JP4554652B2 - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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CG コントロールゲート
FG フローティングゲート
Q2,Q3 電荷交換能力が異なるメモリセル
Claims (2)
- フローティングゲートに電荷を蓄積することによりデータを記憶する複数のメモリセル群を有する不揮発性半導体記憶装置において、
前記メモリセル群は、
第1の導電型の半導体基板表面に形成され、前記半導体基板表面に形成された第2の導電型の第1のソース領域及び第1のドレイン領域と、前記第1のソース領域と第1のドレイン領域との間の前記第1の導電型の第1のチャネル領域と、前記第1のチャネル領域上に形成された第1のフローティングゲートと、前記第1のフローティングゲート上に形成された第1のコントロールゲートを含む第1のメモリセルと、
第1の導電型の半導体基板表面に形成され、前記半導体基板表面に形成された第2の導電型の第2のソース領域及び第2のドレイン領域と、前記第2のソース領域と第2のドレイン領域との間の前記第1の導電型の第2のチャネル領域と、前記第2のチャネル領域上に形成された第2のフローティングゲートと、前記第2のフローティングゲート上に形成された第2のコントロールゲートを含む第2のメモリセルとを有し、
前記第1のチャネル領域は前記第2のチャネル領域と不純物濃度が異なり、前記第1のソース領域と前記第1のフローティングゲートとの重なり面積は前記第2のソース領域と前記第2のフローティングゲートとの重なり面積と異なり、
前記第1のフローティングゲートに蓄積された電荷である電子が前記第1のソース領域に引き抜かれる速度は、前記第2のフローティングゲートに蓄積された電荷である電子が前記第2のソース領域に引き抜かれる速度と異なり,
更に,前記第1及び第2のメモリセルのメモリセルのフローティングゲートに電荷を注入する書き込みを行った後の第1の読み出し時に、前記フローティングゲートへの電荷の注入の有無による閾値電圧の違いに対応する第1の読み出し電位を前記コントロールゲートに印加し、前記第1及び第2のメモリセルのメモリセルに全面プログラム後に全面消去した後の第2の読み出し時に、前記フローティングゲートに蓄積された電荷である電子が引き抜かれる速度の違いによる閾値電圧の違いに対応する第2の読み出し電位を前記コントロールゲートに印加する読み出しレベル生成回路を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - フローティングゲートに電荷を蓄積することによりデータを記憶する複数のメモリセル群を有する不揮発性半導体記憶装置において、
前記メモリセル群は、
第1の導電型の半導体基板表面に形成され、前記半導体基板表面に形成された第2の導電型の第1のソース領域及び第1のドレイン領域と、前記第1のソース領域と第1のドレイン領域との間の前記第1の導電型の第1のチャネル領域と、前記第1のチャネル領域上に形成された第1のフローティングゲートと、前記第1のフローティングゲート上に形成された第1のコントロールゲートを含む第1のメモリセルと、
第1の導電型の半導体基板表面に形成され、前記半導体基板表面に形成された第2の導電型の第2のソース領域及び第2のドレイン領域と、前記第2のソース領域と第2のドレイン領域との間の前記第1の導電型の第2のチャネル領域と、前記第2のチャネル領域上に形成された第2のフローティングゲートと、前記第2のフローティングゲート上に形成された第2のコントロールゲートを含む第2のメモリセルとを有し、
前記第1のチャネル領域は前記第2のチャネル領域と不純物濃度が異なり、前記第1のドレイン領域と前記第1のフローティングゲートとの重なり面積は第2のドレイン領域と前記第2のフローティングゲートとの重なり面積と異なり、
前記第1のフローティングゲートに蓄積される電荷である電子が前記第1のフローティングゲートに注入される速度は、前記第2のフローティングゲートに蓄積される電荷である電子が前記第2のフローティングゲートに注入される速度と異なり,
更に,前記第1及び第2のメモリセルのメモリセルのフローティングゲートに電荷を注入する書き込みを行った後の第1の読み出し時に、前記フローティングゲートへの電荷の注入の有無による閾値電圧の違いに対応する第1の読み出し電位を前記コントロールゲートに印加し、前記第1及び第2のメモリセルのメモリセルに全面消去後に全面プログラムした後の第2の読み出し時に、前記フローティングゲートに電子が注入される速度の違いによる閾値電圧の違いに対応する第2の読み出し電位を前記コントロールゲートに印加する読み出しレベル生成回路を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
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---|---|---|---|---|
JPS60227466A (ja) * | 1984-04-25 | 1985-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | 読出し専用半導体メモリ装置 |
JPH05343701A (ja) * | 1992-06-09 | 1993-12-24 | Seiko Epson Corp | 半導体記憶装置及び半導体記憶装置の製造方法 |
JPH0677437A (ja) * | 1992-07-06 | 1994-03-18 | Hitachi Ltd | 不揮発性半導体記憶装置 |
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JPH10308462A (ja) * | 1997-05-01 | 1998-11-17 | Nippon Steel Corp | 半導体記憶装置及び製造方法並びに書き込み方法 |
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2007
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Patent Citations (6)
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