JP4570570B2 - 薄板製造装置および薄板製造方法 - Google Patents
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Description
図1および図2を参照して、本発明の実施の形態1における薄板製造装置について説明する。図1は、本発明の実施の形態1における薄板製造装置の概略図である。図2は、本発明の実施の形態1における浸漬装置を省略した薄板製造装置であり、(A)は上面図であり、(B)は側面図である。実施の形態1における薄板製造装置100は、融液に下地板の表層部を浸漬し、下地板の表面に融液が凝固することにより形成される薄板を付着させる浸漬処理により薄板を製造する薄板製造装置である。
図4は、本発明の実施の形態2における浸漬装置を省略した薄板製造装置を示す概略図である。図4を参照して、本発明の実施の形態2における薄板製造装置を説明する。図4を参照して、本発明の実施の形態2における薄板製造装置の構成は、基本的には本発明の実施の形態1における薄板製造装置と同様の構成を備えるが、可動板の形状において、図1および図2に示した薄板製造装置100と異なる。
図5は、本発明の実施の形態3における浸漬装置を省略した薄板製造装置を示す概略図である。図5を参照して、本発明の実施の形態3における薄板製造装置を説明する。図5を参照して、本発明の実施の形態3における薄板製造装置の構成は、基本的には本発明の実施の形態1における薄板製造装置と同様であるが、可動板の温度を制御する制御手段をさらに備える点において、図1に示した薄板製造装置100と異なる。
Claims (8)
- 融液に下地板の表層部を浸漬し、前記下地板の表面に前記融液が凝固することにより形成される薄板を付着させる浸漬処理により薄板を製造する薄板製造装置であって、
前記融液を内部に保持し、一方端と、前記一方端と対向する他方端と、前記一方端と前記他方端とを接続する側壁とを有する坩堝と、
前記坩堝内の前記融液に前記下地板を浸漬する浸漬装置と、
前記融液の浮遊物を移動する可動板とを備え、
前記可動板は、前記坩堝の前記側壁の内周面に沿った形状であり、前記坩堝の前記一方端から前記他方端まで前記融液の液面に沿った方向に移動可能である、薄板製造装置。 - 前記可動板は、少なくとも前記坩堝に対向する側にスリットが形成されている、請求項1に記載の薄板製造装置。
- 前記可動板の温度を制御する制御手段をさらに備える、請求項1または2に記載の薄板製造装置。
- 前記浸漬装置と異なり、かつ前記可動板を移動させるための可動板支持部材をさらに備える、請求項1〜3のいずれかに記載の薄板製造装置。
- 融液に下地板の表層部を浸漬し、前記下地板の表面に前記融液が凝固することにより形成される薄板を付着させる浸漬処理により薄板を製造する方法であって、
前記融液中に浮遊物があるかを確認する確認工程と、
前記確認工程において浮遊物があると確認された場合に、前記融液を内部に保持する坩堝内で可動板を用いて前記浮遊物を除去する除去工程と、
前記融液に前記下地板を浸漬する浸漬工程とを備え、
前記除去工程は、前記坩堝の一方端において前記可動板の一部を前記融液に浸漬する工程と、前記坩堝の前記一方端から他方端へ前記可動板を前記融液に浸漬した状態で移動する工程とを含む、薄板製造方法。 - 前記坩堝内に前記融液の原料を追装する追装工程をさらに備え、
前記追装工程は、前記原料を追装する領域と前記下地板を浸漬させる領域とを区切る位置に、前記可動板を前記融液に浸漬する工程を含む、請求項5に記載の薄板製造方法。 - 前記可動板の温度を制御する制御工程をさらに備える、請求項5または6に記載の薄板製造方法。
- 前記移動する工程では、前記下地板を浸漬する浸漬装置と異なる可動板支持部材により前記可動板を移動する、請求項5〜7のいずれかに記載の薄板製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006005175A JP4570570B2 (ja) | 2006-01-12 | 2006-01-12 | 薄板製造装置および薄板製造方法 |
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JP2007186375A JP2007186375A (ja) | 2007-07-26 |
JP4570570B2 true JP4570570B2 (ja) | 2010-10-27 |
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JP (1) | JP4570570B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4800292B2 (ja) * | 2007-12-26 | 2011-10-26 | シャープ株式会社 | 融解装置 |
JP5020119B2 (ja) * | 2008-02-19 | 2012-09-05 | シャープ株式会社 | 析出板製造装置および析出板製造方法 |
CN102260903B (zh) * | 2011-07-11 | 2013-07-24 | 浙江碧晶科技有限公司 | 一种生长薄板硅晶体的方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5176076A (ja) * | 1974-12-26 | 1976-07-01 | Sanyo Electric Co | Ekisoepitakisharuseichohoho |
JPH03273617A (ja) * | 1990-03-23 | 1991-12-04 | Nec Corp | 結晶育成方法 |
JP2002141295A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Canon Inc | 液相成長方法及び液相成長装置 |
JP2005035814A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Sharp Corp | 薄板の製造方法および太陽電池 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5176076A (ja) * | 1974-12-26 | 1976-07-01 | Sanyo Electric Co | Ekisoepitakisharuseichohoho |
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JP2005035814A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Sharp Corp | 薄板の製造方法および太陽電池 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007186375A (ja) | 2007-07-26 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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