JP5162331B2 - 光通信モジュールおよび光通信装置 - Google Patents

光通信モジュールおよび光通信装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5162331B2
JP5162331B2 JP2008134636A JP2008134636A JP5162331B2 JP 5162331 B2 JP5162331 B2 JP 5162331B2 JP 2008134636 A JP2008134636 A JP 2008134636A JP 2008134636 A JP2008134636 A JP 2008134636A JP 5162331 B2 JP5162331 B2 JP 5162331B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
communication module
optical communication
optical
conductive member
anisotropic conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008134636A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009283712A (ja
Inventor
勝 木島
雅夫 舟田
純二 岡田
岳洋 新津
勉 浜田
忍 小関
星児 鈴木
久佳 森
彰男 上杉
吉則 堀田
優介 畠中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Fujifilm Business Innovation Corp
Original Assignee
Fuji Xerox Co Ltd
Fujifilm Corp
Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Xerox Co Ltd, Fujifilm Corp, Fujifilm Business Innovation Corp filed Critical Fuji Xerox Co Ltd
Priority to JP2008134636A priority Critical patent/JP5162331B2/ja
Publication of JP2009283712A publication Critical patent/JP2009283712A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5162331B2 publication Critical patent/JP5162331B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

本発明は光通信モジュールおよび光通信装置に関する。
近年、デジタル情報処理技術の飛躍的な進歩に伴い、高速で大規模なデジタル通信が可能な通信モジュールが求められている。しなしながら、金属配線を用いて電気信号を伝達する電気通信モジュールは、信号品質が伝送距離に応じて劣化し易く、また、電磁ノイズの影響を受け易いので、データ伝送速度や伝送距離に限界がある。そこで、高速、長距離通信の可能な光通信モジュールが考案され、多方面で実用化されている。
光通信モジュールにおいては、入力された電気信号を光信号に変換して送信する機能と、光信号を受信し、これを電気信号に復元して出力する機能とが要求される。光信号の送信には、LEDやVCSELなどの発光素子と、これらの発光素子を所定の駆動条件で駆動する駆動回路が必要である。また、光信号の受信にはフォトダイオードなどの受光素子と、これらの受光素子で光信号を変換して得られた電気信号を増幅する増幅回路とが必要である。そして、発光素子と駆動回路、および受光素子と増幅回路は、夫々電気的に接続されている。
発光素子と駆動回路、および受光素子と増幅回路のような電子デバイス同士を電気的に接続する方法としては、ワイヤボンディングが一般的に使用されている。
しかしながら、ワイヤボンディングは、個々の端子を個別に接続するため、実装時間がかかる。また、ワイヤのループ形状を保つ必要があるので微細実装が困難である。また、光通信を行うためには、発光素子および受光素子の近傍に小型レンズや導光路などを配置して光ファイバに光信号を結合させるが、発光素子および受光素子と小型レンズや導光路との距離は短いことが結合効率の点から好ましい。
そこで、微細実装を可能にするために、電子デバイスを表裏反転させてPWBやサブマウントに実装するフリップチップ実装方が提案された。しかしながら、発光素子や受光素子を表裏反転させて実装すると、当然のことながら、光信号がPWBやサブマウントで遮られる。
これらの課題を解決する発明として、光送信用および/または光受信用のICをベアチップにてマイカ基板上にフェイスダウン接続し、前記マイカ基板に対して前記ICとは反対側になるように前記マイカ基板上に光学レンズを取り付け、前記マイカ基板それ自身が有する赤外線透過性によって光通信可能にした光通信モジュール、およびフレキシブルPWBに光信号を透過させるための開口部を形成し、これらの開口部の中心にフォトダイオードをフェイスダウン実装した光通信モジュールが提案された(特許文献1)。
特開2001−44452号公報
しかしながら、PWBの材質が光信号に対して透明なものに限定されること、およびPWBが透光性でないときは、PWBの発光素子や受光素子を実装しようとする箇所に、高精度で光透過孔を開ける必要があることは、生産性および経済性のうえからは好ましくはない。
本発明は、PWBの材質が光信号に対して透明な特定の材質に限定されず、高精度の光透過孔をPWBに開ける必要もない光通信モジュールの提供を目的とする。
請求項1に記載の発明は、光素子と、電子回路と、厚み方向にのみ導電性を有し、前記光素子と前記電子回路とを電気的に接続する異方導電性部材と、を有し、前記異方導電性部材は、前記光素子から出射し、または前記光素子に入射する光を透過する透光部を有するとともに、厚み方向に導電性を有する2以上の導電性領域と、一方の面に形成され、前記導電性領域を電気的に接続する電気配線と、を有し、前記光素子は、前記異方導電性部材の他方の面における一の導電性領域に対応する部分に電気的に接続され、前記電子回路は、前記異方導電性部材の他方の面における他の導電性領域に対応する部分に電気的に接続されている光通信モジュールに関する。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の光通信モジュールにおいて、前記光素子が発光素子であり、前記電子回路が前記発光素子を駆動する駆動回路であるものに関する。
請求項3に記載の発明は、請求項1に記載の光通信モジュールにおいて、前記光素子が受光素子であり、前記電子回路が前記受光素子からの信号を増幅する増幅回路であるものに関する。
請求項4に記載の発明は、請求項1に記載の光通信モジュールにおいて、前記光素子が発光素子および受光素子であり、前記電子回路が、前記発光素子を駆動する駆動回路、および前記受光素子からの信号を増幅する増幅回路であるものに関する。
請求項に記載の発明は、請求項に記載の光通信モジュールにおいて、光導波路を備え、前記光素子からの出射光は、前記異方導電性部材を透過して前記光導波路に入射し、または前記光導波路からの出射光は、前記異方導電性部材を透過して前記光素子に入射するものに関する。
請求項に記載の発明は、請求項1〜の何れか1項に記載の光通信モジュールにおいて、前記異方導電性部材が、厚み方向に沿って配設された導体が絶縁性基材中に埋包された構成を有する。
請求項に記載の発明は、請求項1〜の何れか1項に記載の光通信モジュールにおいて、前記異方導電性部材が、厚み方向の貫通孔が全面に形成された絶縁性基材と、前記絶縁性基材の貫通孔の少なくとも一部に挿通された導体とを有するものに関する。
請求項に記載の発明は、請求項に記載の光通信モジュールにおいて、前記異方導電性部材の貫通孔のピッチPおよび直径Dは、以下の式、50nm≦P≦140nm、40nm≦D≦200nmを満たすものに関する。
請求項に記載の発明は、請求項またはに記載の光通信モジュールにおいて、前記異方導電性部材が、1個の貫通孔の直径をd、前記発光素子から出射する光、または前記受光素子へ入射する光の波長をλとすると、d≦λが成り立つように形成されているものに関する。
請求項10に記載の発明は、請求項の何れか1項に記載の光通信モジュールにおいて、前記異方導電性部材は、1個の導体の直径をd、前記導体の抵抗率をρ、透磁率をμ、前記導体を通過する電気信号の周波数をfとすると、前記d、ρ、μ、fの間に以下の式
d≦(2ρ/2πfμ)1/2
が成り立つように形成されているものに関する。
請求項11に記載の発明は、請求項4〜10の何れか1項に記載の光通信モジュールにおいて、前記光素子として発光素子と受光素子との組を2以上有するものに関する。
請求項12に記載の発明は、請求項1〜11の何れか1項に記載された光通信モジュールと、前記光通信モジュールの備える電子回路に電気的に接続されているとともに、外部から入力された信号を処理して前記電子回路に入力し、または前記電子回路から入力された信号を処理して外部に出力する信号処理回路と、を備える光通信装置に関する。
