JP4555026B2 - 光電変換モジュール、積層基板接合体 - Google Patents
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Description
(1)第1積層基板51の作製
(2)第2積層基板61の作製
(4)半導体集積回路素子18の搭載
集積回路素子搭載部63を有する第2積層基板主面を上向きにして第2積層基板61をチップマウンタにセットし、集積回路素子搭載部63上に半導体集積回路素子18を接着剤で接着して搭載する。次に、第2積層基板主面を上向きにして第2積層基板61をボンディング装置にセットし、ワイヤボンディングを実施する。その結果、第2積層基板61に搭載された半導体集積回路素子18が第2積層基板61側の導体と電気的に接続される。本工程においては、第2積層基板61の第2積層基板主面を上向きにできるので、接着やワイヤボンディングを比較的簡単に行うことができる(図6参照)。
(5)第1積層基板51と第2積層基板61との接合
(6)ガイドピン31の接合、プリント配線基板11上への実装など
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
18…半導体集積回路素子
21…他部品としてのMTコネクタ
31…光結合部材としてのガイドピン
40…積層基板接合体
41,141,241,341…光電変換モジュール
44…断熱層としての異方導電性材料層
51…第1積層基板
52,62…絶縁層としてのセラミック絶縁層
53…光素子搭載部
61…第2積層基板
92…精密加工穴
142…半導体集積回路素子用キャビティ
143…光素子用キャビティ
242…断熱層としての接着剤層
342…断熱層としてのアンダーフィル
Claims (11)
- 複数の絶縁層を積層してなり、光素子が搭載可能な光素子搭載部を有する第1積層基板と、複数の絶縁層を積層してなる第2積層基板とを備え、前記第1積層基板及び前記第2積層基板が、前記絶縁層を構成する材料よりも熱伝導性の低い材料からなる断熱層を介して、前記絶縁層の積層方向を直交させた状態で接合され、かつ前記断熱層内の導通経路を経て電気的に接続されるとともに、前記第1積層基板の内部には、前記第1積層基板上に搭載されるべき前記光素子が発生する熱を前記第1積層基板裏面に設けた第1バンプ用パッドに伝達するための第1積層基板側放熱経路が形成され、前記第2積層基板の内部には、前記第2積層基板上に搭載されるべき素子が発生する熱を前記第2積層基板裏面に設けた第2バンプ用パッドに伝達するための第2積層基板側放熱経路が、前記第1積層基板側放熱経路とは別個に形成されている積層基板接合体と、
前記第1積層基板に搭載された光素子と、
前記第1積層基板に設けられ、前記光素子と前記光素子に光結合されるべき他部品との光軸合わせの際の位置基準となる光結合部材と
を備えることを特徴とする光電変換モジュール。 - 前記断熱層は、有機樹脂フィルム中に導電性物質を含ませた異方導電性材料層であり、前記断熱層内の導通経路は、前記第1積層基板及び前記第2積層基板にて互いに対向配置された側面接続パッドと、それら側面接続パッド間に位置する前記導電性物質とにより構成されることを特徴とする請求項1に記載の光電変換モジュール。
- 前記断熱層は、有機樹脂材料を主体とするアンダーフィルであり、前記断熱層内の導通経路は、前記第1積層基板及び前記第2積層基板にそれぞれ設けられた側面接続パッドと、それら側面接続パッド間に位置するはんだバンプとにより構成されることを特徴とする請求項1に記載の光電変換モジュール。
- 前記第2積層基板には、光素子駆動用の半導体集積回路素子及び光信号増幅用の半導体集積回路素子のうちの少なくともいずれかが搭載されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光電変換モジュール。
- 前記光素子は前記第1積層基板に設けられた光素子用キャビティ内に収容され、前記半導体集積回路素子は前記第2積層基板に設けられた半導体集積回路素子用キャビティ内に収容されていることを特徴とする請求項4に記載の光電変換モジュール。
- 光素子を備える光電変換モジュールに用いられる積層基板接合体であって、
複数の絶縁層を積層してなり、前記光素子が搭載可能な光素子搭載部を有する第1積層基板と、
複数の絶縁層を積層してなる第2積層基板と
を備え、前記第1積層基板及び前記第2積層基板が、前記絶縁層を構成する材料よりも熱伝導性の低い材料からなる断熱層を介して、前記絶縁層の積層方向を直交させた状態で接合され、かつ前記断熱層内の導通経路を経て電気的に接続されるとともに、
前記第1積層基板の内部には、前記第1積層基板上に搭載されるべき前記光素子が発生する熱を前記第1積層基板裏面に設けた第1バンプ用パッドに伝達するための第1積層基板側放熱経路が形成され、
前記第2積層基板の内部には、前記第2積層基板上に搭載されるべき素子が発生する熱を前記第2積層基板裏面に設けた第2バンプ用パッドに伝達するための第2積層基板側放熱経路が、前記第1積層基板側放熱経路とは別個に形成されている
ことを特徴とする積層基板接合体。 - 前記断熱層は、有機樹脂フィルム中に導電性物質を含ませた異方導電性材料層であり、前記断熱層内の導通経路は、前記第1積層基板及び前記第2積層基板にて互いに対向配置された側面接続パッドと、それら側面接続パッド間に位置する前記導電性物質とにより構成されることを特徴とする請求項6に記載の積層基板接合体。
