載の金属印刷回路基板における原板の製造方法。
- 前記第１薄膜が、−１０ＧＰａないし−０．０００１ＧＰａの圧縮応力の範囲内で形成され、
前記第２薄膜が、０．０００１ＧＰａないし１０ＧＰａの引張応力の範囲内で形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の金属印刷回路基板における原板の製造方法。 - 前記第１薄膜を蒸着するステップは、前記第１薄膜が前記圧縮応力の範囲を有するよう、スパッタリングのためのプラズマを直流電源を用いて生成することを特徴とする請求項５に記載の金属印刷回路基板における原板の製造方法。
- 前記プラズマによりスパッタリングされた粒子のエネルギーが、５ｅＶ以下になるよう前記直流電源が制御されることを特徴とする請求項６に記載の金属印刷回路基板における原板の製造方法。
- 前記第２薄膜を蒸着するステップは、前記第２薄膜が前記引張応力の範囲を有するよう、スパッタリングのためのプラズマを直流パルス電源または交流電源を用いて生成することを特徴とする請求項５に記載の金属印刷回路基板における原板の製造方法。
- 前記プラズマによりスパッタリングされた粒子のエネルギーが、５ｅＶ以上、１００ｅＶ以下になるよう、前記直流パルス電源または交流電源が制御されることを特徴とする請求項８に記載の金属印刷回路基板における原板の製造方法。
- 金属基板と、
該金属基板上に物理気相蒸着された絶縁層と、
該絶縁層上に物理気相蒸着された電気伝導層と、を備え、
該電気伝導層が、
物理気相蒸着されて圧縮残留応力を有する伝導性金属の第１薄膜と、物理気相蒸着されて引張残留応力を有する伝導性金属の第２薄膜とが交番に繰り返して蒸着されたものであることを特徴とする金属印刷回路基板の原板。 - 前記絶縁層が、
熱の伝達特性及び電気的な絶縁特性に優れた低誘電率の物質である酸化物、窒化物、ダイヤモンドライクカーボン、または炭化物の中から選択された少なくとも１つの物質の単一膜または多層膜から形成され、前記基板及び電気伝導層と化学的に結合したものであることを特徴とする請求項１０に記載の金属印刷回路基板の原板。 - 前記第１薄膜及び第２薄膜が、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、またはニッケルクロム（ＮｉＣｒ）の中から選択されたいずれか１つであるか、その合金であることを特徴とする請求項１０に記載の金属印刷回路基板の原板。
- 前記第１薄膜が、−１０ＧＰａないし−０．０００１ＧＰａの圧縮応力の範囲内で形成され、
前記第２薄膜が、０．０００１ＧＰａないし１０ＧＰａの引張応力の範囲内で形成されることを特徴とする請求項１０に記載の金属印刷回路基板の原板。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080031279A KR100870971B1 (ko) | 2008-04-03 | 2008-04-03 | 고속/고밀도 마그네트론 스퍼터링 법을 이용한 금속인쇄회로기판의 원판 제조 방법 |
| KR1020080031268A KR100885664B1 (ko) | 2008-04-03 | 2008-04-03 | 고속/고밀도 마그네트론 스퍼터링 법을 이용한 후막제조방법 |
| KR10-2008-0031268 | 2008-04-03 | ||
| KR10-2008-0031279 | 2008-04-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009253274A JP2009253274A (ja) | 2009-10-29 |
| JP4813570B2 true JP4813570B2 (ja) | 2011-11-09 |
Family
ID=41313619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009000848A Expired - Fee Related JP4813570B2 (ja) | 2008-04-03 | 2009-01-06 | 金属印刷回路基板の原板及び原板の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4813570B2 (ja) |
| WO (1) | WO2009145462A2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015174622A1 (ko) * | 2014-05-16 | 2015-11-19 | 이영식 | 엘이디 조명장치용 광기능성 연성회로기판 |
| JP6508182B2 (ja) * | 2016-12-16 | 2019-05-08 | 株式会社豊田中央研究所 | 半導体モジュールとその製造方法 |
| CN110972411B (zh) * | 2019-10-22 | 2022-12-06 | 深圳丹邦科技股份有限公司 | 基于量子碳基膜的柔性线路板基材及其制备方法 |
| EP4447625A1 (en) * | 2022-04-21 | 2024-10-16 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Circuit board, light-emitting substrate, backlight module, display panel, and display device |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4557315B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2010-10-06 | 株式会社アルバック | シリコン半導体に於ける化合物バリア膜形成方法 |
| KR20000073343A (ko) * | 1999-05-10 | 2000-12-05 | 김영환 | 반도체 장치의 배선구조 |
| JP2005298833A (ja) * | 2002-10-22 | 2005-10-27 | Asahi Glass Co Ltd | 多層膜付き基板とその製造方法 |
| JP2007096032A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Toyota Industries Corp | 絶縁基板及び半導体装置並びに絶縁基板の製造方法 |
| JP2007103796A (ja) * | 2005-10-06 | 2007-04-19 | Toyota Industries Corp | 絶縁基板及び半導体装置並びに絶縁基板の製造方法 |