請求項1の発明によれば、光素子および電子回路を実装すべき基板の材質が、光素子に入出射される光信号に対して透明なものに限定されず、また、前記光信号が通過する導光路を前記基板に穿設する場合においても、それ程の工作制度が要求されず、経済性に優れた光通信モジュールが提供される。更に、異方導電性部材として透光性を有するものを使用しているため、光素子の信号光が入出射する側の面に異方導電性部材を装着できるから、透光性を有しない異方導電性部材を用いた場合と比較して光素子および異方導電性部材の配置の柔軟性が高い。また、光素子と電子回路とを異方導電性部材の同じ側の面に配設できるから、光素子と異方導電性部材における電子回路とは反対側の面に配設した光通信モジュールと比較して厚み方向の寸法のより小さい光通信モジュールが提供される。
請求項2の発明によれば、発光素子と駆動回路とが異方導電性部材で接続されている故に、発光素子とマイクロレンズまたは導光路とを近接させることができるから、発光素子と駆動回路とをワイヤボンディングで接続した光通信モジュールと比較して高い結合効率が達成される。
請求項3の発明によれば、発光素子と駆動回路とが異方導電性部材で接続されている故に、受光素子とマイクロレンズまたは導光路とを近接させることができるから、受光素子と増幅回路とをワイヤボンディングで接続した光通信モジュールと比較して高い結合効率が達成される。
請求項4の発明によれば、発光素子と駆動回路、および受光素子と増幅回路が異方導電性部材で接続されている故に、発光素子および受光素子とマイクロレンズまたは導光路とを近接させることができるから、発光素子と駆動回路および受光素子と増幅回路をワイヤボンディングで接続した光通信モジュールと比較して高い結合効率が達成される。
請求項の発明によれば、前記光導波路を通して光素子に光を入出射させることのできる光通信モジュールが提供される。
請求項の発明によれば、導電性粒子または導電性繊維を熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂等の基材に分散させたものをシート状に加工し、これに厚み方向の磁場を印加した状態で前記基材を硬化させることにより、異方導電性部材を形成できるから、基材の機械的性質および光学的性質を制御することにより、異方性導電部材に所望の機械的、または光学的特性(柔軟性および透光性など)を付与することができる。
請求項の発明によれば、異方導電性部材として、厚み方向の貫通孔が全面に形成された絶縁性基材と、前記絶縁性基材の貫通孔の少なくとも一部に挿通された導体とを有するものを使用しているから、前記異方導電性部材の貫通孔に導体を挿通していない部分は信号光を透過する。したがって、絶縁性基材の材質は透光性のものには限定されない。
請求項の発明によれば、異方導電性部材の貫通孔のピッチPおよび直径Dを上の式に規定される範囲とすることにより、前記異方導電性部材の導電性領域における導電性および非導電性領域における透光性を向上させることができる。
請求項の発明によれば、異方導電性部材の1個の貫通孔の直径dを信号光の波長λよりも小さくすることで、前記異方導電性部材の非導電性領域の信号光に対する透光性が更に向上する。
請求項10の発明によれば、異方導電性部材における1個の導体の直径dが、周波数fの電気信号が通過するときの表皮効果のおよぶ範囲よりも小さいから、前記異方導電性部材は高周波を良く通す。したがって、電子回路と光素子との間の高周波伝送特性に優れた光通信モジュールが提供される。
請求項11の発明によれば、発光側と受光側とが一体化された光通信モジュールが提供される。
請求項12の発明によれば、光通信モジュールにおいて光素子とマイクロレンズまたは導光路とを近接させることができるから、光通信モジュールにおいて光素子と電子回路とをワイヤボンディングで接続した光通信装置と比較して光結合効率が高い光通信装置が提供される。
1.実施形態1
本発明の光通信モジュールの一例について以下に説明する。
実施形態1に係る光通信モジュール100は、図1に示すように、表面に電気配線41が形成された基板40と、基板40上に実装された駆動回路20および発光素子30と、駆動回路20と発光素子30とを半田ボール21、31を介して電気的に接続する異方導電性部材1とを有する。発光素子30の信号光νを出射する経路上には集光レンズ50が配置されている。また、駆動回路20と電気配線41とはワイヤ22によって電気的に接続されている。発光素子30としては、LEDやVCSELなどが使用される。