- 前記断熱層は、有機樹脂材料を主体とするアンダーフィルであり、前記断熱層内の導通経路は、前記第1積層基板及び前記第2積層基板にそれぞれ設けられた側面接続パッドと、それら側面接続パッド間に位置するはんだバンプとにより構成されることを特徴とする請求項6に記載の積層基板接合体。
- 光素子及びガイドピンを備える光電変換モジュールに用いられる積層基板接合体であって、
複数のセラミック絶縁層を積層してなり、前記光素子が搭載可能な光素子搭載部及び前記ガイドピンが嵌合可能な精密加工穴を有する第1積層基板と、
複数のセラミック絶縁層を積層してなる第2積層基板と
を備え、前記第1積層基板及び前記第2積層基板が、前記セラミック絶縁層を構成する材料よりも熱伝導性の低い材料からなる断熱層を介して、前記セラミック絶縁層の積層方向を直交させた状態で接合され、かつ前記断熱層内の導通経路を経て電気的に接続されるとともに、
前記第1積層基板の内部には、前記第1積層基板上に搭載されるべき前記光素子が発生する熱を前記第1積層基板裏面に設けた第1バンプ用パッドに伝達するための第1積層基板側放熱経路が形成され、
前記第2積層基板の内部には、前記第2積層基板上に搭載されるべき素子が発生する熱を前記第2積層基板裏面に設けた第2バンプ用パッドに伝達するための第2積層基板側放熱経路が、前記第1積層基板側放熱経路とは別個に形成されている
ことを特徴とする積層基板接合体。 - 前記断熱層は、有機樹脂フィルム中に導電性物質を含ませた異方導電性材料層であり、前記断熱層内の導通経路は、前記第1積層基板及び前記第2積層基板にて互いに対向配置された側面接続パッドと、それら側面接続パッド間に位置する前記導電性物質とにより構成されることを特徴とする請求項9に記載の積層基板接合体。
- 前記断熱層は、有機樹脂材料を主体とするアンダーフィルであり、前記断熱層内の導通経路は、前記第1積層基板及び前記第2積層基板にそれぞれ設けられた側面接続パッドと、それら側面接続パッド間に位置するはんだバンプとにより構成されることを特徴とする請求項9に記載の積層基板接合体。
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01164053A (ja) * | 1987-12-21 | 1989-06-28 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の冷却方法及びその冷却方法を実施する冷却装置 |
JPH08222671A (ja) * | 1994-12-14 | 1996-08-30 | Toshiba Corp | 回路モジュールの冷却装置 |
JPH10268148A (ja) * | 1997-03-21 | 1998-10-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 多電極アレイ装置 |
JP2001004880A (ja) * | 1999-06-24 | 2001-01-12 | Nec Corp | 光モジュール用セラミック基板の製造方法、光モジュール用セラミック基板、および光モジュール |
JP2002359472A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-13 | Kyocera Corp | 光電子実装回路基板及び実装基板 |
JP2003107283A (ja) * | 2001-05-30 | 2003-04-09 | Ngk Insulators Ltd | マイクロホールアレイ、光ファイバアレイ、レンズアレイ、光ファイバアレイ基板、レンズアレイ基板、コネクタ、及びマイクロホールアレイの製造方法 |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01164053A (ja) * | 1987-12-21 | 1989-06-28 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の冷却方法及びその冷却方法を実施する冷却装置 |
JPH08222671A (ja) * | 1994-12-14 | 1996-08-30 | Toshiba Corp | 回路モジュールの冷却装置 |
JPH10268148A (ja) * | 1997-03-21 | 1998-10-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 多電極アレイ装置 |
JP2001004880A (ja) * | 1999-06-24 | 2001-01-12 | Nec Corp | 光モジュール用セラミック基板の製造方法、光モジュール用セラミック基板、および光モジュール |
JP2002359472A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-13 | Kyocera Corp | 光電子実装回路基板及び実装基板 |
JP2003107283A (ja) * | 2001-05-30 | 2003-04-09 | Ngk Insulators Ltd | マイクロホールアレイ、光ファイバアレイ、レンズアレイ、光ファイバアレイ基板、レンズアレイ基板、コネクタ、及びマイクロホールアレイの製造方法 |
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