JP4561122B2 - 有機薄膜発光トランジスタの製造方法 - Google Patents
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Description
図10は、静電誘導型TFT構造の有機半導体層と発光層とを異なる化合物で構成した従来の有機薄膜発光トランジスタの構成を示す断面図である。この従来の有機薄膜発光トランジスタは、図9に示される縦型有機TFTの第2の有機半導体層5−2と第2の電極3との間に有機材料からなる発光層9を配したものである。
(1)第1の電極となる第1の導電体層上に第1の絶縁体層、第3の導電体層および第2の絶縁体層を順次堆積する工程と、
(2)前記第2の絶縁体層、第3の導電体層および第1の絶縁体層をパターニングして前記第1、第2の絶縁体層に挟まれた第3の電極を形成する工程と、
(3)前記第3の電極側面を被覆する第3の絶縁体層を形成する工程と、
(4)前記第1の電極上および前記第2の絶縁体層上を覆う有機半導体層を堆積する工程と、
を有することを特徴とする有機薄膜発光トランジスタの製造方法、が提供される。
また、本発明によれば、有機薄膜層を形成する前にゲート電極を形成することができるため、光透過性を有する導電体および絶縁体層の形成プロセスの選択自由度は大きく上昇し、ゲート電極、ゲート絶縁膜および有機薄膜層を高品質に形成することが可能となり、高効率、高性能な有機薄膜発光トランジスタが得られる。またこうしてゲート電極およびゲート絶縁膜を有機薄膜層成膜前に形成しておくことで、有機薄膜層を1回の成膜プロセスによって形成することができ、これにより有機薄膜層が複雑な工程で形成されることによる素子性能の不安定化を防止でき、安定性の高い素子を得ることができる。また、第1の絶縁体層や第2の絶縁体層を第3の電極と同一パターンに形成することにより、絶縁体層の形成面積を最小限に留めることが可能になり、有効なソース電極面積が減少させることがなくなり、高輝度の有機薄膜発光トランジスタを提供することができる。
図1は、本発明の製造方法により製造された有機薄膜発光トランジスタの第1の構造を示す断面図である。図1に示されるように、基板1上には第1の電極2が形成され、その上には、第1の絶縁物層6、第3の電極4および第2の絶縁物層7からなる積層体が形成されており、この積層体の側面には第3の絶縁物層8が形成されている。この積層体を覆うように有機半導体層5が形成されており、有機半導体層5の上には、有機材料からなる発光層9と第2の電極3とが形成されている。
この第4の構造から電子輸送層10と正孔ブロッキング層12を省略することができる。
また、電子輸送層10に代えて電子注入層を用いてもよい。あるいは、電子輸送層10に加えて電子注入層を形成してもよい。あるいは、電子注入と電子輸送の両方の機能を備えた電子輸送・注入層を用いてもよい。
また、正孔輸送層11に代えて正孔注入層を用いてもよい。あるいは、正孔輸送層11に加えて正孔注入層を形成してもよい。あるいは、正孔注入と正孔輸送の両方の機能を備えた正孔輸送・注入層を用いてもよい。
また、正孔ブロッキング層12に代えて、再結合により形成される励起子を発光層中に閉じ込めるための励起子ブロッキング層を用いてもよい。あるいは、正孔ブロッキング層11に加えて励起子ブロッキング層を形成してもよい。あるいは、正孔ブロッキングと励起子ブロッキングの両方の機能を備えた正孔・励起子ブロッキング層を用いてもよい。
本発明の第1、第2の電極に用いられる材料としては、酸化インジウム錫(ITO)、酸化錫(NESA)、金、銀、白金、銅、インジウム、アルミニウム、マグネシウム、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−スカンジウム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金等の金属や合金の他、導電性ポリマーなどの有機材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また本発明の第3の電極に用いられる光透過性を有する導電体としては前述のITOおよびNESAの他、酸化インジウム亜鉛(IZO)などが挙げられるが、透過率70%以上の十分な光透過性と十分な導電性を有していればこれに限定されるものではない。また、本発明の第1〜3の絶縁体層に用いられる材料としては、SiO2、SiNx、アルミナ等の無機絶縁体や絶縁性ポリマー等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
各一般式ついてR1〜R80はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオキシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基を表す。またR1〜R80は、それらのうちの隣り合う2つで環を形成していてもよい。
nは1〜3の整数であり、mは0〜2で表される整数である。lは0または1の値を取る数である。また、sは1〜2の整数である。tは0〜3の値を取る整数である。Mは(n+m)価あるいは(s+1)価の金属イオンを表す。
Xは炭素数6から34の置換もしくは無置換の芳香族炭化水素からなる1〜4価の基である。炭素数6から34の無置換の芳香族炭化水素基の例としてはベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ビフェニレン、フルオレン、フェナンスレン、ナフタセン、トリフェニレン、ピレン、ジベンゾ[cd,jk]ピレン、ペリレン、ベンゾ[a]ペリレン、ジベンゾ[a,j]ペリレン、ジベンゾ[a,o]ペリレン、ペンタセン、テトラベンゾ[de,hi,op,st]ペンタセン、テトラフェニレン、テリレン、ビスアンスレン、9,9’−スピロビフルオレンが挙げられる。これらの芳香族炭化水素が有する置換基としてはハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオキシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基が挙げられる。
前記ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。前記の置換若しくは無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシイソブチル基、1,2−ジヒドロキシエチル基、1,3−ジヒドロキシイソプロピル基、2,3−ジヒドロキシ−t−ブチル基、1,2,3−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、2−ブロモエチル基、2,3−ジヨードt−ブチル基等が挙げられる。前記の置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基の例としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−イル基、m−ターフェニル−イル基、トリル基、p−t−ブチルフェニル基、4''−t−ブチル−p−ターフェニル−4−イル基等が挙げられる。また、前記の置換若しくは無置換の芳香族複素環基としてはピロリル基、ピラジニル基、インドリル基、イソインドリル基、フリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリニル基、カルバゾリル基、フェナンスリジニル基、アクリジニル基、フェナンスロリン−2−イル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、オキサゾリル基、フラザニル基、チエニル基、2−メチルピロール−1−イル基、4−t−ブチル1−インドリル基、等が挙げられる。前記の置換若しくは無置換のアミノ基は−NX1X2と表され、 X1、 X2の例としてはそれぞれ独立に、水素原子あるいは前述の置換若しくは無置換のアルキル基、前述の置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基が挙げられる。
本発明の有機半導体層に用いられる化合物の具体例を下記[化8]〜[化62]に挙げるが特にこれに限定されるものではない。
本発明の有機薄膜発光トランジスタの各電極および絶縁体層の形成方法は特に限定されない。従来公知の真空蒸着法、スピンコーティング法、スパッタリング法、CVD法の他、塗布法や塗布焼結法等、一般的な薄膜形成法を用いることが可能である。本発明の有機TFTに用いる、有機化合物を含有する有機薄膜層は、溶媒に溶かした溶液のディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法、インクジェット法等の湿式法の他、真空蒸着法、分子線蒸着法(MBE法)等の方法で形成することができる。このうち第3の絶縁体層については、絶縁層を形成する材料が溶解或いは分散した溶液に第3の電極の露出部を浸した状態で電圧を印加し、電極上に選択的に析出させる電気泳動法を用いた場合、第1の電極の有効面積を減らすことなく光透過性の導電体からなる第3の電極表面に絶縁体層を形成することができる。この場合、第3の絶縁体層に用いられる材料としては十分な絶縁性と電気泳動性を有するものであればどのようなものでも用いることができる。例としては、天然油脂系、合成油脂系、アルキッド樹脂系、ポリエステル樹脂系、アクリル樹脂系、エポキシ樹脂系等の種々の有機高分子材料が挙げられる。
本発明で用いられるパターニング法としては、メタルマスクなどを用いる他、フォトリソグラフィ法を用いて作製したレジストマスクなども使用することができるが、所定の形状のパターニングができる手法であれば、特に限定されない。
本発明の有機薄膜発光トランジスタの有機層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎるとチャネル長が長くなることや、高い印加電圧が必要となり有機薄膜発光トランジスタの性能劣化の要因となる。通常は数10nmから1μmの範囲が好ましい。
以下、本発明の実施例を詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定されない。
2 第1の電極
3 第2の電極
4 第3の電極
4a 電極材料層
5 有機半導体層
5−1 第1の有機半導体層
5−2 第2の有機半導体層
6 第1の絶縁物層
7 第2の絶縁物層
8 第3の絶縁物層
9 発光層
10 電子輸送層
11 正孔輸送層
12 正孔ブロッキング層
13 ゲート絶縁膜
Claims (6)
- 互いに離れた第1の電極および第2の電極と、これらに接し挟持される少なくとも発光層および有機半導体層を含む有機薄膜層と、第1および第2の電極の両方から離れて前記有機半導体層中に存在する光透過性を有する導電体からなる第3の電極を有し、第3の電極に印加される電圧により第1、第2の電極間に流れる電流を制御する静電誘導型トランジスタ構造を備え、前記第3の電極と前記有機半導体層とが、前記第3の電極の底面下に形成された第1の絶縁体層、前記第3の電極の上表面上に形成された第2の絶縁体層、および、前記第3の電極の側面を被覆する第3の絶縁体層により分離されると共に、第1の電極と第3の電極との間が第3の電極と同一パターンに形成された第1の絶縁体層により満たされている有機薄膜発光トランジスタの製造方法であって、
(1)第1の電極となる第1の導電体層上に第1の絶縁体層、第3の導電体層および第2の絶縁体層を順次堆積する工程と、
(2)前記第2の絶縁体層、第3の導電体層および第1の絶縁体層をパターニングして前記第1、第2の絶縁体層に挟まれた第3の電極を形成する工程と、
(3)前記第3の電極側面を被覆する第3の絶縁体層を形成する工程と、
(4)前記第1の電極上および前記第2の絶縁体層上を覆う有機半導体層を堆積する工程と、
を有することを特徴とする有機薄膜発光トランジスタの製造方法。 - 前記第(3)の工程が、第3の絶縁体層の堆積工程と、該第3の絶縁体層に対する異方性エッチングを行う工程とを含むことを特徴とする請求項1に記載の有機薄膜発光トランジスタの製造方法。
- 前記第(3)の工程が、基板上に直立するパターンの影となる部分に薄膜の形成の行われない斜方蒸着または斜方スパッタリングを行う工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機薄膜発光トランジスタの製造方法。
- 前記斜方蒸着または斜方スパッタリングを行う工程の前にリフトオフ用の犠牲膜の形成工程が付加され、前記斜方蒸着または斜方スパッタリングを行う工程の後に前記犠牲膜を除去する工程が付加されることを特徴とする請求項3に記載の有機薄膜発光トランジスタの製造方法。
- 前記第(3)の工程においては、電気泳動法により前記第3の電極の露出表面に選択的に第3の絶縁体層が形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機薄膜発光トランジスタの製造方法。
- 前記第1の電極と第2の電極との間に挟まれる前記有機薄膜層に含まれる全ての有機化合物膜が順次形成されることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の有機薄膜発光トランジスタの製造方法。
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JP2001189466A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Toshiba Corp | スイッチング素子の製造方法、スイッチング素子及びスイッチング素子アレイ |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001189466A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Toshiba Corp | スイッチング素子の製造方法、スイッチング素子及びスイッチング素子アレイ |
JP2003324203A (ja) * | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Sharp Corp | 静電誘導型トランジスタ |
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