異方導電性部材1は、全体としてシート状であって、厚み方向には導電性を有するが、面方向には通常の絶縁体と同程度の電気的絶縁性を有し、図1において(A)および(B)に示すように、絶縁性基材2と、絶縁性基材2に例えば1000万個/mmまたはそれ以上の密度で形成した微小貫通孔3、4と、微小貫通孔3に挿通された導体5と、絶縁性基材2における他方の面2b、即ち駆動回路20および発光素子30が接続される側の面である一方の面2a(1a)とは反対側の面に設けられた電気配線10とを有する。なお、図1の(B)は、図1の(A)に示す異方導電性部材1を垂直方向の平面X−Xに沿って厚み方向に切断した断面を示す断面図である。
微小貫通孔3、4のうち、微小貫通孔3は導体5が挿通された微小貫通孔を、微小貫通孔4は導体5が導通されていない微小貫通孔を示す。そして、微小貫通孔3、4のうち、のうち、駆動回路20が接続される領域、および発光素子30が接続される領域の微小貫通孔3には導体5が挿通され、夫々導電性領域15、16を形成する。そして、導電性領域15、16は、面2b(1b)において電気配線10によって電気的に接続されている。図2の(B)に示す例では、導電性領域15、16においては、導体5の両端面は、絶縁性基材2の面2a、2bと同一面上にあるが、電気配線10、駆動回路20、および発光素子30との電気的接続を確実にする観点から、図3に示すように導体5の両端は面2a、2bから突出していることが好ましい。導体5の両端を面2a、2bから突出させるときは、突出量は1〜100nmが好ましく、中でも5〜50nmの範囲が好ましい。
図3に示すように、異方導電性部材1の厚さ、換言すれば絶縁性基材2の厚さtは30〜300μmの範囲が好ましく、特に50〜100μmの範囲が好ましい。
微小貫通孔3、4は、異方導電性部材1の厚み方向、換言すれば絶縁性基材2の厚み方向Zに対して略平行に形成され、しかも軸方向に沿って略同一の直径を有している。
ここで、厚み方向Zに対して略平行であるとは、厚み方向Zに対する微小貫通孔3、4の中心線の角度のずれが10度以下であることをいう。前記角度のずれは、好ましくは5度以下であり、特に好ましくは3度以下である。また、軸方向に沿って略同一の直径を有しているとは、下記の式:
ΔD=100×(Dmax−Dmin)/Dave
max=微小貫通孔3、4の最大径、Dmin=微小貫通孔3、4の最小径、Dave=微小貫通孔3、4の平均径
で示される微小貫通孔3、4の直径のずれΔDが10%以下であることをいう。前記直径のずれΔDは、好ましくは7%以下であり、特に好ましくは5%以下である。
微小貫通孔3、4の密度は、1000万個/mm以上が好ましく、中でも2000万個/mm以上が好ましく、特に1億個/mm以上が好ましい。
また、微小貫通孔3、4は、以下の式:
規則化度(%)=100×B/A
で示される規則化度が50%以上になるように形成されていることが好ましい。ここで、前記式において、Aは、測定範囲における微小貫通孔3、4の全数を示す。そして、Bは、一の微小貫通孔3または4の重心を中心とし、他の微小貫通孔3または4の縁に内接する最も半径の小さな円を描いたときに、その円の内部に前記一の微小貫通孔3または4以外の微小貫通孔3または4の重心を6個含むことになる前記一の微小貫通孔3または4の数を表す。
微小貫通孔3または4がBに算入されるか否かの判定は以下の基準で行う。即ち、図4の(A)に示す微小貫通孔4Aは、微小貫通孔4Aの重心を中心として他の微小貫通孔4の縁に内接する半径の最も小さな円4C(微小貫通孔4Bに内接している。)を描いたときに、円4Cの内部に、微小貫通孔4の重心を6個含んでいる。したがって、微小貫通孔4AはBに算入される。
これに対して、図4の(B)に示される微小貫通孔4Dは、微小貫通孔4Dの重心を中心として他の微小貫通孔4の縁に内接する半径の最も小さな円4F(微小貫通孔4Eに内接している。)を描いたときに、円4Fの内部には、微小貫通孔4の重心は6個含まれている。したがって、微小貫通孔4DはBに算入されない。
同様に、微小貫通孔4Gは、微小貫通孔4Gの重心を中心として他の微小貫通孔4の縁に内接する半径の最も小さな円4I(微小貫通孔4Hに内接している。)を描いたときに、円4Iの内部には、微小貫通孔4の重心は7個含まれている。したがって、微小貫通孔4GもまたBに算入されない。
以上、微小貫通孔4についてBに算入されるか否かを判定する手順について説明したが、前記手順は微小貫通孔3についても同様に適用される。
隣り合う2つの微小貫通孔3の間隔、言い換えれば隣り合う2つの導体5の間隔dは、10μm以上が好ましく、中でも20〜100μmの範囲が好ましく、特に20〜50μmの範囲が好ましい。微小貫通孔3の間隔dがこの範囲内であれば、絶縁性基材2が絶縁性の隔壁として十分に機能するから、隣り合う2つの導体5の間で面方向に沿った電流の漏れが生じることが抑止される。
更に、微小貫通孔3の直径は20〜400nmが好ましく、中でも40〜200nmの範囲が好ましく、特に50〜100nmの範囲が好ましい。ここで、導体5の断面は必ずしも真円には限定されないが、導体5の断面が真円ではないときは、図6の(C)に示すように、導体5の断面と同一の面積Sを有する真円の半径をr(S=πrで与えられる。)とすると、導体5の直径d=2rで定義される。なお、発光素子30が出射する信号光の波長をλとすると、d≦λになるように導体5の直径dを設定すれば、異方導電性部材1の中の非導電性領域の信号光に対する透明性が更に向上するので好ましい。また、導体5の抵抗率をρ、透磁率をμ、導体5を通過する電気信号の周波数をfとしたときに、d、ρ、μ、fの間に以下の式
≦(2ρ/2πfμ)1/2
が成立するように導体5の直径dを設定すれば、導体5の直径dは、周波数fの信号を導体5に通したときに導体5において表皮効果が及ぶ深さよりも小さくなるから、導体5は高周波の透過効率が高い。
隣接する2つの導体5の中心間距離、言い換えれば隣接する2つの微小貫通孔3の中心間隔(ピッチ)pは、20〜500nmの範囲が好ましく、中でも40〜200nmの範囲が好ましく、特に50〜140nmの範囲が好ましい。微小貫通孔3のピッチが前記範囲内であれば、隣接する2つの導体5間において十分な絶縁性が得られ、しかも、1平方mm当りの導体5の密度を十分に高くすることができる。
なお、微小貫通孔4の直径dは、図3に示すように異方導電性部材1の強度の観点から10〜1000nmの範囲が好ましく、中でも20〜850nmの範囲が好ましく、特に30〜700nmの範囲が好ましい。
絶縁性基材2の材質は、プラスチックス、ジエン系ゴム、熱可塑性エラストマ、セラミックスなど、絶縁物として通常に用いられるものと同程度の電気抵抗率(1×1014Ω・cm前後)を有するものであれば、特に制限はないが、微小貫通孔3、4を容易に形成できる点からはアルミナが好ましい。
また、導体5は、電気抵抗率が1×10Ω・cm以下の材料である導電性材料であれば特に制限はなく、具体的には、金、銀、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケルなどが好適に使用される。中でも、電気伝導性の観点から銅、金、アルミニウム、ニッケルが好ましく、金および銅が特に好ましい。
なお、コストの点から、導体5のうち、微小貫通孔3内部に充填される部分には銅などの金以外の材料を用い、絶縁性基材2の頂面から突出した部分だけを金で形成してもよい。また、全ての微小貫通孔3について同一の材料から導体5を形成してもよく、微小貫通孔3によって異なる材料から導体5を形成してもよい。また、同一の微小貫通孔3に対して絶縁性基材2の表側と裏側とで異なる材料を用いて導体5を形成してもよい。
異方導電性部材1は、たとえば
(A)陽極酸化処理により、アルミニウム基板の表面に微小貫通孔を有する酸化皮膜を形成する工程、
(B)前記陽極酸化処理で得られた酸化皮膜からアルミニウムを除去する工程、
(C)アルミニウムが除去された酸化皮膜に存在する微小貫通孔を貫通させて微小貫通孔3、4として絶縁性基材2を形成する工程、および
(D)得られた絶縁性基材2の微小貫通孔3の内部に電気導電性材料を充填して導体5を形成して導電性領域15、16を形成する工程
を経て製造できる。
なお、所定の微小貫通孔の内部に電気導電性材料を充填して導体5を形成する方法としては、絶縁性基材2における導電性領域15、16以外の領域を適宜の方法でマスキングして電解鍍金または無電解鍍金によって微小貫通孔3の内部に金属を析出させる方法がある。
異方導電性部材1としては、他に、各種ポリオレフィン系樹脂、脂肪族ポリアミド計樹脂、熱可塑性エラストマなどの熱可塑性樹脂、またはエポキシ樹脂前駆体およびポリウレタン樹脂前駆体などの熱硬化性樹脂前駆体からなるマトリックス中に導電性粒子または導電性繊維を厚み方向に沿って分散させたシート状部材も使用される。
前記シート状部材は、前記マトリックスが熱可塑性樹脂の場合は前記熱可塑性樹脂のガラス転移点温度以上の温度で、前記マトリックスが熱硬化性樹脂前駆体の場合は前記熱硬化性樹脂の硬化温度で、厚み方向に沿って磁場を印加し、前記導電性粒子または導電性繊維を配列させ、マトリックスが熱可塑性樹脂の場合はそのまま常温まで冷却し、マトリックスが熱硬化性樹脂の場合は硬化反応を進行させることによって製造される。
前記導電性粒子および導電性繊維の材質としては、前記導体5のところで述べた材料が使用される。
以下、実施形態1に係る光通信モジュール100の作用について説明する。
電気配線41およびワイヤ22を通して外部から駆動回路20に信号が入力されると、駆動回路20は、入力された信号に対応する駆動信号を出力する。
駆動回路20から出力された駆動信号は、異方導電性部材1の導電性領域15における導体5、電気配線10、および導電性領域16における導体5を経由して発光素子30に入力される。
発光素子30においては、駆動回路20から駆動信号が入力されると信号光を出射する。
2.実施形態2
本発明の光通信モジュールの別の例について以下に説明する。
実施形態2に係る光通信モジュール110においては、図5に示すように、表面に電気配線41が形成された基板40と、基板40上に異方導電性部材1を介して実装された駆動回路20および発光素子30とを有する。
基板40における駆動回路20および発光素子30が実装される側とは反対側の面には、発光素子30からの信号光νを伝達する導波路60が設けられている。また、基板40における発光素子30からの信号光νの出射経路に当たる部分には開口42が設けられ、集光レンズ50は開口42の内側に収容されている。
異方導電性部材1には、図5及び図6に示すように、微小貫通孔3に挿通された導体5によって4つの導電性領域15A、15B、16A、16Bが形成されている。そして、駆動回路20および発光素子30が接続される側の面2a(1a)とは反対側の面2b(1b)に、導電性領域15Bと導電性領域16Aとを電気的に接続する電気配線10が形成されている。
駆動回路20は、異方導電性部材1の導電性領域15Aを介して基板40上の電気配線41に電気的に接続されている。また、発光素子30は、異方導電性部材1の導電性領域16Aに接続されている。なお、図5において21A、21B、31A、31B、41A、41Bは夫々半田ボールを示す。したがって、発光素子30は、導電性領域16A、電気配線10、および導電性領域15Bを介して駆動回路20と電気的に接続されている。なお、発光素子30は、半田ボール31Bを介して導電性領域16Bに固定されているが、これは、発光素子30を異方導電性部材1上に固定するためのものである。
異方導電性部材1は、4つの導電性領域15A、15B、16A、16Bが形成されている点を除いては、実施形態1のところで述べたとおりである。
以下、実施形態1に係る光通信モジュール100の作用について説明する。
電気配線41を通して外部から入力された信号は、異方導電性部材1の導電性領域15Aを通して駆動回路20に入力される。駆動回路20は、信号が入力されると、前記信号に対応する駆動信号を出力する。
駆動回路20から出力された駆動信号は、異方導電性部材1の導電性領域15B、電気配線10、および導電性領域16Aを経由して発光素子30に入力される。
発光素子30においては、駆動回路20から駆動信号が入力されると信号光νを出射する。発光素子30から出射した信号光νは、異方導電性部材1における導電性領域16Aと16Bとの間の部分を透過して集光レンズ50で集光され、導波路60に入射する。なお、図7に示すように、異方導電性部材1は、波長400nm〜900nmの範囲で80%以上の高い透過率で信号光νを透過するから、実施形態2に係る光通信モジュール110もまた、赤外光から紫外光に亘る広範囲の信号光の授受に使用される。
実施形態2に係る光通信モジュール110によれば、基板40上の電気配線41と駆動回路20とを接続するためのワイヤボンディングを省略できるから、実施形態1の光通信モジュールと比較して更なる薄型化が可能になる。
以上、光素子として発光素子を、電子回路として駆動回路を備える例について説明してきたが、実施形態1および2の光通信モジュールは、発光素子に代えてフォトダイオードなどの受光素子を、電子回路として駆動回路に代えて受光素子からの信号を増幅する増幅回路を設けた例も包含される。
図1は、実施形態1に係る光通信モジュールの構成を示す概略断面図である。 図2は、実施形態1に係る光通信モジュールの備える異方導電性部材の構成を示す斜視図および断面図である。 図3は、図2に示す異方導電性部材の構成の詳細を示す断面図である。 図4は、図2に示す異方導電性部材に形成された微小貫通孔の規則化度を算出する手順を示す説明図である。 図5は、実施形態2に係る光通信モジュールの構成を示す概略断面図である。 図6は、実施形態2に係る光通信モジュールの備える異方導電性部材の構成を示す斜視図および断面図である。 図7は、図6に示す異方導電性部材における信号光の波長と透過度との関係を示すグラフである。
符号の説明
1 異方導電性部材
2 絶縁性基材
3 微小貫通孔
4 微小貫通孔
4A 微小貫通孔
4B 微小貫通孔
4C 円
4D 微小貫通孔
4E 微小貫通孔
4F 円
4G 微小貫通孔
4H 微小貫通孔
4I 円
5 導体
10 電気配線
15 導電性領域
15A 導電性領域
15B 導電性領域
16 導電性領域
16A 導電性領域
16B 導電性領域
20 駆動回路
30 発光素子
40 基板
41 電気配線
42 開口
50 集光レンズ
60 導波路
100 光通信モジュール
110 光通信モジュール

Claims (12)

  1. 光素子と、電子回路と、厚み方向にのみ導電性を有し、前記光素子と前記電子回路とを電気的に接続する異方導電性部材と、
    を有し、
    前記異方導電性部材は、前記光素子から出射し、または前記光素子に入射する光を透過する透光部を有するとともに、厚み方向に導電性を有する2以上の導電性領域と、一方の面に形成され、前記導電性領域を電気的に接続する電気配線と、を有し、
    前記光素子は、前記異方導電性部材の他方の面における一の導電性領域に対応する部分に電気的に接続され、前記電子回路は、前記異方導電性部材の他方の面における他の導電性領域に対応する部分に電気的に接続されている
    光通信モジュール。
  2. 前記光素子は発光素子であり、前記電子回路は前記発光素子を駆動する駆動回路である請求項1に記載の光通信モジュール。
  3. 前記光素子は受光素子であり、前記電子回路は前記受光素子からの信号を増幅する増幅回路である請求項1に記載の光通信モジュール。
  4. 前記光素子は発光素子および受光素子であり、前記電子回路は、前記発光素子を駆動する駆動回路、および前記受光素子からの信号を増幅する増幅回路である請求項1に記載の光通信モジュール。
  5. 光導波路を備え、前記光素子からの出射光は、前記異方導電性部材を透過して前記光導波路に入射し、または前記光導波路からの出射光は、前記異方導電性部材を透過して前記光素子に入射する請求項1に記載の光通信モジュール。
  6. 前記異方導電性部材は、厚み方向に沿って配設された導体が絶縁性基材中に埋包された構成を有する請求項1〜5の何れか1項に記載の光通信モジュール。
  7. 前記異方導電性部材は、厚み方向の貫通孔が全面に形成された絶縁性基材と、前記絶縁性基材の貫通孔の少なくとも一部に挿通された導体とを有する請求項1〜5の何れか1項に記載の光通信モジュール。
  8. 前記異方導電性部材の貫通孔のピッチPおよび直径Dは、以下の式:
    50nm≦P≦140nm
    40nm≦D≦200nm
    を満たす請求項7に記載の光通信モジュール。
  9. 前記異方導電性部材は、1個の貫通孔の直径をd、前記発光素子から出射する光、または前記受光素子へ入射する光の波長をλとすると、d≦λが成り立つように形成されている請求項7または8に記載の光通信モジュール。
  10. 前記異方導電性部材は、1個の導体の直径をd、前記導体の抵抗率をρ、透磁率をμ、前記導体を通過する電気信号の周波数をfとすると、前記d、ρ、μ、fの間に以下の式
    d≦(2ρ/2πfμ)1/2
    が成り立つように形成されている請求項6〜8の何れか1項に記載の光通信モジュール。
  11. 前記光素子として発光素子と受光素子との組を2以上有する請求項4〜10の何れか1項に記載の光通信モジュール。
  12. 請求項1〜11の何れか1項に記載された光通信モジュールと、
    前記光通信モジュールの備える電子回路に電気的に接続されているとともに、外部から入力された信号を処理して前記電子回路に入力し、または前記電子回路から入力された信号を処理して外部に出力する信号処理回路と、
    を備える光通信装置。
JP2008134636A 2008-05-22 2008-05-22 光通信モジュールおよび光通信装置 Expired - Fee Related JP5162331B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008134636A JP5162331B2 (ja) 2008-05-22 2008-05-22 光通信モジュールおよび光通信装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008134636A JP5162331B2 (ja) 2008-05-22 2008-05-22 光通信モジュールおよび光通信装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009283712A JP2009283712A (ja) 2009-12-03
JP5162331B2 true JP5162331B2 (ja) 2013-03-13