| JP2009212221A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | C Uyemura & Co Ltd | 回路基板の製造方法 |
-
2009
- 2009-01-06 JP JP2009000848A patent/JP4813570B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-04-01 WO PCT/KR2009/001674 patent/WO2009145462A2/ko active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2009145462A2 (ko) | 2009-12-03 |
| JP2009253274A (ja) | 2009-10-29 |
| WO2009145462A3 (ko) | 2010-01-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2011516729A (ja) | マグネトロンスパッタリングによる厚膜の製造方法 | |
| TWI558853B (zh) | 絕緣金屬基材 | |
| JP4813570B2 (ja) | 金属印刷回路基板の原板及び原板の製造方法 | |
| EP3061128A1 (en) | Thermal management circuit materials, method of manufacture thereof, and articles formed therefrom | |
| KR101096114B1 (ko) | 일체형 전력 반도체 모듈 기판의 제조방법 | |
| US20080173541A1 (en) | Target designs and related methods for reduced eddy currents, increased resistance and resistivity, and enhanced cooling | |
| CN106134302A (zh) | 具有绝缘过孔的金属基板 | |
| KR100951939B1 (ko) | 연성인쇄회로기판의 제조방법 | |
| CN108715992A (zh) | 一种集成电路陶瓷电路板表面铜-石墨烯复合涂层及其制备方法 | |
| KR100985849B1 (ko) | 세라믹 인쇄회로기판의 원판 및 그 제조방법 | |
| JP2006049893A (ja) | フレキシブル回路基板用積層構造体の製造方法 | |
| KR100870971B1 (ko) | 고속/고밀도 마그네트론 스퍼터링 법을 이용한 금속인쇄회로기판의 원판 제조 방법 | |
| JP2009253275A (ja) | セラミック印刷回路基板の原板及び原板の製造方法 | |
| KR100867756B1 (ko) | 고속/고밀도 마그네트론 스퍼터링 법을 이용한 세라믹인쇄회로기판의 원판 제조 방법 | |
| KR100926064B1 (ko) | 금속 인쇄회로기판의 원판 및 그 제조방법 | |
| KR101075147B1 (ko) | 금속 인쇄회로기판의 원판 및 그 제조방법 | |
| US8749342B2 (en) | Metal foil with electric resistance film and method of producing the same | |
| KR101062843B1 (ko) | 금속 인쇄회로기판의 원판 및 그 제조방법 | |
| US10535545B2 (en) | Substrate fixing device | |
| JP2010109044A (ja) | 配線基板及びこれを用いたプローブカード | |
| CN108842136A (zh) | 柔性覆铜板及其制造工艺 | |
| JP4752357B2 (ja) | 積層板の製造方法およびプリント配線基板の製造方法 | |
| EP1587348A1 (en) | Conductive base board | |
| TWI442847B (zh) | Method for manufacturing three - dimensional circuit of ceramic substrate | |
| JP2007095716A (ja) | 複合体およびそれを備えた半導体製造装置用サセプタ並びにパワーモジュール |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20091026 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20091027 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20091221 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20091222 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110726 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110824 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140902 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140902 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140902 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140902 Year of fee payment: 3 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140902 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140902 Year of fee payment: 3 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140902 Year of fee payment: 3 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140902 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |