JP5019398B2 - 薄板の製造装置および製造方法 - Google Patents
薄板の製造装置および製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5019398B2 JP5019398B2 JP2009053583A JP2009053583A JP5019398B2 JP 5019398 B2 JP5019398 B2 JP 5019398B2 JP 2009053583 A JP2009053583 A JP 2009053583A JP 2009053583 A JP2009053583 A JP 2009053583A JP 5019398 B2 JP5019398 B2 JP 5019398B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base plate
- thin plate
- silicon melt
- raw material
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
Description
本発明の薄板の製造装置および製造方法は、主として、シリコン融液に下地板を浸漬させた後に該下地板をシリコン融液から脱出させて、シリコン融液の凝固により下地板上に薄板を形成する薄板の製造方法(シート形成法)において適用されるものである。
シート形成法の一例について基本的な手順を図1および図2を用いて以下に説明する。
また、シート形成法においては、薄板を形成させる下地板の初期温度はシリコン融点(1415℃)よりも低い温度範囲であること、適当な厚さのグラファイト材料を用いることによって下地板の熱容量を適切にすること、シリコン融液への下地板の浸漬時間を最適厚さの薄板が得られるよう制御すること、さらには、下地板の表面の微細凹凸形状によりシリコン溶液の固化を制御する等の基本的条件を設定することが好ましく、これらの条件を設定することにより、下地板の表面上に多結晶薄板を高速かつ安定に形成することができる。
次に第一の実施形態と浸漬工程において下地板の移動速度を調整する点では一致するが、その移動速度を制御するタイミングが異なるものを説明する。
本発明の製造装置は種々のシート形成法に適用することができ、バッチ処理、連続処理のいずれにも適用することができる。例えば、上記特許文献3(特開2006−176382号公報)および図1、2に記載される装置や、特許文献4(特開2004−250282号公報)に記載される装置のように、単独の下地板をシリコン融液に浸漬させる装置を用いたシート形成法に適用できる。また、上記特許文献5〜7(特開2001−247396号公報、特開2001−223172号公報、特開2002−289544号公報)に記載されるような、回転体上に設けた複数の下地板を順次シリコン融液に浸漬させる装置を用いたシート形成法に適用することもできる。
本実施形態は、特定の形状を有する下地板を用いることにより第二面を有する薄板を形成させ、形成後に第二面をレーザー等で切除して薄板を得るものである。
Claims (7)
- 原料融液に下地板を浸漬させた後に該下地板を原料融液から脱出させて、原料融液の凝固により該下地板上に薄板を形成する薄板の製造装置であって、
前記下地板の表面に形成された薄板が原料融液から脱出し終えるときの前記下地板の移動速度が、前記下地板が原料融液に没入し始めるときの下地板の移動速度に比べて大きくなるように、前記下地板の速度を制御する制御手段を備えた薄板の製造装置。 - 前記下地板の表面に形成された薄板が原料融液から脱出し終えるときの下地板の移動速度は、前記下地板が原料融液に没入し始めるときの下地板の移動速度の1.1から5倍であることを特徴とする請求項1に記載の製造装置。
- 前記下地板が少なくとも原料融液に没入し始めてから前記下地板の表面に形成された薄板が原料融液から脱出し終えるまでの間、該下地板が円弧状の軌道を移動することを特徴とする請求項1または2に記載の製造装置。
- 前記下地板が原料融液に没入し始めるときから前記下地板の表面に形成された薄板が原料融液から脱出し終えるときまでの間において、該下地板の加速度を800mm/S2か
ら2000mm/S2に制御することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の製造
装置。 - 前記下地板が原料融液に浸漬されており、前記下地板が水平となっている状態から、前記薄板が原料融液から脱出し終えるときの間において前記下地板を加速させることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の製造装置。
- 前記下地板が原料融液から脱出し終えるときの該下地板の移動速度を100mm/S以上に制御することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の製造装置。
- 原料融液に下地板を浸漬させた後に該下地板を原料融液から脱出させて、原料融液の凝固により下地板上に薄板を形成する薄板の製造方法であって、
前記下地板の表面に形成された薄板が原料融液から脱出し終えるときの下地板の移動速度が、前記下地板が原料融液に没入し始めるときの下地板の移動速度に比べて大きくなるように、前記下地坂の速度を制御することを特徴とする薄板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009053583A JP5019398B2 (ja) | 2009-03-06 | 2009-03-06 | 薄板の製造装置および製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009053583A JP5019398B2 (ja) | 2009-03-06 | 2009-03-06 | 薄板の製造装置および製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010208867A JP2010208867A (ja) | 2010-09-24 |
JP5019398B2 true JP5019398B2 (ja) | 2012-09-05 |
Family
ID=42969466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009053583A Expired - Fee Related JP5019398B2 (ja) | 2009-03-06 | 2009-03-06 | 薄板の製造装置および製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5019398B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111437790A (zh) * | 2020-04-15 | 2020-07-24 | 河南科技大学 | 一种实验室用差压式液相定时反应装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4132786B2 (ja) * | 2001-06-29 | 2008-08-13 | シャープ株式会社 | 薄板製造方法および太陽電池 |
-
2009
- 2009-03-06 JP JP2009053583A patent/JP5019398B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010208867A (ja) | 2010-09-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6030672B2 (ja) | 薄い半導体本体を溶融物質から作成するための方法及び装置 | |
JP4569957B2 (ja) | 多結晶半導体製造用ルツボ及び多結晶半導体製造方法 | |
US6521827B2 (en) | Sheet manufacturing method, sheet, sheet manufacturing apparatus, and solar cell | |
JP5633732B2 (ja) | サファイア単結晶の製造方法およびサファイア単結晶の製造装置 | |
JPH06342923A (ja) | 太陽電池用柱状粒子を有する多結晶シートとその製造方法 | |
JPH0347572B2 (ja) | ||
JP6312276B2 (ja) | 上側熱遮蔽体を含むインゴット成長装置 | |
EP2343139A1 (en) | Apparatus and method for continuous casting of monocrystalline silicon ribbon | |
JP2009091233A (ja) | シリコンインゴット成長方法 | |
JP4060106B2 (ja) | 一方向凝固シリコンインゴット及びこの製造方法並びにシリコン板及び太陽電池用基板及びスパッタリング用ターゲット素材 | |
US20100148403A1 (en) | Systems and Methods For Manufacturing Cast Silicon | |
JP5019398B2 (ja) | 薄板の製造装置および製造方法 | |
JP4011335B2 (ja) | 固相シートの製造方法 | |
JP4451556B2 (ja) | シリコンリボン製造装置及びそれによるシリコンリボンを用いた太陽電池 | |
JP6719718B2 (ja) | Siインゴット結晶の製造方法及びその製造装置 | |
CN101403137A (zh) | 制造超低缺陷半导体单晶锭的方法及设备 | |
JP2010208868A (ja) | 薄板製造装置、薄板製造方法、薄板および太陽電池 | |
JP3935747B2 (ja) | シリコンインゴットの製造方法 | |
JP5196438B2 (ja) | 原料融液供給装置、多結晶体または単結晶体の製造装置および製造方法 | |
JP2010248003A (ja) | SiC単結晶の製造方法 | |
JP2004284892A (ja) | 多結晶シリコンの製造方法 | |
JP2013032254A (ja) | 単結晶炭化珪素基板の製造方法 | |
JP2000001308A (ja) | 多結晶シリコン鋳塊の製造方法及びその製造装置 | |
JP4413055B2 (ja) | シリコン単結晶製造方法 | |
JP2006179805A (ja) | 結晶シートの製造装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110223 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120418 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120515 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120606 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150622 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |