JP4567026B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
[作用]
本発明の発明者は本発明の基礎となる研究において、導電性窒化膜が有効な水素バリアとして機能することを見出した。そこで本発明は、上記の発見に鑑み、強誘電体キャパシタの上下電極を露出するコンタクトホールに、コンタクトホール形成に伴う酸化雰囲気中での熱処理の後、導電性窒化膜を形成することを提案する。本発明によれば、このようにコンタクトホールに導電性窒化膜を形成しておくことにより、以後の水素雰囲気を使うCVD工程などの処理の際に、水素雰囲気が前記コンタクトホールを解して強誘電体キャパシタに作用し、その電気特性を劣化させる問題を回避できる。このため、前記コンタクトホールあるいは拡散領域を露出するコンタクトホールを充填する低抵抗金属プラグを、ステップカバレッジの優れたCVD法により形成することが可能になり、半導体装置を、特性の劣化を招くことなく微細化することが可能になる。
図2は、本発明の第1実施例によるFeRAM20の構成を示す。
本実施例では同様に、前記コンタクトホール30C〜30Gのそれぞれの内壁面上にTiN密着層31C〜31Gが形成されており、前記TiN密着層31C〜31Gの各々の上には、それぞれのコンタクトホールを充填するように、Wプラグ32C〜32Gが形成されている。
Ti+IrOx→TiOx+Ir
の反応が起こり、形成されたTiOx膜がコンタクト抵抗を増大させているものと考えられる。これに対し、TiN膜のみを密着膜に使った場合には、このような反応は起こらず、従ってコンタクト抵抗の増大も生じない。
[第2実施例]
次に図2のFeRAMの製造工程を、本発明の第2実施例として、図3(A)〜図6(I)を参照しながら説明する。図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
[第3実施例]
図7(A)〜(C)は、本発明の第3実施例によるFeRAMの製造方法を示す。ただし、図中、対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
[第4実施例]
図8(A)〜図11(I)は、本発明の第4実施例によるFeRAMの製造方法を示す。ただし図中、先に説明した部分と同一の部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、前記半導体基板中に形成された拡散領域を含むトランジスタと、
前記半導体基板上に形成され、下部電極と強誘電体膜と上部電極とを順次積層した構造のキャパシタと、
前記半導体基板上に前記キャパシタを覆うように形成された絶縁膜と、
絶縁膜に、前記キャパシタの上部電極を露出するように形成された第1のコンタクトホールと、
絶縁膜に、前記拡散領域を露出するように形成された第2のコンタクトホールと、
前記第1のコンタクトホール中に形成された第1の導電プラグと、
前記第2のコンタクトホール中に形成された第2の導電プラグとよりなり、
前記第1の導電プラグと前記上部電極との間には導電性窒化膜が、前記第1のコンタクトホール内壁および前記上部電極表面に接するように形成されていることを特徴とする半導体装置。
(付記2)
前記第2のコンタクトホールには、前記第2の導電プラグと前記拡散領域との間に、前記第2のコンタクトホール内壁および前記拡散領域に接するように、別の導電性窒化膜が形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
(付記3)
前記導電性窒化膜および前記別の導電性窒化膜は、実質的に同一の組成を有することを特徴とする付記2記載の半導体装置。
(付記4)
前記第2のコンタクトホールには、前記第2の導電プラグと前記拡散領域との間に、前記第2のコンタクトホール内壁および前記拡散領域に接するように金属膜が形成されており、前記金属膜上には別の導電性窒化膜が形成されていることを特徴とする付記1記載の半導体装置。
(付記5)
さらに、前記第1のコンタクトホール中には、前記導電性窒化膜と前記第1の導電プラグとの間に、前記金属膜と同一組成の金属膜と、前記別の導電性窒化膜と同一組成の導電性窒化膜とを積層した構造が介在することを特徴とする付記4記載の半導体装置。
(付記6)
さらに前記第2の絶縁膜上には導電パターンが形成されており、前記導電パターンと前記第2の絶縁膜との間には、前記導電性窒化膜と実質的に同じ組成の導電性窒化膜が介在することを特徴とする付記1〜6のうち、いずれか一項記載の半導体装置。
(付記7)
前記第1および第2の導電プラグは、Wを含むことを特徴とする付記1〜6のうち、いずれか一項記載の半導体装置。
(付記8)
前記導電性窒化膜および前記別の導電性窒化膜は、窒化チタン膜よりなることを特徴とする付記1〜7のうち、いずれか一項記載の半導体装置。
(付記9)
前記上部電極は、導電性酸化物よりなることを特徴とする付記1〜8のうち、いずれか一項記載の半導体装置。
(付記10)
さらに前記絶縁膜中に前記下部電極を露出するように形成された第3のコンタクトホールと、前記第3のコンタクトホール中に形成された第3の導電プラグとを含み、前記第3のコンタクトホール中には、前記下部電極と前記第3の導電プラグとの間に、前記第3のコンタクトホール内壁および前記下部電極に接するように、前記導電性窒化膜と同一組成の導電性窒化膜が設けられたことを特徴とする付記1記載の半導体装置。
(付記11)
半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、前記半導体基板中に形成された拡散領域を含むトランジスタと、前記半導体基板上に形成され、下部電極と強誘電体膜と上部電極とを順次積層した構造の強誘電体キャパシタとを有する半導体装置の製造方法であって、
(a)前記半導体基板上に、前記強誘電体キャパシタを覆うように絶縁膜を形成する工程と、
(b)前記絶縁膜中に、前記上部電極および前記下部電極を露出するように、第1および第2のコンタクトホールをそれぞれ形成する工程と、
(c)前記強誘電体キャパシタを酸化雰囲気中において熱処理する工程と、
(d)前記絶縁膜中に、前記拡散領域を露出するように第3のコンタクトホールを形成する工程と、
(e)前記絶縁膜上に、前記第1〜第3のコンタクトホールを含むように、第1の導電性窒化膜を形成する工程と、
(f)前記第1の導電性窒化膜上に導電層を、前記導電層が前記第1〜第3のコンタクトホールを充填するように形成する工程とを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記12)
前記第1の導電性窒化膜は、前記第1のコンタクトホールにおいて、前記露出された上部電極と直接にコンタクトするように、また前記第2のコンタクトホールにおいて、前記露出された下部電極と直接にコンタクトするように、また前記第3のコンタクトホールにおいて、前記拡散領域と直接にコンタクトするように形成されることを特徴とする付記11記載の半導体装置の製造方法。
(付記13)
前記工程(c)と工程(d)との間に、
(c1)前記絶縁膜上に、前記第1および第2のコンタクトホールを含むように第2の導電性窒化膜を、前記第2の導電性窒化膜が、前記第1のコンタクトホールにおいて、前記露出された上部電極と直接にコンタクトするように、また前記第2のコンタクトホールにおいて、前記露出された下部電極と直接にコンタクトするように堆積する工程と、
(c2)前記第2の導電性窒化膜を、前記第1および第2のコンタクトホールを含む領域を除いて、除去する工程とを設けたことを特徴とする付記12記載の半導体装置の製造方法。
(付記14)
前記絶縁膜上に、前記第1〜第3のコンタクトホールを含むように、金属膜と別の導電性窒化膜とを順次堆積する工程をさらに含むことを特徴とする付記12または13記載の半導体装置の製造方法。
(付記15)
さらに前記導電層および導電性窒化膜を、前記絶縁膜の表面から除去する工程とを含むことを特徴とする付記11〜14記載の半導体装置の製造方法。
(付記16)
前記導電層および導電性窒化膜を除去する工程は、化学機械研磨法により実行されることを特徴とする付記15記載の半導体装置の製造方法。
(付記17)
前記導電層および導電性窒化膜を除去する工程は、ドライエッチングによることを特徴とする付記15記載の半導体装置の製造方法。
(付記18)
前記導電性窒化膜の除去工程は、前記導電性窒化膜上に形成された導体パターンを自己整合マスクとしてドライエッチングにより実行されることを特徴とする付記17記載の半導体装置の製造方法。
(付記19)
前記導電層を堆積する工程は、CVD法により行われることを特徴とする付記11〜18のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
(付記20)
前記導電性窒化膜を堆積する工程は、スパッタリング法により行われることを特徴とする請求項11〜19のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
21A,21B ウェル
21a〜21d 拡散領域
22 素子分離膜
23A,23B ゲート絶縁膜
24A,24B ゲート電極
25 SiON膜
26,30,34 層間絶縁膜
27 下部電極
28 強誘電体キャパシタ絶縁膜
29 上部電極
30A〜30G コンタクトホール
31 TiN膜
31A〜31G TiNパターン
32 W層
32A〜32G Wプラグ
33A〜33F,38A,38B,41A〜41E 配線パターン
33a Al2O3保護膜
35,40 保護膜
31C'〜31F',36A,36B Ti/TiN密着層
330,330A エンキャップ層
Claims (5)
- 半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、前記半導体基板中に形成された拡散領域を含むトランジスタと、前記半導体基板上に形成され、下部電極と強誘電体膜と上部電極とを順次積層した構造の強誘電体キャパシタとを有する半導体装置の製造方法であって、
(a)前記半導体基板上に、前記強誘電体キャパシタを覆うように絶縁膜を形成し、次いでN2プラズマ又はN2Oプラズマを用いて該絶縁膜を脱水する工程と、
(b)前記絶縁膜中に、前記上部電極および前記下部電極を露出するように、第1および第2のコンタクトホールをそれぞれ形成する工程と、
(c)前記強誘電体キャパシタを酸化雰囲気中において熱処理する工程と、
(d)前記絶縁膜中に、前記拡散領域を露出するように第3のコンタクトホールを形成する工程と、
(e)前記絶縁膜上に、前記第1〜第3のコンタクトホールを含むように、第1の導電性窒化膜を形成する工程と、
(f)前記第1の導電性窒化膜上に導電層を、前記導電層が前記第1〜第3のコンタクトホールを充填するようにCVD法により形成する工程とを有し、
前記工程(c)と工程(d)との間に、
(c1)前記絶縁膜上に、前記第1および第2のコンタクトホールを含むように、第2の導電性窒化膜を、前記第1のコンタクトホールにおいて、前記露出された上部電極と直接にコンタクトするように、また前記第2のコンタクトホールにおいて、前記露出された下部電極と直接にコンタクトするように堆積する工程と、
(c2)前記第2の導電性窒化膜を、前記第1および第2のコンタクトホールを含む領域を除いて除去する工程とをさらに設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の導電性窒化膜は、前記第1のコンタクトホールにおいて、前記露出された上部電極と前記第2の導電性窒化膜を介してコンタクトするように、また前記第2のコンタクトホールにおいて、前記露出された下部電極と前記第2の導電性窒化膜を介してコンタクトするように、また前記第3のコンタクトホールにおいて、前記拡散領域と直接にコンタクトするように形成されることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(e)では、前記絶縁膜上に、前記第1〜第3のコンタクトホールを含むように、前記第1の導電性窒化膜の下に金属膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- さらに前記導電層および前記第1の導電性窒化膜を前記絶縁膜の表面からCMP法による平坦化処理により除去する工程とを含むことを特徴とする請求項1〜3のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記CMP法による平坦化処理後、前記絶縁膜に対して、N2プラズマを用いた処理を行うことを特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造方法。
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