Family

ID=41453854

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008134636A Expired - Fee Related JP5162331B2 (ja) 2008-05-22 2008-05-22 光通信モジュールおよび光通信装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5162331B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010135513A (ja) * 2008-12-03 2010-06-17 Sumitomo Electric Ind Ltd 実装体
KR20200015082A (ko) * 2018-08-02 2020-02-12 (주)포인트엔지니어링 마이크로 led 구조체 및 이의 제조방법
DE102019206508A1 (de) * 2019-05-07 2020-11-12 Ibeo Automotive Systems GmbH Halbleiter-Package und LIDAR-Sendeeinheit

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004235418A (ja) * 2003-01-30 2004-08-19 Seiko Epson Corp 光モジュール、光通信装置、光電気混載集積回路、回路基板、電子機器
JP2005286284A (ja) * 2004-02-03 2005-10-13 Sony Chem Corp 機能素子実装モジュール並びに光機能素子実装モジュール及びその製造方法
JP4555026B2 (ja) * 2004-08-27 2010-09-29 日本特殊陶業株式会社 光電変換モジュール、積層基板接合体
JP4793099B2 (ja) * 2006-05-31 2011-10-12 日立電線株式会社 光モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009283712A (ja) 2009-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8363993B2 (en) Combined optical and electrical interconnection module and method for producing same
US8285087B2 (en) Optical interconnection system using optical printed circuit board having one-unit optical waveguide integrated therein
US7541058B2 (en) Method of making circuitized substrate with internal optical pathway
US9335496B2 (en) Photoelectric conversion module
US10129983B2 (en) Optical module and flexible printed circuit board
US20080008477A1 (en) Optical transmission between devices on circuit board
KR100871251B1 (ko) 광 모듈
US8989531B2 (en) Optical-electrical wiring board and optical module
CN106058634B (zh) 光学器件封装体和光学器件装置
JP5692581B2 (ja) 光電変換モジュール、及び、光電変換モジュールの製造方法
CN105339820A (zh) 光模块用部件、光模块以及电子设备
US20190166684A1 (en) High-speed hybrid circuit
WO2017158721A1 (ja) 光伝送モジュール及び内視鏡
JP5162331B2 (ja) 光通信モジュールおよび光通信装置
JP5093121B2 (ja) 光モジュール
WO2004082019A1 (ja) プリント配線基板、その製造方法、リードフレームパッケージおよび光モジュール
JP2005292739A (ja) 光モジュール
JP5330846B2 (ja) 並列伝送モジュール
JP2009069501A (ja) 光電子回路基板及び光伝送装置
JP2005115190A (ja) 光電気複合配線基板、積層光導波路構造体
JP2007073664A (ja) 光送受信モジュールおよび光通信装置
JP2015041696A (ja) 基板、基板の接続構造、光モジュール、光通信装置、光通信システムおよび基板の接続方法
JP2017003648A (ja) 通信モジュール
JP2017181665A (ja) コネクター付き光導波路、コネクター、光導波路、光電気混載基板、光モジュールおよび電子機器
JP2011216629A (ja) 光モジュール用評価装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110415

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120717

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120718

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120918

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121002

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121130

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121211

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121217

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5162331

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151221

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees